JPH0198116A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH0198116A JPH0198116A JP62255804A JP25580487A JPH0198116A JP H0198116 A JPH0198116 A JP H0198116A JP 62255804 A JP62255804 A JP 62255804A JP 25580487 A JP25580487 A JP 25580487A JP H0198116 A JPH0198116 A JP H0198116A
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- Japan
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- film
- thin film
- magnetic
- thin
- magnetic disk
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク、詳しくは磁気ヘッド及び光磁気
により記録再生を行なう磁気ディスクに関するものであ
る。
により記録再生を行なう磁気ディスクに関するものであ
る。
従来の磁気ディスクは、コンピュータ等の記録媒体とし
て記録再生が可能な円板状のものを用いており、なかで
も応答性に優れていること、記録容量が大きいこと、保
存性が良好で信頬性が高いこと等から、Ａｉ＋合金板や
ガラス板、プラスチック板等の硬質材料を用いた基板と
、該基板上に形成された磁性薄膜と、該磁性薄膜上に形
成された硬質カーボン′ｇｌ膜とによって構成されてい
る。
て記録再生が可能な円板状のものを用いており、なかで
も応答性に優れていること、記録容量が大きいこと、保
存性が良好で信頬性が高いこと等から、Ａｉ＋合金板や
ガラス板、プラスチック板等の硬質材料を用いた基板と
、該基板上に形成された磁性薄膜と、該磁性薄膜上に形
成された硬質カーボン′ｇｌ膜とによって構成されてい
る。
磁性薄膜は記録再生層として用いられており、その磁性
材料はＴｂ−Ｆｅ＋Ｇｄ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金が
主として研究されているが、これらの磁性薄膜は大気中
の水や酸素によって酸化されやすく、酸化により性能が
低下してしまうので、それを防ぐために、磁性薄膜の保
護膜として、スパッタリング法や真空蒸着法などにより
形成された硬質カーボン膜で磁性薄膜を覆っている。
材料はＴｂ−Ｆｅ＋Ｇｄ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ等の合金が
主として研究されているが、これらの磁性薄膜は大気中
の水や酸素によって酸化されやすく、酸化により性能が
低下してしまうので、それを防ぐために、磁性薄膜の保
護膜として、スパッタリング法や真空蒸着法などにより
形成された硬質カーボン膜で磁性薄膜を覆っている。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、基板や磁性薄膜の表面平滑化に伴い、硬
質カーボン薄膜と磁性画ｎりとの付着強度の低下が問題
となっており、付着強度が低下してしまうと、磁性ｆｉ
ｌｌ！の耐久性を確保することが難しく、硬質カーボン
薄膜を設けたことによる効果が無意味になってしまう。
質カーボン薄膜と磁性画ｎりとの付着強度の低下が問題
となっており、付着強度が低下してしまうと、磁性ｆｉ
ｌｌ！の耐久性を確保することが難しく、硬質カーボン
薄膜を設けたことによる効果が無意味になってしまう。
そこで、本発明はこの問題点を解決し、磁性薄膜と硬質
カーボン薄膜との付着強度を高めることによって、磁性
薄膜の耐久性を大幅に向上させる磁気ディスクを得るこ
とを目的とする。
カーボン薄膜との付着強度を高めることによって、磁性
薄膜の耐久性を大幅に向上させる磁気ディスクを得るこ
とを目的とする。
上記目的を達成するために、実施例に対応する第１図を
用いて説明すると、本発明は、基板（目上に磁性薄膜（
２）を形成し、該磁性薄膜（２）の少なくとも上面に硬
質カーボン薄膜（４）を形成した磁気ディスクに於いて
、前記硬質カーボン薄膜（４）と前記磁性薄膜（２）と
の間に、ゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜
（３ｂ）を形成することを技術的要件としている。
用いて説明すると、本発明は、基板（目上に磁性薄膜（
２）を形成し、該磁性薄膜（２）の少なくとも上面に硬
質カーボン薄膜（４）を形成した磁気ディスクに於いて
、前記硬質カーボン薄膜（４）と前記磁性薄膜（２）と
の間に、ゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜
（３ｂ）を形成することを技術的要件としている。
前記硬質カーボン薄膜（４）と前記磁性薄膜（２）との
間に、ゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜（
３ｂ）を形成したために、前記磁性薄膜（２）と前記硬
質カーボン薄膜（４）との付着強度が高くなり、磁性薄
膜（２）の耐久性を大幅に向上させることができる。
間に、ゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜（
３ｂ）を形成したために、前記磁性薄膜（２）と前記硬
質カーボン薄膜（４）との付着強度が高くなり、磁性薄
膜（２）の耐久性を大幅に向上させることができる。
尚、ゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜（３
ｂ）を形成する手段としては、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等が挙げられ、コノヨうに磁性薄膜（
２）上にゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜
（３ｂ）を形成した後、その上にカーボン薄膜（４）を
形成する。以上のような工程を経て、耐久性の優れた磁
気ディスクが作製される。
ｂ）を形成する手段としては、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等が挙げられ、コノヨうに磁性薄膜（
２）上にゲルマニウム薄膜（３ａ）またはシリコン薄膜
（３ｂ）を形成した後、その上にカーボン薄膜（４）を
形成する。以上のような工程を経て、耐久性の優れた磁
気ディスクが作製される。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
〔第１実施例〕
第１図の如く、非磁性金属基板１として厚さ１５μｍの
Ｎ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板（外径
１３０ｆｉ、内径４０龍、厚さ１．９■、ｍ）を用意し
、次にＲＦ平板マグネトロンスパッタ装置によって下記
条件に応じて基板１上に、Ｃｏ膜の磁性画ｌＩ！２を形
成した。
Ｎ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板（外径
１３０ｆｉ、内径４０龍、厚さ１．９■、ｍ）を用意し
、次にＲＦ平板マグネトロンスパッタ装置によって下記
条件に応じて基板１上に、Ｃｏ膜の磁性画ｌＩ！２を形
成した。
凧千介泪。
初期排気１２Ｘ１０−Ｔｏｒｒ 極間隔ｉ １１０
０ｎｕ雰囲気圧Ａｒ ； ２０ｍｍＴｏｒｒ 基
板温度、 １５０℃投入電力；ＩＫＷ 膜厚
； １０００人ターゲット径ｉ １２０ｍｍ その後に、膜厚５０人のゲルマニウム薄膜３ａをスパッ
タリングにより磁性薄膜２上に形成し、さらに膜！２０
０人のカーボン薄膜４をスパッタリング法によりゲルマ
ニウム薄膜３ａの上に形成した。
０ｎｕ雰囲気圧Ａｒ ； ２０ｍｍＴｏｒｒ 基
板温度、 １５０℃投入電力；ＩＫＷ 膜厚
； １０００人ターゲット径ｉ １２０ｍｍ その後に、膜厚５０人のゲルマニウム薄膜３ａをスパッ
タリングにより磁性薄膜２上に形成し、さらに膜！２０
０人のカーボン薄膜４をスパッタリング法によりゲルマ
ニウム薄膜３ａの上に形成した。
〔第２実施例〕
前記と同様に、非磁性金属基板１として膜Ｔ￥１５μｍ
のＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板を用
意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁性薄膜
２を形成した。その後に、膜厚３０人のゲルマニウム薄
膜３ａをスパッタリング法により磁性薄膜２上に形成し
、さらに膜厚１００人のカーボン薄膜４をスパッタリン
グ法によりゲルマニウム薄膜３ａの上に形成した。
のＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板を用
意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁性薄膜
２を形成した。その後に、膜厚３０人のゲルマニウム薄
膜３ａをスパッタリング法により磁性薄膜２上に形成し
、さらに膜厚１００人のカーボン薄膜４をスパッタリン
グ法によりゲルマニウム薄膜３ａの上に形成した。
〔第３実施例〕
第１実施例と同様に、非磁性金属基板ｌとして膜厚１５
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板
を用意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁性
薄膜２を形成した。その後に、膜厚５０人のシリコン薄
Ｍ３ｂをスパッタリング法により磁性薄膜２上に形成し
、さらに膜厚２００人のカーボン薄膜４をスパッタリン
グ法によりシリコン３ｂ膜の上に形成した。
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板
を用意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁性
薄膜２を形成した。その後に、膜厚５０人のシリコン薄
Ｍ３ｂをスパッタリング法により磁性薄膜２上に形成し
、さらに膜厚２００人のカーボン薄膜４をスパッタリン
グ法によりシリコン３ｂ膜の上に形成した。
〔第１比較例〕
第１実施例と同様に、非磁性金属基板１として膜厚１５
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したへ１−Ｍｇ合金基板
を用意し、次いで前述と同様に基板ｌ上にＣｏ膜の磁性
薄膜２を形成した。その後に、ゲルマニウム薄１１！３
ａおよびシリコン薄膜３ｂを形成せず、膜厚２００人の
カーボン薄膜４をスパッタリング法により磁性薄膜２上
に形成した。
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したへ１−Ｍｇ合金基板
を用意し、次いで前述と同様に基板ｌ上にＣｏ膜の磁性
薄膜２を形成した。その後に、ゲルマニウム薄１１！３
ａおよびシリコン薄膜３ｂを形成せず、膜厚２００人の
カーボン薄膜４をスパッタリング法により磁性薄膜２上
に形成した。
［第２比較例〕
第１実施例と同様に、非磁性金属基板ｌとして膜厚１５
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡ７！−Ｍｇ合金基
板を用意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁
性薄膜２を形成した。それをそのまま試作品とした。
μｍのＮ１−Ｐメツキ層を形成したＡ７！−Ｍｇ合金基
板を用意し、次いで前述と同様に基板１上にＣｏ膜の磁
性薄膜２を形成した。それをそのまま試作品とした。
（Ｃ３Ｓ特性試験〕
上述の実施例および比較例で得られた各磁気ディスクを
用いて、一般に知られているコンタクト・スタート・ス
トップ（ＣＳ Ｓ）試験により、Ｃ８Ｓ特性を調べた。
用いて、一般に知られているコンタクト・スタート・ス
トップ（ＣＳ Ｓ）試験により、Ｃ８Ｓ特性を調べた。
その結果を第１表に示す。
第１表によれば、磁性薄膜２と硬質カーボン薄膜４との
間にゲルマニウムＦｉＩＲ１３ａまたはシリコン膜３ｂ
を形成した各実施例の磁気ディスクは比較例の磁気ディ
スクよりもＣＣ８特性が大幅に向上し、磁性薄膜の耐久
性が向上したことが分かる。
間にゲルマニウムＦｉＩＲ１３ａまたはシリコン膜３ｂ
を形成した各実施例の磁気ディスクは比較例の磁気ディ
スクよりもＣＣ８特性が大幅に向上し、磁性薄膜の耐久
性が向上したことが分かる。
以上の実施例によれば、基板１上に磁性薄膜２、ゲルレ
フニウム薄欣３ａ（又はシリコン１ｌｌｌ莫３ｂン、硬
質カーボン薄膜４を順次形成したが、これに限らず、第
２図の如く基板１上に硬質カーボン薄膜４、ゲルマニウ
ム薄膜３ａ（又はシリコン薄膜３ｂ）を順次形成し、次
いでゲルマニウム薄膜３ａ（又はシリコン薄膜３ｂ）の
上に磁性薄膜２、ゲルマニウム薄膜３ａ（又はシリコン
ｆ’１ｌｌｌＱ３ｂ）、硬質カーボン薄膜４を順次形成
しても良く、磁性薄膜２の両面を硬質カーボン薄膜４が
保護することにより、磁性薄膜２の耐久性がさらに向上
できるのはいうまでもない。
フニウム薄欣３ａ（又はシリコン１ｌｌｌ莫３ｂン、硬
質カーボン薄膜４を順次形成したが、これに限らず、第
２図の如く基板１上に硬質カーボン薄膜４、ゲルマニウ
ム薄膜３ａ（又はシリコン薄膜３ｂ）を順次形成し、次
いでゲルマニウム薄膜３ａ（又はシリコン薄膜３ｂ）の
上に磁性薄膜２、ゲルマニウム薄膜３ａ（又はシリコン
ｆ’１ｌｌｌＱ３ｂ）、硬質カーボン薄膜４を順次形成
しても良く、磁性薄膜２の両面を硬質カーボン薄膜４が
保護することにより、磁性薄膜２の耐久性がさらに向上
できるのはいうまでもない。
又、硬質カーボン薄膜４は磁性薄膜２の酸化を防止する
だけでなく、磁気ヘッドを用いて記録再生の磁気メモリ
ーを行なうとき、磁気ヘッドとの接触によっても、磁性
薄膜２に摩耗が発生ずるなどの欠点を解決することがで
き、磁気ヘッドを用いて記録再生を行なう磁気ディスク
や、光磁気により記録再生を行なう磁気ディスクにも、
それらの磁性薄膜２の耐久性を向上させることができる
。
だけでなく、磁気ヘッドを用いて記録再生の磁気メモリ
ーを行なうとき、磁気ヘッドとの接触によっても、磁性
薄膜２に摩耗が発生ずるなどの欠点を解決することがで
き、磁気ヘッドを用いて記録再生を行なう磁気ディスク
や、光磁気により記録再生を行なう磁気ディスクにも、
それらの磁性薄膜２の耐久性を向上させることができる
。
以上の本発明によれば、磁性薄膜の上にゲルマニウム膜
またはシリコン膜を形成し、その上に硬質カーボン薄膜
を形成したために、カーボン膜との付着強度が高まり、
これによって磁性薄膜の耐久性が大幅に向上できる。
またはシリコン膜を形成し、その上に硬質カーボン薄膜
を形成したために、カーボン膜との付着強度が高まり、
これによって磁性薄膜の耐久性が大幅に向上できる。
第１図は、本発明の実施例に係る磁気ディスクの断面図
である。 第２図は、本発明の別実施例に係る磁気ディスクの断面
図である。 〔主要部分の符号の説明〕
である。 第２図は、本発明の別実施例に係る磁気ディスクの断面
図である。 〔主要部分の符号の説明〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に磁性薄膜を形成し、該磁性薄膜の少なくとも上
面に硬質カーボン膜を形成した磁気ディスクに於いて、 前記硬質カーボン膜と前記磁性薄膜との間に、ゲルマニ
ウム薄膜またはシリコン薄膜を形成することを特徴とす
る磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255804A JPH0198116A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255804A JPH0198116A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198116A true JPH0198116A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17283864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255804A Pending JPH0198116A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0198116A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253240A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| WO1991016708A1 (fr) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Procede de preparation d'un support d'enregistrement magnetooptique et support d'enregistrement magnetooptique |
| JPH09138943A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 磁気ディスク媒体 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255804A patent/JPH0198116A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253240A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| WO1991016708A1 (fr) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Procede de preparation d'un support d'enregistrement magnetooptique et support d'enregistrement magnetooptique |
| JPH09138943A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 磁気ディスク媒体 |
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