JPS6331021A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）に関する。

〔従来の技術〕

金塊磁性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）１−有する
記憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下、ヘッドと呼
ぶ）との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と、水
分、塩素、硫化水素等の腐蝕環境に充分耐える耐食性が
要求される。

従来エク、基体はアルマイト処理やＮ１−Ｐ　　メッキ
等の非磁性メッキ処理の後、鏡面化やすし目面化のため
の研摩が施こされたｋｔ合金基板等が用いられ、該基体
上にＮ１−Ｐ、　Ｎｉ　−Ｗ−Ｐ等の非磁性メッキやＣ
ｒ、Ｔｉ等の被覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し
、更にＳ１Ｏ，（ポリケイ酸を含む）、ＡＩＮ、ＴｉＣ
，Ｃ，Ｍｏｂ、等の保護膜が被覆される。

上記の記憶体は一応の耐久特性ｔ−［Ｌ、既に市場に出
回υ始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載したドライブを４０”Ｃ２８０％Ｒ，
Ｈ，の環境下に放置すると記憶体１枚に１゜２箇所に腐
食点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又、記憶体
とヘッドの接触の繰シ返しにエフ、両者間の摩擦係数が
増大し、ついには記憶体回転用スピンドルモーターが停
止するスティッキング現象に至る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の技術では、記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確
保できず、又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘ
ッドの物理的劣化及びステづツキング現象という問題点
を有していた。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分、塩素、硫化水素等の環境に対す
る金属媒体の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記
憶体とヘッド間の摩擦係数を大幅に低減させ、記憶体の
機械的信頼性を高めた記憶体を提供するところにある。

〔問題点全解決するための手段〕

本発明の記憶体は、硬質被膜被覆基体上に金属媒体が被
覆され、次にＺｒ、　Ｔｉ、　Ｔａ、　Ｎｂ、　Ｃｒ。

Ｈｆから選ばれる少なくとも１種の金属薄膜ケ第１層と
して被覆し、矢に少なくともＡｇｉ含む薄膜を第２１１
として被覆し、次に炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素
から選ばれる物質全果３　層として被覆し、更に脂肪酸
とＬｉ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｍｇ、　Ｃａから選ばれる少
なくとも１種の金属塩を第４層として被覆ぜしめた事を
特徴とする。

金属薄膜は金属媒体と第２Ｎとの間の密着性全確保する
目的と、容易に不働態化して金属媒体全腐食環境から保
護する目的で形成する。膜厚は５０〜２００＾で充分で
ある。

Ａｇを含む薄膜は、ドライブ使用環境雰囲気中に存在し
、記憶体に吸着、浸透する水分、塩素、硫化水素等を反
応し固定する能力を有し、腐食全速進する前記物質は金
属媒体に到達しにぐい。膜厚は５０〜２００又で充分で
ある。

炭化物、窒化物、酸化物は上記金属薄膜の元素の化合物
であり、混合、積層は任意である。又化学量論比の制限
Ｖｓ、特に無く、膜厚は１５０〜５００芙が適切である
。炭素は、グラファイト、ダイヤモンド、アモルファス
やそれらの混合、積層であり、膜厚に上記の化合物の場
合と同様である。

この化合物及び炭素の薄膜は硬度、緻密性に優れ、ヘッ
ドの接触に対し、一定レベルの耐久性を有し、又前記水
分、塩素、硫化水素の透過スピードを抑制する。

以上の破膜は、真壁蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法等のＰｖＤ法やＣＶＤ法等の既知の方
法で形成可能である。

金属塩は直鎖、分枝、飽和或いは不飽和の脂肪酸とＬｉ
、Ｎａ、に、Ｍｇ、Ｃａ　との金属元素と塩類であり、
融点は８０℃以上、望でしくに１５０℃以上あれは工い
。これらは、単独或いは混合状態で真を蒸着で形成して
も又各種の溶媒に溶解し、スピンナー法、スプレー法、
ディピング法等の塗布法で形成可能である。

〔作用〕

本発明の礪成によれば、金属媒体に接触する第１層とし
て金属媒体ニジ卑で、容易に不働態化膜全形成する金属
薄膜を被覆し、次に特に塩素、イオン、酸素を容易に反
応しそれら全固定するＡｇ含ＭＮ七第２鳩として被覆し
、更に水分、塩素、硫化水素の透過を抑制し、ヘッドの
接触にも筒い抵抗力を示す高硬度、緻密性膜を第３層と
して被覆する。

上記各種の薄膜はいずれもピンホールを皆無にする事に
困難である事から、本発明では、その材質全変え積層化
する事に工や、ピンホール七不連続化したものであり、
そして特に金属媒体の腐食全速進する塩素とイオンｋＡ
ｇＫよりトラップするところが重要ポイントであジ、記
憶体の耐湿性は大幅に向上した。

一万、機械的信頼性の観点からは、化合物膜は摩擦係数
は小さいものの潤滑性が無く不充分ｌ保腫膜である。又
炭素膜は一定レベルの潤滑性を有するものの、Ｃ８Ｓｉ
繰り返す事に工す、炭素膜の削れが起きその結果ヘッド
、記憶体間の摩擦係数が増加する欠点ｋＷＬでいる。

本発明の金属塩は、塑性変形流動性に優れ、へラド、記
憶体間の摩擦係数を大幅に低減化する。

又いずれも融点が１００℃以上と高く、ヘッド記憶体間
の摩擦熱にも、そしてドライブが８０℃以上の高温下に
放置されｆｃ場合にも、特性が何等変イヒレない。これ
により記憶体の機械的信頼性は大幅に向上した。

〔呆施例〕

鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ　　合金メッキを約１５μｍ厚に施こし
た後、研摩にエフ表面粗度ｃＬ０２μｍ以下に表面加工
し、更にｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金メッキを約１０７μｍ厚に
施こした。

次ＶＣマグネトロンスパッタ装置に上記基板全セットし
、５　Ｘ　１０−’　ｔｏｒｒ以下１で排気した後、基
板の前加熱（８０℃、５分間）ヲ鬼こした。次にＡｒガ
ス′ｔ−導入し、６×１０″″”　ｔｏｒｒにした後、
第１表に示した材料をターゲットとして、パワー密度４
Ｗ／−で成膜した。

次に同じく第１表に示す材料ｔメタノールとダイフロン
Ｂ　−３（Ｖｏｌ比１：１）にＣＬ　Ｏ５ｗ、／ｖ　％
濃度で溶解し、ディピング法（１５ｃｍ／　”　）で塗
布した。

第１表 上記の記憶体の品質評価を下記の方法で行ない、その結
果を第２表に示す。

Ｃ８８試験 Ｃ’８Ｂ動作前後の外観変化、静摩擦係数と出力低下率
を求める。（ヘッドは５３７ｃＢニモノリシツク、ミニ
コンポ、薄膜タイプの５種を用いた。）耐湿試験 ８５℃、８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時
間の経過を追い、ミッシングピット数を測足し、その増
加が認められた時点全寿命と判断し友。

〔発明の効果〕

高密度化対応の記憶体として薄膜型記憶体が登場して久
しいが、長期信頼性に対する不安がある友め、その使用
は一部に限られていた。

本発明によれば、加温湿下で記憶体が用いられても金属
媒体が冥用的に何等の影１’ｔ−受けず、又ヘッド材質
にエフ、機械的（信頼性が変わらず且つ高いので、増々
小型化し厳しい環境下でドライブが使用されても、記憶
体、ヘッドはともに特性が劣化するものではない。

以上の如く、高密度、高耐久化記憶体の提供が可能にな
った。

以　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金属磁性薄
   膜媒体上に、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆから
   選ばれる少なくとも１種の金属薄膜が第１層として被覆
   され、次に少なくともＡｇを含む薄膜が第２層として被
   覆され、次に炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素から選
   ばれる物質が第３層として被覆され、更に脂肪酸とＬｉ
   、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから成る少なくとも１種の金属
   塩が第４層として被覆された事を特徴とする磁気記憶体
   。