KR930005919B1

KR930005919B1 - 자기기록 매체의 비전해 도금방법

Info

Publication number: KR930005919B1
Application number: KR1019860002460A
Authority: KR
Inventors: 말리크 마이클; 엘.그린 죠셉
Original assignee: 더 리챠드슨 케미칼 캄파니; 리챠드 더블유.고취
Priority date: 1986-04-01
Filing date: 1986-04-01
Publication date: 1993-06-29
Also published as: KR870010215A

Abstract

내용 없음.

Description

자기기록 매체의 비전해 도금방법

본 발명은 일반적으로 자기 기록 매체의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 고 보자력(high coercirity), 개량된 이력 곡선의 각형성질(squareness) 및 큰 잔류 자기값을 갖는 개량된 자기 기록 성질을 가지는 코발트-인 함유막의 비전해 도금에 관한 것이다. 이러한 관점에서, 본 발명의 중요한 특징은 컴퓨터 분야에서 사용하기에 특히 적합한 개량된 강성 메모리 디스크의제조에 있어서 비자성 니켈-인 함유막에 자성 코발트-인 함유막을 비전해 도금하기 위한 방법에 있다.

자기 기록 펄스 메모리 장치는 컴퓨터 및 데이타 처리 시스템에서 광범위하게 사용되고 있다. 상기 장치는 일반적으로 자성체 박판이 도금되어 있는 기판을 포함한다. 본 발명은 다양한 캐리어에 대한 자기 기록 매체 도금에 적용되고, 특히 기억 용량이 큰 강성 메모리 디스크의 제조에 양호하게 적용된다.

상기 디스크의 자기 기록 매체는 디스크 표면에의 정보 데이타의 재생 및 기록이 디스크의 표면에 밀접한 간격으로 위치한 부동(flying) 헤드에서 지탱되는 자성 변환기에 의하여 보통 수행되기 때문에 요구 조건이 매우 까다롭다. 작동의 기록상태(writing phase)에서, 자성 변환기는 코발트-인 함유 자기막에서 자속의 방향이 지역적으로 변하는 양 방향성 자기장으로 전류 펄스를 변환시킨다. 이에 대응하여 작동의 재생 상태에서, 자기 매체의 선속 반전은 변환기에 의하여 전압 출력 형태로 변환된다.

종래 강성 메모리 디스크는 비자성 피막에 민감하에 반응하도록 알루미늄 디스크의 표면을 먼저 세척하고, 상기 표면에 비자성 니켈 함유층을 비전해 도금하고, 자기층에 민감하여 반응하도록 비자기층을 세척 및 활성화시키고, 다음에 암모니아 함유조에서 자성 비전해 코발트 함유층을 도금시킴으로써 제조된다. 그 후에 디스크는 세척되고 자기층에 윤활제나 다른 보포 피막이 적용된다.

종래의 공정은 자기 매체로부터 더 높은 출력 전압을 얻기 위하여 5 또는 10마이크로 인치보다 큰 두께의 자기막 도금을 종종 이용하였다. 그러나, 자기막의 두께가 얇을수록 개량된 성능을 획득할 수 있음을 알게 되었다. 예를 들면, 5마이크로 인치보다 작은 자기막에서는 인치당 25,000비트 정도의 충전(packing) 밀도를 얻을 수 있다. 그러나, 상기 막의 두께가 감소되면 자기 매체로부터의 출력이 감소된다. 그 결과, 이러한 얇은 자기막은 300 내지 1000에르스테드(oersted)의 범위에 속하는 보자력 값, 또는 6000 내지 10.000가우스의 범위에 속하는 잔류자기 및 개량된 이력 곡선의 각형성질 즉, 즉면이 실제로 수직인 이력 곡선을 포함하는 특별한 자성을 가져야만 한다. 부가하여, 상기 자기딱은 보통 pH조정제 및 도금조(bath) 안성제로서 암모니아를 사용하는 도금조에서 제조되기 때문에, 도금조 자체는 pH 조절의 곤란함, 도금조 불안정성 및 도금조내에 암모니아를 일정하게 공급할 필요성을 경험한다. 게다가, 상기 암모니아 안정화 도금조는 배기를 필요로 하는 유독성 향기를 생성한다

본 발명에 의하여, 고 보자력, 개량된 이력 곡선의 각형겅질 및 큰 잔류 자기를 갖는 자기 기록 성질이 강화된 고밀도 자기 기억 장치를 제조하는 개량된 방법이 제공된다. 본 발떵에 의하여 만들어진 고밀도 자기 기억 장치는, 니켈-인 함유층에 도금 홈 및 기탁 표면 결함이 없는 비자성 니켈-인 도금 단계가, 코발트-인 도금이 코발트 이온 공급원(source), 하이포아인산(hypophosphiter)이온 공급원.시트르산(citrate) 이온 공급원 및 저분자량의 도금조 용해성(bath soluble) 아미노산을 함유하는 비전해 도금조에서 실시되는 코발트-인 도금 단계를 동반하여 상호 연관됨으로써 가공된다. 통상은, 나트륨 또는 칼륨의 테트라보레이 트(tetraborate)와 같은 완충제가 비전해 코발트-인 도금조내에 존재한다.

그러므로, 본 발명의 일반적인 목적은 코발트-인 자기 기록 매체를 제조하는 신규의 개량된 방법을 제공 하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 고보자력, 개량된 이력 곡선의 각형성질 및 큰 잔류 자기값을 갖는 개량된 자기 기록 성질을 특징으로 하는 기록 장치를 제공하기 위하여 비자성 니켈-인 함유층에 자성 코발트-인 함유층을 비전해 도금하는 개량된 방법을 제공는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 개량된 자기 기록 때체를 제공하기 위하여 특별한 비전해 니켈-인 도금 방법과 함께 사용하기에 특히 적합한 개량된 비암모니아 처리 (non-ammoniated) 코발트-인 도금 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 자성 코발트-인 함유층이 비전해 도금되는 비자성 비전해 니켈-인 함유층을 가지며, 300에르스테드를 초과하는 보자력, 개량된 이력곡선의 각형성질 및 큰 잔류 자기값을 특징으로 하는 자기 기록 매체의 제조 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 온도, 시간 및 pH와 같은 작동 매개 변수만을 조정함에 의한 300 내지 1000에르스테드 이상의 범위의 보자력을 특징으로 하는 코발트-인 함유층의 비전해 도금 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 상기 및 기타 목적은 양호한 실시예를 설명함으로썬 명백하게 나타날 것이다

일반적으로, 화학적 도금 또는 본 발명의 비전해 도금의 특징은 예를 들어 알루미늄 디스크, 또는 상표명이 "마일러(Mylar)"인 플라스틱, 폴리[에틸렌 테레프탈레이트(ethylene terephthalate)]와 같은 적절한 플라스틱으로 구성된 디스크 또는 테이프와 같은 적절한 기판상에 비자성 니켈-인 함유 금속을 도금하는데 특히 적합하다. 니켈-인 도금 단계는 도금조 안정제로서의 암모니아 또는 암모니아 혼합물을 필요로 하지 않는 비전해 도금 방법에 의한 비자기층에 자성 코발트-인 함유층을 연속으로 첨가하는 일을 수반한다. 그 제조가 상세히 후술될 상기 방법들은 강성 메모리 디스크의 제조에 특히 유용하며, 본 발명의 원리는 테이프, 벨트, 드럼 및 다른 기판 표면에 대한 자기 기록 매체 도금을 포함하는 다양한 자기기록 매체에 적용할 수 있음을 알게 될 것이다.

본 발명의 중요한 특징은 비전해법으로 도금된 자성 코발트-인 함유층과, 도금될 때 비자성이면서 상승한 온도에 노출될지라도 비자성인 채로 남아 있는 비전해 니켈-인 함유층사이의 특이한 협동에 관한 것이다. 이러한 비전해 니켈하층은 작은 혹이나 도금 흠과 같은 결함이 없는 상당히 매끄러운 표면을 또한 특징으로 한다. 본 발명의 상기 특징은 어떤 종류의 강성 디스크의 표면에서 백만분의 1인치를 초과하는 결함이 헤드 파괴 또는 불완전한 기록을 초래할 수 있기 때문에 특히 중요하다.

비전해법으로 도급된 코발트-인 자기층은 300 내지 1000에르스테드 이상의 벋위에 속하는 큰 보자력, 88내지 95% 이상의 범위에 속하는 이력 곡선의 각형성질 및 10,000 가우스 정도의 큰 잔류 자기 값을 특징으로 하는 고품질의 기록 매체를 제공하기 위하여 비자성 니켈-인 함유층과 협동한다.

본 발명에 의한 강성 메모리 디스크의 제조는, 알루미늄 디스크 표면을 기계 가공하고, 상기 표면을 세척하여 오일 및 산화물을 제거하고, 도금시킬 수 있을 때 세척된 알루미늄 기판 표면을 아연 도금하고, 상기 표면을 특정한 비자성 니켈-인 도금하고, 양호하게도 니켈-인 함유층을 연마시키거나 조직화시키고, 상기 표면을 다시 세척하여 완성화시키고, 이에 자성 코발트-인 함유층을 비전해 도금한 후에, 상기 코발트-인 함유 표면을 세척하고, 선택적으로 윤활제를 도포하거나 보호피막을 입히는 작업을 포함하는 연속적인 일련의 제조 작업을 구비한다. 상기 연속 단계의 각각은 상세히 후술하기로 한다 .

예를 들어 5086 알루미늠 합금으로 구성된 적절한 알루미늠 기판 디스크는 초기에 매끄럽게 기계 가공되고, 유기 용매로 기름이 제거되며, 비부식성 알루미늄 청정제로 세척되고, 증류수 또는 탈이온수로 철저히 세정(rinsing)된다. 통상적으로 디스크 세척은 규산염이 없고 부식되지 않는 액체 알칼리성 청정제에서 607 내지 70℃ (140 내지 160℉)의 온도에서 2 내지 3분 동안 알루미늠 디스크를 침지시킴으로써 실시된다. 처리된 디스크의 세정은 보통 증류수 또는 탈이온수를 약 30초 이상 디스크에 분무시킴으로써 수행된다. 알칼리성 세척 및 세정 단계 이후 알루미늄 표면에 산화물이 없게 하고 비전해 니켈 피막의 접착 정도를 최대로 하기 위해 이전 과정을 거친 디스크를 비부식성 산성 침투 청정제내에서 처리하여 피막의 부식 방지를 최적 상태로 만드는 단계가 이어질 수 있다. 통상적으로, 산 세척 작업은 65.61 내지 76.7℃ (1501 내지 170℉)의 온도에서 2 내지 6분의 침지 시간 동안의 가벼운 교반에 의하여 실시된다. 산 세척 판계 후에는 증류수 또는 탈이온수로 한두번 세정하는 것이 바람직하다.

상기 세척 및 기판 준비 단계 후에, 알루미늄 디스크는 얇은 아연층을 형성하기 위하여 아연 도금 과정을 받는 것이 보통이다- 적절한 아연 도금 과정은 기술이 숙련된자에게는 공지되어 있으며, 이 과정은 일반적으로 알루미늄 표면을 최소한 부식시켜 균일하고 얇고(즉, 약 1.5마이크로 인치) 밀집하고 미세한 입자의 아연 도금을 만들기 위하여 적절한 아연조에서 약 30초 동안 준비한 기판을 침지시킨에 의한 알루미늄의 아연 도금 단계를 구비한다. 상기 아연 도금 과정은 비자성 비전해 니켈-인을 최대로 부착시킨다.

초기의 아연 도금 단계 후에, 아연 도금된 기판은 필요하다떤 증류수 또는 탈 이온수로 세정되고, 다음에 질산과 같은 적절한 산에 디스크를 침지시키는 아연 제거 작업을 받고, 이후에 증류수 또는 탈이온수로 다시 세정되고. 또한 0.25 내지 약 0.75마이크로 인치 두께의 아연층을 만들기 위하여 약 21 내지 32.2℃ (70) 내지 90℉)의 온도로 유지되는 적절한 알칼리성 아연조에 약 10 내지 30초 동안 보통은 가벼운 교반과 함께 디스크를 침지시키는 아연 도금 단계를 더 겪게 된다.

아연이 도금된 기판은 한번 더 증류수 또는 탈이온수로 세정되고. 이후에 선택적으로 중화 단계를 수반하여 이전의 아연 도금 단계에서 잔류하는 부식제를 제거하게 된다. 적절한 중화 방법은 처리된 디스크를 30gm/l의 탄산수소나트륨을 함유하고 실온으로 유지되는 용액에서 약 30초 동안 침지시키는 단계를 포함한다. 상기 중화 단계는 다온에 증류수 또는 탈이온수로 더 세정을 겪게 된다.

이제부터 아연이 도금된 알루미늠 기판 디스크는 비자성니켈-인 함유층의 비전해 도금이 될 준비를 갖추게 된다. 이러한 견지에서. 디스크에 적용되는 비자성 니켈-인의 비전해 도금은 일제의 표면 결함이 없게 하는 것이 중요하다.

본 발명의 중요한 특징에 의하여, 아연이 도금된 알루미늄 기판 포면은 니켈 이온 공급원, 하이포아인산이온 공급원, 예를 들어 카르복실산, 붕산 또는 도금조 용해성 붕산염과 같은 적절한 완충제 및, 글루코헵톤(glucoheptone)산의 에스테르 복합체를 포함하는 비전해 도금조에 침지된다. 상기 비전해 도금 단계에서 사용될 수 있는 글루코헵톤산의 에스테르 복합체는 디보론(diboron). 텅스텐 및 글루코헵톤산의 몰리브데늄 에스테르로 구성되는 그룹에서 선택되는 글루코헵톤산의 에스테르 혼합물을 포함한다. 상기 에스테르 복합체는 산소산(oxyacid)이 다가(polyhydric)산 또는 다가 알코올과 반응함으로기 형성되는 다가 혼합물에 에스테르 복합체로서의 특성을 널리 지닐 수 있다. 이러한 목적을 위해 사용될 수 있는 다가산 또는 다가 알로을로는 2이상의 히드록시기와 분자당 약 4 내지 15의 탄소원자를 함유하는 카르복실산 또는 카르복실 알코올이 양호하다. 통상적인 다가 혼합물은 타르타르산, 글루코닉산 또는 글루코헵톤탄과 같은 산이나 마니톨 2.3-부탄디올 또는 1,2,3-프로판트리올과 같은 알코올을 포함한다. 그러나, 상기 여러가지 다가 혼합물중에서 카르복실산이 대체로 양호하고, 특히 적합한 다가산은 글루코헵톱산이다.

에스테르 복합체를 형성하기 위하여 다가 흔합물과 반응할 수 있는 산소산은 대체소 붕산, 텅스텐산 및 몰리브덴산과 같은 산소산을 형성하는 붕소, 텅스텐 및 몰리브데늄과 같은 금속 및 비금속의 무기산이다. 그러나. 사용 가능한 여러가지 산소산중에서, 텅스텐산, 몰리브덴산 및 붕산은 글루로헵톤산의 붕소, 몰리브데늄 또는 텅스텐 에스테르와 같은 매우 양호하고 적절한 에스테르 복합체를 형성하기 위하여 글루코헵톤산과 같은 양호한 다가산에 의해 에스테르화될 때 특히 양호하다.

또한 에스테르 복합체는 어떤 경우에는 1몰의 다가 흔합물과 2몰 이상의 산소산이 반응하므로써 형성되는 에스테르 복합체인 폴리에스테르 형태일 수도 있다. 특히 양호한 에스테르 복합체를 대표하는 그러한 폴리에스테르의 실시예는 1몰의 글루코헵톤산과 2몰의 붕산이 반응하여 형성된 글루코헵톤산의 디보톤 에스테르이다.

상기 방식의 니켈-인 비전해 도금조는 8 내지 12%의 인과 92 내지 88%의 니켈을 함유하는 비자성 니켈-인 도금을 제공하기 때문에 본 발명에서 사용하기에 특히 적합하다. 게다가, 상기 도금조는 통상적으로 대략 4.1 내지 4.8 pH에서 작동되며. 도금시 비자성이고 시간이 경과해도 자성으로 되지 않는 비전해 니켈-인 도금을 제공하면서 빠른 도금 속도를 제공하기 위하여는 약 4.7의 pH로 유지된다.

화학식이 R(COOH)n인 불포화 카르복실산 또는 그 도금조 용해성 유도체와 하이포아인산 이온 공급원 및 니켈 공급원을 포함하는 도금조에서 비전해 니켈-인 도금을 실시함으로써 다른 적절한 비자성 니켈-인 비전해 도금이 얻어질 수 있는데. 여기서 R은 2이상의 탄소 원자를 가지는 불포화 알킬 사슬이고, n은 적어도 1이상이다. 적절한 불포화 카르복실산에는 상기 일반 분류내에 속하고 상기와 유사한 성질 및 특성을 가지는 아코니틴(aconitine)산, 시트라콘(citracone)산, 이타콘(itacone)산 및 말레(male)산과 다른 산들이 포함된다. 부가로. 상기와 같은 비전해 니켈-인 도금조에는 보통 완충제가 포함된다. 이와 관련하여 산에서 파생된 완충제 시스템은 예를 들어, 아세트산나트륨 아세테이트 시스템, 붕산-보레이트 시스템. 및 프로피온산-프로피오네이트 시스템과 같은 종래의 모노카르복실산 유도 완충제를 사용하면. 완충제가 포화 알킬 또는 방향성 폴리카르복실산 또는 이의 도금조 용해성 유도체일 때 도금속도에 악영향을 끼침이 없이 특히 인도금 백분율의 증가와 관련하여 상기와 다른 니켈-인 도귿조의 최대 효율이 얻어진다. 통상적으로 상기와 다른 니켈 도금조는 약 71 내지 100℃(160 내지 212℉)의 온도에서 조작된다. 이러한 방법으로, 약 90%의 니켈과 약 10%의 인을 함유하는 니켈-은 도금이 형성된다. 통상, 상기 도금조는 대착 4.1 이상의, 양호하게는 4.5 내지 4.8의 PH에 서 작동되며, 이에 의해 상술한 비자성 특성뿐만 아니라 빠른 도금 속도를 제공하게 된다.

상기 니켈-인 도금조의 어느 하나의 이용은 약 0.7 내지 1밀(mill) 1(약 17.8 내지 25.4마이크로 미터)t의 두께로 도금할 수 있는 충분한 시간 동안 도금조에 아연 도금된 알루미늄 디스크를 침지시킴으로써 보통 실시된다. 이렇게 도금된 디스크는 다음에 니켈-인 함유층이 약 0.2 내지 0.5밀1(약 7.6 내지 12.2마이크로미터)의 두께로 축소되는 연마 및 조직화 단계를 겪게된다. 이와 관련하여, 도금된 비전해 니켈-인 함유층의 두께는 최종적으로 0.1 내지 1.0밀의 소요 두께를 가지는 비전해 니켈 도금체를 만들기 위하여 여러번 연마함으로써 변화가 보장되는 한도내에서 변화시킬 수 있다.

연마 단계 후에, 니켈-인 도금 디스크는 약 30초 동안 증류수 또는 탈이온수에서 세정되고, 다음에 보통 약한 산성 또는 알칼리성 용액으로 세척된다. 이를 위한 적절한 산은 통상적으로 공지된 유기 습윤제와 함께 사용되는 인산 및 시트르 산을 포함한다. 그러나, 이러한 세척 단계는 연마 후에 디스크에 오염 물이 없는 경우에는 생략될 수 있다.

비전해 니켈-인 도금에 이어서 일어나는 비전해 니켈-코발트 도금을 위한 비전해 니켈-인 함유층의 활성화는 통상적으로 산 침염(acid dip)을 사용함으로버 달성된다. 예를들면. 니켈-인 함유층은 20%염산용액을 함유하는 도금조에 침지되고, 증류수 또는 탈이온수로 세정되며 디스크에 존재하는 잔류 염소를 제거하기 위하여 5% 황으로 처리된 후에 증류수 또는 탈이온수로 다시 세정될 수 있다. 첨가 활성제는 칼륨요오드를 함유하는 10% 황산이나, 1% 과산화수소를 함유하는 10g/l의 술팜산, 또는 염소, 플루오르. 인 같은 첨가제를 함유하는 질산 화합물과 같은 용액으로 구성될 것이다.

본 발명의 중요한 특징에 따르면, 니켈-인 도금 기판은 다음에 적절한 코발트 이온, 하이포아인산염 이온, 시트료산염 이온의 공급원과 저분자량의 도금조 용해성 아미노산 공급원이 준비되어 있는 비전해 코발트-인 도금조에서 처리된다. 또한, 붕산이나 알칼리성 금속 테트라보레이트, 메타보레이트 또는 펜타보레이트 같은 환충제도 포함된다. 필요하면, 추가로 에탄올아민과 같은 습윤제도 도금조에 합체시킬 수 있다.

이러한 코발트 도금조의 코발트 양이온공급원은 도금조에 2가 코발트 양이온을 공급하는 수용성 또는 반용해성 로발트염일 수 있다. 적절한 코발스 공급원의 대표적인 것은 코발트 황산염 헵타하이드레이트(heptahydrate),코발트 염화물 및 코발트 시트레이트(citrate)이다. 상기 도금조에 이용된 코발트 농도는 일반적으로 대략 도금조 1ℓ당 약 0.01몰 내지 약 0.1몰의 범위에 속할 것이다. 코발트 황산염 헵타하이드 레이트가 코발트 공급원으로서 사용되는 경우에는. 약 5 내지 159/1범위의 특히 6 내지 10g/l범위의 코발트염농도가 양호한 결과를 제공할 것이다.

코발트-인 도금조에서 사응되는 하이포아인산염 환원제는 나트륨 또는 칼륨 하이포아인산염과 같은 도금조 용해성 하이포아인산염 공급원을 포함한다. 필요하면, 이에 대응하는 하이포아인산염 공급원이나 기타 적절한 하이포아인산염 공급원이 사용될 수도 있다. 환원제의 통상적인 최소 농도는 도금조의 리터당 0.04몰까지 낮출 수 있지딴. 0.05 내지 0.2몰/l에 속하는 더 큰 농도가 작업에 가장 양호한 약 0.1몰/l와 함께 사용될 것이다. 나트륨 하이포아인산이 사용되는 경우에, 약 5 내지 30gm/l에 속하는 도금조 농도는 대체로 양호하며, 약 8.0 내지 12.0gm/l의 농도가 양호하다.

본 발명의 중요한 특징에 의하여 코발트-인 도금조는 시트르산 이온의 적절한 공급원과 저분자량의 도금조 용해성 아미노산과 완충제. 양호하게는 붕소를 포함하는 복합체 성분을 함유한다.

시트르산 이온의 적절한 공급원은 상술한 저분자량의 도금조 용해성 아미노산과 결합하여 사용하기에 적합한 복합체인 나트륨 시트르산 디히드레이트와 함께, 시트르산과 이의 나트륨염 및 칼륨염을 포함한다. 통상적으로, 시트르산 이온을 위한 최소의 농도는 코발트 공급원의 몰 농도의 약 3배에 이를 것이다. 시트르산 이온의 농도를 더 높게 할수 있지만. 이의 농도의 증가는 어떤 특별히 이로운 결과를 제공하지는 않는다. 나트륨 시트르산 디히드레이트가 사용되는 경우에, 약20 내지 100gm/l에 속하는 상기 도금조 농도는 대체로 양호하게 특히 약 30 내지 90gm/l의 농도가 양호하다.

본 발명에 의하여 고려된 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 특히 양호한 알파(alpha) 아미노산 형태와 함께 통상적으로 2내지 5탄소원자를 포함하는 아미노산이다. 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산의 실예는 알파-알라닌(alfha-alanine), 글리신(glycine), 모노소듐 글루타메이트(monosodium glutamate), 세린(serine), 트레오닌(threonine) 및 발린(Valine)을 포함한다. 통상적으로, 상기 아미노산의 도금조 농도는 약 0.1몰 내지 약 1.0몰의 범위에 이르고, 약 0.2 내지 0.4몰/l가 모든 작업에 양호하다. 글리신이 사용되는 경우에, 글리신의 도금조 농도는 대체로 10 내지 35gm/l이 양호하고, 약 15 내지 30gm/l의 농도가 바람직하다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 코발트-인 도금조는 또한 완충제를 포함할 수 있는데. 양호하게는 알칼리성 금속 테트라보레이트, 메타보레이트 또는 펜타보레이트와 같은 붕소와 나트륨 테트라보레이트 데카히드 레이트가 양호하다. 통상적으로. 완충제의 농도는 필요한 pH조절을 달성하기에 효과적이고 약 0.01 내지 0.1몰/l의 범위에 속하는 그러한 양이다. 나트륨 테트라보레이트 데카히드레이트가 사용되는 경우에, 10 내지 35gm/l의 도금조 농도는 대체로 바람직한 약 15 내지 30gm/l의 농도와 함께 사용될 수 있다.

필요할 때, 모노-, 디-, 또는 트리에타놀 아민과 같은 에탄올아민 또는 그러한 에탄올아민의 혼합물이 약 2.0 내지 10gm/l의 양으로 도금조에 첨가될 수 있다. 필수적인 것은 아니지만 에타놀아민은 다른 도금조 성분과 결합한 복합체 및 습윤제로서 양호한 기능을 한다.

코발트-인 도금조는 통상적으로 약 8 내지 10.5의 PH에서 유지되고, 약 9.4 내지 10.0의 PH범위가 양호하고 특히. 9.8의 PH가 양호하다. 이에 따라. 약 71℃ 내지 84℃(160 내지 185。F)의 도금조 온도가 이용될 수 있고, 약 80℃ (176。F)의 도금조 온도가 양호하다. 그러나, 이런 점에서 상기 범위 이하 및 이상의 온도가 다른 도금조 상태에 의존하여 효과적으로 이용될 수 있다. 대체로, 1 내지 5마이크로 인치의 코발트-인 함유층은 본 발명으로 얻어질 수 있는 필요한 자기 기록 성질을 나타내는 자성 로발트-인 도금을 제공할 것 이다.

로발트-인 도금 단계 후에 강성 디스크는 건조된다. 코발트-인 도금층의 변색 또는 다른 피해를 입히지 않는 어떤 적절한 수단이 이용될 수 있다. 그후에. 보호 피막이 도포될 수 있다. 적절한 보호 피막은 미합중국 특허 제4.407.869호에 기술된 방식의 니켈-붕소 도금층이 비전해로 도금된 프헤온솔벤트로 보통 도포된 플루오르 카본과, 스퍼터링 (sputtering) 기술을 포함한 여러가지 방법에 의하며 도포될 수 있는 흑연을 구비한다. 상기 보호피막은 코발트-인 함유층의 산화를 방지하는 작용을 하고, 또한 재생 및 기록 헤드의 보호벽으로서 디스크가 사용될 때 시스템내로 들어갈 수 있는 오염물과 직접 접촉됨을 방지하는 기능을 한다.

본 발명의 실시에 사용되는 코발트-인 도금조를 설명하기 위하여 아래에 실시예를 기술하기로 한다.

[실시예 1]

9.91㎝(3.9인치)의 직경과 0.173㎝(0.068인치)의 두께를 가진 5086알루미늄 합금 디스크를 우선 세척하고. 가볍게 교반하면서 비부식 알칼리성 용액을 함유하는 도금조에서 약 71℃(160。F)의 온도에서 3분동안 유지시켜 그리스를 제거하였다. 다음에, 탈이온수를 30초 동안 분무하고, 약71℃(160。F)의 온도에서 4분의 침지 시간 동안 가볍게 교반하면서 비부식산에 침염시켜 디스크를 세정하였다. 이렇게 처리한 디스크를 다음에 탈이온수로 더 세정하고 구매가 용이한 아연 도금 용액으로 26℃(80。F)의 온도에서 40초 동안 가벼운 교반으로 아연 도금하였다. 이렇게 아연 도금한 디스크를 다음에 탈이온수로 세정하고, 60%질산 용액에 디스크를 침지시켜서 디스크상의 아연층을 벗겨내고 탈이온수로 세정하였다. 재차. 약26℃(180。F)의 온도에서 20초 동안 가볍게 교반시켜 아연 도금 용액에 디스크를 침지시켰다. 다시 탈이온수로 세정시키고, 다음에 디스크 표면은 물 1갤런당 4온스의 나트륨 바이카보네이트를 함유하는 도금조에서 21℃(70。F)의 온도에서 약 30초 동안 디스크를 침지시키는 중화 단계를 겪게 하였다. 다음에 중화된 디스크를 탈이온수로 세정하고, 88℃(190。F)의 온도와 4.6의 PH를 유지한 니켈-인 비전해 도금조에 침지시켰다. 상기 니켈-인 비전해 도금조는 니켈 이온, 하이포아인산 환원제, 글루코헵톤산의 디보론 에스테르의 공급원을 포함하였다. 약 90%의 니켈과 약 10%의 인을 함유하는 니켈-인 비전해층이 800마이크로 인치로 도금될 때까지 상기 도금조에 디스크를 유지시켰다. 다음에 약 400마이크로인치의 비자성 니켈-인 함유층을 제공하도록 디스크를 연마하고. 탈이온수로 세정하고. 약한 알칼리성 청정제로 세척하고, 다시 탈이온수로 세정하였다.

다음에, 하이드로 염소산의 20%용액에 디스크를 침지시쿼 니켈-인 함유층을 활성화시키고, 탈이온수로 세정하고, 설파산의 5% 응액에 침지시키고, 다시 탈이온수로 세정하였다. 그후에. 다음 혼합물을 가지는 코발트 도금조에 디스크를 놓았다.

로발트 설페이트 (헵타히드체이트) 10.Ogm/l

나트륨 하이포아인산염 10.0gm/l

나트륨 테트라보레이트(데카히드레이트) 30.0gm/l

나트륨 시트르산염 90.0gm/l

글리신 25.Ogm/l

상기 도금조의 PH는 도금조 온도 80℃(176。F)에서 칼륨 히드록사이드로 9.8까지 조절하였다. 다음에 디스크를 도금조내에 놓아서 총 100초 동안 연속적으로 회전시켜서, 3마이크로 인치의 두께를 가지는 코발트-인 함유층을 만들었다. 그후에, 러스크를 퇴거하여 탈이온수로 세정하고, 건조시켰다. 이렇게 도금된 디스크의 보자력은 450에르스테드였고, 뛰어난 잔류 자기 및 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 2]

코발트 도금하는 부분까지 실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하였다. 다음에 이렇게 준비한 디스크를 다음과 같은 혼합물을 가지는 코발트 도금조내에 주입시켰다.

로발트 설페이트 (헵타히드레이트) 6.Ogm/l

나트륨 하이포아인산염 10.Ogm/l

나트륨 테트라보레이트(데카히드레이트) 20. Ogm/l

나트륨 시트르산염 60.Ogm/l

글리신 15.Ogm/l

디에탄올아민 5.0gm/l

도금조의 pH레벨은 77℃(170。F)의 온도에서 유지되어 칼륨히드록사이드로 9.7까지 조절되었다. 다음에,도금조내에 디스크를 놓아서 3분 동안 연속 회전하여 3마이크로 인치의 코발트-인 한유층을 만들었다. 이렇게 도금한 디스크를 도금에서 퇴거하여 세정하고. 건조시켰다. 디스크의 보자력은 605에르스테드였고, 뛰어난 잔류 자기 및 이력 곡선의 각형성질을 나타낸다.

[실시예 3]

코발트 도금의 부분까지 실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하였다. 다음에 이렇게 준비한 디스크 를 다음과 같은 혼합물을 가지는 코발트 도금조내에 침지시켰다.

코발트 설페이트(헵타히드레이트) 7.0gm/l

나트륨 하이포아인산염 12.0gm/l

나트륨 테트라보레이트(데카히드레이트) 20.Ogm/l

나트륨 시트르산염 90.Ogm/l

글리 신 20.Ogm/l

디에 탄올아민 5.Ogm/l

도금조의 PH는 70℃(158。F)의 온도에서 칼륨히드록사이드로 10.0으로 조절되었다. 다음에, 도금조내에 디스크를 놓고, 3분 동안 연속 회전시켜서, 3마이크로 인치의 두께를 가지는 코발트-인 비전해 도금층을 만들었다. 그후에 디스크를 도금조에서 퇴거하여 세정하고, 건조시켰다. 상기 디스크는 800에르스테드의 보자력을 가졌고, 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 4]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하여, 글리신 15.Ogm/l 대신에 트레오닌 15.gm/l를 사용한 것을 제외하고 실시예 2와 동일한 코발트 도금조에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하였고, 만들어진 디스크는 시험하였을 때 737에르스테드희 보자력과 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내얼다.

[실시예 5]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하여, 글리신 15.Ogm/l 대신에 세린 15.Ogm/l를 사용한 것을 제외하면 실시예 2와 동일한 코발트 도금내조에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시되었고, 만들어진 디스크는 시험하였을 때 669에르스테드의 보자력과 높은 잔류 자기화 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 6]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하여, 글리신 15.Ogm/l 대신에 알파 알라닌 15.Ogm/l를 사용한 것을 제외하면 실시예 2와 동일한 코발트 도금조에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하였고, 만들어진 디스크는 시험하였을 때 303에르스테드의 보자력과 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 7]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하고, 글리신 15.Ogm/l 대신에 발린 15.Ogm/l를 사용한 것을 제외하면 실시예 2와 동일한 코발트 도금조내에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하쪘고, 만들어진 디스크는 시험하였을 때 707에르스테드의 보자력과 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 8]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하고, 글리신 15.Ogm/l 대신에 모노소듐 글루타메이트 15.0gm/l를 사용한 것을 제외하면 실시예 2와 동일한 코발트 도금조내에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하였고. 만들어진 디스크는 시험하였을 때 631에르스테드의 보자력과 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 9]

실시예 1에서 설떵한 바와 같이 5086알루미늄 합금 터스크를 유사한 방법으로 세척하고, 그리스를 제거하고, 탈이온수로 세정하였다. 다음에 세정한 디스크를 27℃(80。F)에서 체적당 10%의 황용액내에 30초 동안 침지시키고, 최종으로 탈이온수로 세정하였다. 새로이 세정한 디스크를 실시예 1과 같은 니켈-인 비전해 도금조에 즉시 놓고. 800마이크로 인치의 두께로 도금하고, 탈이온수로 세정하고, 건조시켰다. 다음에 필요한 표면 마무리로 연마하였다. 연마한 니켈-인 합금 도금 디스크는 이어서 증류수로 세정되고. 실시예 1과 같이 활성화되고, 71℃(160。F)에서 실시예 3과 같이 비전해 코발트 혼합물 용액으로 피복되고, 3분 동안 연속회전되었다. 최후의 비전해 코발트-인 두께는 3마이크로 인치였다. 세정 및 건조시킨 디스크는 790에르스테드의 보자력을 가졌다. 잔류 자기는 높았고, 이력 곡선의 각형성질은 뛰어났다.

[실시예 10]

실시예 1과 동일한 방법으로 디스크를 준비하고. 붕산염 흔합물이 도금조에 첨가되지 않는 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 코발트 도금조내에 주입시켰다. 조작 상태 및 단계는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였고, 만들어진 디스크는 시험하였을 때 단지 300에르스테드의 보자력과 0.67의 이력곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 11]

두께가 0.0076㎝(0.003인치)이고 20.3㎝(8인치)의 정사각형인 마일러 플라스틱은 65℃(150。F)의 온도에서 3분 동안 약한 알칼리성 청정제에서 세척되고, 흐르는 탈이온수에서 세정되고, 88℃(180。F)의 온도에서 60초 동안 농축된 크롬산 용액에 침지됨으로써 부식되었다. 다음에 부식된 마일러는 과다한 크롬산을 제거하기 위하여 실온에서 흐르는 탈이온수내에서 세정되었다. 세정 후에, 마일러는 남아 있는 헥사발렌트(hexavalent) 크롬의 흔적을 제거하기 위하여 3N나트륨 히드록사이드 용액에서 71℃(160。F)의 온도로 60초 동안 침지되었고, 나트륨 히드록사이드를 제거하기 위하여 탈이온수로 세정되었다. 세정 후에, 마일러층은 상업적인 주석 이온 감광 용액내에서 30초 동안 감광되고, 탈이온수로 세정되고, 실온에서 팔라듐 (palladium) 이온 촉매 용액에 침지되고, 실시예 1과 동일한 비전해 니켈-인 도금조에 침지하기 전에 최후로 탈이온수로 세정되었다. 비전해 니켈 도금조에서의 침지시간은 87℃(188。F)에서 3분이었다. 도금된 플라스틱층은 비전해 니켈 도금조에서 퇴거한 상태에서 실온에서 탈이온수로 세정되고, 실시예 3과 동일한 혼합물 및 조작 상태에 있는 비전해 코발트-인 도금 용액에서 3분 동안 침지되었다. 다음에 도금된 플라스틱층을 도금조에서 퇴거하여 세정하고, 건조시켰다. 상기 도금 마일러에서 준비한 디스크는 800에르스테드의 보자력을 가졌고. 유사하게 높은 잔류 자기 및 뛰어난 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

[실시예 12]

5086 알루미늄 합금 디스크는 비전해 코발트-인 합금을 도금하기 전에 니켈-인 도금을 후도금 표면 마무리하지 않은 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 비전해 니켈 도금과 예비 처리를 겪었다. 대신에, 비전해 니켈-인을 도금한 직후에 디스크를 도금조에서 퇴거하고, 탈이온수로 세정하고, 실시예 1과 동일한 비전해 도금조내에 놓았다. 도금 시간 및 상태는 동일하였다. 최후로 코일트-인 함유층의 두께는 3마이크로 인치였다. 도금한 디스크의 보자력은 세정 및 건조 후에 430에르스테드였다. 디스크는 뛰어난 잔류 자기 및 이력 곡선의 각형성질을 나타내었다.

본 발명의 여러 실시예를 상세히 설명하였지만 본 발명의 정신 및 범위를 벗어남이 없이 수정이 가능하다.

Claims

개량된 자기 기록 성질을 가지는 고밀도 자기 기억장치의 제조 방법에 있어서, 오일 및 산화물이 없는 기판 표면을 제공하기 위하여 상기 자기 기록 장치용 기판 표면을 세척하는 단계와, 상기 표면에 비자성 니켈-인 함유층을 비전해 도금하는 단계와, 코발트 이온 공급원과, 하이포아인산 이온 공급원 및, 시트르산 이온과 저분자량의 도금조 용해성 아미노산의 공급원 각각을 유효량 포함하는 복합체 성분을 함유하는 도금조에서 니켈-인 항유층에 코발트-인 함유층을 비전해 도금하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제1항에 있어서. 비자성 니켈-인 함유층을 비전해 도금하기 전에 얇은 급속 아연층을 도포하기 위하여 오일 및 산화물이 없는 기판 표면을 아연 도금하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법 .
제1항에 있어서. 코발트-인 도금조는 완충제를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법
제3항에 있어서, 상기 완충제는 붕산염인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제3항에 있어서, 상기 완충제는 붕산, 카르복실산 및 알칼리 귿속의 테트라보레이트, 메타보레이트 및 펜타보레이트의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제3항에 있어서, 상기 완충제는 알칼리 금속의 테트라보레이트인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 2 내지 5개의 탄소원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법 .
제7항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알마 아미노산인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알파알라닌, 글리신, 모노소듐 글루타 메이트. 세린, 트레오닌 및 발린의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법 .
제1항에 있어서, 코발트-인 비전해 도금조는 8 내지 10.5의 pH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법 .
제1항에 있어서, 코발트-인 도금조는 9.6 내지 10.0의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제1항에 있어서. 상기 비전해 니켈-인 도금은 글루코헵톤산의 에스테르 복합체를 포함하는 도금조에서 실시되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제12항에 있어서, 상기 글루코헵톤산의 에스테르 복합체는 글루코헵톤산의 디보론, 텅스텐 및 몰리브 데늄 에스테르로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제12항에 있어서, 니켈-인 도금조는 4.1 내지 4.9의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제1항에 있어서, 니켈-인 도금 피판은 기계적으로 연마되고 기판에 존재하는 모든 산화물을 제거하기 위하여 세척되며 코발트-인 함유층의 비전해 도금 이전에 활성화되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
개량된 자기 기록 성질을 가지는 고밀도 자기 기억 강성 디스크의 제조 방법에 있어서. 표면에 존재하는 오일 및 산화물을 모두 게거하기 의하여 상기 디스크용 알루미늄 기판 디스크 표면을 세척하는 단계와, 표면 결함이 전혀 없는 비자성 니켈-인 함유층을 상기 디스크에 비전해 도금하는 단계와. 코발트 이온 공급원과 하이포아인산 이온 공급원과, 붕산염 완충제 및 시트르산 이온 공급원과 저분자량의 도금조 용해성 아미노산 각각을 유효량 포함하는 복합체 성분을 함유하는 도금조에서 니켈-인 함유층에 자기 코발트-인 삼유층을 비전해 도금하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조방법.
제16항에 있어서, 비자성 니켈-인 함유층을 비전해 도금하기 전에 얇은 금속 아연층을 도포하기 위하여 세척된 알루미늠 기판 디스크 표면을 아연 도금하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조방법.
제16항에 있어서, 완충제는 붕산, 카로복실산 및 알칼리 금속의 테트라보레이트, 메타보레이트 및 펜타보레이트의 그릅에서 선택되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 2 내지 5개의 탄소원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알파아미노산인 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알파 알라닌, 글리신, 모노소듐 글루타메이트, 세린, 트레오닌 및 발린의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 코발트-인 비전해 도금조는 8 내지 10.5의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법 .
제16항에 있어서, 코발트-인 도금조는 9.4 내지 9.6의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 상기 비자성 너켈-인 함유층은 글루코헵톤 에스테르의 에스테르 복합체를 포함하는 도금조에서 상기 아연층의 표편에 도금되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 니켈-인 도금조는 4.1 내지 4.9의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 니켈-인 도금 기판은 기계적으로 연마되고 기판에 존재하는 모든 산화물을 제거하기 위해 세척되며 코발트-인 함유층의 비전해 도금 이전에 활성화되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법 .
제26항에 있어서, 니켈-인 함유층은 0.1 내지 2.0밀의 두께까지 연마되고 다음에 코발트-인의 비전해 도금 이전에 산성 용액과의 접촉으로 활성화되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제26항에 있어서, 니켈-인 함유흥은 0.3 내지 0.5밀의 두께까지 연마되고 다음에 코발트-인 비전해 도금 이전에 산성 용액과의 접촉으로 활성화되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제16항에 있어서, 윤활제 보호 피막이 코발트-인 함유층에 도포되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
개량된 자기 기록 성질을 가지는 고밀도 자기 기억 장치의 제조 방법에 있어서. 오일 및 산화물이 없는 기판 표면을 제공하기 위하여 상기 자기 기억 장치용 기깍 표면을 세척하는 단계와, 얇은 금속 아연층을 도포하기 위하여 세척된 기판 표면을 아연 도금하는 단계와. 상기 아연층에 표면 결함이 없는 비자성 니켈-인 함유층을 비전해 도금하는 단계와, 코발트 이온 공급원과, 하이포아인산 이온 공급원 및, 시트르산 이온 공급원과 저분자량의 도금조 용해성 아미노산 각각을 유효량 포합하는 복합체 성분을 함유하는 도금조에서 니켈-인 함유층에 자기 코발트-인 함유층을 비전해 도금하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 코발트-인 도금조는 완충제를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법 .
제31항에 있어서, 상기 완충제는 붕산염인것을 특징으로 하는 자기 기억장치 제조 방법.
제31항에 있어서, 상기 완충제는 붕산, 카르복실산 및 알칼리 금속의 테트라보레이트, 메타보레이트 및 펜타보레이트의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제31항에 있어서, 상기 완충제는 알칼리 금속의 테트라보레이트인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 2 내지 5개의 탄소원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제35항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알파아미노산인 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제35항에 있어서, 상기 저분자량의 도금조 용해성 아미노산은 알파알라닌, 글리신, 모노소듐, 글루타메이트, 세린, 트레오닌 및 발린의 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 코발트-인 비전해 도금조는 8 내지 10.5의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 코발트-인 도금조는 9.6 내지 10.0의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 상기 비전해 니켈-인 도금은 글루코헵톤산의 에스테르복합체를 포함하는 도금조에서 실시되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제40항에 있어서, 상기 글루코헵톤산의 에스테르 복합체는 글루코헵톤산의 디보론, 텅스텐 및 몰리브데늄 에스테르로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제41항에 있어서, 니켈-인 도금조는 4.1 내지 4-9의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
제30항에 있어서, 니켈-인 도금 기판은 기계적으로 연마되고 기판에 존재하는 모든 산화물을 제거하기 위하여 세척되며 코발트-인 함유층의 비전해 도금 이전에 활성화되는 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치 제조 방법.
고보자력, 높은 잔류 자기 및 개량된 이력곡선의 각형성질을 갖는 개량된 자기 기록 성질을 가지는 고밀도 자기 기억 강성 디스크의 제조 발법에 있어서, 오일 및 산화물이 없는 기판 표면을 제공하기 위하여 알루미늄 기판 디스크의 표면을 세척하는 단계와, 얇은 금속 아연층을 도포하기 위하여 세척된 기판 표면을 아연 도금하는 단계와, 4.1 내지 4.9의 PH로 유지되는 니켈-인 도금조에서 아연층 표면에 비자성 니켈-인 함유층을 표면 결함이 없이 0.1 내지 2.0밀의 두에로 비전해 도금하는 단계와, 0.2 내지 2.0밀의 전체적으로 균일한 총 두께를 제공하기 위하여 니켈-인 도금부를 기계 연마하는 단계와, 표면에 있는 산화물 및 기타 오염물을 모두 제거하기 위하여 니켈-인 함유층을 세척하는 단계와, 연속하는 코발트-인 비전해 도금에서 용이하게 수용할 수 있도록 니켈-인 함유층을 활성화하는 단계와, 코발트 이온 공급원과, 하이포아인산 이온 공급원과. 붕산염 완충제 및, 시트르산 이온 공급원과 2 내지 5개의 탄소 원자를 가지는 저분자량의 도금조 용해성 아미노산 각각을 유효량 포함하는 복합체 성분을 함유하고 8.0 내지 10.5의 PH로 유지되는 도금조에서 니켈-인 함유층에 자성 코발트-인 함유층을 비전해 도금하는 단계와, 이어서 코발트-인 함유층에 윤활제 보호피막을 도포하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제44항에 있어서, 코발트-인 도금조는 9.4 내지 10.0의 PH로 유지되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제44항에 있어서, 상기 비전해 니켈-인 도금은 글루코헵톤산의 에스테르 복합체를 포함하는 도금조에서 실시되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제46항에 있어서, 상기 글루코헵톤 에스테르의 에스테르 복합체는 글루코헵톤산의 디보론 텅스텐 및 몰리브데늄 에스테르로 구성되는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.
제44항에 있어서, 비전해 니켈-인 도금조는 화학식 R(COOH)n의 불포화 카르복실산 또는 그 도금조 용해성 유도체를 포함하며, 여기서 R은 적어도 2탄소원자를 가지는 불포화 알킬이고 n은 적어도 1이고, 도금조에는 황 성분이 없고 황의 최고 산화 상태보다 낮은 산화 상태를 가지는 것을 특징으로 하는 강성 디스크 제조 방법.