JPS58179940A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents
磁気記憶体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58179940A JPS58179940A JP57063132A JP6313282A JPS58179940A JP S58179940 A JPS58179940 A JP S58179940A JP 57063132 A JP57063132 A JP 57063132A JP 6313282 A JP6313282 A JP 6313282A JP S58179940 A JPS58179940 A JP S58179940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- storage body
- magnetic storage
- alloy
- corrosion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本Ｍ １ｊｌＪ ＃′ｉ！気的記憶装ｆｉｌ（磁気ティ
スフ装置、１気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶
体。
スフ装置、１気ドラム装置など）に用いられる磁気記憶
体。
特に磁性金属を記憶媒体とする磁気記憶体の製造方法に
関する。
関する。
一般に磁性金属を記憶媒体として使用するｂ気記憶体は
主に次の２つの実用上の問題を有している。
主に次の２つの実用上の問題を有している。
第１の問題は記録再生磁気へ、ド（以１へ、ドと呼ぶ）
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生
方法に伴なうものである。
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生
方法に伴なうものである。
操作開始時にへ、ドと磁気記憶体面とを接触状態でセ、
トシた彼、前記磁気記憶体に折畳の回転を与えることに
よりＩｌｌ記へ、ドと前記磁気記憶体面との間に空気噛
分の空間を作り、この状態でｎｃ。
トシた彼、前記磁気記憶体に折畳の回転を与えることに
よりＩｌｌ記へ、ドと前記磁気記憶体面との間に空気噛
分の空間を作り、この状態でｎｃ。
録再生をする所謂、（コンタクト・スタート・スト、プ
方式では操作終了時に磁気記憶体の回転か止まり、この
時へ、ドと磁気記憶体１ｙＩｉＦｉ操作開始時とｎ１様
に接触摩擦状態にある。
方式では操作終了時に磁気記憶体の回転か止まり、この
時へ、ドと磁気記憶体１ｙＩｉＦｉ操作開始時とｎ１様
に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるへ、ドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、へ、ドおよび磁気配憶体を摩耗させ
ついにはへ、ドおよび＊異磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触Ｆｌ捧状態においてへ、ド
のわずかな姿勢の変化がヘッドにかかるＭｌを不均一に
し、へ、ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある
。また史に記録内生中に突発的にへ、ドが磁気記憶体に
接触しへ、ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ
、ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしはしは起こ
る。この様なヘッドと磁気記憶体との接＠摩擦、接触摩
耗および接触破壊からへ、ドおよび磁気記憶体を保護す
るために磁気記憶体の表面に保！！ＩＩ被暎を被覆する
ことが必要である。
に生じる摩擦力は、へ、ドおよび磁気配憶体を摩耗させ
ついにはへ、ドおよび＊異磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触Ｆｌ捧状態においてへ、ド
のわずかな姿勢の変化がヘッドにかかるＭｌを不均一に
し、へ、ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある
。また史に記録内生中に突発的にへ、ドが磁気記憶体に
接触しへ、ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ
、ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしはしは起こ
る。この様なヘッドと磁気記憶体との接＠摩擦、接触摩
耗および接触破壊からへ、ドおよび磁気記憶体を保護す
るために磁気記憶体の表面に保！！ＩＩ被暎を被覆する
ことが必要である。
第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐食により
磁性金島の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
磁性金島の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
以上の２つの問題を解決する為に柿々の保護膜が提案さ
れているが、−摩耗性と耐食性画方へに優れたものはま
だ１嶋られていない。
れているが、−摩耗性と耐食性画方へに優れたものはま
だ１嶋られていない。
例えば特開昭５３−２１９０１号反ひ特開昭５３−２１
９０２号公報に見られる様な、磁気記憶体表面にスパッ
タ法により８ｉＣを保纏膜をＩｉ覆する例が知られてい
るが、磁性金属の腐食を防ぐことは出来ない。
９０２号公報に見られる様な、磁気記憶体表面にスパッ
タ法により８ｉＣを保纏膜をＩｉ覆する例が知られてい
るが、磁性金属の腐食を防ぐことは出来ない。
本発明の目的は、ｆｉ４ＷＩ耗性に曖れかつ耐食性に優
れた磁気記憶体の製造方法を提供することにある。
れた磁気記憶体の製造方法を提供することにある。
すなわち、本発明の磁気記憶体は鏡面研令された一ト地
体の上に金属磁性媒体を枡覆し、この媒体の上にプラズ
マ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法）Ｋより非晶質ケイ素炭化物
を被覆することを特徴としている。
体の上に金属磁性媒体を枡覆し、この媒体の上にプラズ
マ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法）Ｋより非晶質ケイ素炭化物
を被覆することを特徴としている。
次に図面を参照して本発明を詳＃１１に説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。Ｓ２図に
おいて磁気記憶体の基盤ｌとしてアルミ合金が軽くて加
工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場合
によってはチタン合金が用いられることもある。基盤表
面＃−を機械加工により°ｔＪｓさなうねり（円周方向
で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有する
面に仕上げられている。
おいて磁気記憶体の基盤ｌとしてアルミ合金が軽くて加
工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場合
によってはチタン合金が用いられることもある。基盤表
面＃−を機械加工により°ｔＪｓさなうねり（円周方向
で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有する
面に仕上げられている。
次にこの基盤ｌの上に下地体２として二、ケル−燐合金
がめつき罠より被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ０，０３μｍ以下に鏡面仕上げ
される。ｒＫＫ上記下地体２０観面研磨面上に金属磁性
媒体３としてコバルトｍ；、ケル−燐合金がめっきによ
り被覆され、この金属磁性媒体３の上に非晶質ケイ炭化
物からなる保ｆｉｍ４が被覆されている。保護膜４はス
バ、り法 １により被覆される結晶性ケイ素炭化
物（８ｉＣ）と異なり非晶質である。非晶質ケイ素炭化
物は結晶粒界が存在しない為にコバルトー二、ケルー燐
金属研性媒体ａｉ氷、酸素などの寝食成分の侵入による
腐食から防ぐことが出来る。但し、二、ケル−燐合金か
らなる下地体を帯磁させ１、かつ、コバルトー二、ケル
ー燐金楓磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温度（３
００℃）以下で非晶質ケイ素炭化物を形成する為には原
料ガスとして８１Ｈ４を用いＣＨ１（ｔ ＊ ”ｔ ”
４ ｒ ＣＨ４ｙ ＣＭＨｌ ＋ ＣＭＨｌ ｔ ＣＦ
４などの炭化の為のガスとの混合ガスをプラズマ中に膨
大して酌記ケイ素炭化物を形成することが重要である。
がめつき罠より被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ０，０３μｍ以下に鏡面仕上げ
される。ｒＫＫ上記下地体２０観面研磨面上に金属磁性
媒体３としてコバルトｍ；、ケル−燐合金がめっきによ
り被覆され、この金属磁性媒体３の上に非晶質ケイ炭化
物からなる保ｆｉｍ４が被覆されている。保護膜４はス
バ、り法 １により被覆される結晶性ケイ素炭化
物（８ｉＣ）と異なり非晶質である。非晶質ケイ素炭化
物は結晶粒界が存在しない為にコバルトー二、ケルー燐
金属研性媒体ａｉ氷、酸素などの寝食成分の侵入による
腐食から防ぐことが出来る。但し、二、ケル−燐合金か
らなる下地体を帯磁させ１、かつ、コバルトー二、ケル
ー燐金楓磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温度（３
００℃）以下で非晶質ケイ素炭化物を形成する為には原
料ガスとして８１Ｈ４を用いＣＨ１（ｔ ＊ ”ｔ ”
４ ｒ ＣＨ４ｙ ＣＭＨｌ ＋ ＣＭＨｌ ｔ ＣＦ
４などの炭化の為のガスとの混合ガスをプラズマ中に膨
大して酌記ケイ素炭化物を形成することが重要である。
プラズマを用いない化学蒸着法（ＣＶＤ法）は磁気記憶
体を４００℃以上にする必要があり、本発明の磁気記憶
体の保護膜として不適当である。
体を４００℃以上にする必要があり、本発明の磁気記憶
体の保護膜として不適当である。
次に実施例および比較例により本発明の磁気記１練体の
製造方法を詳細に欺明する。
製造方法を詳細に欺明する。
実施←°１（１
基板１としてρ盤加工および熱矯正によって十分小さな
うねり（円周方向で５０μｍＱ下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたティスフ状アルミ
ニウム合金盤上に一土地体２としてニッケルー燐合金を
約５０μｍの厚さにめっきし、この二、ケルー燐めつき
膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面
研磨仕上げした。
うねり（円周方向で５０μｍＱ下および半径方向で１０
μｍ以下）をもった面に仕上げられたティスフ状アルミ
ニウム合金盤上に一土地体２としてニッケルー燐合金を
約５０μｍの厚さにめっきし、この二、ケルー燐めつき
膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍまで鏡面
研磨仕上げした。
次にこの二、ケルー燐めっき膜の上に金属磁性媒体３と
してコバルトー二、ケルー燐合金を０．０５Ｉｔ（ｎ
（７） 厚すにめっきした。このコバル）−二、ケルー
憐めつき膜の上にプラズマ中に８ｉＨ，とＣ，Ｈ８の混
合ガスをガス圧１ ｔｏｒｒ にて通すことにより非
晶質ケイ素炭化物を保護膜として膜厚５００λに被覆し
て磁気ディスクを作った。
してコバルトー二、ケルー燐合金を０．０５Ｉｔ（ｎ
（７） 厚すにめっきした。このコバル）−二、ケルー
憐めつき膜の上にプラズマ中に８ｉＨ，とＣ，Ｈ８の混
合ガスをガス圧１ ｔｏｒｒ にて通すことにより非
晶質ケイ素炭化物を保護膜として膜厚５００λに被覆し
て磁気ディスクを作った。
実施例２
実施例１と同様にして但しＣ，Ｈｌの代りにＣＨ。
を用いかつ膜厚２００Ａにして磁気ディスクを作った。
比較例
実施？’ｌ １と同様にして但しコバルトー二、ケルー
燐めっき膜の上にスバ、り法により結晶１１１ｓｉｃを
保護膜として膜厚５００λに＠覆して磁気ディスクを作
った。
燐めっき膜の上にスバ、り法により結晶１１１ｓｉｃを
保護膜として膜厚５００λに＠覆して磁気ディスクを作
った。
実施例１．２で作った磁気ディスクのＸ＃回折を行った
ところハロー状の回折儂が得られ、非晶質であることが
確認された。しかし比較例においては８ｉＣの回折パタ
ーンが得られ、結晶質であることが分った。
ところハロー状の回折儂が得られ、非晶質であることが
確認された。しかし比較例においては８ｉＣの回折パタ
ーンが得られ、結晶質であることが分った。
実施例１，２および比較例で示した各磁気ディスクを用
いて水中浸漬試験（１２０時間）および環境試Ｓ（相対
湿度９０％、温度４０℃、１ケ月）を行ないそれぞれ騙
食点の単位面積当りの帥数およびエラー教の増加率を調
べた。
いて水中浸漬試験（１２０時間）および環境試Ｓ（相対
湿度９０％、温度４０℃、１ケ月）を行ないそれぞれ騙
食点の単位面積当りの帥数およびエラー教の増加率を調
べた。
その結果下表の様な結果が得られた。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性ある
いは耐環境性を有していることが分った。
いは耐環境性を有していることが分った。
なお実施例１．２の磁気ディスクについて２万回のＣ８
Ｓ繰り返しテストを行なったが表面の傷および摩耗跡な
ど全く異−、’には艶られなかった。
Ｓ繰り返しテストを行なったが表面の傷および摩耗跡な
ど全く異−、’には艶られなかった。
以上のことから本発明により製造された磁気記憶体は優
れた信頼性を有していることが分った。
れた信頼性を有していることが分った。
図はそれぞれ本発明により製造された磁気記憶体の部分
断面図である。 図において、ｌは基盤、２は下地体、３は金属磁性媒体
、４は保護膜、である。 ≠１ し４ ／う じ２ ｌ
断面図である。 図において、ｌは基盤、２は下地体、３は金属磁性媒体
、４は保護膜、である。 ≠１ し４ ／う じ２ ｌ
Claims (1)
- 鏡面を有する磁気記憶体表面にプラズマ中（ＳｉＨ４と
炭素を含むガスを導入することにより餓磁気記憶体表面
に非晶質ケイ素置化物を着覆することを特徴とする磁気
記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063132A JPS58179940A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063132A JPS58179940A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179940A true JPS58179940A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063132A Pending JPS58179940A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179940A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0152269A2 (en) * | 1984-02-06 | 1985-08-21 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| US5118573A (en) * | 1989-10-26 | 1992-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063132A patent/JPS58179940A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0152269A2 (en) * | 1984-02-06 | 1985-08-21 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| US5118573A (en) * | 1989-10-26 | 1992-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
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