JPH03178052A

JPH03178052A - 光メモリ媒体

Info

Publication number: JPH03178052A
Application number: JP1318333A
Authority: JP
Inventors: Shojiro Kitamura; 昇二郎北村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1989-12-07
Filing date: 1989-12-07
Publication date: 1991-08-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レーザ等の光により情報の再生、あるいは記
録、再生、あるいは記録、再生、消去を行う光メモリ媒
体に関する。

［従来の技術］近年、高密度、大容量、高速アクセス等の種々の要求を
満足し得る光メモリ媒体の研究開発が活発になされてい
る。

その例として、記録膜に、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する磁性体ＦｉＩ膜を用いた光磁気ディスク、あるいは
、記録膜に微細ピット列を形成し各ビット部における光
ビームの回折現象を利用して再生信号を得る光メモリ媒
体（ＣＤ−ＲＯＭ）、あるいは、記録膜の反射率変化を
利用して再生信号を得る光メモリ媒体（相変化メモリデ
ィスク）等がある。

光磁気ディスクにおいては、信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）を
高めるために、特開昭６０−１１７４３６の様に、透明
基板上に、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体＠膜
と、反射膜とを、この順に配置する構造が試みられ、磁
性体膜表面でのレーザ光の反射によるカー効果と、磁性
体膜を透過して、反射膜で反射されたレーザ光によるフ
ァラデー効果との相互作用によって、見かけのカー回転
角を増大した例が報告されている。また、この磁性体膜
は非常に酸化されやすいため、特開昭５６−１３７５３
７の様に、セラミクス膜２層によって磁性体膜を挟み込
んで磁性体膜の酸化を防ぎ、なおかつセラミクス膜に屈
折Ｉ！２．　０のＳｉＮを用いて透明基板から入射した
光をセラミクス膜のなかで干渉させることによってカー
効果を増大させた例も報告されている。さらに、反射膜
と透明樹脂基板の両側に樹脂膜コートを配置する事によ
って、反射膜の酸化や傷等を防ぎ、また透明樹脂基板の
傷等を防ぐ工夫もなされている。

また、ＣＤ−ＲＯＭにおいては、透明基板の記録面に微
細ビットを形成し、その上からＡ１、ＡｌＴｉ等の反射
膜を配置し、透明基板の記録面と反対側からレーザ光を
入射し、ビット部における回折現象による反射光の変化
を利用して再生信号を得る構造となっている。

また、相変化光メモリ媒体において、その記憶材料とし
て用いられるＴｅＳｂ、ＴｅＳｅ、ＴｅＢ１等は、レー
ザ光を照射すると、アモルファス状態と結晶状態が変化
して、読み取り用のレーザ光を入射すると、その相の状
態によって反射率が異なるため、反射光量の違いにより
再生信号を得る構造となっているが、書き込みあるいは
消去時には高いレーザパワーを必要とするため、その熱
による基板への悪影響を防ぐためや、レーザ光の熱を効
率よく記録膜に加えたり、あるいは記録膜の酸化を防ぐ
ために、記ｔｉ膜を熱伝導性のよいＳｉＯ２、ＳｉＯ等
で挟み込む構造としている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、光メモリ媒体のドライブは、その使用時
に内部温度が約６０＠Ｃにも上昇し、また湿度の高い場
所で使用されることもあるため、光メモリ媒体はすぐれ
た耐候性、機械特性を要求されるが、前述の従来技術で
は、透明基板に樹脂基板を用いた場合、磁性体膜の反対
側から透明樹脂基板が水分等を吸収して耐候性が悪化し
たり、透明樹脂基板の膨張率がこの基板の両側で異なる
ため、光メモリ媒体がたわんで機械特性が悪くなったり
してしまう。さらに、このたわみによって、反射膜、セ
ラミクス膜、記録膜に亀裂や剥離が生じ、そこから腐食
が進行して記録されたデータが破壊されてしまうことも
ある。

そこで本発明はこのような課題を解決するものであり、
その目的とするところは耐候性、機械特性に優れた光メ
モリ媒体を提供するところにある。

［課題を解決するための手段］本発明の第一の光メモリ媒体は、透明樹脂基板上に、記
録保持面、記録保持面の反対側にセラミクス膜をそれぞ
れ配置し、更に記録保持面とセラミクス膜の反対側に樹
脂膜コートする構成としたことを特徴とする。

また、本発明の第二の光メモリ媒体は、記録保持面に、
セラミクス膜と、腹面に垂直な磁化容易軸を有する磁性
体薄膜と、セラミクス膜と、反射膜を、透明樹脂基板側
から、この順に配置したことを特徴とする。

また、本発明の第三の光メモリ媒体は、透明樹脂基板の
保持面側に微細ビット列を形成し、その上に反射膜を形
成したことを特徴とする。

また、本発明の第四の光メモリ媒体は、記録保持面に、
セラミクス膜と、相変化を利用した記録膜と、セラミク
ス膜をこの順に配置したことを特徴とする。

［作用］本発明の上記の構成によれば、透明樹脂基板の両面を、
記録膜と、セラミクス膜で挟み込む構成となるため、透
明樹脂基板に進入する水分などは、透明樹脂基板の端面
からだけとなり、透明樹脂基板の記録保持面と反対側の
セラミクス膜がなかった場合の、水分等が透明樹脂基板
の記録保持面と反対側から透明樹脂基板に進入すること
によるディスクのた′わみは起こらない。

［実施例コ　以下、本発明について実施例にもとづき、
詳細に説明する。

実施例１　（光磁気ディスク）第１図は、実施例１における光メモリ媒体の側面断面図
である。

第１図において、ｌ、８は樹脂膜コートである。

２はＡｌＴｉからなる反射膜である。３．　５．　７は
ＡＬＳｉＮからなるセラミクス膜である。４はＮｄＤ）
ｌＦｅｃｏからなる膜面に垂直な磁化容易軸を有する希
土類遷移金属の非晶質材料である。

６はポリカーボネイト（ＰＣ）からなる樹脂基板である
。第２図（ａ）、（ｂ）は、実施例１のディスクと、実
施例１のディスクにおいてセラミクス膜７の無い形の従
来のディスクとの耐候性試験及び機械特性試験の結果で
ある。第２図（ａ）、（ｂ）の結果より、実施例１のデ
ィスクは耐候性及び機械特性を大幅に改善することが出
来たことが分かる。これは、ＰＣ基板が水分等を吸収し
やすく、さらに熱膨張率も高いためであり、セラミクス
膜７が無い場合、高温高湿下では、セラミクス膜５の反
対側からＰＣ基板６に水分等が侵入し、さらにこのセラ
ミクス膜の無い側のＰＣ基板が大きく熱膨張するためデ
ィスクがたわみ、機械特性が悪化し、耐候性も良くない
。一方、本発明の構成とした場合、ＰＣ基板の両側から
水分等を通さない無機物質で挟み込む構成となるため、
高温高湿下でも水分等は、ディスクの端面からだけ侵入
し、またＰＣ基板の熱膨張もこの両側で対称となるため
ディスクもたわまず機械特性がよく、耐候性もよくなる
。。また、反射膜にＡｔ、ＡＩＴｊｓ磁性体膜にＧ　ｄ
　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ、　　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ、　　セラミク
ス膜にＳｉＯ，５ｉ０２をそれぞれ組み合わせて用いた
場合も同様の結果が得られた。

実施例２　（ＣＤ−ＲＯＭ）第３図は、実施例２における光メモリ媒体の側面断面図
である。

第３図において１．５は樹脂膜コートである。

２はＡｌＴｉからなる反射膜である。３は樹脂基板であ
る。４はＳｉＯからなるセラミクス膜である。第４図（
ａ）、　（ｂ）は、実施例２のディスクと、実施例２の
ディスクにおいてセラミクス膜４の無い従来の形のディ
スクとの耐候性試験及び４１！械特性試験の結果である
。第４図（ａ）、　（ｂ）の結果より、実施例２のディ
スクは耐候性及び機械特性を大幅に改善することが出来
たことが分がる。また、反射膜にＡ　１．　　Ａ　Ｉ　
Ｔ　ｉ、セラミクス膜にＳｉＯ２をそれぞれ組み合わせ
て用いた場合もを用いた場合も同様の結果が得られた。

実施例３（相変化光ディスク）第５図は、実施例３における光メモリ媒体の側面断面図
である。

第５図において１．７は樹脂膜コートである。

２．４．６はＳｉＯからなるセラミクス膜である。

３はＴｅＳｅからなる記録膜である。５は樹脂基板であ
る。第６図（ａ）、　（ｂ）は、実施例３のディスクと
、実施例３のディスクにおいてセラミクス［！６の無い
従来の形のディスクとの耐候性試験及び機械特性試験の
結果である。第６図（ａ）、（ｂ）の結果より、実施例
３のディスクは、耐候性及び機械特性を大幅に改善する
ことが出来たことが分かる。また、記録膜にＴｅＳｂ、
ＴｅＢ１、セラミクス膜にＳ　ｉ　０２をそれぞれ組み
合わせて用いた場合も同様の結果が得られた。

なお、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられ
るべきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の
変更は可能である。

［発明の効果］　以上述べたように、本発明によれば、
ＰＣ基板の記録面の反対側にセラミクス膜を配置するこ
とによって、このＰＣ基板への水分等の侵入を防ぐこと
と、このＰＣ基板の膨張の対称性をよくすることにより
、光メモリ媒体の耐候性を改善することができ、また光
メモリ媒体の高温高温下での機械特性も良好になるとい
う効果を有する。特にオーバーライド用のヘッドとして
浮励磁気ヘッドまたはフィルム状ヘッドを用いる場合、
ディスク面からヘッドまでの距離が非常に近いため（浮
動磁気ヘッドで約３μｍ、フィルム状ヘッドで約０．］
、ｍｍ）、このように機械特性のよい光メモリ媒体は非
常に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリ媒体の実施例１の側面断面図
を示す。第２図（ａ）、　（ｂ）は、実施例１のディスクと、従
来の、実施例１のディスクにおいてセラミ第３図は本発
明の光メモリ媒体の実施例２の側面断面図を示す。第４図（ａ）、　（ｂ）は、実施例２のディスクと、従
来の、実施例２のディスクにおいてセラミクス膜３０４
の無いディスクとの、耐候性試験、機械特性試験をそれ
ぞれ行なった結果を示す図。第５図は本発明の光メモリ媒体の実施例３０側面断面図
を示す。第６図（ａ）、　（ｂ）は、実施例３のディスクと、従
来の、実施例３のディスクにおいてセラミクス膜５０６
の無いディスクとの、耐候性試験、機械特性試験をそれ
ぞれ行なった結果を示す図。図中、１０１、　１０８．　３０１．　３０５．　５０１．　
５０７：　樹脂保護膜１０２．３０２：　反射膜１０３，１０５，１０７．３
０４，５０２，５０４．５０７：　セラミクス膜１０６．３０３，５０５：　透明樹脂基板２０１．２０
３：　従来の光磁気ディスク２０２、　２０４：　実施
例１の光磁気ディスク４０１．４０３：　従来のＣＤ−
ＲＯＭ４０２．４０４：　実施例２のＣＤ−ＲＯＭ６０
１．６０３：　従来の相変化メモリディスク６０２．６
０４：　　実施例３の相変化メモリディスク以上第１図時間（ａ）第２図（ｂ）第２図時間（ｂ）第５図時間（ａ）第６図（ｂ）第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）単板型の光メモリ媒体において、透明樹脂基板の
片側の面に記録保持面を形成し、その反対側の面にセラ
ミクス膜を配置し、更に前記記録保持面と前記セラミク
ス膜の両側に樹脂膜コートする構成としたことを特徴と
した光メモリ媒体。
（２）前記記録保持面に、セラミクス膜と、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、セラミクス膜と、
反射膜を、前記透明樹脂基板側から、この順に配置した
ことを特徴とする光メモリ媒体。
（３）前記透明樹脂基板の記録保持面側に微細ピット列
を形成し、その上に反射膜を形成したことを特徴とする
光メモリ媒体。
（４）前記記録保持面に、セラミクス膜と、相変化を利
用した記録膜と、セラミクス膜をこの順に配置したこと
を特徴とする光メモリ媒体。