JPS608527B2 - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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JPS608527B2
JPS608527B2 JP15239376A JP15239376A JPS608527B2 JP S608527 B2 JPS608527 B2 JP S608527B2 JP 15239376 A JP15239376 A JP 15239376A JP 15239376 A JP15239376 A JP 15239376A JP S608527 B2 JPS608527 B2 JP S608527B2
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magnetic
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storage body
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JP15239376A
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雅廣 柳澤
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Nippon Electric Co Ltd
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Priority to DE2756254A priority patent/DE2756254C3/de
Priority to DE2759985A priority patent/DE2759985C2/de
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関する。
一般に記録再生磁気ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は大別して次のような二種類の方法がある。
第一の方法は操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接
触状態でセットした後、前記磁気記憶体に所要の回転を
与えることにより前記ヘッドと前記磁気記憶体面との間
に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方
法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回
転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時
と同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体
に予め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記
憶体面上に押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気
記憶体面との間に空気層分の空間をつくり、この状態で
記録再生する方法である。このように第一の方法では操
作開始時および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩
擦状態にあり、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に
押しつける際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦
状態におけるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は
、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドお
よび金属磁性薄膜媒体に傷を生じせしめることがある。
また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また更に記録再
生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触しヘッドと磁
気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッドおよび磁気記
憶体が破壊されることがいよいよ起こる。この様なヘッ
ドと磁気記憶体との接触摩擦、接触摩耗および接触破壊
からヘッドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記憶
体の表面に保護被膜を被覆することが必要である。従釆
から保護被膜として金属めつき膜(例えばCr、Rh、
Ni−P等)を被覆する方法あるいは金属磁性薄膜媒体
の表面を酸化して酸化物を形成させて保護膜とする方法
などがあるがいずれも上言己の接触摩擦現象に対して有
力な手段とはならない。本発明者はすでにこれらの欠点
をなくしたポリ珪酸からなる保護被膜を提案している(
特藤昭50−81201)。このポリ珪酸からなる保護
被膜はヘッドと磁気記憶体との接触摩擦に十分耐え、ま
たヘッドの突発的な磁気記憶体への接触に十分耐え、さ
らにまた高温高温状態においても前記金属磁性薄膜を十
分保護し、磁気記憶体を含む下地金属体の磁気特性を損
なわないなど保護被膜としては十分な性態を有している
。ところが、ヘッド‘こよってはヘッドと磁気記憶体と
の間にごみを引き込み易くそのごみが研磨剤の働きをし
てヘッドおよび磁気記憶体を摩耗し、その摩耗によって
生じた摩耗粉がさらにヘッドおよび磁気記憶体を摩耗さ
せるものがある。
このような現象は前部にテーパのついたヘッドーこおい
て著しい。本発明の目的は上述のごみを引き込み易いヘ
ッドを使用する場合であっても十分に金属磁性薄膜媒体
を保護する保護被膜を有する磁気記憶体を提供すること
にある。
すなわち、この発明の磁気記憶体は、鏡面研磨された非
磁性円盤状基体上に金属磁性薄膜媒体が被覆されトこの
金属磁性薄膜媒体上に一種類もしくは数種類の金属酸化
物を含むポリ珪酸被膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図はこの発明の磁気記憶体の一実施例を示す断面図であ
る。図において、本発明の磁気記憶体5は合金円盤1と
その上に被覆された非磁性合金層2とで構成される非磁
性円盤状基体と、前記非磁性合金層2の研磨面上に被覆
された金属磁性薄膜媒体3と、この金属磁性薄膜媒体3
上に被覆された金属酸化物を含むポリ珪酸からなる保護
被膜4とから構成されている。合金円盤1は十分小さな
うねりを持った面に仕上げられていなければならない(
円周方向で50れ凧以下および半径方向で100〃m以
下)。
これはうねりが大きいと記録および再生時に磁気記憶体
上に浮揚しているヘッドが磁気記憶体面の上下の動きに
追従できずにヘッドと磁気記憶体間の距離が変化し記録
再生特性が変化するからである。この合金円盤1の上に
めつきにより被覆された非磁性合金層は機械的研磨によ
り表面粗さ0.04ムの以下に鏡面仕上げされている。
なお、合金円盤1に鏡面研磨が可能な金属を用いれば非
磁性合金層2は不用となる。非磁性合金層2の上に高密
度記録用の金属磁性薄膜媒体3がめつきにより被覆され
ている。この金属磁性薄膜媒体3をヘッドの接触または
湿気や温度による変化から十分に保護する保護被膜4は
金属酸化物を含むポリ珪酸から成っている。ここで、金
属酸化物とは、例えば、次に示す物質またはそれらの任
意の組合わせをさす。
すなわち、Li20、Na20、K20〜 RQ○、C
s20LMg0、Cao「Zno「 Pb0、AI2Q
、Gao、B90、Sr0、Mn○、Fe○、Be○、
Fe203、Cd0、m203などである。
これらの金属酸化物のうちの1種類もしくは数種類を選
び、テトラヒドロキシシランを含むアルコール溶液に十
分溶解して、金属磁性薄膜媒体上に塗布した後、全体を
焼成する。
次に本発明を実施例及び比較例を挙げて詳細に説明する
実施例 1 合金円盤1として旋盤加工および熱矯正によって十分づ
、ごなうねり(円周方向および半径方向でそれぞれ50
仏mおよび100仏の以下)をもった面に仕上げられた
ディスク状アルミニウム合金基盤上に非磁性合金層2と
してニッケル−燐(Nj−p)合金を約50山肌の厚さ
にめつきし、このニッケル−燐めつき膜を機械的研磨に
より表面組さ0.04仏の以下、厚さ約30山肌まで鏡
面仕上げしたのちその上に金属磁性薄膜媒体3としてコ
バルトーニッケル−燐(Co−Ni−P)合金を約0.
05仏のの厚さにめつきした。
さらにこのコバルトーニッケルー燐(Co−Ni−P)
合金膜の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合した
後、回転塗布法(回転数20仇pm)により500Aの
膜厚に塗布したディスク状円盤を200qoの温度で3
時間電気炉中で焼成したものを磁気ディスクとした。テ
トラヒドロキシシラン11%エチルアルコール溶液;
1の重量%母0:
0.01重量%nープチル
アルコール; 残部実施例 2実施例1
と同様な方法で、但し下に示した組成の溶液を用いて塗
布したディスク状円盤を実施例1と同様な条件で焼成し
たものを磁気ディスクとした。
テトラヒドロキシシラン11%エチルアルコール溶液;
1の重量%Sの;
0.01重量%n−ブチ
ルァルコ−ル; 残部比較例実施例1と
同様な方法で、但し下に示した組成の溶液を用いて塗布
したディスク状円盤を実施例1と同機な条件で焼成した
ものを磁気ディスクとした。
テトラヒドロキシシラン11%エチルアルコール溶液;
1の重量%nープチ
ルアルコール; 9の重量%比較例および
実施例1、2に示した各磁気ディスクを用いて、ヘッド
と磁気ディスク面とが操作開始時および操作終了時に常
に接触状態にある記録再生法において、この操作開始と
操作終了の繰り返し操作試験を前部がテーパ状になって
いるゴミを引込み易いヘッドを用いて5000回繰り返
し行なったところ、比較例の磁気ディスクではヘッドの
摩擦跡の約5%が剥離したが、実施例1、2の各磁気デ
ィスクでは剥離は皆無であった。
以上比較例および実施例1、2の磁気ディスクの接触摩
擦試験の結果が示すように、金属酸化物を含むポリ珪酸
からなる保護被膜を有する磁気ディスクはポリ珪酸単体
の保護被膜を有する磁気ディスクに比べてヘッド‘こ対
する耐摩耗性が向上していることが分る。
本発明の磁気ディスクの保護被膜中に含まれている金属
酸化物の効果は次に示す理由によるものと考えられる。
すなわち、保護被膜の成分の1つであるポリ珪酸は、テ
トラヒドロキシシランの縮合重合により形成されるSi
−○結合の繰り返しからなる三次元絹状重合物であるが
、このポリ珪酸からなる被膜は下地金属体と熱膨張率が
異なることによりポリ珪酸と下地金属体との間には内部
応力が生じ、それによる歪みがポリ珪酸本来の強度を弱
めている。
ポリ達酸中に前記金属酸化物を含ませると、この金属酸
化物はポリ珪酸の組織中に入りこみ、保護被膜の熱膨張
率を下地金属体の熱膨張率に近づけることにより前記内
部応力を緩和し、保護被膜の強度を強め、ヘツド‘こ対
する耐接触摩耗性を向上させる。なお、本発明による金
属酸化物を含むボリ達酸からなる保護被膜を有する磁気
記憶体は「 ポリ珪酸だけからなる保護被膜を有する磁
気記憶体に比べ耐摩耗性が向上したが、その他の磁気記
憶体としての性能、すなわち、耐ヘッドクラッシュ性、
潤滑性、耐環境性および下地金属体の磁気特性などは全
く変らない。
なお、本発明の説明にあたり実施例では金属酸化物とし
て母○およびSぬについて述べたが、他の金属酸化物、
例えば、Li20、Na20、K20、RQ0、CS2
0、Mg0、Ca0、Zn0、Pb0、山203、Ga
○、Mn○、Fe○、Be○、Fe203、Cd○、T
1203等についても本発明の内容から全く同様な効果
を生じることは明らかである。
また、実施例では、それぞれ1種類の金属酸化物を使用
した例を示してあるが、数種類の金属酸化物を同時に使
用しても同様の効果が得られる。また、上述の比較例、
実施例においては非磁性円盤状基体として金属を用いた
が、例えば、プラスチックなども使用可能であり、基体
の種類を問わないことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の磁気記憶体の断面図である。 図において、1は合金円盤、2は鏡面仕上げされた非磁
性合金層、3は金属磁性薄膜媒体、4は金属酸化物を含
むポリ珪酸からなる保護被膜、5は磁気記憶体を表わす

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 鏡面研磨された非磁性円盤状基体上に金属磁性薄膜
    媒体が被覆され、この金属磁性薄膜媒体上に1種類もし
    くは数種類の金属酸化物を含むポリ珪酸被膜が被覆され
    て構成されたことを特徴とする磁気記憶体。 2 前記金属酸化物がBaO、SrO、Li_2O、N
    a_2O、K_2O、Rb_2O、Cs_2O、MgO
    、CaO、ZmO、PbO、Al_2O_3、GaO、
    MnO、FeO、BeO、Fe_2O_3、CdO、T
    i_2O_3の1つ又は任意の組合せからなる特許請求
    の範囲第1項記載の磁気記憶体。
JP15239376A 1976-12-17 1976-12-17 磁気記憶体 Expired JPS608527B2 (ja)

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JPS615420A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 Tokico Ltd 磁気デイスク
JPS62273619A (ja) * 1986-05-21 1987-11-27 Hitachi Ltd 磁気デイスク
JPH01245449A (ja) * 1988-03-25 1989-09-29 Hitachi Ltd 光学的情報記録装置

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