JPS633378B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置ま
たは磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
の製造方法に関する。

一般に高密度記録に用いるメツキ磁気デイスク
またはフエライト膜磁気デイスク等の薄膜磁気デ
イスクは、デイスク状円板を基盤とし、このデイ
スク状円板を鏡面研磨した後、その研磨面上に磁
気性媒体を被覆することにより磁気デイスクを製
造する。

近年記録密度が一段と増大するにつれ、従来問
題視されなかつた微小な欠陥、ピンホール、突起
物などが耐環境性または磁気ヘツドとの耐摩耗性
またはドロツプアウトおよびノイズの主たる原因
として注目される様になつた。

本発明の目的は前記微小な欠陥、ピンホール、
突起物を減少せしめて、良好な耐環境性および磁
気ヘツドとの耐摩耗性に優れ、且つ、ドロツプア
ウトが少なく、ノイズの小さな磁気デイスクの製
造方法を提供することである。

すなわち、本発明の磁気記憶体の製造方法は前
記研磨面上の残留研磨砥粒を溶解する適当な薬品
にて研磨面を処理するか、または前記研磨面下の
ベイルビー層または塑性変形層を適当な薬品にて
エツチングすることを特徴としている。

次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図は本発明を適用する磁気記憶体の一例を示す断
面図である。図において１は磁気記憶体の基盤で
あり、アルミ合金が軽くて加工性が良く、安価な
ことから最も良く用いられるが、場合によつては
チタン合金が用いられることもある。基盤表面は
機械加工により小さなうねり（円周方向で50μｍ
以下および半径方向で100μｍ以下）を有する面
に仕上げられる。次にこの基盤１の上に下地体２
として硬質の金属または金属酸化物が被覆されこ
の下地体２の表面は機械的研磨により表面粗さ
Rmax0.05μｍ以下に鏡面仕上げされる。

下地体２として用いられる硬質の金属または金
属酸化物はそれぞれNi−Ｐ、Al₂O₃が最も良く用
いられるが、他の硬質金属または金属酸化物、場
合によつては金属炭化物または金属窒化物が用い
られる。すなわちRh、Cr、SiO₂、BeO、
V₂O₃Cr₂O₃、Ga₂O₃、ZrO₂、GeO₂、TiN、
Si₃N₄、TaN、SiC、WC、B₄C、TiC、TaCなど
がある。これらの化合物はメツキ、陽極酸化、イ
オン窒化、スパツタ、蒸着法などにより被覆され
る。

下地体２を機械的研磨する砥粒はAl₂O₃（α、
β、γ）、SiO₂、ZrO₂、Cr₂O₃、SiC、ダイヤモ
ンドなどがある。上記の砥粒は機械的研磨の際に
下地体表面に付着又は食い込んで残り、水洗程度
では取り去ることは困難である。この残留砥粒は
下地体２の上に被覆する磁性媒体のピンホール、
突起、欠陥の原因となり、高密度磁気記録の際に
はＳ／Ｎの低下、ドロツプアウトの発生、ヘツド
クラツシユ、ヘツドまたは磁気デイスクの摩耗を
促進させる。また機械的研磨の際に下地体表面層
10〜100Åにベイルビー層、１〜10μｍに塑性変
形層を発生させ、下地体上の磁性媒体の磁気特性
のバラツキを生じせしめドロツプアウト、Ｓ／Ｎ
の劣化をもたらす。本発明の特徴の１つである残
留砥粒を取り除くための薬品としては、フツ素
酸、硫酸、硝酸もしくは塩酸などの強酸性化合
物、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムな
どの強塩基性化合物または臭素酸アルカリなどの
化合物が用いられる。これらの薬品中に下地体２
の表面を浸漬しまたは浸漬中にスポンジでこする
だけで残留砥粒を取り除くことができる。

また本発明の別の特徴の１つである下地体２の
表面をエツチングして、ベイルビー層または塑性
変形層までを取り除くためのエツチング液として
は、酸化剤と錯生成剤との混合液または酸性化合
物が用いられる。ここで酸性化合物としてはフツ
素酸、酢酸、塩酸、硝酸または硫酸などか、また
酸化剤としては過酸化水素、過マンガン酸カリウ
ム、過ヨウ素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、
過酸化ベンゾイル、またはニトロベンゼンスルホ
ン酸ナトリウム、メタニトロ安息香酸、オルソニ
トロフエノール、もしくは３−５−ジニトロサリ
チル酸ソーダなどの有機ニトロ化合物が、また錯
生成剤としてはエチレンジアミン、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、モノイソプロパノールアミンピ
ペラジンもしくはポリグリコールアミンなどの水
溶性アミン類、アンモニアまたはチオシアン酸ア
ンモン、シユウ酸アンモン、クエン酸アンモン、
炭酸アンモン、塩化アンモンもしくは硫酸アンモ
ンなどの有機もしくは無機アンモニウム塩、また
はグリシン、Ｌ−シスチン、チオ尿素、β−アミ
ノプロピオン酸などのアミノ酸類が用いられる。
これらのエツチング液中に下地体２の表面を浸漬
しまたは浸漬中にスポンジでこするだけでベイル
ビー層または塑性変形層を取り除くことができ
る。

以上の様に、残留砥粒、ベルビー層または塑性
変形層を取り除いた下地体２の上に磁性媒体３を
被覆する。磁性媒体３として用いられる材料は
Co−Ni−Ｐ、Co−Ｐ、Co−Ｂ、またはｒ−
Fe₂O₃などが使用され、被覆する方法はメツキ、
蒸着、スパツタなどがある。また磁性媒体３の上
に保護膜４を被覆しまたは被覆せずに磁気記憶体
５を製造する。

次に実施例および比較例により本発明を詳細に
説明する。

実施例 １ 基盤１として施盤加工および熱矯正によつて十
分小さなうねり（円周方向50μｍ以下および半径
方向で10μｍ以下）をもつた面に仕上げられたデ
イスク状アルミニウム合金盤上に、下地体２とし
てニツケル−燐（Ni−Ｐ）非磁性合金を約50μｍ
の厚さにめつきし、このニツケル−燐めつき膜を
SiO₂研磨砥粒による機械的研磨により表面粗さ
0.04μｍ以下、厚さ約30μｍまで鏡面研磨仕上げす
る。次に全体を７％ふつ化水素酸水溶液中に30秒
浸漬した後、よく水洗して該ニツケル−燐めつき
膜の上に磁性媒体３としてコバルト−ニツケル−
燐（Co−Ni−Ｐ）を約0.05μｍの厚さにめつきし
た。該コバルト−ニツケル−燐めつき膜の上にテ
トラヒドロキシシランの２％イソプロピルアルコ
ール溶液を0.1μｍの厚さに塗布、焼成（200℃、
２時間）して磁気デイスクを作つた。

実施例 ２ 実施例１と同様にして、但しふつ化水素酸水溶
液中での浸漬を３分間として、磁気デイスクを作
つた。

実施例 ３ 実施例１と同様にして但し研磨砥粒にα−アル
ミナを用い、またふつ化水素酸水溶液に浸漬する
代りに５％水酸化ナトリウム溶液中に１分間浸漬
し、次に３％希硫酸溶液中に30秒間浸漬して、磁
気デイスクを作つた。

実施例 ４ 実施例１と同様にして、但し、下地体２として
Ni−Ｐの代りにアルミナを使用し、７％ふつ化
水素酸水溶液中への浸漬を15秒間として、浸漬後
よく水洗、乾燥してその下地体上に磁性媒体３と
してγ−Fe₂O₃を被覆して磁気デイスクを作つ
た。

実施例 ５ 実施例１と同様にして、但し７％ふつ化水素酸
水溶液に30秒間浸漬した後、下に記した組成のエ
ツチング液に１分間浸漬し、十分な水洗後、実施
例１と同様な手順で磁気デイスクを作つた。

エチレンジアミン 100c.c.／ メタ過ヨウ素酸ソーダ 20ｇ／ チオシアン酸アンモン 50ｇ／ 水 残部 実施例 ６ 実施例４と同様にして、但し下地体の研磨をα
−アルミナ研磨砥粒にて行ない、50％酢酸水溶液
中に１分間浸漬した後、磁気デイスクを作つた 比較例 １ 実施例１と同様にして、但し、７％ふつ化水溶
液中の浸漬処理をせずに磁気デイスクを作つた。

比較例 ２ 実施例４と同様にして、但し７％ふつ化水素酸
水溶液中の浸漬処理をせずに磁気デイスクを作つ
た。

実施例１〜６および比較例１および２で示した
各磁気デイスクを用いてドロツプアウトＳ／Ｎの
測定および磁気ヘツドとの接触始動、停止繰り返
し試験（CSS試験）を行なつて評価した。

その結果実施例１〜６の磁気デイスクは比較例
１、２に比べドロツプアウト数は30％減少し、
Ｓ／Ｎは3dB向上した。

又、湿度95％、温度40℃、５日間後の３万回の
CSS試験においては、比較例の磁気デイスクには
若干の擦り傷がつくことがあるが、実施例の磁気
デイスクではこのような傷は認められなかつた。

以上のことから本発明の磁気記憶体の製造方法
によつて製造した磁気デイスクはより優れた記録
再生特性および高信頼性を有していることが分つ
た。

【図面の簡単な説明】

図は本発明における磁気記憶体の部分断面図で
ある。 図において、１は基盤、２は下地体、３は磁性
媒体、４は保護膜である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属または金属酸化物からなる下地体を研磨
   砥粒により研磨し、該下地の研磨面上に直接また
   は非磁性薄膜を介して磁性媒体を被覆しかつ該磁
   性媒体の上に保護膜を被覆しまたはせずに製造す
   る磁気記憶体の製造方法において、前記下地体の
   研磨後研磨砥粒、下地体またはそれら双方を溶解
   する薬品中に浸せきすることにより該研磨砥粒を
   除去するか、または該研磨面下のベイルビー層あ
   るいは塑性変形層を除去することを特徴とする磁
   気記憶体の製造方法。