JPH0513330B2 - - Google Patents
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- JPH0513330B2 JPH0513330B2 JP58179840A JP17984083A JPH0513330B2 JP H0513330 B2 JPH0513330 B2 JP H0513330B2 JP 58179840 A JP58179840 A JP 58179840A JP 17984083 A JP17984083 A JP 17984083A JP H0513330 B2 JPH0513330 B2 JP H0513330B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置及
び磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に
関する。
び磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に
関する。
一般に記憶再生磁気ヘツド（以下ヘツドと呼
ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置
の記録再生方法には大別して次の二種の方法があ
る。第１の方法は操作開始時にヘツドと磁気記憶
体面とを接触状態でセツトした後、該記憶体に所
要の回転を与えることにより、該ヘツドと該記憶
体面との間に空気層分の空間を作り、この状態
で、記録再生する方法である。この方法では、操
作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘ
ツドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩
耗状態にある。第２の方法は、磁気記憶体に予め
回転を与えておき、急激にヘツドを磁気記憶体面
上に押しつけることにより、該ヘツドと該記憶体
面との間に空気層分の空間をつくり、この状態で
記録再生する方法である。この様に、第１の方法
では、操作開始時及び終了時にヘツドと磁気記憶
体面は接触摩擦状態にあり、第２の方法ではヘツ
ドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦状態
にある。これらの接触摩擦状態におけるヘツドと
磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツド及び磁
気記憶体を摩耗させ、ついにはヘツド及び金層磁
性薄膜媒体に傷を生じせしめることがある。又該
接触摩擦状態に於いてヘツドのわずかな姿勢の変
化がヘツドにかかる荷重を不均一にさせヘツド及
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。又更に
記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接触
しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働きヘ
ツド及び磁気記憶体が破壊されることがしばしば
起こる。この様なヘツドと磁気記憶体との接触摩
擦、摩耗や破壊からヘツド及び磁気記憶体を保護
するために磁気記憶体の表面に保護被膜を被覆す
ることが必要である。従来から保護被膜として金
属メツキ膜（例えばCr、Rh、Ni−Ｐ等）を被覆
する方法或いは金属磁性薄膜媒体を酸化する方
法、該酸化の後酸化膜を被覆する方法等がある
が、いずれも上記の接触摩耗現象に対して有効な
手段とはならない。
ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置
の記録再生方法には大別して次の二種の方法があ
る。第１の方法は操作開始時にヘツドと磁気記憶
体面とを接触状態でセツトした後、該記憶体に所
要の回転を与えることにより、該ヘツドと該記憶
体面との間に空気層分の空間を作り、この状態
で、記録再生する方法である。この方法では、操
作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘ
ツドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩
耗状態にある。第２の方法は、磁気記憶体に予め
回転を与えておき、急激にヘツドを磁気記憶体面
上に押しつけることにより、該ヘツドと該記憶体
面との間に空気層分の空間をつくり、この状態で
記録再生する方法である。この様に、第１の方法
では、操作開始時及び終了時にヘツドと磁気記憶
体面は接触摩擦状態にあり、第２の方法ではヘツ
ドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦状態
にある。これらの接触摩擦状態におけるヘツドと
磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツド及び磁
気記憶体を摩耗させ、ついにはヘツド及び金層磁
性薄膜媒体に傷を生じせしめることがある。又該
接触摩擦状態に於いてヘツドのわずかな姿勢の変
化がヘツドにかかる荷重を不均一にさせヘツド及
び磁気記憶体表面に傷を作ることもある。又更に
記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体に接触
しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働きヘ
ツド及び磁気記憶体が破壊されることがしばしば
起こる。この様なヘツドと磁気記憶体との接触摩
擦、摩耗や破壊からヘツド及び磁気記憶体を保護
するために磁気記憶体の表面に保護被膜を被覆す
ることが必要である。従来から保護被膜として金
属メツキ膜（例えばCr、Rh、Ni−Ｐ等）を被覆
する方法或いは金属磁性薄膜媒体を酸化する方
法、該酸化の後酸化膜を被覆する方法等がある
が、いずれも上記の接触摩耗現象に対して有効な
手段とはならない。
上記の欠点をなくしたテトラアルコキシシラン
の加水分解物を用い形成したポリケイ酸から成る
保護被膜も提案されている（特公昭57−58731） このポリケイ酸からなる保護被膜はヘツドと磁
気記憶体との接触摩擦、ヘツドの突発的な磁気記
憶体との接触摩耗に於ける耐久性でかなり良好な
特性を示し、且つ高温高湿状態においても前記金
属磁性薄膜をかなり長期間保護しうるものであ
る。しかし、ヘツドと磁気記憶体との間にごみが
引き込まれる事が多く、そのごみが研摩剤の役割
を果たしヘツド及び磁気記憶体を摩耗し、その摩
耗によつて生じた摩耗粉が更にヘツド及び磁気記
憶体を摩耗させるため、耐摩耗性や耐衝撃性面か
らも前記ポリケイ酸は保護被膜として充分とは言
えない。又ポリケイ酸被膜は、出発材料がテトラ
アルコキシシランであることから、その加水分解
物を脱水縮合しても、かなり不充分な縮合状態に
しか成り得ず、水に対する耐久性は、まだ不充分
と言わざるを得ない。
の加水分解物を用い形成したポリケイ酸から成る
保護被膜も提案されている（特公昭57−58731） このポリケイ酸からなる保護被膜はヘツドと磁
気記憶体との接触摩擦、ヘツドの突発的な磁気記
憶体との接触摩耗に於ける耐久性でかなり良好な
特性を示し、且つ高温高湿状態においても前記金
属磁性薄膜をかなり長期間保護しうるものであ
る。しかし、ヘツドと磁気記憶体との間にごみが
引き込まれる事が多く、そのごみが研摩剤の役割
を果たしヘツド及び磁気記憶体を摩耗し、その摩
耗によつて生じた摩耗粉が更にヘツド及び磁気記
憶体を摩耗させるため、耐摩耗性や耐衝撃性面か
らも前記ポリケイ酸は保護被膜として充分とは言
えない。又ポリケイ酸被膜は、出発材料がテトラ
アルコキシシランであることから、その加水分解
物を脱水縮合しても、かなり不充分な縮合状態に
しか成り得ず、水に対する耐久性は、まだ不充分
と言わざるを得ない。
そこで、上記欠点を改善することを目的に、上
記ポリケイ酸被膜中に、BaO、SrO等から選ばれ
る１種以上の金属酸化物を含ませて保護被膜とす
ることが提案されている。（特開昭53−76010） しかし、上記金属酸化物を直接テトラアルコキ
シシランの加水分解物液に均一分散させる事は、
極めて困難であり、保護被膜を約1000Å形成して
も、μｍオーダーの凸部が生じて、必要とする特
性が得られない。又ロ過により、凝集した金属酸
化物を除去しようとした場合、ほぼ添加金属酸化
物の全てが除去され、添加による効果は得られな
い。以上の如く現実には、上記ポリケイ酸被膜の
品質の向上をはかることは不可能であり、金属酸
化物を添加するには、材料面からの工夫が不可欠
である。
記ポリケイ酸被膜中に、BaO、SrO等から選ばれ
る１種以上の金属酸化物を含ませて保護被膜とす
ることが提案されている。（特開昭53−76010） しかし、上記金属酸化物を直接テトラアルコキ
シシランの加水分解物液に均一分散させる事は、
極めて困難であり、保護被膜を約1000Å形成して
も、μｍオーダーの凸部が生じて、必要とする特
性が得られない。又ロ過により、凝集した金属酸
化物を除去しようとした場合、ほぼ添加金属酸化
物の全てが除去され、添加による効果は得られな
い。以上の如く現実には、上記ポリケイ酸被膜の
品質の向上をはかることは不可能であり、金属酸
化物を添加するには、材料面からの工夫が不可欠
である。
本発明の目的は上述のごみを引き込んだ場合で
あつても充分に金属磁性薄膜媒体を保護し且つ長
期間に渡る高温高湿状態で、そして水への浸漬状
態で、金属磁性薄膜媒体に何等悪影響を及ぼさせ
ない保護被膜を有する磁気記憶体を提供すること
にある。
あつても充分に金属磁性薄膜媒体を保護し且つ長
期間に渡る高温高湿状態で、そして水への浸漬状
態で、金属磁性薄膜媒体に何等悪影響を及ぼさせ
ない保護被膜を有する磁気記憶体を提供すること
にある。
すなわち、本発明の磁気記憶体は、非磁性円盤
状基体上に金属磁性薄膜媒体を被覆され、この金
属磁性薄膜媒体上に、下記(A)、(B)を少なくとも含
む材料を原料とする保護膜が被覆されている。
状基体上に金属磁性薄膜媒体を被覆され、この金
属磁性薄膜媒体上に、下記(A)、(B)を少なくとも含
む材料を原料とする保護膜が被覆されている。
(A) 粒径100ミリミクロン以下のコロイダルアル
ミナ (B) 一般式R1 o−Si−（OR2）4-o（式中、R1は炭素
数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロ
キシ基、エポキシ含有基やハロゲンを有する有
機基を、R2は炭素数１〜６の炭化水素基又は
水素を、ｎは０、１、２を表わす。）で示され
る少なくとも１種の有機ケイ素化合物。
ミナ (B) 一般式R1 o−Si−（OR2）4-o（式中、R1は炭素
数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロ
キシ基、エポキシ含有基やハロゲンを有する有
機基を、R2は炭素数１〜６の炭化水素基又は
水素を、ｎは０、１、２を表わす。）で示され
る少なくとも１種の有機ケイ素化合物。
(A)のコロイダルアルミナは、三次元構造の強固
なアルミと酸素の結合を主骨格する粒径１〜100
ミリミクロンの粒子であり、該粒子の表面には、
＞Al−OH基及び−OHイオンが存在する。この
様に該コロイダルアルミナは、強固な結合よりな
るため、極めて、化学的に安定であり、高温・高
湿状態や水への浸漬に対しても、優れた耐久性を
示す。又コロイダルアルミナを主要成分とする保
護被膜は、テトラアルコキシシランより成る保護
被膜より、熱膨張率に於いてより下地金属体に近
く、該保護被膜の内部応力は小さい。これにより
該保護被膜の強度は高く、ヘツドに対する耐摩耗
性は向上する。
なアルミと酸素の結合を主骨格する粒径１〜100
ミリミクロンの粒子であり、該粒子の表面には、
＞Al−OH基及び−OHイオンが存在する。この
様に該コロイダルアルミナは、強固な結合よりな
るため、極めて、化学的に安定であり、高温・高
湿状態や水への浸漬に対しても、優れた耐久性を
示す。又コロイダルアルミナを主要成分とする保
護被膜は、テトラアルコキシシランより成る保護
被膜より、熱膨張率に於いてより下地金属体に近
く、該保護被膜の内部応力は小さい。これにより
該保護被膜の強度は高く、ヘツドに対する耐摩耗
性は向上する。
(B)の有機ケイ素化合物は、(A)のコロイダルアル
ミナと化学結合し、又コロイダルアルミナ同様下
地金属体と化学結合して保護被膜を構成しヘツド
の衝撃力を緩和する能力を高めるものである。
ミナと化学結合し、又コロイダルアルミナ同様下
地金属体と化学結合して保護被膜を構成しヘツド
の衝撃力を緩和する能力を高めるものである。
該有機ケイ素化合物は、希釈剤の有無の状態で
水又は希酸添加により加水分解され、必要に応じ
て濃度調節がなされ、更にコロイダルアルミナを
加えて処理液とする。そして金属磁性薄膜媒体上
に塗布した後、全体を焼成する。
水又は希酸添加により加水分解され、必要に応じ
て濃度調節がなされ、更にコロイダルアルミナを
加えて処理液とする。そして金属磁性薄膜媒体上
に塗布した後、全体を焼成する。
次に実施例を挙げて詳細に説明する。
実施例 １
鏡面仕上げ（表面粗さ、0.05μｍ以下、ACC30
ｍ／sec2以下）されたデイスク状アルミニウム合
金基板上に、非磁性合金メツキとしてNi−Ｐ合
金を約50μｍの厚さにメツキし、このメツキを研
摩により表面粗さ0.03μｍ以下、厚さ30μｍまで鏡
面仕上げをした後、その上に金属磁性薄膜媒体と
してCo−Ni−Ｐ合金を約0.05μｍの厚さにメツキ
した。更にCo−Ni−Ｐ合金メツキ上に、下記処
理液をスピンナー法により800Åの膜厚になるよ
うに塗布した。次にデイスク状円盤を250℃で３
時間、恒温槽内で焼成し、磁気デイスクとした。
ｍ／sec2以下）されたデイスク状アルミニウム合
金基板上に、非磁性合金メツキとしてNi−Ｐ合
金を約50μｍの厚さにメツキし、このメツキを研
摩により表面粗さ0.03μｍ以下、厚さ30μｍまで鏡
面仕上げをした後、その上に金属磁性薄膜媒体と
してCo−Ni−Ｐ合金を約0.05μｍの厚さにメツキ
した。更にCo−Ni−Ｐ合金メツキ上に、下記処
理液をスピンナー法により800Åの膜厚になるよ
うに塗布した。次にデイスク状円盤を250℃で３
時間、恒温槽内で焼成し、磁気デイスクとした。
（処理液）
アルミナゾル（日産化学製品） ３重量％
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
１重量％ 0.05N塩酸水溶液 0.3重量％ イソプロピルアルコール 残部 実施例 ２ 実施例１と同様な方法で、ただし処理液は以下
に示す液を用いて塗布したデイスク状円盤、250
℃で３時間焼成したものを磁気デイスクとした。
１重量％ 0.05N塩酸水溶液 0.3重量％ イソプロピルアルコール 残部 実施例 ２ 実施例１と同様な方法で、ただし処理液は以下
に示す液を用いて塗布したデイスク状円盤、250
℃で３時間焼成したものを磁気デイスクとした。
（処理液）
アルミナゾル ２重量％
テトラメトキシシラン １重量％
0.05N塩酸水溶液 0.4重量％
ｎ−ブチルアルコール 残部
比較例
実施例１と同様な方法で、ただし処理液は、以
下に示す液を用いて塗布したデイスク状円盤を、
250℃で３時間焼成したものを磁気デイスクとし
た。
下に示す液を用いて塗布したデイスク状円盤を、
250℃で３時間焼成したものを磁気デイスクとし
た。
（処理液）
テトラメトキシシラン ５重量％
0.05N塩酸水溶液 1.5重量％
ｎ−ブチルアルコール 残部
比較例及び実施例１、２に示した各磁気デイス
クを用いて、ヘツドと磁気デイスク面とが操作開
始時及び操作終了時に接触状態にある記録再生方
法に於いて、この操作開始と終了の繰り返し試験
を10000回繰り返し行なつたところ、比較例の磁
気デイスクではヘツドとの摩耗跡の約10％がハク
リしたが、実施例１、２の各磁気デイスクではハ
クリは皆無であつた。
クを用いて、ヘツドと磁気デイスク面とが操作開
始時及び操作終了時に接触状態にある記録再生方
法に於いて、この操作開始と終了の繰り返し試験
を10000回繰り返し行なつたところ、比較例の磁
気デイスクではヘツドとの摩耗跡の約10％がハク
リしたが、実施例１、２の各磁気デイスクではハ
クリは皆無であつた。
又純水（液温40℃）に磁気デイスクを浸漬し70
時間放置後に取り出し、水分を除去してかつ前記
同様の操作開始及び終了の繰り返し試験を、
10000回行なつたところ、比較例の磁気デイスク
ではヘツドとの摩耗跡の約80％がハクリしたが、
実施例１、２の各磁気デイスクでは、ハクリは皆
無であつた。
時間放置後に取り出し、水分を除去してかつ前記
同様の操作開始及び終了の繰り返し試験を、
10000回行なつたところ、比較例の磁気デイスク
ではヘツドとの摩耗跡の約80％がハクリしたが、
実施例１、２の各磁気デイスクでは、ハクリは皆
無であつた。
尚、比較例、実施例では、非磁性円盤状基板と
して金属を用いたが、プラスチツクなども使用可
能であり、非磁性合金メツキの有無、や材質、磁
性薄膜媒体の材質を問わないことは明らかであ
る。
して金属を用いたが、プラスチツクなども使用可
能であり、非磁性合金メツキの有無、や材質、磁
性薄膜媒体の材質を問わないことは明らかであ
る。
以上の如く、本発明の磁気記憶体は、鏡面研磨
された非磁性基板上に、金属磁性薄膜媒体が被覆
され、この金属磁性薄膜媒体上に、 (A) 粒径100ミリミクロン以下のコロイダルアル
ミナと、 (B) 一般式R1 o−Si−（OR2）4-o（式中、R1は炭素
数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロ
キシ基、エポキシを有する有機基、及びハロゲ
ンを有する有機基を、R2は炭素数１〜６の炭
化水素基又は水素を、ｎは０、１、２を表す。）
で示される少なくとも１種の有機ケイ素化合物
とを反応させてなる保護膜を被覆せしめたこと
により、次のような特有の効果が得られる。す
なわち、アルミナはコロイダルアルミナを用
い、かつコロイダルアルミナの粒径100ミリミ
クロン以下にしたことにより、アルミナが均一
に分散した1000A以下の薄膜を形成することが
でき、しかも薄膜であつても耐摩耗性、耐腐食
性に優れた保護膜を得たものである。
された非磁性基板上に、金属磁性薄膜媒体が被覆
され、この金属磁性薄膜媒体上に、 (A) 粒径100ミリミクロン以下のコロイダルアル
ミナと、 (B) 一般式R1 o−Si−（OR2）4-o（式中、R1は炭素
数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロ
キシ基、エポキシを有する有機基、及びハロゲ
ンを有する有機基を、R2は炭素数１〜６の炭
化水素基又は水素を、ｎは０、１、２を表す。）
で示される少なくとも１種の有機ケイ素化合物
とを反応させてなる保護膜を被覆せしめたこと
により、次のような特有の効果が得られる。す
なわち、アルミナはコロイダルアルミナを用
い、かつコロイダルアルミナの粒径100ミリミ
クロン以下にしたことにより、アルミナが均一
に分散した1000A以下の薄膜を形成することが
でき、しかも薄膜であつても耐摩耗性、耐腐食
性に優れた保護膜を得たものである。
このように、1000A以下のアルミナの薄膜の保
護膜が得られることは、磁気ヘツドとのギヤツプ
間隔を小さくでき、保護膜を用いても、記録密度
強度が落ちないで記録再生ができるという格別な
効果が得られる。
護膜が得られることは、磁気ヘツドとのギヤツプ
間隔を小さくでき、保護膜を用いても、記録密度
強度が落ちないで記録再生ができるという格別な
効果が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鏡面研磨された非磁性基板上に、金属磁性薄
膜媒体が被覆され、この金属磁性薄膜媒体上に、 (A) 粒径100ミリミクロン以下のコロイダルアル
ミナと、 (B) 一般式R1 o−Si−（OR2）4-o（式中、R1は炭素
数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロ
キシ基、エポキシを有する有機基、及びハロゲ
ンを有する有機基を、R2は炭素数１〜６の炭
化水素基又は水素を、ｎは０、１、２を表す。）
で示される少なくとも１種の有機ケイ素化合物
とを反応させてなる保護膜を被覆せしめたこと
を特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17984083A JPS6070525A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17984083A JPS6070525A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070525A JPS6070525A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0513330B2 true JPH0513330B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=16072813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17984083A Granted JPS6070525A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070525A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439603A (en) * | 1977-09-02 | 1979-03-27 | Nec Corp | Magnetic memory medium |
| JPS5440606A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Nec Corp | Magnetic memory element |
| JPS5445103A (en) * | 1977-09-17 | 1979-04-10 | Nec Corp | Magnetic storage medium |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP17984083A patent/JPS6070525A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439603A (en) * | 1977-09-02 | 1979-03-27 | Nec Corp | Magnetic memory medium |
| JPS5440606A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Nec Corp | Magnetic memory element |
| JPS5445103A (en) * | 1977-09-17 | 1979-04-10 | Nec Corp | Magnetic storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070525A (ja) | 1985-04-22 |
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