JPS6320721A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔に膜上の利用仕分〕 本発明は磁気記録＋Ａ誼（磁気ディスク装置、磁気ドラ
ム装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶体
（以下、記憶体と呼ぶ）の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記
憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下１ヘツドと呼ぶ
）との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と、水分
等の腐食環境に充分金属媒体が耐える耐食性を与える保
論膜形成が必須である。

従来より、炭素質膜が優れたヘッド浮上性を与えるグ■
から、金属媒体上に、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス雰囲気下で
、グラファイトやアモルファスカーボンをターゲットと
し、直流電圧印加マグネトコンスバッタリングにより、
炭素質膜を被覆した。

又、近年、炭素質Ｎ上に各種固体、液体の潤滑層を形成
し、記す、０体とヘッド間の摩擦係数を低減し、機械的
信頼性の同上を計るＩｉが試みられている上述の如く、
炭素買戻の形成を？Ｍ流印加マグネトロンスパッタ方式
で行なった場合、ターゲットに含まれる天分（絶縁性酸
化物）が起点となるスプラッタ現象により、雀化物と炭
素の塊状混合物が記憶体表面に付着する。該混合物はヘ
ッドとの接触で容易に記憶体表面から離れ、摺動時にヘ
ッド、メディア間に絡む事により記憶体及びヘッド表面
にダメージを与える。この現象は、前述の各種潤滑層を
炭素質膜上に形成した場合にもほぼ同様に認められる。

又該混合物が離脱した記憶体表面は、直接雰囲気中水分
に触れるため、腐食が進行しやすい。

他方、上記炭素質膜に被覆された部分に於いても、加温
温容囲気下で腐食点が発生する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の技術では、記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確
保し、記憶体とヘッドとの接触による双方の物理的劣化
が極めて少ない記憶体の作製が出来なかった。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分等の環境に対し充分な耐食性を付
与し、塊状混合物が付着しない均一な表層を形成しつる
炭素質膜の製造方法を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の製造方法は、基体上に炭素質膜が被覆され、炭
素質膜上に脂肪酸とＬ　ｉ　、　Ｎ　ａ　、　Ｋ　。

Ｍｇ　、　０　＆から選ばれる金属との塩が被覆された
磁気記憶体に於いて炭素１！膜が、交流℃圧印加のマグ
ネトロンスパッタ方式で被覆せしめた事を特徴とする。

交流印加は通常＊６０Ｈｚ或いはその前後以上の周波数
であり、特別限定されるものではない。

又Ｈ２ガスは残留ガス中のＨ，Ｏ及び０２分圧の５倍以
上、鼠ましくは１０倍以上導入し、更に希ガスを導入し
、１×１０″″３ｔｏｒｒ以上にスパッタ案内圧を設定
する。

その他のスパッタリング条件に制限は無い。

〔作用〕

本発明の製造方法によれば、交流電圧印加によるグロー
放電であるので、ターゲットに含まれる灰分のチャージ
アップはなく、スプラッタ現象による塊状混合物の付着
は起きない゛。従かい材質が均一で、異常品のない滑ら
かな表層の炭素質膜が形成できる。他方、希ガス中に残
留Ｈ，Ｏ及び０２分圧の５倍以上のＨ２ガスを混合した
事により、炭素質膜表面に従来形成された、ＣｏｏＨ基
やＯＨ基等の親木基の形成が少なくなでた廖が、赤外吸
収波形の分析で明らかになった。この事から形成された
炭素質膜は吸湿性、撥水性ともに改善された。

上記の作用により、得られた記憶体は、ヘッドとの接触
により、従来の如く大きなダメージを受ける事も又ヘッ
ドに与える小もなくなり、又加温部下に放置さｆｃた場
合、発錆までの時間が長くなった。以上により、小型ハ
ードディスクドライブに代表される厳しい使用条件（８
５℃　８０％Ｒ，Ｈ）下でも信頼して使用可能な記憶体
を提供できる製造方法が確立できた。

〔実施例〕

Ａｆｌ、合金ディスク基板上に非磁性Ｎ１−Ｐメッキを
約１５μｍ被覆した後、研摩により１０μｍ厚、表面粗
度０．０２μｍ以下に加工した。

更に洗浄、乾燥の後、第１表の条件で炭素質膜を形成し
た。尚、到達圧力は１Ｘ１０″″’　ｔｏｒｒ、基板の
スパッタ前加熱は８０℃、３分保持とした。又ＲＦ電源
はＩＡ５６ＭＨｚを用いた。

更に下記処理液を用いて等速引き上げ法によりステアリ
ン酸ナトリウムを約２ｏＸ１ｇ２した。

液温度　２５℃ 引き上げ仕度　１０釦／鱈 ′−Ａ施例で述べ定ディスクの品質ｉＦ　ｉ’ｊｌｉを
ａｓｓ々４久試験及び耐湿試験で行なった。

Ｃ３Ｓ甜久試験はａＳＳ前後の外観度化、静摩擦係数と
出力低下率を求めた。（使用ヘッド：Ｘ３３７０ミニモ
ノリシツク） 耐湿試験は８５℃、８０％Ｒ，Ｈ，の環境にディスクを
放置し、放置日数を追ってミツスイングビット数を測定
し、その増加が確認された時点を寿命と判断した。

以上の如く、本発明により作製された記憶体は耐湿性及
びａＳＳ耐久の機械的信頼性が大幅に向上した。

〔発明の効果〕

高蕃度化対応の記憶体として薄膜メディアが登場して久
しいが、長期信頼性に不安があるため、その使用は一部
に限られていた。

本発明の製法により得られた記憶体は、ａＳＳ耐久試験
後も外観的な変化、スティンクシ１ントラブル、そして
出力低下は認められず又高湿高湿下に放１１記されても
１ケ月以上、金属媒体に何等の変化も生じない。

増々小型化し厳し環境下でドライブが用いられつつある
が、本発明による記憶体を用いることにより、記憶体、
ヘッドともに、それによる特性劣化は無視できる範囲で
ある。

以上の如く、扁密度、高耐久化記憶体のｉｌ！造、なら
びに提供が可能になった。

以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に炭素質膜が被覆され、炭素質膜上に脂肪
   酸とＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選ばれる金属との
   塩が被覆された磁気記憶体に於いて、炭素質膜が、交流
   電圧印加のマグネトロンスパッタ方式で被覆せしめた事
   を特徴とする磁気記憶体の製造方法。
2. （２）希ガスとＨ＿２ガスの混合ガス雰囲気下で炭素質
   膜を被覆せしめた事を特徴とする特許請求の範囲第一項
   記載の磁気記憶体の製造方法。