JPS61115229A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61115229A JPS61115229A JP23670784A JP23670784A JPS61115229A JP S61115229 A JPS61115229 A JP S61115229A JP 23670784 A JP23670784 A JP 23670784A JP 23670784 A JP23670784 A JP 23670784A JP S61115229 A JPS61115229 A JP S61115229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- thin film
- magnetic
- oxygen
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は磁気記録媒体に係り、特に記録磁性層の上に
二酸化硅素薄膜および潤滑層を有する磁気記録媒体に関
する。
二酸化硅素薄膜および潤滑層を有する磁気記録媒体に関
する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、情報処理技術の発達に伴ってメモリ装置が担う情
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスクなどの磁気
記録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため高密度記録の可能な磁気記録
媒体の研究・開発が活発になされている。特に、現在一
般に使用されている塗布型磁気記録媒体に対し、記録磁
性層としてＣｏ−０ｒなどの金属磁性薄膜をスパッタや
蒸着により形成した金属薄膜磁気記録媒体が高密度記録
に適した媒体として有望視されている。
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスクなどの磁気
記録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため高密度記録の可能な磁気記録
媒体の研究・開発が活発になされている。特に、現在一
般に使用されている塗布型磁気記録媒体に対し、記録磁
性層としてＣｏ−０ｒなどの金属磁性薄膜をスパッタや
蒸着により形成した金属薄膜磁気記録媒体が高密度記録
に適した媒体として有望視されている。
ところで、塗布型媒体では磁性粉をバインダ等と混ぜて
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、磁性層中に潤滑剤を混入させることが容易であり、
それによって媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑性を維持し
、媒体およびヘッドの耐久性を十分に得ることができる
。
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、磁性層中に潤滑剤を混入させることが容易であり、
それによって媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑性を維持し
、媒体およびヘッドの耐久性を十分に得ることができる
。
これに対し、金属薄膜媒体では記録磁性層中に潤滑剤を
混入させることが困難であるため、フェライト製などの
硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行すると、媒体表面
やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷が生じ易くなる。
混入させることが困難であるため、フェライト製などの
硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行すると、媒体表面
やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷が生じ易くなる。
この場合には、媒体およびヘッドの耐久性が損われるば
かりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の付着により媒体・
ヘッド間の距離が増大してスペーシング・ロスが大きく
なり、記録再生周波数特性が著しく劣化する。
かりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の付着により媒体・
ヘッド間の距離が増大してスペーシング・ロスが大きく
なり、記録再生周波数特性が著しく劣化する。
そこで、金属薄膜媒体の場合には記録磁性層上に潤滑剤
を塗布することが考えられるが、スパッタリング等によ
り形成された膜は表面性が非常に良好である之め、潤滑
剤のぬれ性が悪く、従ってこの上に潤滑剤全十分な付着
力で、しかも均一に塗布することは困難であり、上述し
た問題は依然として解決されない。
を塗布することが考えられるが、スパッタリング等によ
り形成された膜は表面性が非常に良好である之め、潤滑
剤のぬれ性が悪く、従ってこの上に潤滑剤全十分な付着
力で、しかも均一に塗布することは困難であり、上述し
た問題は依然として解決されない。
［発明の目的］
この発明の目的は、記録磁性層を金属薄膜で形成した場
合でも潤滑層を十分な付着力で均一に形成することが可
能であって、媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著し
く高めることができ、記録再生特性も良好な磁気記録媒
体を提供することである。
合でも潤滑層を十分な付着力で均一に形成することが可
能であって、媒体自身および磁気ヘッドの耐久性を著し
く高めることができ、記録再生特性も良好な磁気記録媒
体を提供することである。
［発明の櫃要］
この発明に係る磁気記録媒体は、記録磁性層上に二酸化
硅素薄膜が形成され、この二酸化硅素薄膜上Ｃ；潤滑層
が形成された磁気記録媒体であって、特に二酸化硅素薄
膜を構成する酸素の原子数が硅素の原子数の２倍未満で
あることを特徴としている０ すなわち、記録磁性層の上に二酸化硅素薄膜を形成する
ことは公知であり、また潤滑層を形成することも公知で
あるが、この発明に特に二酸化硅素薄膜を酸素欠損の状
態にすることによって、潤滑層を塗布し易くシ友もので
ある。このような酸素の欠損が生じた、つまり酸素の原
子数が硅素の原子数の２倍未満であるような二酸化硅素
薄膜は、 １例えば酸素欠乏雰囲気中でのスパッタリン
グなどの方法で容易に形成が可能である。
硅素薄膜が形成され、この二酸化硅素薄膜上Ｃ；潤滑層
が形成された磁気記録媒体であって、特に二酸化硅素薄
膜を構成する酸素の原子数が硅素の原子数の２倍未満で
あることを特徴としている０ すなわち、記録磁性層の上に二酸化硅素薄膜を形成する
ことは公知であり、また潤滑層を形成することも公知で
あるが、この発明に特に二酸化硅素薄膜を酸素欠損の状
態にすることによって、潤滑層を塗布し易くシ友もので
ある。このような酸素の欠損が生じた、つまり酸素の原
子数が硅素の原子数の２倍未満であるような二酸化硅素
薄膜は、 １例えば酸素欠乏雰囲気中でのスパッタリン
グなどの方法で容易に形成が可能である。
二酸化硅素薄膜の酸素欠損の程度は特に限定されないが
、二酸化硅素薄膜の組成式を８ｉ０２−）（とじたとき
、Ｘが０（Ｘ（０，５の範囲内にあることが望ましい。
、二酸化硅素薄膜の組成式を８ｉ０２−）（とじたとき
、Ｘが０（Ｘ（０，５の範囲内にあることが望ましい。
Ｘがこの範囲内におさまる程度に二酸化硅素薄膜を酸素
欠損状態にすると、二酸化硅素薄膜自身の硬度を十分に
維持しつつ、潤滑層との結合力を非常に効果的に高める
ことができる。
欠損状態にすると、二酸化硅素薄膜自身の硬度を十分に
維持しつつ、潤滑層との結合力を非常に効果的に高める
ことができる。
［発明の効果］
この発明によれば、酸素欠損が生じている二酸化硅素薄
膜を介して潤滑層が形成されていることにより、潤滑層
が良好に、かつ均一に形成され友磁気記録媒体が提供さ
れる。これは二酸化硅素薄膜に酸素欠損が生じると、硅
素原子に孤立電子対が生じ、酸素欠損がない二酸化硅素
薄膜に比べて活性化され、二酸化硅素薄膜とその上に形
成される潤滑層との結合力が強められる次めである。
膜を介して潤滑層が形成されていることにより、潤滑層
が良好に、かつ均一に形成され友磁気記録媒体が提供さ
れる。これは二酸化硅素薄膜に酸素欠損が生じると、硅
素原子に孤立電子対が生じ、酸素欠損がない二酸化硅素
薄膜に比べて活性化され、二酸化硅素薄膜とその上に形
成される潤滑層との結合力が強められる次めである。
従って、この発明によるとＣｏ−Ｃｒ合金薄膜のような
金属薄膜を記録磁性層とし次磁気記録媒体においても、
媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑作用が十分に行なわれる
ので、媒体やヘッドの摩耗・損傷が著しく減少し、耐久
性が大幅に向上する。
金属薄膜を記録磁性層とし次磁気記録媒体においても、
媒体と磁気ヘッドとの間の潤滑作用が十分に行なわれる
ので、媒体やヘッドの摩耗・損傷が著しく減少し、耐久
性が大幅に向上する。
また、潤滑層として例えば液体潤滑剤を塗布する場合、
二酸化硅素薄膜と潤滑剤とのぬれ性がよく均一な厚さに
潤滑剤を塗布することができるため、スペーシング・ロ
スが減少して信号再生時の出力低下および出力変臭が小
さくなり、エラー率も減少する。従って、記録再生特性
が向上する。
二酸化硅素薄膜と潤滑剤とのぬれ性がよく均一な厚さに
潤滑剤を塗布することができるため、スペーシング・ロ
スが減少して信号再生時の出力低下および出力変臭が小
さくなり、エラー率も減少する。従って、記録再生特性
が向上する。
さらに、二酸化硅素薄膜は例えば記録磁性層を形成する
Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜等の磁性層Ｓ薄膜に比べて材質が硬
いため、媒体表面を機械的に保護しスクラッチ等を入り
（：＜くするのみならず、記録磁性層を外気から遮断す
ることにより耐腐蝕性をも向上させる効果があることは
いうまでもない。
Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜等の磁性層Ｓ薄膜に比べて材質が硬
いため、媒体表面を機械的に保護しスクラッチ等を入り
（：＜くするのみならず、記録磁性層を外気から遮断す
ることにより耐腐蝕性をも向上させる効果があることは
いうまでもない。
［発明の実施例］
第１図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体を示す断面
図である。図において、基体１は樹脂製のフィルム状基
体であり、この基体１上に記録磁性層として例えば直流
マグネトロンスパッタリングにより露さ０．５μｍのＣ
ｏ−Ｃｒ合金薄膜２が形成されている。垂直初＆気記録
媒体の場合、このＣｏ−Ｃｒ合金薄膜２は膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を持つように配向される。そして、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金薄膜２上１：厚さ２００人程鹿の二酸化硅
素薄膜３が形成され、さらにこの二酸化硅素薄膜３の上
に液体潤滑層４が塗布・形成されている。
図である。図において、基体１は樹脂製のフィルム状基
体であり、この基体１上に記録磁性層として例えば直流
マグネトロンスパッタリングにより露さ０．５μｍのＣ
ｏ−Ｃｒ合金薄膜２が形成されている。垂直初＆気記録
媒体の場合、このＣｏ−Ｃｒ合金薄膜２は膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を持つように配向される。そして、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金薄膜２上１：厚さ２００人程鹿の二酸化硅
素薄膜３が形成され、さらにこの二酸化硅素薄膜３の上
に液体潤滑層４が塗布・形成されている。
二酸化硅素薄膜３は例えば二酸化硅素ターゲットを用い
た高周波スパッタリングにより形成される。この場合、
スパッタ用真空室を予めＩＱ Ｔｏｒｒ程度まで真空
に引き、不純物ガスを十分除いた後酸素ガスを通常の二
酸化硅素（Ｓ ｔＯ，）の形成の場合より少なめに、す
なわち１０−７〜１０−’Ｔｏｒｒ程度まで導入し、そ
の後アルゴンガスな導入して、全圧を１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
程度にして行なつ友。このようにして形成された二酸化
硅素薄膜３は酸素欠損状態にあり、その組成式Ｆ１８ｔ
Ｏ＠−Ｘとなる。この場合、Ｘの値はスパッタ雰囲気の
酸素分圧および成膜速度によって、０より大きい範囲で
任意に制御することが可能である。ま友、Ｘの値の測定
は例えば（１００） ８ｉウエハ上に０．３ ｐ ｍ程
度” ”０ｓ−ｘ ｋ 形ｆｆ。
た高周波スパッタリングにより形成される。この場合、
スパッタ用真空室を予めＩＱ Ｔｏｒｒ程度まで真空
に引き、不純物ガスを十分除いた後酸素ガスを通常の二
酸化硅素（Ｓ ｔＯ，）の形成の場合より少なめに、す
なわち１０−７〜１０−’Ｔｏｒｒ程度まで導入し、そ
の後アルゴンガスな導入して、全圧を１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
程度にして行なつ友。このようにして形成された二酸化
硅素薄膜３は酸素欠損状態にあり、その組成式Ｆ１８ｔ
Ｏ＠−Ｘとなる。この場合、Ｘの値はスパッタ雰囲気の
酸素分圧および成膜速度によって、０より大きい範囲で
任意に制御することが可能である。ま友、Ｘの値の測定
は例えば（１００） ８ｉウエハ上に０．３ ｐ ｍ程
度” ”０ｓ−ｘ ｋ 形ｆｆ。
して、ＲＢＳ（ラザフォードバツクスキャツタリング）
により分析をすることで行うことができる０こうして形
成された二酸化硅素薄膜３は、酸素欠損状態により活性
化しているため、その上に液体潤滑剤を塗布して潤滑層
４を形成する際、潤滑剤のぬれ性が良く均一に塗布する
ことができる０また、二酸化硅素薄膜３と潤滑層４との
結合力も強くなる。従って、磁気記録媒体および磁気ヘ
ッドの耐久性向上に大きく寄与することができる０第１
表はスパッタ雰囲気の酸素分圧比と成膜速度によりｘの
値を変えた場合の耐久性の変化を調べた実験結果を示す
ものである。但し、実験は上述した構成の磁気記録媒体
をフロッピーディスクの形態に作成し、このディスクな
毎分３００回転で回転走行させながら、フェライト磁気
ヘッドをディスク上の同一トラックに接触させて行なり
ｆｔ。
により分析をすることで行うことができる０こうして形
成された二酸化硅素薄膜３は、酸素欠損状態により活性
化しているため、その上に液体潤滑剤を塗布して潤滑層
４を形成する際、潤滑剤のぬれ性が良く均一に塗布する
ことができる０また、二酸化硅素薄膜３と潤滑層４との
結合力も強くなる。従って、磁気記録媒体および磁気ヘ
ッドの耐久性向上に大きく寄与することができる０第１
表はスパッタ雰囲気の酸素分圧比と成膜速度によりｘの
値を変えた場合の耐久性の変化を調べた実験結果を示す
ものである。但し、実験は上述した構成の磁気記録媒体
をフロッピーディスクの形態に作成し、このディスクな
毎分３００回転で回転走行させながら、フェライト磁気
ヘッドをディスク上の同一トラックに接触させて行なり
ｆｔ。
ここで、耐久性は媒体（ディスク）およｑヘッドの少な
く仁も一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数（パス
）である。著しい損傷とは媒体の場合、二酸化硅素薄膜
３およびＣ・−Ｃ・合金薄膜２の （・少なくとも一
部がけずれて、基体１の表面が露出した状態をいう０ 第１表 以上の結果から、Ｘの値が零より大きいとき、すなわち
二酸化硅素薄膜３を構成する酸素の原子数が硅素の原子
数の２倍未満になると、耐久性が著しく向上することが
わかる。特にＸの値が０．１＜ Ｘ ＜ ０．３の範囲
内が好適であり、この範囲内にすると耐久性は３００万
パス以上と、Ｘが零以下の場合に比べて１桁以上も向上
し、最大では実に３００万パスを越える値が得られる。
く仁も一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数（パス
）である。著しい損傷とは媒体の場合、二酸化硅素薄膜
３およびＣ・−Ｃ・合金薄膜２の （・少なくとも一
部がけずれて、基体１の表面が露出した状態をいう０ 第１表 以上の結果から、Ｘの値が零より大きいとき、すなわち
二酸化硅素薄膜３を構成する酸素の原子数が硅素の原子
数の２倍未満になると、耐久性が著しく向上することが
わかる。特にＸの値が０．１＜ Ｘ ＜ ０．３の範囲
内が好適であり、この範囲内にすると耐久性は３００万
パス以上と、Ｘが零以下の場合に比べて１桁以上も向上
し、最大では実に３００万パスを越える値が得られる。
要求される耐久性の程度は用途等によって異なるが、５
０万パス以上あればほぼ実用に耐えることができる。従
って、Ｘの値は上述した０、 １ ＜ Ｘ ＜ （１３
の範囲にあることが特に望ましい。
０万パス以上あればほぼ実用に耐えることができる。従
って、Ｘの値は上述した０、 １ ＜ Ｘ ＜ （１３
の範囲にあることが特に望ましい。
なお％Ｘの値が０．５を越えると耐久性がピークから下
がってくるのは酸素欠損状態になると潤滑層４の付着性
が向上する反面、二酸化硅素薄膜３自身の硬度が減少し
てゆくからである。しかしながら、Ｘが零の場合よりも
耐久性が低下するのは上記の実験結果から類推されるよ
うにＸの値が非常に大きく、例えば２に近くなって、二
酸化硅素薄膜３が二酸化硅素としての性質を失い、硅素
に近くなったときであるから、その状態では二酸化硅素
薄膜という呼称そのものが成立しなくなる。
がってくるのは酸素欠損状態になると潤滑層４の付着性
が向上する反面、二酸化硅素薄膜３自身の硬度が減少し
てゆくからである。しかしながら、Ｘが零の場合よりも
耐久性が低下するのは上記の実験結果から類推されるよ
うにＸの値が非常に大きく、例えば２に近くなって、二
酸化硅素薄膜３が二酸化硅素としての性質を失い、硅素
に近くなったときであるから、その状態では二酸化硅素
薄膜という呼称そのものが成立しなくなる。
このように、この発明によれは二酸化硅素薄膜を酸素の
原子数を硅素のそれの２倍未満として酸素欠損状態とす
ることにより、その上に形成される潤滑層の付着力を増
大させて、磁気記録媒体自身および磁気ヘッドの耐久性
を著しく高めることができ、また潤滑層が均一に形成さ
れることで信号再生出力の低下や変動が小さくなり、エ
ラー率を減少させることが可能となる。
原子数を硅素のそれの２倍未満として酸素欠損状態とす
ることにより、その上に形成される潤滑層の付着力を増
大させて、磁気記録媒体自身および磁気ヘッドの耐久性
を著しく高めることができ、また潤滑層が均一に形成さ
れることで信号再生出力の低下や変動が小さくなり、エ
ラー率を減少させることが可能となる。
第３図はこの発明の他の実施例の磁気記録媒体を示すも
ので、非磁性基体ｌｌ上に蒸着法により記録磁性層とし
てのＣｏ−Ｃｒ合金薄膜１２が形成され、その上に二酸
化硅素薄膜１３が例えばマグネトロンスパッタリングに
より形成され、さらにその上に固体潤滑層１４がスパッ
タリングにより形成されている。二酸化硅素薄膜１３は
酸素分圧がアルゴン分圧の１０ ％程度のアルゴン雰囲
気中でスパッタリング形成されることにより、やはり酸
素欠損の状態となっている。
ので、非磁性基体ｌｌ上に蒸着法により記録磁性層とし
てのＣｏ−Ｃｒ合金薄膜１２が形成され、その上に二酸
化硅素薄膜１３が例えばマグネトロンスパッタリングに
より形成され、さらにその上に固体潤滑層１４がスパッ
タリングにより形成されている。二酸化硅素薄膜１３は
酸素分圧がアルゴン分圧の１０ ％程度のアルゴン雰囲
気中でスパッタリング形成されることにより、やはり酸
素欠損の状態となっている。
このように形成され几磁気記碌媒体においても。
前記実施例で説明し友磁気記碌媒体と同様に優れた耐久
性が得られる。
性が得られる。
この発明は上述し次実前例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可
能である。例えば記録磁性層としてはＣｏ−Ｃｒ合金薄
膜を例示し友が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎ１合金薄膜等でもよく
、特にこの発明は表面に潤滑層を形成する必要のある金
属薄膜を記録磁性層とする磁気記録媒体に有効である。
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施することが可
能である。例えば記録磁性層としてはＣｏ−Ｃｒ合金薄
膜を例示し友が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎ１合金薄膜等でもよく
、特にこの発明は表面に潤滑層を形成する必要のある金
属薄膜を記録磁性層とする磁気記録媒体に有効である。
また、基体および潤滑層の材質も種々選択することがで
きる。さらに、この発明は垂直磁気記録媒体のみでなく
、面内磁気記録媒体にも適用することができる。
きる。さらに、この発明は垂直磁気記録媒体のみでなく
、面内磁気記録媒体にも適用することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気記録媒体の断面
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 １・・・樹脂製フィルム状基体 ２・・・Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜（記録磁性層）３・・・二
酸化硅素薄膜 ４・・・液体潤滑層１１・・・非磁性基
体
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 １・・・樹脂製フィルム状基体 ２・・・Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜（記録磁性層）３・・・二
酸化硅素薄膜 ４・・・液体潤滑層１１・・・非磁性基
体
Claims (4)
- （１）記録磁性層上に二酸化硅素薄膜が形成され、この
二酸化硅素薄膜上に潤滑層が形成された磁気記録媒体に
おいて、前記二酸化硅素薄膜を構成する酸素の原子数が
硅素の原子数の２倍未満であることを特徴とする磁気記
録媒体。 - （２）二酸化硅素薄膜の組成式をＳｉＯ＿２＿−＿ｘと
したとき、Ｘを０＜Ｘ＜０．５の範囲内に選定すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
。 - （３）記録磁性層が金属薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - （４）記録磁性層を形成する金属薄膜がＣｏ−Ｃｒ系合
金薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236707A JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236707A JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7031805A Division JP2625652B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115229A true JPS61115229A (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0612568B2 JPH0612568B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=17004569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236707A Expired - Lifetime JPH0612568B2 (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612568B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298816A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク媒体 |
| US5132173A (en) * | 1989-02-10 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm |
| JPH07201038A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | メモリ装置 |
| US7541106B2 (en) | 2005-02-24 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127203A (en) * | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS58185029A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS58220244A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS59154642A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体並にその製造法 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP59236707A patent/JPH0612568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127203A (en) * | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS58185029A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS58220244A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS59154642A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体並にその製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298816A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク媒体 |
| US5132173A (en) * | 1989-02-10 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium having a silicon oxide protective layer with an electrical specific resistance of from 3.3×1013 to 5.0×15 ohm.cm |
| JPH07201038A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | メモリ装置 |
| US7541106B2 (en) | 2005-02-24 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612568B2 (ja) | 1994-02-16 |
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