JPH079699B2 - 磁気ディスク記憶媒体 - Google Patents
磁気ディスク記憶媒体Info
- Publication number
- JPH079699B2 JPH079699B2 JP57063131A JP6313182A JPH079699B2 JP H079699 B2 JPH079699 B2 JP H079699B2 JP 57063131 A JP57063131 A JP 57063131A JP 6313182 A JP6313182 A JP 6313182A JP H079699 B2 JPH079699 B2 JP H079699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic memory
- head
- magnetic disk
- storage medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置、磁気ドラ
ム装置など）に用いられる磁気記憶体、特に磁性金属を
記憶媒体とする磁気記憶体に関する。
ム装置など）に用いられる磁気記憶体、特に磁性金属を
記憶媒体とする磁気記憶体に関する。
一般に磁性金属を記憶媒体として使用する磁気記憶体は
主に次の２つの実用上の問題を有している。
主に次の２つの実用上の問題を有している。
第１の問題は記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生
方法に伴なうものである。
と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生
方法に伴なうものである。
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、前記磁気記憶体に所要の回転を与えることに
より前記ヘッドと前記磁気記憶体面との間に空気層分の
空間を作り、この状態で記録再生をする所謂、コンタク
ト・スタート・ストップ方式では操作終了時に磁気記憶
体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作
開始時と同様に接触摩擦状態にある。
トした後、前記磁気記憶体に所要の回転を与えることに
より前記ヘッドと前記磁気記憶体面との間に空気層分の
空間を作り、この状態で記録再生をする所謂、コンタク
ト・スタート・ストップ方式では操作終了時に磁気記憶
体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作
開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を磨耗させ
ついにはヘッドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触摩擦状態においてヘッドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一に
し、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもあ
る。また更に記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体
に接触しヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、
ヘッドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起
こる。この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦、接触
磨耗および接触破壊からヘッドおよび磁気記憶体を保護
するために磁気記憶体の表面に保護被膜を被覆すること
が必要である。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を磨耗させ
ついにはヘッドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を生じさせ
ることがある。また前記接触摩擦状態においてヘッドの
わずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一に
し、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもあ
る。また更に記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体
に接触しヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、
ヘッドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起
こる。この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦、接触
磨耗および接触破壊からヘッドおよび磁気記憶体を保護
するために磁気記憶体の表面に保護被膜を被覆すること
が必要である。
第２の問題は、磁性金属が腐食し易く、この腐食により
磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
磁性金属の磁気特性が劣化又は消失し、あるいは局部的
な腐食によってエラーの増加を招く。
以上の２つの問題を解決する為に種々の保護膜が提案さ
れているが、耐磨耗性と耐食性両方共に優れたものはま
だ得られていない。
れているが、耐磨耗性と耐食性両方共に優れたものはま
だ得られていない。
例えば特開昭50-93404号公報又は特開昭53-30304号公報
又は特開昭53-21901号及び特開昭53-21902号公報に見ら
れる様な磁気記憶体表面にスパッタ法によりそれぞれSi
O2,Si3N4,SiCを保護膜として被覆する例が知られている
がいずれも磁性金属の腐食を防ぐことは出来ない。
又は特開昭53-21901号及び特開昭53-21902号公報に見ら
れる様な磁気記憶体表面にスパッタ法によりそれぞれSi
O2,Si3N4,SiCを保護膜として被覆する例が知られている
がいずれも磁性金属の腐食を防ぐことは出来ない。
本発明の目的は耐磨耗性に優れかつ耐食性に優れた磁気
記憶体を提供することにある。
記憶体を提供することにある。
すなわち、本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された下地体
の上に金属磁性媒体を被覆し、この媒体の上に水素を含
むケイ素酸化物、ケイ素炭化物のいずれか１つが被覆さ
れていることを特徴としている。
の上に金属磁性媒体を被覆し、この媒体の上に水素を含
むケイ素酸化物、ケイ素炭化物のいずれか１つが被覆さ
れていることを特徴としている。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
図において磁気記憶体の基盤１としてアルミ合金が軽く
て加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、
場合によってはチタン合金が用いられることもある。基
盤表面は機械加工により小さなうねり（円周方向で50μ
ｍ以下、半径方向で100μｍ以下）を有する面に仕上げ
られている。
て加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、
場合によってはチタン合金が用いられることもある。基
盤表面は機械加工により小さなうねり（円周方向で50μ
ｍ以下、半径方向で100μｍ以下）を有する面に仕上げ
られている。
次にこの基盤１の上に下地体２としてニッケル−燐合金
がめっきにより被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ0.03μｍ以下に鏡面仕上げされ
る。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３
としてコバルト−ニッケル−燐合金がめっきにより被覆
され、この金属磁性媒体３の上に水素を含むケイ素酸化
物、ケイ素炭化物のいずれか１つからなる保護膜４が被
覆されている。保護膜４はスパッタ法により被覆される
ケイ素酸化物、及びケイ素炭化物と異なりSi-H結合を有
する成分が含まれている。Si-H結合を有する成分は保護
膜の赤外吸収スペクトルを測定すると容易に見分けるこ
とが出来る。スパッタ法により被覆されたケイ素酸化
物、ケイ素炭化物はそれぞれSi-O,Si-C結合の吸収しか
示さないがプラズマ化学蒸着法（PCVD法）により被覆し
たケイ素酸化物、ケイ素炭化物はSi-H結合を有してい
る。Si-H結合は侵入してくる水や酸素と反応してコバル
ト−ニッケル−燐金属磁性媒体３を還元雰囲気に保つ性
質を有しており、水、酸素などの腐食成分から該媒体３
を守ることが出来る。但しSi-H結合を含みかつニッケル
−燐合金からなる下地体を帯磁させずかつコバルト−ニ
ッケル−燐金属磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温
度（300℃）以下でSi-H結合を含むケイ素酸化物、ケイ
素炭化物を形成する為には原料ガスとしてSiH4を用いN2
O,O2などの酸化の為のガス又はCH4,C2H6,C3H8,C2H2,C2H
4,CF4などの炭化の為のガスとの混合ガスをプラズマ中
に導入してケイ素酸化物、ケイ素炭化物を形成すること
が重要である。プラズマを用いない化学蒸着法（CVD
法）は磁気記憶体を400℃以上にする必要があり、また
形成されたケイ素酸化物、ケイ素炭化物はSi-H結合を含
まない為、本発明の磁気記憶体の保護膜として不適当で
ある。
がめっきにより被覆され、この下地体２の表面は機械的
研磨により最大表面粗さ0.03μｍ以下に鏡面仕上げされ
る。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３
としてコバルト−ニッケル−燐合金がめっきにより被覆
され、この金属磁性媒体３の上に水素を含むケイ素酸化
物、ケイ素炭化物のいずれか１つからなる保護膜４が被
覆されている。保護膜４はスパッタ法により被覆される
ケイ素酸化物、及びケイ素炭化物と異なりSi-H結合を有
する成分が含まれている。Si-H結合を有する成分は保護
膜の赤外吸収スペクトルを測定すると容易に見分けるこ
とが出来る。スパッタ法により被覆されたケイ素酸化
物、ケイ素炭化物はそれぞれSi-O,Si-C結合の吸収しか
示さないがプラズマ化学蒸着法（PCVD法）により被覆し
たケイ素酸化物、ケイ素炭化物はSi-H結合を有してい
る。Si-H結合は侵入してくる水や酸素と反応してコバル
ト−ニッケル−燐金属磁性媒体３を還元雰囲気に保つ性
質を有しており、水、酸素などの腐食成分から該媒体３
を守ることが出来る。但しSi-H結合を含みかつニッケル
−燐合金からなる下地体を帯磁させずかつコバルト−ニ
ッケル−燐金属磁性媒体３の磁気特性を劣化させない温
度（300℃）以下でSi-H結合を含むケイ素酸化物、ケイ
素炭化物を形成する為には原料ガスとしてSiH4を用いN2
O,O2などの酸化の為のガス又はCH4,C2H6,C3H8,C2H2,C2H
4,CF4などの炭化の為のガスとの混合ガスをプラズマ中
に導入してケイ素酸化物、ケイ素炭化物を形成すること
が重要である。プラズマを用いない化学蒸着法（CVD
法）は磁気記憶体を400℃以上にする必要があり、また
形成されたケイ素酸化物、ケイ素炭化物はSi-H結合を含
まない為、本発明の磁気記憶体の保護膜として不適当で
ある。
Si-H結合としての水素の含有量は0.1重量％以上あるこ
とが必要であるが、耐磨耗性の面で５重量％以下である
ことが必要である。
とが必要であるが、耐磨耗性の面で５重量％以下である
ことが必要である。
より好ましくは１ないし２重量％である。
次に実施例および比較例により本発明の磁気記憶体の製
造方法を詳細に説明する。
造方法を詳細に説明する。
実施例１ 基板１として旋盤加工および熱矯正によって十分小さな
うねり（円周方向で50μｍ以下および半径方向で10μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金盤上に下地体２としてニッケル−燐合金を約50μ
ｍの厚さにめっきし、このニッケル−燐めっき膜を最大
表面粗さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げし
た。
うねり（円周方向で50μｍ以下および半径方向で10μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金盤上に下地体２としてニッケル−燐合金を約50μ
ｍの厚さにめっきし、このニッケル−燐めっき膜を最大
表面粗さ0.02μｍ、厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げし
た。
次にこのニッケル−燐めっき膜の上に金属磁性媒体３と
してコバルト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめ
っきした。このコバルト−ニッケル−燐めっき膜の上に
プラズマ中にSiH4とN2Oの混合ガスを通すことにより水
素を含むケイ素酸化物を保護膜として膜厚500Åに被覆
して磁気デイスクを作った。
してコバルト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめ
っきした。このコバルト−ニッケル−燐めっき膜の上に
プラズマ中にSiH4とN2Oの混合ガスを通すことにより水
素を含むケイ素酸化物を保護膜として膜厚500Åに被覆
して磁気デイスクを作った。
実施例２ 実施例１と同様にして但しN2Oの代りにO2を用いかつ膜
厚200Åにして磁気ディスクを作った。
厚200Åにして磁気ディスクを作った。
実施例３ 実施例１と同様にして但しプラズマ中にSiH4とC3H8の混
合ガスを通すことにより水素を含むケイ素炭化物を保護
膜として膜厚500Åに被覆して磁気ディスクを作った。
合ガスを通すことにより水素を含むケイ素炭化物を保護
膜として膜厚500Åに被覆して磁気ディスクを作った。
実施例４ 実施例３と同様にして但しC3H8の代りにCH4を用いかつ
膜厚200Åにして磁気ディスクを作った。
膜厚200Åにして磁気ディスクを作った。
実施例１〜４でのプラズマCVD中の反応温度は250℃とし
た。
た。
比較例１ 実施例１と同様にして但しコバルト−ニッケル−燐めっ
き膜の上にスパッタ法によりSi3N4を保護膜として膜厚5
00Åに被覆して磁気ディスクを作った。
き膜の上にスパッタ法によりSi3N4を保護膜として膜厚5
00Åに被覆して磁気ディスクを作った。
比較例２ 比較例１と同様にして但しSiO2をスパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。
して磁気ディスクを作った。
比較例３ 比較例１と同様にして但しSiCをスパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。
して磁気ディスクを作った。
実施例１〜４で作った磁気ディスクの赤外反射スペクト
ルを測定したところ波数2200cm-1と850cm-1にSi-H結合
の吸収スペクトルが見られた。しかし比較例１〜３にお
いては該吸収スペクトルは見られなかった。
ルを測定したところ波数2200cm-1と850cm-1にSi-H結合
の吸収スペクトルが見られた。しかし比較例１〜３にお
いては該吸収スペクトルは見られなかった。
実施例１〜４および比較例１〜３で示した各磁気ディス
クを用いて水中浸漬試験（120時間）および環境試験
（相対湿度90％、温度40℃、１ケ月）を行ないそれぞれ
腐食点の単位面積当りの個数およびエラー数の増加率を
調べた。エラー数の増加率は環境試験後と試験前の磁気
ヘッドからの出力電圧値の変化から求めた。
クを用いて水中浸漬試験（120時間）および環境試験
（相対湿度90％、温度40℃、１ケ月）を行ないそれぞれ
腐食点の単位面積当りの個数およびエラー数の増加率を
調べた。エラー数の増加率は環境試験後と試験前の磁気
ヘッドからの出力電圧値の変化から求めた。
その結果下表の様な結果が得られた。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性ある
いは耐環境性を有していることが分った。
いは耐環境性を有していることが分った。
なお実施例１〜４の磁気ディスクについて２万回のCSS
繰り返しテストを行なつたが表面の傷および磨耗跡など
全く異常は見られなかった。
繰り返しテストを行なつたが表面の傷および磨耗跡など
全く異常は見られなかった。
以上のことから本発明により製造された磁気記憶体は優
れた信頼性を有していることが分った。
れた信頼性を有していることが分った。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。 図において、１は基盤、２は下地体、３は金属磁性媒
体、４は保護膜、である。
体、４は保護膜、である。
Claims (1)
- 【請求項１】鏡面を有する磁性金属薄膜の磁気記憶媒体
表面に、水素を含むケイ素酸化物またはケイ素炭化物の
いずれか１つが保護膜として被覆され、前記保護膜は、
Si-H結合した水素の含有量が0.1〜５重量％であること
を特徴とする磁気ディスク記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063131A JPH079699B2 (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気ディスク記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063131A JPH079699B2 (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気ディスク記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179939A JPS58179939A (ja) | 1983-10-21 |
| JPH079699B2 true JPH079699B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13220404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063131A Expired - Lifetime JPH079699B2 (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 磁気ディスク記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079699B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| JPS6150236A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Canon Inc | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6177130A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6177131A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6177129A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6180640A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| EP0369225B1 (en) * | 1984-10-22 | 1995-01-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| EP0427982B1 (en) * | 1989-10-26 | 1995-01-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573931A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-04 | Hitachi Ltd | High-recording-density magnetic disk |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063131A patent/JPH079699B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58179939A (ja) | 1983-10-21 |
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