JP2680591B2 - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去などを行
う光ディスクなどに利用される光メモリ素子の製造方法
に関するものである。
う光ディスクなどに利用される光メモリ素子の製造方法
に関するものである。
従来、表裏両面で情報の記録、再生、消去などを行う
光メモリ素子を製造するには、一般に、第4図(a)に
示すように、透明な基板1の一方の面にグルーブ(溝)
やピットとなる凹凸2…を形成した後、同図(b)に示
すように、この凹凸2…を覆うように記録膜3を一体的
に形成して光メモリ基板4を得る。次いで、同図(c)
に示すように、上記と同様にして形成された光メモリ基
板4′を用意し、各々の記録膜3・3′同士を対向させ
た状態で、これら記録膜3・3′の間に例えば紫外線硬
化樹脂などの接着剤層5を介在させ、光メモリ基板4・
4′同士を互いに接着固定して光メモリ素子を得てい
た。
光メモリ素子を製造するには、一般に、第4図(a)に
示すように、透明な基板1の一方の面にグルーブ(溝)
やピットとなる凹凸2…を形成した後、同図(b)に示
すように、この凹凸2…を覆うように記録膜3を一体的
に形成して光メモリ基板4を得る。次いで、同図(c)
に示すように、上記と同様にして形成された光メモリ基
板4′を用意し、各々の記録膜3・3′同士を対向させ
た状態で、これら記録膜3・3′の間に例えば紫外線硬
化樹脂などの接着剤層5を介在させ、光メモリ基板4・
4′同士を互いに接着固定して光メモリ素子を得てい
た。
ところが、上記の基板1・1′は、情報の記録、再
生、消去用の光を透過させる必要があり、また、凹凸2
…,2′…を形成する必要があるために、かかる基板1・
1′に対して種々の条件が要求されることになる。例え
ば、透明であること、光学的に等方的であること、
特に、複屈折が小さいこと、“反り”や“うねり”が
小さく平坦であること、凹凸2…・2′…を形成し易
いことなどが要求される。さらに、基板1・1′は記録
膜3・3′との関係においても種々の条件が要求されて
おり、例えば、記録膜3・3′の形成において温度が上
昇するのであれば耐熱性が要求され、また、記録膜3・
3′の耐湿性が問題になる場合には、低透湿性や低吸水
性が要求される。
生、消去用の光を透過させる必要があり、また、凹凸2
…,2′…を形成する必要があるために、かかる基板1・
1′に対して種々の条件が要求されることになる。例え
ば、透明であること、光学的に等方的であること、
特に、複屈折が小さいこと、“反り”や“うねり”が
小さく平坦であること、凹凸2…・2′…を形成し易
いことなどが要求される。さらに、基板1・1′は記録
膜3・3′との関係においても種々の条件が要求されて
おり、例えば、記録膜3・3′の形成において温度が上
昇するのであれば耐熱性が要求され、また、記録膜3・
3′の耐湿性が問題になる場合には、低透湿性や低吸水
性が要求される。
このため、近年では、上記の基板1・1′として、射
出成形法によるポリカーボネート基板(以下、単にPC基
板と称する)を用いることが検討されている。
出成形法によるポリカーボネート基板(以下、単にPC基
板と称する)を用いることが検討されている。
ところが、上記の射出成形法によるPC基板といえど
も、複屈折が大きくなり易く、また、記録膜3が形成さ
れたとき、すなわち、記録膜3が形成されて光メモリ基
板4となったときに、第5図に示すように、記録膜3側
を凸にして反ってしまう傾向がある。光メモリ基板4が
記録膜3側を凸にして反ってしまうのは、記録膜3とPC
基板1との熱膨張係数が異なるためであり、記録膜3の
形成時において温度が上昇していると、常温になったと
きにPC基板1が記録膜3に比べて小さくなるためであ
る。
も、複屈折が大きくなり易く、また、記録膜3が形成さ
れたとき、すなわち、記録膜3が形成されて光メモリ基
板4となったときに、第5図に示すように、記録膜3側
を凸にして反ってしまう傾向がある。光メモリ基板4が
記録膜3側を凸にして反ってしまうのは、記録膜3とPC
基板1との熱膨張係数が異なるためであり、記録膜3の
形成時において温度が上昇していると、常温になったと
きにPC基板1が記録膜3に比べて小さくなるためであ
る。
また、上記のように、反った光メモリ基板4・4′を
互いに貼り合わせて光メモリ素子を作製した場合、かか
る光メモリ素子には常に応力が加わることになる。この
ため、光メモリ素子に急激な温度変化が加わった場合な
どには、光メモリ素子に剥離を生じてしまい、光メモリ
素子の信頼性を損なうといった問題を招来する。
互いに貼り合わせて光メモリ素子を作製した場合、かか
る光メモリ素子には常に応力が加わることになる。この
ため、光メモリ素子に急激な温度変化が加わった場合な
どには、光メモリ素子に剥離を生じてしまい、光メモリ
素子の信頼性を損なうといった問題を招来する。
本発明の光メモリ素子の製造方法は、表裏両面にグル
ーブを有する基板の表裏両面に記録膜が形成された光メ
モリ素子の製造方法であって、一対のスタンパを予め位
置調整を行って取り付けた金型を用い、射出成形によ
り、表裏両面のグルーブ中心が一致する基板を形成する
工程と、前記基板の表裏両面に記録膜を形成する工程
と、前記記録膜上に、前記基板と同一材質からなり押出
成形により形成された保護基板を接着する工程と、を含
むことを特徴としている。
ーブを有する基板の表裏両面に記録膜が形成された光メ
モリ素子の製造方法であって、一対のスタンパを予め位
置調整を行って取り付けた金型を用い、射出成形によ
り、表裏両面のグルーブ中心が一致する基板を形成する
工程と、前記基板の表裏両面に記録膜を形成する工程
と、前記記録膜上に、前記基板と同一材質からなり押出
成形により形成された保護基板を接着する工程と、を含
むことを特徴としている。
上記製造方法によれば、光メモリ素子基板に“反り”
が生じるのを防止することができる。すなわち、基板の
両面にそれぞれ形成された記録膜は、その熱膨張係数の
等しいもの若しくは同程度のものであるから、温度変化
による大きさの変化を互いに等しく、従って、これら両
記録膜の大きさがたとえ上記基板と異なることになって
も、この大きさの相違から生じる力は基板の両面から互
いに等しい強さで上記基板に作用することになる。基板
の両面から互いに等しい強さの力が加わると、これら両
力は互いに相殺されることになり、その結果として基板
には“反り”が生じなくなるのである。
が生じるのを防止することができる。すなわち、基板の
両面にそれぞれ形成された記録膜は、その熱膨張係数の
等しいもの若しくは同程度のものであるから、温度変化
による大きさの変化を互いに等しく、従って、これら両
記録膜の大きさがたとえ上記基板と異なることになって
も、この大きさの相違から生じる力は基板の両面から互
いに等しい強さで上記基板に作用することになる。基板
の両面から互いに等しい強さの力が加わると、これら両
力は互いに相殺されることになり、その結果として基板
には“反り”が生じなくなるのである。
さらに、記録膜上に上記基板と同じ材質からなる保護
基板を形成するため、基板と保護基板との間の熱膨張係
数が等しくなり、光メモリ素子の内部応力を低減するこ
とができる。その結果、内部応力によって生じる光メモ
リ素子の剥離等を防ぐことができ、光メモリ素子の信頼
性を高めることが可能となる。
基板を形成するため、基板と保護基板との間の熱膨張係
数が等しくなり、光メモリ素子の内部応力を低減するこ
とができる。その結果、内部応力によって生じる光メモ
リ素子の剥離等を防ぐことができ、光メモリ素子の信頼
性を高めることが可能となる。
また、上記のように同じ材質で形成された基板と保護
基板の成形方法を異ならせており、基板については、一
対のスタンパを予め位置調整を行って取り付けた金型を
用いて射出成形により形成している。このため、グルー
ブの形成が容易になると共に、表裏両面のグルーブの位
置合わせをその都度行う必要がなくなり、量産性を向上
させることができる。さらに、両面のグルーブ中心が一
致するため、回転不均衡を抑制できる。
基板の成形方法を異ならせており、基板については、一
対のスタンパを予め位置調整を行って取り付けた金型を
用いて射出成形により形成している。このため、グルー
ブの形成が容易になると共に、表裏両面のグルーブの位
置合わせをその都度行う必要がなくなり、量産性を向上
させることができる。さらに、両面のグルーブ中心が一
致するため、回転不均衡を抑制できる。
また、保護基板については押出成形により形成してい
るため、垂直複屈折が小さく、信号品質を良好にするこ
とができる。
るため、垂直複屈折が小さく、信号品質を良好にするこ
とができる。
本発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
本発明にかかる光メモリ素子において、第1図(c)
に示すように、基板11の表裏両面にはグルーブ(溝)や
ピットとなる凹凸12…が形成されており、この凹凸12…
を覆うようにして記録膜13・13が一体的に形成されてい
る。記録膜13・13上には、透明な接着剤層14・14が形成
されており、この透明接着剤層14・14によって透明保護
基板15・15がそれぞれ接着固定されている。
に示すように、基板11の表裏両面にはグルーブ(溝)や
ピットとなる凹凸12…が形成されており、この凹凸12…
を覆うようにして記録膜13・13が一体的に形成されてい
る。記録膜13・13上には、透明な接着剤層14・14が形成
されており、この透明接着剤層14・14によって透明保護
基板15・15がそれぞれ接着固定されている。
光メモリ素子を製造するには、同図(a)に示すよう
に、まず、基板11の表裏両面にグルーブなどとなる凹凸
12…を形成する。凹凸12…を形成したら、同図(b)に
示すように、記録膜13・13をスパッタリング法などによ
って形成する。記録膜13・13としては、例えば、Al/AlN
/(Gd0.6Tb0.4)0.28Fe0.72/AlNの4層を積層した光磁
気記録媒体などが用いられる。勿論、このようなGdTbFe
系のものに限らず、他の素材を用いた光磁気記録媒体、
さらには、Te系を用いた相変化型(結晶−アモルファス
の相変化利用型)の記録媒体などでも良いものである。
次いで、上記の記録膜13・13上に透明接着剤を塗布して
接着剤層14・14を形成し、この接着剤層14・14によって
透明保護基板15・15を隙間なく接着固定する。上記の接
着剤としては、紫外線硬化樹脂などが適用される。
に、まず、基板11の表裏両面にグルーブなどとなる凹凸
12…を形成する。凹凸12…を形成したら、同図(b)に
示すように、記録膜13・13をスパッタリング法などによ
って形成する。記録膜13・13としては、例えば、Al/AlN
/(Gd0.6Tb0.4)0.28Fe0.72/AlNの4層を積層した光磁
気記録媒体などが用いられる。勿論、このようなGdTbFe
系のものに限らず、他の素材を用いた光磁気記録媒体、
さらには、Te系を用いた相変化型(結晶−アモルファス
の相変化利用型)の記録媒体などでも良いものである。
次いで、上記の記録膜13・13上に透明接着剤を塗布して
接着剤層14・14を形成し、この接着剤層14・14によって
透明保護基板15・15を隙間なく接着固定する。上記の接
着剤としては、紫外線硬化樹脂などが適用される。
上記の構成によれば、基板11の表裏両面に記録膜13・
13がそれぞれ形成されているため、基板11に記録膜13・
13が形成された状態においてこの基板11に“反り”が生
じるのを防止することができる。すなわち、保護膜13・
13はその熱膨張係数が互いに等しいものであるから、温
度変化による大きさの変化も互いに等しく、従って、こ
れら両記録膜13・13の大きさがたとえ上記の基板11と異
なることになっても、この大きさの相違から生じる力は
基板11に対しその両面から互いに等しい強さで作用する
ことになる。基板11の両面から互いに等しい強さの力が
加わると、これら両力は互いに相殺されてしまい、その
結果として上記の基板11には“反り”が生じなくなるの
である。
13がそれぞれ形成されているため、基板11に記録膜13・
13が形成された状態においてこの基板11に“反り”が生
じるのを防止することができる。すなわち、保護膜13・
13はその熱膨張係数が互いに等しいものであるから、温
度変化による大きさの変化も互いに等しく、従って、こ
れら両記録膜13・13の大きさがたとえ上記の基板11と異
なることになっても、この大きさの相違から生じる力は
基板11に対しその両面から互いに等しい強さで作用する
ことになる。基板11の両面から互いに等しい強さの力が
加わると、これら両力は互いに相殺されてしまい、その
結果として上記の基板11には“反り”が生じなくなるの
である。
また、上記の透明保護基板15・15については、グルー
ブなどとなる凹凸12…を形成する必要がないため、この
透明保護基板15の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易
性を考慮する必要が無くなる。従って、その分だけ素材
選択の余地が拡がり、透明保護基板15として要求される
光学的な優秀性および保護作用の優秀性などに重点をお
いた素材選びが可能となる。
ブなどとなる凹凸12…を形成する必要がないため、この
透明保護基板15の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易
性を考慮する必要が無くなる。従って、その分だけ素材
選択の余地が拡がり、透明保護基板15として要求される
光学的な優秀性および保護作用の優秀性などに重点をお
いた素材選びが可能となる。
本実施例では、基板11の表裏両面に凹凸12…を形成し
ているが、この場合において、基板11が射出成形による
ポリカーボネート基板(以下、単にPC基板と称する)で
あるならば、上記の表裏両面の凹凸12…の形成は、金型
に取り付けられた一対のスタンパによって行われる。こ
の方法であれば、従来のように、2枚の光メモリ基板を
貼り合わせる時にその都度グルーブ中心を合わせるとい
った手間を省くことができる。すなわち、上記のスタン
パの位置調節を予め行っておくことにより、基板11の表
裏両面に形成されたグルーブ同士の中心合わせを容易に
行うことができ、しかも、一度中心合わせを行えば、複
製されるグルーブ付き基板11は表裏両面で常に同じグル
ーブ中心を持つことになるからである。このように、グ
ルーブ中心を表裏両面で一致させることができると、光
メモリ素子をプレーヤーに装填して回転させたときに生
じる不均衡を抑制することが容易となる。
ているが、この場合において、基板11が射出成形による
ポリカーボネート基板(以下、単にPC基板と称する)で
あるならば、上記の表裏両面の凹凸12…の形成は、金型
に取り付けられた一対のスタンパによって行われる。こ
の方法であれば、従来のように、2枚の光メモリ基板を
貼り合わせる時にその都度グルーブ中心を合わせるとい
った手間を省くことができる。すなわち、上記のスタン
パの位置調節を予め行っておくことにより、基板11の表
裏両面に形成されたグルーブ同士の中心合わせを容易に
行うことができ、しかも、一度中心合わせを行えば、複
製されるグルーブ付き基板11は表裏両面で常に同じグル
ーブ中心を持つことになるからである。このように、グ
ルーブ中心を表裏両面で一致させることができると、光
メモリ素子をプレーヤーに装填して回転させたときに生
じる不均衡を抑制することが容易となる。
なお、上記の基板11は必ずしも透明であることを要し
ないものであり、その素材としては上記のPC基板に限ら
ず、ABS樹脂やメラミン樹脂などをはじめ、ガラス、セ
ラミックスなどを素材としたものが使用される。また、
基板11の製法としては上記の射出成形の他に押出成形や
キャスティングなどが適用でき、このキャスティングに
より形成されたエポキシ樹脂板やアクリル樹脂板なども
基板11として適用することもできる。
ないものであり、その素材としては上記のPC基板に限ら
ず、ABS樹脂やメラミン樹脂などをはじめ、ガラス、セ
ラミックスなどを素材としたものが使用される。また、
基板11の製法としては上記の射出成形の他に押出成形や
キャスティングなどが適用でき、このキャスティングに
より形成されたエポキシ樹脂板やアクリル樹脂板なども
基板11として適用することもできる。
ここで、上記の透明保護基板15・15として、ガラス
基板、押出成形によるPC基板、射出成形によるPC基
板を用いた3つの場合について光メモリ素子の信号品
質、例えば、記録ビット長とC/Nとの関係をそれぞれ測
定すると、第2図の通りであった。この測定結果による
と、押出成形によるPC基板を用いた光メモリ素子では、
ガラス基板を用いた光メモリ素子と同程度のC/N比が得
られており、押出成形によるPC基板が透明保護基板15と
して極めて適していることが判明した。一方、射出成形
によるPC基板を用いた光メモリ素子は、ガラス基板を用
いた光メモリ素子に比べてC/N比が低く、透明保護基板1
5としては必ずしも適当でない。
基板、押出成形によるPC基板、射出成形によるPC基
板を用いた3つの場合について光メモリ素子の信号品
質、例えば、記録ビット長とC/Nとの関係をそれぞれ測
定すると、第2図の通りであった。この測定結果による
と、押出成形によるPC基板を用いた光メモリ素子では、
ガラス基板を用いた光メモリ素子と同程度のC/N比が得
られており、押出成形によるPC基板が透明保護基板15と
して極めて適していることが判明した。一方、射出成形
によるPC基板を用いた光メモリ素子は、ガラス基板を用
いた光メモリ素子に比べてC/N比が低く、透明保護基板1
5としては必ずしも適当でない。
また、押出成形によるPC基板と、射出成形によるPC基
板とでは、第3図に示すように、その垂直複屈折(基板
の面内方向と垂直方向との屈折率の差)においても差異
がある。すなわち、押出成形によるPC基板の方が垂直複
屈折は小さくなっていて、光学的等方性に優れている。
なお、ガラス基板には複屈折は殆ど生じなかった。
板とでは、第3図に示すように、その垂直複屈折(基板
の面内方向と垂直方向との屈折率の差)においても差異
がある。すなわち、押出成形によるPC基板の方が垂直複
屈折は小さくなっていて、光学的等方性に優れている。
なお、ガラス基板には複屈折は殆ど生じなかった。
さらに、押出成形によるPC基板と、射出成形によるPC
基板とでは、その製法の相違に起因して、凹凸12…の成
形の容易性についても差異がある。射出成形によるPC基
板の方が押出成形によるCP基板よりも、凹凸12…の形成
が容易である。
基板とでは、その製法の相違に起因して、凹凸12…の成
形の容易性についても差異がある。射出成形によるPC基
板の方が押出成形によるCP基板よりも、凹凸12…の形成
が容易である。
以上のことから、凹凸12…が形成される基板11として
射出成形によるPC基板を適用する一方、光学的等方性な
どを要求される透明保護基板15・15として押出成形によ
るPC基板を適用すれば、理想的な光メモリ素子を得るこ
とができる。この場合、押出成形によるPC基板と、射出
成形によるPC基板とは、その熱膨張率が同程度であるか
ら、光メモリ素子の内部応力の低減をも図ることが可能
となる。
射出成形によるPC基板を適用する一方、光学的等方性な
どを要求される透明保護基板15・15として押出成形によ
るPC基板を適用すれば、理想的な光メモリ素子を得るこ
とができる。この場合、押出成形によるPC基板と、射出
成形によるPC基板とは、その熱膨張率が同程度であるか
ら、光メモリ素子の内部応力の低減をも図ることが可能
となる。
なお、上記の基板11は射出成形によるPC基板に限定さ
れないことは勿論であり、上記の押出成形によるPC基板
を適用してもよいものである。押出成形によるPC基板に
凹凸12…を形成する場合には、かかるPC基板を型と型の
間に配置して両側から押し付けて凹凸12…を形成する。
この形成時の温度を約100℃に保持しておけば、グルー
ブをなす上記凹凸12…の形容を良好に転写することが可
能である。
れないことは勿論であり、上記の押出成形によるPC基板
を適用してもよいものである。押出成形によるPC基板に
凹凸12…を形成する場合には、かかるPC基板を型と型の
間に配置して両側から押し付けて凹凸12…を形成する。
この形成時の温度を約100℃に保持しておけば、グルー
ブをなす上記凹凸12…の形容を良好に転写することが可
能である。
また、本発明にかかる光メモリ素子は、ディスク状の
ものに限らす、例えば、カード状のものにおいても適用
できるものである。
ものに限らす、例えば、カード状のものにおいても適用
できるものである。
本発明の光メモリ素子の製造方法によれば、以下の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
(イ)ポリカーボネートからなる基板を射出成形により
形成するため、基板の量産性を向上できる。
形成するため、基板の量産性を向上できる。
(ロ)ポリカーボネートからなる基板を射出成形により
形成するため、表裏に形成するグルーブのグルーブ中心
を一致させるための位置合わせをその都度行う必要が無
くなり生産性が向上する。また、グルーブ中心を合わせ
ることができるため、光メモリ素子の回転不均衡を防止
できる。
形成するため、表裏に形成するグルーブのグルーブ中心
を一致させるための位置合わせをその都度行う必要が無
くなり生産性が向上する。また、グルーブ中心を合わせ
ることができるため、光メモリ素子の回転不均衡を防止
できる。
(ハ)ポリカーボネートからなる保護基板を押出成形に
より形成するため、保護基板における垂直複屈折を小さ
くでき、結果として光メモリ素子からの信号品質を向上
できる。
より形成するため、保護基板における垂直複屈折を小さ
くでき、結果として光メモリ素子からの信号品質を向上
できる。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図(a)はグルーブなどとなる凹凸が表裏両
面に形成された基板の断面図、同図(b)は同図(a)
における基板の両面に記録膜を形成した状態を示す断面
図、同図(c)は同図(b)における記録膜上に透明接
着剤層を介して透明保護基板を貼付した状態を示す断面
図、第2図は透明保護基板としてガラス基板押出成
形によるPC基板射出成形によるPC基板を用いた3つの
場合について光メモリ素子における記録ビット長とC/N
(搬送波対雑音比)との関係をそれぞれ示すグラフ、第
3図は透明保護基板として押出成形によるPC基板射
出成形によるPC基板を用いた2つ場合について基板の回
転角度と垂直複屈折との関係をそれぞれ示すグラフ、第
4図および第5図は従来例を示すものであって、第4図
(a)はグルーブとなる凹凸が片面に形成された基板の
断面図、同図(b)は同図(a)における凹凸上に記録
膜を形成してなる光メモリ基板を示す断面図、同図
(c)は同図(b)における光メモリ基板を2つ貼り合
わせた状態を示す断面図、第5図は光メモリ基板に反り
が生じた状態を示す断面図である。 11は基板、12は凹凸、13は保護膜、14は透明接着剤、15
は透明保護基板である。
って、第1図(a)はグルーブなどとなる凹凸が表裏両
面に形成された基板の断面図、同図(b)は同図(a)
における基板の両面に記録膜を形成した状態を示す断面
図、同図(c)は同図(b)における記録膜上に透明接
着剤層を介して透明保護基板を貼付した状態を示す断面
図、第2図は透明保護基板としてガラス基板押出成
形によるPC基板射出成形によるPC基板を用いた3つの
場合について光メモリ素子における記録ビット長とC/N
(搬送波対雑音比)との関係をそれぞれ示すグラフ、第
3図は透明保護基板として押出成形によるPC基板射
出成形によるPC基板を用いた2つ場合について基板の回
転角度と垂直複屈折との関係をそれぞれ示すグラフ、第
4図および第5図は従来例を示すものであって、第4図
(a)はグルーブとなる凹凸が片面に形成された基板の
断面図、同図(b)は同図(a)における凹凸上に記録
膜を形成してなる光メモリ基板を示す断面図、同図
(c)は同図(b)における光メモリ基板を2つ貼り合
わせた状態を示す断面図、第5図は光メモリ基板に反り
が生じた状態を示す断面図である。 11は基板、12は凹凸、13は保護膜、14は透明接着剤、15
は透明保護基板である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 中山 純一郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 三宅 知之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−63039(JP,A) 特開 昭61−39249(JP,A) 特開 昭62−140817(JP,A) 特開 昭62−239452(JP,A) 特開 昭59−68849(JP,A) 実開 昭57−56333(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】表裏両面にグループを有する基板の表裏両
面に記録膜が形成された光メモリ素子の製造方法であっ
て、 一対のスタンパを予め位置調整を行って取り付けた金型
を用い、射出成形により、表裏両面のグルーブ中心が一
致するポリカーボネートからなる基板を形成する工程
と、 前記ポリカーボネートからなる基板の表裏両面に記録膜
を形成する工程と、 前記記録膜上に、ポリカーボネートからなり押出成形に
より形成された保護基板を接着する工程と、を含むこと
を特徴とする光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212388A JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
US07/308,018 US5059473A (en) | 1988-02-15 | 1989-02-09 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
CA 590987 CA1316603C (en) | 1988-02-15 | 1989-02-14 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
DE68914490T DE68914490T2 (de) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | Optisches Aufzeichnungsmedium und dessen Herstellungsverfahren. |
EP19890301463 EP0329425B1 (en) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212388A JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208742A JPH01208742A (ja) | 1989-08-22 |
JP2680591B2 true JP2680591B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12350107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3212388A Expired - Lifetime JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5059473A (ja) |
EP (1) | EP0329425B1 (ja) |
JP (1) | JP2680591B2 (ja) |
CA (1) | CA1316603C (ja) |
DE (1) | DE68914490T2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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USRE39412E1 (en) | 1995-02-15 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information medium, and method and apparatus for fabricating the same |
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JP2005332480A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録担体 |
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US4363844A (en) * | 1980-09-22 | 1982-12-14 | Lewis Terry W | Metallized information carrying discs |
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JPS60155424A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 大径のポリカ−ボネ−ト製光デイスク基板およびその製造法 |
DE3583754D1 (de) * | 1984-03-16 | 1991-09-19 | Sharp Kk | Verfahren zur herstellung eines optischen speicherelements. |
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JPS6124039A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Pioneer Electronic Corp | 情報記録用デイスク及びその製造方法 |
NL8402681A (nl) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf en methode voor de vervaardiging ervan. |
JPS62185264A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
JPS6429530U (ja) * | 1987-08-14 | 1989-02-22 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3212388A patent/JP2680591B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-09 US US07/308,018 patent/US5059473A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-14 CA CA 590987 patent/CA1316603C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 EP EP19890301463 patent/EP0329425B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 DE DE68914490T patent/DE68914490T2/de not_active Expired - Lifetime
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---|---|
DE68914490T2 (de) | 1994-11-24 |
JPH01208742A (ja) | 1989-08-22 |
EP0329425A3 (en) | 1990-10-10 |
DE68914490D1 (de) | 1994-05-19 |
EP0329425A2 (en) | 1989-08-23 |
US5059473A (en) | 1991-10-22 |
CA1316603C (en) | 1993-04-20 |
EP0329425B1 (en) | 1994-04-13 |
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