JPH01273244A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH01273244A JPH01273244A JP10312488A JP10312488A JPH01273244A JP H01273244 A JPH01273244 A JP H01273244A JP 10312488 A JP10312488 A JP 10312488A JP 10312488 A JP10312488 A JP 10312488A JP H01273244 A JPH01273244 A JP H01273244A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光ディスクの製造方法に係り、特に吸湿性樹脂
材料よりなる光デイスク基板の吸湿による反りの問題を
解決する光ディスクの製造方法に関する。
材料よりなる光デイスク基板の吸湿による反りの問題を
解決する光ディスクの製造方法に関する。
［従来の技術］
光ディスクは高密度記録が可能であるなどの優れた特長
を備えることから、近年、その応用分野が拡大し、需要
が高められている。光ディスクとしては、 ■ 長寿命性 ■ 半導体レーザパワーで情報が記録できる高感度性 ■ 記録の非消去性 ■ 情報の追加記録性 ■ 記録の高密度性 ■ 記録再生の高速処理性 等の性能が要求されることから、これらの要求を満たす
べく、基板や基板に形成する記録層の研究、開発が進め
られている。
を備えることから、近年、その応用分野が拡大し、需要
が高められている。光ディスクとしては、 ■ 長寿命性 ■ 半導体レーザパワーで情報が記録できる高感度性 ■ 記録の非消去性 ■ 情報の追加記録性 ■ 記録の高密度性 ■ 記録再生の高速処理性 等の性能が要求されることから、これらの要求を満たす
べく、基板や基板に形成する記録層の研究、開発が進め
られている。
光ディスク（ライト・ワンス型光ディスク）は通常、円
盤状基板の一方の面に、スパッタリング法等により低融
点金属等からなる、レーザーによる六開けが可能な記録
層を成膜形成し、この基板を２枚記録層側が内側となる
ようにスペーサを介して貼り合せて製造されている。
盤状基板の一方の面に、スパッタリング法等により低融
点金属等からなる、レーザーによる六開けが可能な記録
層を成膜形成し、この基板を２枚記録層側が内側となる
ようにスペーサを介して貼り合せて製造されている。
一方、光磁気ディスクは、光（レーザ）で記録再生を行
なう光ディスクの一種であるが、記録材料として磁性材
料を用いるため、通常の光ディスりとは異なり消去再記
録が可能であるため、最近になって、各方面への応用が
期待され、研究開発が活発に行なわれている。
なう光ディスクの一種であるが、記録材料として磁性材
料を用いるため、通常の光ディスりとは異なり消去再記
録が可能であるため、最近になって、各方面への応用が
期待され、研究開発が活発に行なわれている。
光磁気ディスクもまた、日盛状基板の一方の面に、希土
類−遷穆金属合金等からなる記録層をスパッタリング法
等により成膜して製造され、多くの場合、記録層側を内
側にして２枚の光磁気ディスク基板を貼り合わされて提
供されている。
類−遷穆金属合金等からなる記録層をスパッタリング法
等により成膜して製造され、多くの場合、記録層側を内
側にして２枚の光磁気ディスク基板を貼り合わされて提
供されている。
これら、光ディスク又は光磁気ディスクの基板材料とし
ては、ガラスが用いられる場合もあるが、近年、成形性
や取り扱い性等に優れることから、ポリカーボネート等
の透明合成樹脂材料が広く採用されている。
ては、ガラスが用いられる場合もあるが、近年、成形性
や取り扱い性等に優れることから、ポリカーボネート等
の透明合成樹脂材料が広く採用されている。
［発明が解決しようとする課題］
従来、基板材料として広く用いられているポリカーボネ
ート等の樹脂は、吸湿性であることから、記録層を成膜
した後の、樹脂の吸湿による「反り」の問題がある。
ート等の樹脂は、吸湿性であることから、記録層を成膜
した後の、樹脂の吸湿による「反り」の問題がある。
即ち、第２図（ａ）に示す如く、平坦なポリカーボネー
ト樹脂製基板１１に、記録層１２を成膜して光磁気ディ
スク基板１０を製造した場合（第２図（ｂ））、基板１
０の樹脂側１０ａは吸湿性のポリカーボネートが露出し
ていることから、空気中の湿気を吸って膨張する。一方
、記録層１２を形成した側１０ｂはポリカーボネートが
記録層１２の膜で被覆されていることから吸湿は起こら
ない。
ト樹脂製基板１１に、記録層１２を成膜して光磁気ディ
スク基板１０を製造した場合（第２図（ｂ））、基板１
０の樹脂側１０ａは吸湿性のポリカーボネートが露出し
ていることから、空気中の湿気を吸って膨張する。一方
、記録層１２を形成した側１０ｂはポリカーボネートが
記録層１２の膜で被覆されていることから吸湿は起こら
ない。
このため、第２図（Ｃ）に示す如く、光デイスク基板１
０は樹脂側１０ａに凸となるように大きく湾曲する（反
りの発生）。
０は樹脂側１０ａに凸となるように大きく湾曲する（反
りの発生）。
樹脂側１０ａから吸湿された水分は、時間の経過ととも
に樹脂製基板１１内を拡散し、反りの程度は若干小さく
なるものの、最終的に第２図（ｄ）に示す如く、ある程
度の反りが残ることを防ぐことはできない。
に樹脂製基板１１内を拡散し、反りの程度は若干小さく
なるものの、最終的に第２図（ｄ）に示す如く、ある程
度の反りが残ることを防ぐことはできない。
このように、従来においては、反りのある基板が製造さ
れるため、 ■ 基板の反りにより、基板自体の光学性能に問題があ
る。
れるため、 ■ 基板の反りにより、基板自体の光学性能に問題があ
る。
■ その後の基板の貼り合せに際し、外周側と内周側と
を十分に接着することが難しく、接着不良により接着部
が剥れ易くなる。
を十分に接着することが難しく、接着不良により接着部
が剥れ易くなる。
■ 反りを押えて無理に接着した場合には、接着部（特
に基板外周縁部）に応力が残留し、これが局部的な光学
歪を発生させる原因となる。
に基板外周縁部）に応力が残留し、これが局部的な光学
歪を発生させる原因となる。
等の不具合があり、高特性光ディスク、光磁気ディスク
を得ることが難しかった。
を得ることが難しかった。
本発明は上記従来の問題点を解決し、著しく平坦度の高
い光デイスク基板又は光磁気ディスク基板を製造するこ
とができる、光ディスクの製造方法を提供することを目
的とする。
い光デイスク基板又は光磁気ディスク基板を製造するこ
とができる、光ディスクの製造方法を提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の光ディスクの製造方法は、吸湿性樹脂材料より
なる基板に記録層を形成して光ディスクを製造する方法
において、基板を一方の面側に凹となる湾曲した非平坦
形状に成形し、該基板の他方の面側に記録層を形成し、
吸湿により前記一方の面側を膨張させて平坦度を高める
ことを特徴とする。
なる基板に記録層を形成して光ディスクを製造する方法
において、基板を一方の面側に凹となる湾曲した非平坦
形状に成形し、該基板の他方の面側に記録層を形成し、
吸湿により前記一方の面側を膨張させて平坦度を高める
ことを特徴とする。
なお、本発明で対象とする光ディスクとは、光磁気ディ
スク等のライト・ワンス型以外の光学式記録ディスクを
も包含する広義の光ディスクである。本発明の方法は、
光磁気ディスクの製造において、特に優れた効果を奏す
るものである。
スク等のライト・ワンス型以外の光学式記録ディスクを
も包含する広義の光ディスクである。本発明の方法は、
光磁気ディスクの製造において、特に優れた効果を奏す
るものである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の光ディスクの製造方法
の一実施例を説明する断面図である。
の一実施例を説明する断面図である。
本発明の方法においては、記録層を形成する基板として
、第１図（ａ）に示す如く、一方の面１ａ側に凹となる
湾曲した非平坦形状に成形した基板１を用いる。このよ
うな基板１の製造方法は特に制限はないが、例えば従来
の射出成形法による成形において、金型の両面の温度を
変えることにより容易に製造することができる（この場
合、金型温度の低い面が凸面、高い面が凹面となる。）
。成形される基板の湾曲の程度は、金型の両面の温度差
により調整することができる。例えば、金型の温度は１
０〜２０℃程度差をもたせることにより、相当な湾曲基
板を製造することができる。
、第１図（ａ）に示す如く、一方の面１ａ側に凹となる
湾曲した非平坦形状に成形した基板１を用いる。このよ
うな基板１の製造方法は特に制限はないが、例えば従来
の射出成形法による成形において、金型の両面の温度を
変えることにより容易に製造することができる（この場
合、金型温度の低い面が凸面、高い面が凹面となる。）
。成形される基板の湾曲の程度は、金型の両面の温度差
により調整することができる。例えば、金型の温度は１
０〜２０℃程度差をもたせることにより、相当な湾曲基
板を製造することができる。
次いで、このような湾曲した基板１の凸面１ｂ側に記録
層２を形成する（第１図（ｂ））。記録層の形成方法に
は特に制限はなく、従来より採用されているスパッタリ
ング等の物理蒸着法、化学蒸着法等を有効に適用するこ
とができ、その成膜条件、層厚さも従来と同様に設定す
ることができる。
層２を形成する（第１図（ｂ））。記録層の形成方法に
は特に制限はなく、従来より採用されているスパッタリ
ング等の物理蒸着法、化学蒸着法等を有効に適用するこ
とができ、その成膜条件、層厚さも従来と同様に設定す
ることができる。
凸面１ｂ側に記録［２を形成した基板１は、凹面１ａ側
が空気中の水分を吸湿して膨張し、３４１図（Ｃ）に示
す如く、逆方向に反るようになる。
が空気中の水分を吸湿して膨張し、３４１図（Ｃ）に示
す如く、逆方向に反るようになる。
しかして、その後、水分が基板全体に拡散してゆくこと
により、この反りは緩和され、基板１は第１図（ｄ）に
示す如く、はぼ平坦なものとなり、良好な光デイスク基
板３が得られる。
により、この反りは緩和され、基板１は第１図（ｄ）に
示す如く、はぼ平坦なものとなり、良好な光デイスク基
板３が得られる。
即ち、第２図（ｂ）〜（ｄ）の説明においても記載した
如く、基板は記録層を形成していない面から吸湿し、初
期の段階では大きく反る。そして、その後、基板内に水
分が拡散することにより、この反りが緩和される。
如く、基板は記録層を形成していない面から吸湿し、初
期の段階では大きく反る。そして、その後、基板内に水
分が拡散することにより、この反りが緩和される。
このようなことから、本発明においては、記録層を形成
する基板１としては、吸湿により、初期の段階では第１
図（ｅ）に示すように記録層２を形成した面側に若干凹
となるように反り、その後の水分の拡散によりほぼ平坦
になるように、基板成形工程においてその湾曲の程度を
調節する。
する基板１としては、吸湿により、初期の段階では第１
図（ｅ）に示すように記録層２を形成した面側に若干凹
となるように反り、その後の水分の拡散によりほぼ平坦
になるように、基板成形工程においてその湾曲の程度を
調節する。
本発明において、記録層の形成に用いる基板の湾曲の程
度は、基板の材質、直径、厚さ等により異なるが、一般
には、第１図（ａ）において、直径りが１３０ｍｍ程度
、厚さｔが１．２ｍｍ程度の基板であれば、反りの程度
Ｘは２０〜１００μｍ程度、特に５０〜７０μｍ程度と
するのが好ましい。
度は、基板の材質、直径、厚さ等により異なるが、一般
には、第１図（ａ）において、直径りが１３０ｍｍ程度
、厚さｔが１．２ｍｍ程度の基板であれば、反りの程度
Ｘは２０〜１００μｍ程度、特に５０〜７０μｍ程度と
するのが好ましい。
なお、基板の湾曲形状は、第１図（ａ）に示すような時
計皿形状の他、中央が平坦面となるように凹曲する皿型
ないし椀型形状等、様々な形状とすることができる。
計皿形状の他、中央が平坦面となるように凹曲する皿型
ないし椀型形状等、様々な形状とすることができる。
このような本発明において、基板材料となる吸湿性樹脂
としては、ポリカーボネート等が挙げられる。
としては、ポリカーボネート等が挙げられる。
また、形成する記録層としては、光ディスク（ライト・
ワンス型）の場合には、ＴｅやＳｅ等のカルコゲン金属
を主成分とする合金等、光磁気ディスクの場合には、希
土類−遷移金属の合金等が挙げられ、その層厚さは通常
２００〜１０００八程度とされる。
ワンス型）の場合には、ＴｅやＳｅ等のカルコゲン金属
を主成分とする合金等、光磁気ディスクの場合には、希
土類−遷移金属の合金等が挙げられ、その層厚さは通常
２００〜１０００八程度とされる。
［作用］
本発明の方法においては、一方の面側に凹となる湾曲し
た非平坦形状の基板を用い、この基板の凸面側に記録層
を形成する。このため、吸湿により記録層が形成されて
ない面側か膨張し、次いで水分の拡散により若干収縮す
ることにより、この基板は良好な平坦度を有するものと
なる。
た非平坦形状の基板を用い、この基板の凸面側に記録層
を形成する。このため、吸湿により記録層が形成されて
ない面側か膨張し、次いで水分の拡散により若干収縮す
ることにより、この基板は良好な平坦度を有するものと
なる。
［実施例］
以下、実施例及び比較例について説明する。
実施例１
第１図（ａ）に示すような形状のポリカーボネート製基
板を成形した。成形は従来の射出成形の金型温度を一方
の面側を１１０℃、他方の面側を１００℃として行ない
、下記寸法の基板とした。
板を成形した。成形は従来の射出成形の金型温度を一方
の面側を１１０℃、他方の面側を１００℃として行ない
、下記寸法の基板とした。
基板寸法
直径（Ｄ）： １３０ｍｍ
厚さ（１） 二１．２ｍｍ
反り （ｘ）：５０μｍ
この基板の凸面側に厚さ／３００Ａの希土類−遷移金属
合金の記録層をスパッタリングにより形成した。その結
果、記録層を形成していない側は吸湿により膨張して逆
の側に反り、４時間後に第１図（ｃ）に示すような状態
となった（第１図（ｅ）における反りＸ′は８５μｍで
あった）。
合金の記録層をスパッタリングにより形成した。その結
果、記録層を形成していない側は吸湿により膨張して逆
の側に反り、４時間後に第１図（ｃ）に示すような状態
となった（第１図（ｅ）における反りＸ′は８５μｍで
あった）。
更にこの基板を放置したところ、記録層形成後５０時間
経過後において、第１図（ｄ）に示すような平坦度の高
い光デイスク基板が得られた。なお、この光デイスク基
板の反りの程度（表面の凹凸差の最大値）は１５μｍと
著しく小さいものであった。
経過後において、第１図（ｄ）に示すような平坦度の高
い光デイスク基板が得られた。なお、この光デイスク基
板の反りの程度（表面の凹凸差の最大値）は１５μｍと
著しく小さいものであった。
比較例１
第２図（ａ）に示すような平面形状（直径、厚さは実施
例１と同様）の基板を用いたこと以外は実施例１と同様
にして、記録層を形成した。
例１と同様）の基板を用いたこと以外は実施例１と同様
にして、記録層を形成した。
その結果、記録層形成後４時間後に、第２図（ｃ）に示
す如く、基板は大きく反り返り、５０時間後に第２図（
ｄ）に示すような、反りの程度Ｘ″７５μｍの湾曲した
光デイスク基板が得られた。
す如く、基板は大きく反り返り、５０時間後に第２図（
ｄ）に示すような、反りの程度Ｘ″７５μｍの湾曲した
光デイスク基板が得られた。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の光ディスクの製造方法によ
れば、基板の吸湿による反りの問題を解決し、極めて平
坦度の高い光デイスク基板又は光磁気ディスク基板を製
造することができ、基板の光学的特性は極めて優れたも
のとなり、その貼り合せ作業も容易となる。
れば、基板の吸湿による反りの問題を解決し、極めて平
坦度の高い光デイスク基板又は光磁気ディスク基板を製
造することができ、基板の光学的特性は極めて優れたも
のとなり、その貼り合せ作業も容易となる。
従って、本発明の方法によれば、著しく光学的特性、そ
の他の諸特性に優れた、光ディスク又は光磁気ディスク
が容易に製造される。
の他の諸特性に優れた、光ディスク又は光磁気ディスク
が容易に製造される。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の光ディスクの製造方法
の一実施例を説明する断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は
従来法を説明する断面図である。 １・・・樹脂基板、 ２・・・記録層、３・・
・光デイスク基板。
の一実施例を説明する断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は
従来法を説明する断面図である。 １・・・樹脂基板、 ２・・・記録層、３・・
・光デイスク基板。
Claims (1)
- （１）吸湿性樹脂材料よりなる基板に記録層を形成して
光ディスクを製造する方法において、基板を一方の面側
に凹となる湾曲した非平坦形状に成形し、該基板の他方
の面側に記録層を形成し、吸湿により前記一方の面側を
膨張させて平坦度を高めることを特徴とする光ディスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312488A JPH01273244A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312488A JPH01273244A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273244A true JPH01273244A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14345825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10312488A Pending JPH01273244A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05205325A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体及びその基板の作製方法 |
| JPH05205324A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10312488A patent/JPH01273244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05205325A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体及びその基板の作製方法 |
| JPH05205324A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
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