JPS6288133A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気的記録装置（磁気ディスク装置、磁気ド
ラム装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶
体（以下記憶体と呼ぶ）に関し、詳しくは、記憶体の金
属磁性薄膜媒体（以下金属媒体と呼ぶ）上の保護膜に関
する。

〔発明の概要〕

本発明は、金属媒体上尾酸化物、窒化物、炭化物及び炭
素分から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜が
被覆された記憶体に於いて、更に該薄膜の表面、細孔部
及び該薄膜により被覆されない金属媒体の表面に、少な
くとも炭素数が１９〜３４の直鎖飽和アルコールの混合
物を被覆せしめることにより、記憶体と記録再生ヘッド
（以下ヘッドと呼ぶ）間の摩擦係数を著るしく低下させ
父上記直鎖飽和アルコールの混合物が記憶体の構成金属
セして／或いは、該構成金属の自然酸化物及び上記酸化
物、窒化物、炭化物、炭素に吸着させたものであ、す、
これによシ記憶体の機械的信頼性と防食効果を飛躍的に
向上させたものである。

〔従来技術〕

金属媒体を有する記憶体に於いては、ヘッドとの接触に
耐えるだけの充分な機械的信頼性と金属媒体を腐食から
守る耐食性を有する保護膜を被覆せしめる事が必須であ
る。

従来、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｎ１−Ｐ、Ａｕ等の金属７−ｔ−保
護膜として被覆する事が、特公昭４７−４９６０５゜四
４８−１４２４１．同４１３−４１８１３１．同５５−
６２５７．％開昭５５−７５１０８．同５８−２６５２
０等で提案されているが、記憶体の耐食性を光分に確保
するには、該金属層の厚みｆｔ＋ｏｏｏＸ以上にせねば
ならず、又機械的信頼性は極めて低いものである。又特
公昭４９−２９６４５゜同５２−１７４０２．同５８−
５７６１６．特開昭５７−１１７１２６等に湿式・乾式
両表面処理法による酸化物層の形成が提案されているが
、該表面処理法によシ、金属磁性薄膜媒体の磁気特性が
変化し、又得られた磁気記憶体の機械的信頼性及び耐食
性も不充分であった。又特公昭４９−２６５６５、同５
０−５０．！ｄ５．同５１−１５９６７゜同５２−１８
００１．同３４−２９２４２．同３４−３４６０２．同
５５−２９５００　、同５７−４０５．！１５．同５７
−５８７５１．同５８−５７６１４、同５８−５７６１
５．特開昭５ｌ−４７４Ｑ　ｌ　、同５１−　＋　４８
４０６　、同５５−１０８９５０．１町５７−１４７１
５５．同５７−１８９５５９、同５８−１５５６３４．
同５８−１０８０５０等の酸化物膜そして、特公昭５５
−５９０４７、％開昭５５−７５９５１．同５８−１７
９９５８、同５８−１７９９５９．同５Ｂ−１７９９４
０等の各種化合物膜は、潤滑性に劣り、又耐食性を確保
するには、やはり１０００＾厚以上の膜厚にせねばなら
なかった。又特開昭５７−１５２５１７の二価フェノー
ル等の防錆剤は、初期の防食性効果を長期に護り維持す
る事が困難であった。他方、潤滑膜として特公昭３４−
５５５２１゜特開昭５５−１４５２０６．同５６−４１
５２４の炭素質膜は、他の保護膜にくらべ、優れた潤滑
性を示し、記憶体の機械的信頼性を高めたものの、ヘッ
ドと記憶体との接触を繰シ返すことによ）、該ヘッドと
記憶体との静摩擦係数が増大し、ついには、記憶体の回
転スピンドルモーターが停止する、いわゆるリンギング
現象を起こし、又ピンホールの発生も多く、防食効果が
なかった。又潤滑学会第２７期春季研究発表会予稿集Ｐ
１５７〜ｒａＯ（＋９８５）等に極性基を有する炭化水
素の潤滑効果について述べであるが、いずれを用いても
効果があるわけではなく、逆効果を招く場合も有シ、そ
の使用にあたっては更に工夫が必要であシ、その潤滑効
果は不充分であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の如〈従来技術では、記憶体とヘッドとの接触によ
る記憶体とヘッドの物理的劣化、及びリンギング現象そ
して記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確保出来ないと
いう問題を有する。

そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その
目的とするところは、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素
よシ選げれる少なくとも１種の物質より成る薄膜の保護
膜の耐食性を改善するとともにヘッドとの摩擦係数を改
善し、長期信頼性に優れた金幽媒体全有する記憶体を提
供するところにある。

〔問題点全解決するための手段〕

本発明の記憶体は、基体上に金属媒体を形成した後、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる少なくとも！桟の物
質よりなる被膜の形成の有無て於いて、酸化物、窒化物
、炭化′吻及び炭素より選ばれる少なくとも１種の物質
より成る薄ＩＩ！４を形成し、更に該薄膜の表面に炭素
数が１９〜３４の直鎖飽オロアルコールの混合＃を被覆
せしめた事を特徴とする。

Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎ’ｂは金属媒体と酸化物、窒化物
、炭化物及び炭素間の密着性をより確かにする目的で被
覆し、七の膜厚は、５０〜２００にで光分である。

酸化物は、５ｉＯ１，ＴｉＯ２，Ｃｒ、Ｏ，等、窒化物
はＴｉＮ　、　Ｔａ２Ｎ　、　Ａ！Ｎ　、　Ｓｉ、Ｎ、
等、炭化物は、ＳｉＣ、ＴｉＣ等、炭素は、ダイ・ヤモ
ンド状、グラファイト状、アモルファス状のいずれでも
良く、膜厚は、１５０人〜８００Ｘ形成する。以上は、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法やＣＶＤ法のいずれの方法でも形成可能である。

次に炭素数が１９〜３４の直鎖飽和アルコールの混合物
であるが、全ての炭素数のアルコールを含む必要はなく
、融点が６０℃〜約９５℃を示すアルコールがほぼ均尋
に混合されていれば良い。

上記アルコールは適切な溶媒で１１ｋ度を調節し、スピ
ンコード法、スプレー法、等運引き上げ法思の既知の方
法で塗布するか、真空蒸着法で形成しても良い。いずれ
の方法でも膜厚は約５０〜２００＾が適当である。

〔作用〕

本発明の上記の構成によれば、金属媒体の上に防食効果
膜の硬度に優れ、又摩擦係数の低い、酸化物、窒化物、
炭化物、炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成
る薄膜が形成されるが、該薄膜の膜欠陥が発生し製造工
程上、該欠陥を皆無にすることは不可能である。そこで
、該薄膜とまつた〈性質の異なる直鎖飽和アルコールを
更に被覆することにより、該アルコールは、該欠陥にも
浸透し金属媒体の表面に配向的に形成される。これによ
り金属媒体を水分等の腐食環境から守る一方、該アルコ
ールが極めて塑性流動変形性に優れる事から、記憶体と
ヘッド間の摩耗を減じる作用が犬きく、該アルコールの
融点が６０℃〜９５℃と幅広く又高いので、種々の環境
（高温時等）でもその作用が失なわれる事はなく、該記
憶体の機械的信頼性が低下することは無い。又該アルコ
ールの混合物被膜の下層として高硬度膜を形成する事に
よシ、該アルコールの混合被膜とへノド間の機械的信頼
性が飛−的に向上した。

〔実施例１〕 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性合金メッキとしてＮｉＰ合金メッキを約２０μｍ
の厚さにメッキ後、研磨によりｉ５μ携の厚き、表面粗
さ０．０５μ惧以下にし、更に金属磁性薄膜としてＣｏ
−Ｎ１−Ｐ合金全豹（１０７μ慣厚にメッキした。

次にマグネットロンスパッタ装置で、Ｃｒｆ１００＾、
Ｓ１０．全５００Ｘ連続して形成した。

史だ下記処理成約ｚ−（５’／Ｉデイスクの場合）をデ
ィスク片面に滴下後１５００ｒｐｍで２０秒間回転させ
るスピンコードを行ない、直鎖飽、＋１１アルコールの
混合物を塗布した。

〔実施例２〕 実施例１と同様にして金属媒体ｆ、有するディスクを作
製した。

？ＸＫマグネトロンスパッタ装置で、Ｔ１を５０又、炭
素質膜（アモルファス状）を４００Ｘ形成した。

次に実施例１とＩｕ］様にして直鎖飽和アルコールの混
合物を塗布した。

〔実施例５〕 研磨きれたＮ１−Ｐ合金メッキディスク基板にマグ木ト
ロンスパッタ装置でＯｒをｌｌ１００Ａ、次いで、００
−　Ｎ　ｉ　−Ｏｒ合金（Ｃｏ−５０ａｔ％Ｎ１−７．
５　ａ　ｔ％０ｒ）ｖ９ｏｏＸ、更にＴｉＮｆｊｒ：５
００Ａ形成した。

スパッタ中は、酸素分圧ｆ　８Ｘ　Ｉ　Ｏ−’　ｔｏｒ
ｒ以下に保ち、上記５１Ｓを連続形成した。

次に実施例１の直鎖飽和アルコールの混合物を抵抗加熱
方式で蒸着し、膜厚を１００又とした。

（蒸着中の真空度を８Ｘ　Ｉｎ−’　ｔｏｒｒとした。

〕〔実施例４〕 実施例ｉ同様の金属媒体を有するディスクを作製した。

テトラメトをンシランをブタノールに希゛沢した後、（
＋＋ｊ）酢酸を添加し加分分屏収とした。

（固形分濃度はＳ　ｉ　０４　／２として計痺して０５
％とした。） スピンコード法により（ディスク片面づつ）、ディスク
表面全体に上記のカ日水分解液を滴下し、１０００　ｒ
　ｐ　ｍで２０秒間回転し、６５℃で１０分間予白焼成
を行った後に２００℃で２時間本焼成を行った。

次に、下記処理収約２Ｔｎｉ：（５Ｖ４デイスクの場合
）をディスク片面に滴下後＋５０Ｏｒｐｍで２０秒間回
転させるスピンコードを行ない、直鎖飽和アルコールの
混合物を塗布した。

処理液 〔実施例５〕 実施例１同様の金属媒体を有するディスクを作製した。

次にマグネトロンスパッタ装置を用い、Ｔａを１００ス
、ＴａＯを５００又形成した後、実施列４と同様に直鎖
飽和アルコールの混合ｊ勿を塗布（７た。

〔比較例１〕 実施例１に於いて、０１〜と５１０．の形成を除いて、
金属媒体に［■接直鎖飽和丁ルコールの１合物を塗布し
た。

［比較例２〕 実施例１に於いて、直鎖飽和アルコールの混合物の塗布
を行なわないディスクを作製した。

〔比較例５〕 実施例１に７吟いて、処理液全下記内容に変色Ｌ２てデ
ィスクを作製（７た。

処理液 〔比較例４〕 実施例１に於いて、処理液全下記内容に変更してディス
／７を作製した。

処理液 以上の実施例、比較例で述べたディスクの品質評価を、
ａＳＳ試験と耐湿試験で行った。ａＳＳは、ディスク作
＃直後のディスクと、８０℃７日間の耐熱試験化みのデ
ィスク音用い、静摩擦係数と出力の低下率を求め、耐湿
試験は、８０℃。

８０−％ＲＨ（７）環境にディスクを放置し、放置時間
の経過を追ってミツノングビゾド数を確認し、その増力
口した時点を寿命とした。

尚本発明は、基板がプラスチックであるフロッピーディ
スクや磁気テープ類そして、光磁気デイスフにも適用が
可能であシ、その他、基板材料はガラス等も含めて実施
例に限定されない。

〔発明の効果〕

以上述べた様に本発明によれば、より薄膜で、機械的信
頼性と耐°食性を充分に確保した高密度記録対応のディ
スクの提供が可能になった。

又ディスクドライバー等の磁気的記録装置が小型化等に
伴ない、より厳しい環境下で用いられ始めているが、本
発明品は、８０℃の環境下で作動させても何等特性が劣
化しない高耐久対応のディスクである。

以　　　上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金属
   磁性薄膜媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から
   選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され
   、更に該薄膜の表面に、少なくとも炭素数が１９〜３４
   の直鎖飽和アルコールの混合物を被覆せしめた事を特徴
   とする磁気記憶体。
2. （２）金属磁性薄膜媒体と酸化物、窒化物、炭化物及び
   炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜と
   の間にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる少なくとも
   １種の物質より成る被膜が形成せしめられた事を特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。