JPH01307940A - 光情報記録担体 - Google Patents
光情報記録担体Info
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- JPH01307940A JPH01307940A JP63139685A JP13968588A JPH01307940A JP H01307940 A JPH01307940 A JP H01307940A JP 63139685 A JP63139685 A JP 63139685A JP 13968588 A JP13968588 A JP 13968588A JP H01307940 A JPH01307940 A JP H01307940A
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- Pending
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録再生消去を行う
光情報記録担体に関する。
光情報記録担体に関する。
［従来の技術］
光情報記録担体のドライブを用いて情報の記録、再生、
消去等を行う時、ドライブ内の温度変化によって光情報
記録担体の情報信号が劣化してしまう事があった。従来
例を第４図に示す。第４図において、１はポリカーボネ
ート基板、２は窒化アルミニウムシリコン複合膜、３は
光磁気記録膜、４は紫外線硬化型接着剤でフラットなポ
リカーボネート基板５を接着するためのものである。１
．５のポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略す）基板は
射出成形で作られており安価であるが、光学的異方性を
有するために複屈折が大きく情報の記録再生消去に用い
られるレーザ光の偏光状態を劣化させる。さらに、ＰＯ
基板はその内部に応力が生じても偏光状態を劣化させる
。そして、前記光情報記録担体のドライブ内は、室温以
上の高温の雰囲気になるため、光情報記録担体に、高温
かつ温度勾配が生じ、そのため内部応力が生じ、ＰＯ基
板内の複屈折が増大し、その結果として情報の記録再生
消去に用いられるレーザ光の偏光状態を劣化させる。光
情報記録として光磁気記録の場合、情報をレーザ光の偏
光状態にもたせているので、偏光状態の劣化は、そのま
ま情報信号の劣化につながっていた。
消去等を行う時、ドライブ内の温度変化によって光情報
記録担体の情報信号が劣化してしまう事があった。従来
例を第４図に示す。第４図において、１はポリカーボネ
ート基板、２は窒化アルミニウムシリコン複合膜、３は
光磁気記録膜、４は紫外線硬化型接着剤でフラットなポ
リカーボネート基板５を接着するためのものである。１
．５のポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略す）基板は
射出成形で作られており安価であるが、光学的異方性を
有するために複屈折が大きく情報の記録再生消去に用い
られるレーザ光の偏光状態を劣化させる。さらに、ＰＯ
基板はその内部に応力が生じても偏光状態を劣化させる
。そして、前記光情報記録担体のドライブ内は、室温以
上の高温の雰囲気になるため、光情報記録担体に、高温
かつ温度勾配が生じ、そのため内部応力が生じ、ＰＯ基
板内の複屈折が増大し、その結果として情報の記録再生
消去に用いられるレーザ光の偏光状態を劣化させる。光
情報記録として光磁気記録の場合、情報をレーザ光の偏
光状態にもたせているので、偏光状態の劣化は、そのま
ま情報信号の劣化につながっていた。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、前記のドライブ内温度変化による情報信号の
劣化を防ぎ、情報の記録、再生、の信頼性を高めた光情
報記録担体を提供する事を目的としている。
劣化を防ぎ、情報の記録、再生、の信頼性を高めた光情
報記録担体を提供する事を目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明の光情報記録担体は、透光性樹脂基板とメモリー
機能を有する光記録層から成る光記録媒体であって、前
記基板の熱伝導率よりも高熱伝導率で全光透過率が高透
過性の表面コート層を持つことを特徴としている。
機能を有する光記録層から成る光記録媒体であって、前
記基板の熱伝導率よりも高熱伝導率で全光透過率が高透
過性の表面コート層を持つことを特徴としている。
単位；ｄＢ
注）Ｏ上記数値は温度勾配のない状態のａ ／ Ｎより
の劣化値（ｄＢ）を示す。
の劣化値（ｄＢ）を示す。
Ｏ上記温度勾配は、従来例基板表面での値である。
表−１基板表面温度勾配と○／Ｎの劣化［実施例コ
（実施例１）
第１図は本発明による光情報記録担体の構造断面図であ
る。第１図において、１はポリカーボネート基板で厚み
１．２順で片面には案内溝があり、七の溝巾０．６μｍ
、溝深さ６ｏｏＸｐ溝ピツチ１．６μｍである。２は窒
化シリコン、窒化アルミニウムの複合層で８００Ｘ膜厚
、３は光磁気記録層Ｔｂ１ＦｅＯｏで９００Ｘ膜厚、４
はＵＶ接着剤で５０μｍ厚である。５は表面平滑なポリ
カーボネート基板で厚み１．２閣である。６は表面コー
ト層でＳｉｎ、、厚みは１ｏｏｏＸである。この表面コ
ート層の光透過率は９５％であった。
る。第１図において、１はポリカーボネート基板で厚み
１．２順で片面には案内溝があり、七の溝巾０．６μｍ
、溝深さ６ｏｏＸｐ溝ピツチ１．６μｍである。２は窒
化シリコン、窒化アルミニウムの複合層で８００Ｘ膜厚
、３は光磁気記録層Ｔｂ１ＦｅＯｏで９００Ｘ膜厚、４
はＵＶ接着剤で５０μｍ厚である。５は表面平滑なポリ
カーボネート基板で厚み１．２閣である。６は表面コー
ト層でＳｉｎ、、厚みは１ｏｏｏＸである。この表面コ
ート層の光透過率は９５％であった。
実施例１では片面記録媒体でｐａ基板の密着貼合せ構造
の場合で、以下実施例２が両面記録媒体でＰＯ基板の密
着貼合せ構造の場合、実施例３が、片面記録媒体でＰＯ
基板の単板構造の場合である。
の場合で、以下実施例２が両面記録媒体でＰＯ基板の密
着貼合せ構造の場合、実施例３が、片面記録媒体でＰＯ
基板の単板構造の場合である。
表１に第４図に示された従来例と、本発明の実施例１ｅ
２ ｔ ｓについて、ＰＯ基板表面の温度勾配を５℃
、１０℃、１５℃とつけた時の光磁気信号の再生実験を
行ない、室温時（つまり光情報記録担体は室温でかつ温
度勾配のない状態）のＯ／Ｎ比と比較したａ ／ Ｎ比
の劣化を示した。結果は、第４図の様な従来の構成の記
録担体に比べて、ａ ／ Ｎ比の劣化は／２〜／４と著
しく教養することができた。
２ ｔ ｓについて、ＰＯ基板表面の温度勾配を５℃
、１０℃、１５℃とつけた時の光磁気信号の再生実験を
行ない、室温時（つまり光情報記録担体は室温でかつ温
度勾配のない状態）のＯ／Ｎ比と比較したａ ／ Ｎ比
の劣化を示した。結果は、第４図の様な従来の構成の記
録担体に比べて、ａ ／ Ｎ比の劣化は／２〜／４と著
しく教養することができた。
以上の３つの実施例中に用いた表面コート層としてＳｉ
ｎ、の他に、Ｂｅｏ、Ａｔ、ｏ、をそれぞれ用いた場合
でも同様の効果を確認できた。これら、Ｓｉｎ、、Ｂｅ
Ｏ，Ａｔ２０．の熱伝導率はＰＣ基板のそれよりも２倍
以上大きい。さらに表面コート層の厚みは１ｏｏｏＸ〜
ｚｏｏｏｉが硬度上適当で全光透過率も９０％以上を保
証でき適当である。
ｎ、の他に、Ｂｅｏ、Ａｔ、ｏ、をそれぞれ用いた場合
でも同様の効果を確認できた。これら、Ｓｉｎ、、Ｂｅ
Ｏ，Ａｔ２０．の熱伝導率はＰＣ基板のそれよりも２倍
以上大きい。さらに表面コート層の厚みは１ｏｏｏＸ〜
ｚｏｏｏｉが硬度上適当で全光透過率も９０％以上を保
証でき適当である。
以上の様な表面コード１層を設けることにより光情報記
録担体が高温（例えばドライブ内）にさらされ、その表
面が高温だとしても、高い熱伝導率を有するため、熱は
ｐａ基板に伝わる以上に外部に放熱され、したがって、
ｐａ基板自体を低温かつ温度勾配を小さく抑えることが
できる。したがって温度勾配によるｐｏ基板の内部応力
を小さく抑えられるため複屈折の増大も小さい。
録担体が高温（例えばドライブ内）にさらされ、その表
面が高温だとしても、高い熱伝導率を有するため、熱は
ｐａ基板に伝わる以上に外部に放熱され、したがって、
ｐａ基板自体を低温かつ温度勾配を小さく抑えることが
できる。したがって温度勾配によるｐｏ基板の内部応力
を小さく抑えられるため複屈折の増大も小さい。
（実施例２）
第２図は、本発明による光情報記録担体の構造断面図で
ある。第２図において、１０はポリカーボネート基板で
厚み１２ ｍｍで、溝巾０，６μ７７Ｌ、溝深さ６ｏｏ
ｄ、溝ピッチ１．６μｍである。１・１は窒化シリコン
・窒化アルミニウムの複合層で膜厚８００久、１２は光
磁気記録層ＴｂＦｅ０Ｏで膜厚１ｔ’ｒ−ｑｏｏｃｋ、
１ｓはホットメルト系接着剤で６０μｍ厚である。１４
は表面コート層ＳｉＯ□で厚みは１ｏｏｏＸ、光透過率
は９５％である。
ある。第２図において、１０はポリカーボネート基板で
厚み１２ ｍｍで、溝巾０，６μ７７Ｌ、溝深さ６ｏｏ
ｄ、溝ピッチ１．６μｍである。１・１は窒化シリコン
・窒化アルミニウムの複合層で膜厚８００久、１２は光
磁気記録層ＴｂＦｅ０Ｏで膜厚１ｔ’ｒ−ｑｏｏｃｋ、
１ｓはホットメルト系接着剤で６０μｍ厚である。１４
は表面コート層ＳｉＯ□で厚みは１ｏｏｏＸ、光透過率
は９５％である。
（実施例３）
第３図は、本発明による光情報記録担体の構造断面図で
ある。第３図において、２０はポリカーボネート基板で
厚み１．２ ｒｒａｎ 、溝巾０．６μｍ、溝深さ６ｏ
ｏｄ、溝ピッチ１．６μｍである。２１は窒化シリコン
、窒化アルミニウムの複合層で８００人の膜厚、２２は
光磁気記録層ＳｉＯ□で１０００久厚である。
ある。第３図において、２０はポリカーボネート基板で
厚み１．２ ｒｒａｎ 、溝巾０．６μｍ、溝深さ６ｏ
ｏｄ、溝ピッチ１．６μｍである。２１は窒化シリコン
、窒化アルミニウムの複合層で８００人の膜厚、２２は
光磁気記録層ＳｉＯ□で１０００久厚である。
［発明の効果コ
本発明の構成の光情報記録担体は、ドライブ内で受ける
雰囲気の温度変化（局部的、全体的）により基板内に生
じる複屈折を極力、小さく抑える事ができる効果がある
。
雰囲気の温度変化（局部的、全体的）により基板内に生
じる複屈折を極力、小さく抑える事ができる効果がある
。
透明性基板の表面に、熱伝導率の高い物質を表面コート
する事により、雰囲気温度が変化した場合、基板の温度
分布が局部的に変化する事を妨げているので、上述した
複屈折の生成を小さくできた。複屈折の生成を小さくで
きる事により、ドライブ内での温度変化に対して、安定
した信号の読み出し、書き込みが可能な光情報記録担体
が得られた。また、上記の様な熱伝導率の高く、光透過
性の高い物質を表面コートする事により表面硬度の低い
ポリカーボネート基板の表面に傷がついたりする事がな
くなり、ピットエラーレートについても安定でしかもサ
ーボの安定性等にすぐれ高信頼性を有する光情報記録担
体を得ることができる
する事により、雰囲気温度が変化した場合、基板の温度
分布が局部的に変化する事を妨げているので、上述した
複屈折の生成を小さくできた。複屈折の生成を小さくで
きる事により、ドライブ内での温度変化に対して、安定
した信号の読み出し、書き込みが可能な光情報記録担体
が得られた。また、上記の様な熱伝導率の高く、光透過
性の高い物質を表面コートする事により表面硬度の低い
ポリカーボネート基板の表面に傷がついたりする事がな
くなり、ピットエラーレートについても安定でしかもサ
ーボの安定性等にすぐれ高信頼性を有する光情報記録担
体を得ることができる
第１図は本発明による光情報記録担体の構造断面図。
第２図は本発明による光情報記録担体の構造断面図。
第３図は本発明による光情報記録担体の構造断面図。
第４図は従来例の構造断面図。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名）
第１）図
第２図
Claims (1)
- 透光性樹脂基板とメモリー機能を有する光記録層から成
る光記録媒体であって、前記基板の熱伝導率よりも高熱
伝導率で全光透過率が高透過性の表面コート層を持つこ
とを特徴とする光情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139685A JPH01307940A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63139685A JPH01307940A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光情報記録担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307940A true JPH01307940A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15251045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63139685A Pending JPH01307940A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 光情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410245A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスクおよびその製造方法 |
| US5706259A (en) * | 1994-05-18 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for magnetically induced super resolution |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63139685A patent/JPH01307940A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410245A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスクおよびその製造方法 |
| US5706259A (en) * | 1994-05-18 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for magnetically induced super resolution |
| US5864520A (en) * | 1994-05-18 | 1999-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for magnetically induced super resolution |
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