JPS62214515A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶体（
以下、記憶体と呼ぶ）に関する。

〔従粟の技術〕

金属磁性薄膜媒体）（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する
記憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下九ヘッドと呼
ぶ）との接触を耐えるだけの充分な従来より、基体は、
アルマイト処理やＮｉ−１’メツキ等の非磁性メッキが
施こされた後、鏡面研摩されたＡｔ合金基板が用いられ
る。

スパッタメディアの場合、上記基板を用い、マグネトロ
ンスパッタ装置により、第１層、Ｏｒ。

第２層、Ｃｏ含有磁性体、第３層、カーボンや５１０１
等の化合物が連続成膜される。

上記の記憶体は一応の耐久特性を有し、市場に出回り始
めているものの、大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載したドライブを６０℃　８０％Ｒ，Ｈ
の環境に４日間放置すると、記憶体１枚に１〜２ケ所の
腐食点が発生し、ディフェクトに至る。又記ｔＱ体とヘ
ッドの接触の繰り返しにより、両者間の静摩擦係数が増
大し、ついには記憶体回転スピンドルモーターが停止す
るスティッキング現象を起こした。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の技術では、記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確
保できず、又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘ
ッドの物理的劣化及びスティッキング現象という問題点
を有していた。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分等の環境に対する全４媒体の耐食
性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッド間の
摩擦係数を大幅に低減させ、記憶体の機械的信頼性を高
めた記憶体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の記憶体は、アルマイト処理やＮ１−Ｐメッキ等
の非磁性メッキが施こされた後、鏡面研摩された基体上
に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１
種の金属薄膜の形成の有無において、酸化物、窒化物及
び炭化物から選ばれる少なくとも１種の物質より成る化
合物薄膜が被覆され、次に金属媒体が被覆され、更に炭
素質膜が被覆され、最後に、融点が８０℃以上の有機物
が被覆された事を特徴とする。

金［１膜は、基体と酸化物、窒化物及び炭化物から選ば
れる少なくとも１種の物質より成る化合物薄膜間の密着
強度を充分に保つ目的で形成するが必須ではなく、膜厚
は５０〜２００Ｘで充分である。

酸化物はＡｌ、Ｏ，、Ｔｉｅ、、０ｒ２０．。

Ｔａ、Ｏ，、ＮｂＯ，、Ｓｉｎ、５ｉｎ２　。

Ｂ、Ｏ，、窒化物はＡｔＮ　、ＴｉＮ　、ＴａＮ　。

ＯｒＮ、Ｎ’ｂＮ、Ｓｉ３Ｎ４　１”Ｎｌ　炭化物は、
ＴｉＣ，ＯｒＣ，ＴａＯ，Ｎｂ（３，ＳｉＣ，Ｂｅ等で
あり、化学量論比は、前記化学式に限定されるものでは
無い。これらはいずれも、緻密性、１を気絶縁性に優れ
る事から、基体及び、アルマイト被膜やＮ１−Ｐ等の非
磁性メッキ被膜中の不純物が金属媒体等の上層に浸透す
る事を防ぐ遮断層であり、又水分の浸透により形づくら
れる電気化学的腐食系を遮断するものであり、膜厚は２
００〜１０００Ｘが適切である。

金属媒体は、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ　−Ｃｒ、
Ｃｏ−０ｒ等であり、必要とする磁気特性から選ばれる
。尚、金属媒体と化合物薄膜間に、必要に応じ、Ｏｒ等
の被膜を形成しても良い。

炭ｚｉｍは、ヘキサコナル状、ダイヤモンド状、アモル
ファス状のいずれでも良く又、混合、積層で良い。膜厚
は１００〜６ｏｏＸで良い。

以上の被膜は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法等のＰ’ＶＤ法やＣＶＤ法の既知の方法
で形成できる。

融点が８０℃以上の有機物は、炭素数が８〜３０で直鎖
、分校、飽和、不飽和のアルコール、エステル、アミン
、カルボン酸や塩から選ばれる少なくとも１種の適切で
ある。これらは溶媒に溶解してスピンコード法、スプレ
ー法、等速引き上げ法等の塗布法で被覆するか、真空蒸
着法等の真空成膜法で被覆しても良い。膜厚は２０〜２
００＾が適切である。融点が８０℃以下の有機物は高温
下に記憶体が放置された場合や記憶体とヘッド間の摩擦
時に除々に気化したり、炭素質膜に含浸してその効果が
失なわれる。

〔作用〕

本発明の構成によれば、金属媒体下に緻密性、電気絶縁
性に優れた酸化物、窒化物及び炭化物から選ばれる少な
くとも１種の物質より成る化合物が被覆され、より下地
層に含有されるイオン性不純物の上層への浸透を防止す
る。基体のＡ１合金、アルマイト被護やＮ１−Ｐ合金等
の非磁性メッキ被膜に塩素等が製造過程で残留する事が
さけられない。そのため、本発明の如く化合物膜を被覆
する事なく記憶体を作製する従来品は加湿下に放置され
た場合、水分が記憶体内部に浸透し、浸透した水分に塩
素等が溶は込み、金Ｊｉｌｔｉ体の　食が加速されて進
行するが、本発明は、この問題を完壁に解決する事が可
能になった。

本発明に述べる炭素質膜が一般に優れた潤滑性能を有す
る事は知られているが、ヘッドとの接触により除々に摩
耗し、炭素質膜の表面が平滑化し、一方のヘッドには摩
耗した炭素質膜が移行し、ヘッド浮上性が悪化し更に摩
耗がすすみ、ヘッドと記憶体間の摩擦係数が増大し、つ
いにはスピンドルモーターが停止するスティッキング現
象を起こした。本発明の如く炭素質膜上に融点８０℃以
上の有機物、特に炭素数が８〜３０で、直鎖９分枝、飽
和、不飽和のアルコール、エステル、アミン、カルボン
酸や塩から選ばれる少なくとも１種は、塑性変形流動性
に優れる事から、ヘッド、記憶体間の摩擦係数を減じさ
せ、その結果として、ヘッド、記憶体の物理的劣化も減
じ、スティッキング現象の問題が完壁に解決できた。

近年、小型ハードディスクドライブに代表されるが、よ
り厳しい環境下で記憶体が用いられる。

環境条件としては、８０℃の温度、８０％Ｒ，Ｈ。

の湿度であるが、化合物薄膜及び融点が８０℃以上の有
機物を用いる本発明の構成により、機械的信頼性、耐食
性ともに大幅に向上せしめた記憶体を提供する事が可能
になった。

〔実施例１〕 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性合金（Ｎｉ−Ｐ）メツ午を約１５μｍ厚に被覆後
、研摩により１０μ携厚、表面粗度０．０２μｍ以下に
加工する。

次にマグネドレンスパッタ法で、上記基板をセット後、
１０″″＠ｔｏｒｒ　　以下に排気し、基板を８０℃に
なるまで加熱し、３分間保持する。

次にＯｒを５０ＸＣＤＣ印加、操作圧カニＡｒガス導入
により６Ｘ１０−３ｔｏｒｒ　）　、　Ｓ　ｉ　０２を
５ｏ　ｏ　久（Ｒｈ印加、操作圧カニ　６　Ｘ　１０−
３ｔｏｒｒ　）Ｏｒを５ｏａＸ、ｃｏ−Ｎｉ（Ｇｏ−２
０ａｔｚＮ１）を６００＾（Ｄ（３印加、操作圧カニ４
×１０−”ｔｏｒｒ　）　、　Ｏを３００Ｘ（Ｄｏ印加
、操作圧カニ　６　Ｘ　１０−３ｔｏｒｒ　）連続成膜
した。

更に、下記処理液に、上記ディスクを浸漬した後、１０
　ｃｍ　／　ｌｉｌで引き上げ、ステアリン酸Ｌ１を約
ｓｏＸ被覆した。

〔実施例２〕 実施例１同様の基板上にアルマイト処理を施こし２０μ
携厚のｋｔ、Ｏ８層を形成した後、研摩により１５μｍ
厚、表面粗度を０．０５μｍ以下に加工した。

次に実施例１同様にマグネトロンスパッタ法により、前
加熱の後、Ｔ１を５０＾、ＴＩＮを３０ＯＡ、Ｏｒを１
００ＯＡ、Ｃｏ−Ｎ１−（！ｒ（Ｃｏ−Ｂｏａｔ％Ｎｉ
−７，５ａｔ％Ｏｒ）を６０ＯＡ、Ｏをｓ　ｏ　ｏ　Ｘ
、連続成膜した。

〔実施例３〕 実施例１同様にＮ１−Ｐメツ午を被覆した基板を用い、
マグネトロンスパッタ法で次の成膜を行った。

Ｏｒを５ＯＡ、０ｒ２０３を４００ＡＳＯｒを８００　
ＡＳＯｏ−Ｎ　ｉ−Ｏｒを６０ＯＡ、Ｃを３００Ｘ１連
続成膜した後、下記処理液を用い、等速引き上げ法でス
テアリン酸Ｎａを３０Ｘ被覆した。

〔実施例４〕 実施例１に於けるＳ　ｉ　Ｏ，をＢｅにかえて、他は実
施例１と同様にしてディスクを作製した。

〔実施例５〕 実施例１に於けるステアリン＃ＩＬ１をステアリン酸ア
ミドにかえて、他は実施例１と同様にしてディスクを作
製した。

〔比較例１〕 実施例１に於ける５１０２の被覆を除き、他は実施例１
と同様にしてディスクを作製した。

〔比較例２〕 実施例２に於けるＴｉＨの被覆を除き、他は実施例２と
同様にしてディスクを作製した。

〔比較例３〕 実施例３に於けるＣ！ｒ２０３の被覆を除き、Ｏｏ　−
Ｎ　ｉ　−Ｏｒにかえて、Ｏｏ−’Ｐｔ（Ｃｏ−１０ａ
ｔ％　Ｐｔ）を用い、実施例３に準じてディスクを作製
した。

以上の実施例、比較例で述べたディスクの品質評価をＣ
ＳＳ試験及び耐湿試験で行った。

ＣＳＳ試験は、Ｏ３Ｓ前後の外観変化、静摩擦係数と出
力低下率を求めた。（ヘッド：３３７０ミノモノリシツ
ク） 耐湿試験は８０℃、９０％Ｒ，Ｈ，の環境にディスクを
放置し、放置時間の経過を追って、ミッシングビット数
を測定し、その増加が確認された時点を寿命と判断した
。

以上の如く、金属媒体に、Ｃｒ、Ｐｔに代表される耐食
元素が添加されても、防食効果は不充分である。

本発明の化合物薄膜により、耐湿性が、融点が８０℃以
上の特定の有機物の被覆により、機械的信頼性が大幅に
向上した。

〔発明の効果〕

高密度化対応の記憶体として薄膜メディアが登場して久
しいが、長期信頼性に不安があるため、その使用は一部
に限られていた。

本発明によれば、加湿下で記憶体が用いられても金属媒
体に何等の変化も与えず又、機械的信頼性も高いので、
増々小型化し厳しい環境下でドライブが用いられようと
も、記憶体、ヘッドともにそれにより特性が劣化するも
のではない。

以上の如く、高密度、高耐久化記憶体の提供が可能にな
った。

以　　上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、酸化物、窒化物及び炭化物から選ばれ
   る少なくとも１種の物質より成る化合物薄膜が被覆され
   、次に金属磁性薄膜媒体が被覆され、更に炭素質膜が被
   覆された事を特徴とする磁気記憶体、
2. （２）酸化物、窒化物及び炭化物が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ
   、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる元素の化合物であ
   る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶
   体。
3. （３）炭素質膜上に融点が８０℃以上の有機物が被覆さ
   れた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記
   憶体。