JPS58179938A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS58179938A JPS58179938A JP57063130A JP6313082A JPS58179938A JP S58179938 A JPS58179938 A JP S58179938A JP 57063130 A JP57063130 A JP 57063130A JP 6313082 A JP6313082 A JP 6313082A JP S58179938 A JPS58179938 A JP S58179938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic storage
- storage body
- alloy
- silicon oxynitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置、磁気ドラ
ム装置など）に用いられる磁気記憶体、特に磁性金属を
記憶媒体とする磁気Ｐ憶体に関する。
ム装置など）に用いられる磁気記憶体、特に磁性金属を
記憶媒体とする磁気Ｐ憶体に関する。
一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気記憶体は
主に次の２つの実用上の問題を有している。
主に次の２つの実用上の問題を有している。
ｔｐｌの問題は記録再生磁気へ、ド（以下へ、ドと呼ぶ
）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再
生方法に伴なうものである。
）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再
生方法に伴なうものである。
操作開始時にへ、ドと磁気記憶体面とを接触状態でセ、
′トシた後、前記磁気記憶体に所要の回転を与えること
により萌配へ、ドと前記磁気記憶体面との間に空気噛分
の空間を作り、この状態で記録再生をする所謂、（フン
タクト・スタート・スト、プ方式では操作終ｒ時に磁気
記憶体の回転が止まり、この時へ、ドと磁気記憶体面は
操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
′トシた後、前記磁気記憶体に所要の回転を与えること
により萌配へ、ドと前記磁気記憶体面との間に空気噛分
の空間を作り、この状態で記録再生をする所謂、（フン
タクト・スタート・スト、プ方式では操作終ｒ時に磁気
記憶体の回転が止まり、この時へ、ドと磁気記憶体面は
操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるへ、ドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、へ、ドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはへ、ドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触摩擦状態においてへ、ドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にし
、へ、ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、へ、ドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはへ、ドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触摩擦状態においてへ、ドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にし
、へ、ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
また更に記録再生中に突発的にへ、ドが磁気記憶体に接
触しへ、ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ、
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしけしは起こる
。この様なへ、ドと磁気記憶体との接触摩擦、接触摩耗
および接触破壊からへ、ドおよび磁気記憶体を保護する
ために磁気記憶体の表面圧保護被膜を被覆することが必
要である。
触しへ、ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ、
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしけしは起こる
。この様なへ、ドと磁気記憶体との接触摩擦、接触摩耗
および接触破壊からへ、ドおよび磁気記憶体を保護する
ために磁気記憶体の表面圧保護被膜を被覆することが必
要である。
第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐食により
磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
以上の２つの間ｌａｔ解決する為ｒＣ１ｌ々の保護膜が
提案されているが、耐摩耗性と耐食性両方共に優れ友も
のはまだ得られていない。
提案されているが、耐摩耗性と耐食性両方共に優れ友も
のはまだ得られていない。
例えば特開昭５０−９３４０４号公報に見られる様な、
磁気記憶体表面にスバ、り法により８１Ｏ１を保護膜を
被覆する例が知られているが、磁性金属の腐食を防ぐこ
とは出来ない。
磁気記憶体表面にスバ、り法により８１Ｏ１を保護膜を
被覆する例が知られているが、磁性金属の腐食を防ぐこ
とは出来ない。
本発明の目的は耐摩耗性に優れかつ耐食性に優ねた磁気
記憶体を提供することにある。
記憶体を提供することにある。
すなわち、本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された下地体
の上に金属磁性媒体を被覆し、この媒体の一ヒに水素を
含む又は含まないケイ素酸化窒化物被覆されていること
を特徴としている。
の上に金属磁性媒体を被覆し、この媒体の一ヒに水素を
含む又は含まないケイ素酸化窒化物被覆されていること
を特徴としている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。ｙ１図に
おいて磁気記憶体の基ｆｉｌとしてアルミ合金が軽くて
加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場
合によってはチタン合金が用いられることもある。基盤
表面は機械加工により小さなうねり（円周方向で５０μ
ｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有する面に仕上
げられている。
おいて磁気記憶体の基ｆｉｌとしてアルミ合金が軽くて
加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場
合によってはチタン合金が用いられることもある。基盤
表面は機械加工により小さなうねり（円周方向で５０μ
ｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有する面に仕上
げられている。
次にこの基盤ｌの上に下地体２として二、ケル−燐合金
がめつきＫより被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ０．０３μｍ以下に鏡面仕上げ
される０次に上記下地体２０繞面研磨面上に金属磁性媒
体３としてコバルト一二、ケル−燐合金がめっきにより
被覆され、この金属磁性媒体３の上に水素を含む又は含
まないケイ素酸窒化物からなる保護膜４が被覆されてい
る。
がめつきＫより被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ０．０３μｍ以下に鏡面仕上げ
される０次に上記下地体２０繞面研磨面上に金属磁性媒
体３としてコバルト一二、ケル−燐合金がめっきにより
被覆され、この金属磁性媒体３の上に水素を含む又は含
まないケイ素酸窒化物からなる保護膜４が被覆されてい
る。
保護膜４中には５ｉ−Ｈ結合を有する成分が含まれ
する場合が有る。８４−Ｈ結合を有する成分は保
護膜の赤外吸収スペクトルを測定すると容易に見分ける
ことが出来る。スバ、り法により被覆されたケイ素酸化
窒化物は８ｉ−０及び５ｉ−Ｎ結合の吸収しか示さない
がプラズマ化学蒸着法（ｐａｗｎ法）Ｋより被覆したケ
イ素酸窒化物は８ｉ−Ｈ結合を有している。５ｉ−Ｈ結
合は侵入してくる水や酸素と反応して、フパルトー二、
ケルー燐金属磁性媒体３を還元雰囲気に保つ性質を自し
ており水、酸素などの腐食成分から該媒体３を守ること
が出来る。
する場合が有る。８４−Ｈ結合を有する成分は保
護膜の赤外吸収スペクトルを測定すると容易に見分ける
ことが出来る。スバ、り法により被覆されたケイ素酸化
窒化物は８ｉ−０及び５ｉ−Ｎ結合の吸収しか示さない
がプラズマ化学蒸着法（ｐａｗｎ法）Ｋより被覆したケ
イ素酸窒化物は８ｉ−Ｈ結合を有している。５ｉ−Ｈ結
合は侵入してくる水や酸素と反応して、フパルトー二、
ケルー燐金属磁性媒体３を還元雰囲気に保つ性質を自し
ており水、酸素などの腐食成分から該媒体３を守ること
が出来る。
但し８ｉ−Ｈ結合を含みかつ二、ケル−燐合金からなる
下地体を帯磁させずかつコバルトー二、ケルー燐金＃％
磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温度（３００℃）
以下で５ｉ−Ｈ結合を含むケイ素酸化物メｒ」ケイ素ｌ
Ｉ！！窒化物を形成する為には原料ガスとしてＳ ｉＨ
，を用いＮＯなどの酸化の為の反ひＮ１４．などの窒化
の為のガスの混合ガスをプラズマ中に導入して、前記ケ
イ素酸窒化物を形成することが重要である。プラズマを
用いない化学蒸着法（ＣＶＤ法）は磁気記憶体を４００
℃以上にする必要が有り、本発明の磁気記憶体の保護膜
として適当でない。
下地体を帯磁させずかつコバルトー二、ケルー燐金＃％
磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温度（３００℃）
以下で５ｉ−Ｈ結合を含むケイ素酸化物メｒ」ケイ素ｌ
Ｉ！！窒化物を形成する為には原料ガスとしてＳ ｉＨ
，を用いＮＯなどの酸化の為の反ひＮ１４．などの窒化
の為のガスの混合ガスをプラズマ中に導入して、前記ケ
イ素酸窒化物を形成することが重要である。プラズマを
用いない化学蒸着法（ＣＶＤ法）は磁気記憶体を４００
℃以上にする必要が有り、本発明の磁気記憶体の保護膜
として適当でない。
８ｉ−Ｈ結合としての水素の含有量は耐摩耗性の面で５
１Ｌ量％以下であることが必要であるより好ましくは１
ないし２重量％である。
１Ｌ量％以下であることが必要であるより好ましくは１
ないし２重量％である。
また水素を含まないケイ素酸窒化物であっても、ケイ素
酸化物に比べ活性が低く水、酸素等の腐食成分を通しに
くく、前記媒体３を腐食からより守ることが出来る。
酸化物に比べ活性が低く水、酸素等の腐食成分を通しに
くく、前記媒体３を腐食からより守ることが出来る。
次に実施例および比較例により本発明の磁気記憶体の製
造方法を詳細に説明する。
造方法を詳細に説明する。
実施例１
基板１として旋盤加工および熱矯正によって十分小さな
うねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミ
ニウム合金盤上に下地体２としてニッケルー燐合金を約
５０μｍの厚さＫめっきし、この二、ケルー燐めっき膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面研
磨仕上げした。
うねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミ
ニウム合金盤上に下地体２としてニッケルー燐合金を約
５０μｍの厚さＫめっきし、この二、ケルー燐めっき膜
を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面研
磨仕上げした。
次にこの二、ケルー燐めっき膜の上に金属磁性媒体３と
してコバルトー二、ケルー燐合金を０．０５μｍの厚さ
にめっきした。このコノ２ルト一二、ケルー憐めつき膜
の上にプラズマ中に８ｉＨ，とＮＯとＮＨ，の混合ガス
を通すことにより水素を含むケイ素酸窒化物を保護膜と
して膜厚５００λに被覆して磁気ディスクを作った。
してコバルトー二、ケルー燐合金を０．０５μｍの厚さ
にめっきした。このコノ２ルト一二、ケルー憐めつき膜
の上にプラズマ中に８ｉＨ，とＮＯとＮＨ，の混合ガス
を通すことにより水素を含むケイ素酸窒化物を保護膜と
して膜厚５００λに被覆して磁気ディスクを作った。
実施例２
実施例１と同様にして但し、膜厚２００ Ａにして磁気
ディスクを作った。
ディスクを作った。
実施例３
実施例１と同様にして但し、コバルトー二、ケルー燐め
っき膜の上にスバ、り法によりケイ素酸窒化物を膜厚５
００ Ａで被覆して磁気ディスクを作った・ 実施例４ 実施例３と同様にして但し、膜厚２００ Ａにして磁気
ディスクを作り九。
っき膜の上にスバ、り法によりケイ素酸窒化物を膜厚５
００ Ａで被覆して磁気ディスクを作った・ 実施例４ 実施例３と同様にして但し、膜厚２００ Ａにして磁気
ディスクを作り九。
比較例
実施例１と同様にして但しコバルトー二、ケルー填めつ
き膜の上にスバ、り法により８ｉ０．を保護膜として膜
厚５００ Ａ Ｋ被覆して磁気ディスクを作った。実施
例１．２で作った磁気ディスクの赤外反射スペクトルを
測定したところ波数２２００１−１と８５０傷 に８ｉ
−Ｈ結合の吸収スペクトルが見られた。しかし実施例３
，４１１ｔび比較例においては該吸収スペクトルは見ら
れなかった。
き膜の上にスバ、り法により８ｉ０．を保護膜として膜
厚５００ Ａ Ｋ被覆して磁気ディスクを作った。実施
例１．２で作った磁気ディスクの赤外反射スペクトルを
測定したところ波数２２００１−１と８５０傷 に８ｉ
−Ｈ結合の吸収スペクトルが見られた。しかし実施例３
，４１１ｔび比較例においては該吸収スペクトルは見ら
れなかった。
実施例１〜４および比較例で示した各磁気ディスクを用
いて水中浸漬試験（１２０時間）および環境試験（相対
湿度９０％、温［４Ｇ℃、１ケ月）を行ないそれぞれ腐
食点の単位面積当りの個数およびエラー数の増加率を調
べた。
いて水中浸漬試験（１２０時間）および環境試験（相対
湿度９０％、温［４Ｇ℃、１ケ月）を行ないそれぞれ腐
食点の単位面積当りの個数およびエラー数の増加率を調
べた。
その結果下表の様な結果が得られた。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性ある
いは耐環境性を有していることが分った。
いは耐環境性を有していることが分った。
なお実施例１〜４の磁気ディスクについて２万回のＣ８
Ｓ繰り返しテストを行なったが表面の傷および摩耗跡な
ど全く異常は見られなかった。
Ｓ繰り返しテストを行なったが表面の傷および摩耗跡な
ど全く異常は見られなかった。
以上のことから本発明により製造された磁気記憶体は優
れた信頼性を有していることが分った。
れた信頼性を有していることが分った。
図はそれぞれ本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
図において、ｌ＃′ｉ基盤、２は下地体、３Ｆｉ金属磁
性媒体、４は保護膜、である。
性媒体、４は保護膜、である。
Claims (2)
- （１）鏡面を有する磁気記憶体表面にケイ素酸化窒化物
が被覆されていることを特徴とする磁気記憶体。 - （２）ケイ素酸化窒化物が水素を含む特許請求の範囲第
１項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063130A JPS58179938A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063130A JPS58179938A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179938A true JPS58179938A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063130A Pending JPS58179938A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179938A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0183427A2 (en) * | 1984-11-30 | 1986-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
| JPS626425A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| EP0597526A2 (en) * | 1992-11-09 | 1994-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a magnetic head, and magnetic head manufactured by means of said method |
| JP2007160384A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Amada Co Ltd | パンチ金型 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573931A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Hitachi Ltd | High-recording-density magnetic disk |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063130A patent/JPS58179938A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573931A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Hitachi Ltd | High-recording-density magnetic disk |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0183427A2 (en) * | 1984-11-30 | 1986-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
| JPS626425A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| EP0597526A2 (en) * | 1992-11-09 | 1994-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a magnetic head, and magnetic head manufactured by means of said method |
| EP0597526A3 (en) * | 1992-11-09 | 1995-08-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacturing method for a magnetic head and magnetic head produced using this method. |
| JP2007160384A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Amada Co Ltd | パンチ金型 |
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