JPH0442736B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0442736B2 JPH0442736B2 JP57169330A JP16933082A JPH0442736B2 JP H0442736 B2 JPH0442736 B2 JP H0442736B2 JP 57169330 A JP57169330 A JP 57169330A JP 16933082 A JP16933082 A JP 16933082A JP H0442736 B2 JPH0442736 B2 JP H0442736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- memory device
- location
- optical memory
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈技術分野〉
本発明は光学的に情報を再生し得る光メモリ装
置に関する。
置に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが、光のビーム径だけで決まるため1μm
程度の大きさにすることが可能なためである。し
かしこの事は光メモリ装置に多くの制限を加える
事になる。即ちある定まつた場所に情報を記録し
たり、あるいはある定まつた場所に記録された情
報を再生したりするためには光ビームを極めて正
確に位置決めしなければならない。一般に再生専
用メモリでは記録したビツトに予め番地情報を入
れておく事ができるので記録情報を再生しながら
位置決めすることができるが、追加記録メモリあ
るいは書き換え可能なメモリでは情報記録時に番
地情報迄一緒に記録する事は困難であるので、メ
モリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番
地を入れておくという方法が採られる。例えば第
１図に従来のメモリ基板の一部斜視図を示すが同
図に示す如く基板に凹凸の溝を形成しておきこの
溝に沿つて情報を記録あるいは再生する方法が一
般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した
形状を有しこれが溝の番地を示すビツト情報を与
えるのである。
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが、光のビーム径だけで決まるため1μm
程度の大きさにすることが可能なためである。し
かしこの事は光メモリ装置に多くの制限を加える
事になる。即ちある定まつた場所に情報を記録し
たり、あるいはある定まつた場所に記録された情
報を再生したりするためには光ビームを極めて正
確に位置決めしなければならない。一般に再生専
用メモリでは記録したビツトに予め番地情報を入
れておく事ができるので記録情報を再生しながら
位置決めすることができるが、追加記録メモリあ
るいは書き換え可能なメモリでは情報記録時に番
地情報迄一緒に記録する事は困難であるので、メ
モリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番
地を入れておくという方法が採られる。例えば第
１図に従来のメモリ基板の一部斜視図を示すが同
図に示す如く基板に凹凸の溝を形成しておきこの
溝に沿つて情報を記録あるいは再生する方法が一
般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した
形状を有しこれが溝の番地を示すビツト情報を与
えるのである。
〈目的〉
本発明は以上の従来技術に改良を加えるもの
で、光メモリ装置におけるガイド情報の信号量を
増加せしめることを目的とする。
で、光メモリ装置におけるガイド情報の信号量を
増加せしめることを目的とする。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ装置の一実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第２図は本発明に係る光メモリ装置の透明基板
の一部斜視図である。同図で１はガラス板（屈折
率1.5）からなる透明平面基板であり、該透明平
面基板１上に厚さが60nmの透明なホトレジスト
膜２（屈折率1.65）によつて線状若しくは断続線
状の溝２′が形成されている。そして前記透明平
面基板１と前記ホトレジスト膜２とから透明基板
３が構成される。尚前記透明平面基板１の屈折率
と前記ホトレジスト膜２の屈折率とは前述のよう
に相違する。
の一部斜視図である。同図で１はガラス板（屈折
率1.5）からなる透明平面基板であり、該透明平
面基板１上に厚さが60nmの透明なホトレジスト
膜２（屈折率1.65）によつて線状若しくは断続線
状の溝２′が形成されている。そして前記透明平
面基板１と前記ホトレジスト膜２とから透明基板
３が構成される。尚前記透明平面基板１の屈折率
と前記ホトレジスト膜２の屈折率とは前述のよう
に相違する。
第３図は本発明に係る光メモリ装置の一実施例
の一部側面断面図である。同図の光メモリ装置は
第２図の透明基板３上に記録媒体を形成したもの
である。１は透明平面基板、２はホトレジスト
膜、４は透明なSiO膜（屈折率1.95）、５は記録媒
体なるスパツタリングによつて形成された
GdTbFe，TbFe，GdDyFe，GdTbDyFe等のア
モルフアス垂直磁化膜、６は透明なSiO2膜、７
はCu反射膜である。以上の第３図に記載された
光メモリ装置は所謂磁気光学記録装置であり、記
録媒体であるアモルフアス垂直磁化膜５の一部に
レーザ光を照射してキユリー点温度付近迄温度上
昇せしめその部分の磁化の向きを外部磁界を印加
して反転させる（熱磁気記録）方式で記録を行な
い、また記録情報を読み出す時は上記アモルフア
ス垂直磁化膜５にコヒーレントな光を照射し、そ
の光のカー効果あるいはフアラデー効果による偏
波面の回転を検光子などを通すことによつて上記
アモルフアス垂直磁化膜５の磁化状態の変化を光
の強弱として検出し記録情報を読み出すものであ
る。上記SiO膜４及びSiO2膜６及びCu反射膜７
は上記アモルフアス垂直磁化膜５によるカー回転
角を増加させる為に設けられたものである。
の一部側面断面図である。同図の光メモリ装置は
第２図の透明基板３上に記録媒体を形成したもの
である。１は透明平面基板、２はホトレジスト
膜、４は透明なSiO膜（屈折率1.95）、５は記録媒
体なるスパツタリングによつて形成された
GdTbFe，TbFe，GdDyFe，GdTbDyFe等のア
モルフアス垂直磁化膜、６は透明なSiO2膜、７
はCu反射膜である。以上の第３図に記載された
光メモリ装置は所謂磁気光学記録装置であり、記
録媒体であるアモルフアス垂直磁化膜５の一部に
レーザ光を照射してキユリー点温度付近迄温度上
昇せしめその部分の磁化の向きを外部磁界を印加
して反転させる（熱磁気記録）方式で記録を行な
い、また記録情報を読み出す時は上記アモルフア
ス垂直磁化膜５にコヒーレントな光を照射し、そ
の光のカー効果あるいはフアラデー効果による偏
波面の回転を検光子などを通すことによつて上記
アモルフアス垂直磁化膜５の磁化状態の変化を光
の強弱として検出し記録情報を読み出すものであ
る。上記SiO膜４及びSiO2膜６及びCu反射膜７
は上記アモルフアス垂直磁化膜５によるカー回転
角を増加させる為に設けられたものである。
第４図は透明平面基板１側から入射したレーザ
光の反射率を第３図の光メモリ装置のホトレジス
ト膜２の存在する個所Ａとホトレジスト膜２の存
在しない個所Ｂ（ホトレジスト膜２の溝部分）と
の両方についてSiO膜４の膜厚を変化させつつ求
め、その反射率特性を図示したものである。第５
図に上記個所Ｂにレーザ光を照射している状態を
示す。第４図のは上記個所Ａにおける反射率、
同図のは上記個所Ｂにおける反射率である。尚
同図のは上記個所Ｂに対応する上記アモルフア
ス垂直磁化膜５に情報を記録しその後再生した時
の反射光量の平方根とカー回転角の積（この値は
再生信号雑音比Ｓ／Ｎを示す）である。
光の反射率を第３図の光メモリ装置のホトレジス
ト膜２の存在する個所Ａとホトレジスト膜２の存
在しない個所Ｂ（ホトレジスト膜２の溝部分）と
の両方についてSiO膜４の膜厚を変化させつつ求
め、その反射率特性を図示したものである。第５
図に上記個所Ｂにレーザ光を照射している状態を
示す。第４図のは上記個所Ａにおける反射率、
同図のは上記個所Ｂにおける反射率である。尚
同図のは上記個所Ｂに対応する上記アモルフア
ス垂直磁化膜５に情報を記録しその後再生した時
の反射光量の平方根とカー回転角の積（この値は
再生信号雑音比Ｓ／Ｎを示す）である。
次に第４図に示した反射率特性について説明す
る。第３図の光メモリ装置の構造においてSiO膜
４が存在しない場合即ちSiO膜４の膜厚が０の場
合について考えれば、透明平面基板１側から上記
個所Ａの部分に入射したレーザ光のみが透明なホ
トレジスト膜２内部で多重干渉する為に反射光量
が減少する。その為に上記個所Ａと個所Ｂとでは
反射率が相違し個所Ａの方が反射率が小さくな
る。又第３図の光メモリ装置の構造においてホト
レジスト膜２及びその溝上にSiO膜４を層設した
場合は透明平面基板１側から入射したレーザ光は
上記個所Ａでは透明なホトレジスト膜２及びSiO
膜４からなる２層膜の内部にて多重干渉し一方上
記個所ＢではSiO膜４だけの内部にて多重干渉す
る。そしてこの多重干渉の程度は上記SiO膜４の
膜厚の程度によつて大きく変化する。その為に第
４図の及びの如く上記SiO膜４の膜厚によつ
て反射率は大きく変化するのである。第４図のＣ
及びＤで示したSiO膜厚では個所Ａにおける反射
率と個所Ｂにおける反射率とは一致してい
る。これは個所Ａにおける多重干渉状態と個所Ｂ
における多重干渉状態とが一致する為である。又
SiO膜厚がＥ（60nm及び210nm）の近辺では個所
Ａにおける反射率より個所Ｂにおける反射率
が小さくなつている。これは個所Ａにおける多重
干渉より個所Ｂにおける多重干渉の方が反射光の
減少効果が大きい為である。
る。第３図の光メモリ装置の構造においてSiO膜
４が存在しない場合即ちSiO膜４の膜厚が０の場
合について考えれば、透明平面基板１側から上記
個所Ａの部分に入射したレーザ光のみが透明なホ
トレジスト膜２内部で多重干渉する為に反射光量
が減少する。その為に上記個所Ａと個所Ｂとでは
反射率が相違し個所Ａの方が反射率が小さくな
る。又第３図の光メモリ装置の構造においてホト
レジスト膜２及びその溝上にSiO膜４を層設した
場合は透明平面基板１側から入射したレーザ光は
上記個所Ａでは透明なホトレジスト膜２及びSiO
膜４からなる２層膜の内部にて多重干渉し一方上
記個所ＢではSiO膜４だけの内部にて多重干渉す
る。そしてこの多重干渉の程度は上記SiO膜４の
膜厚の程度によつて大きく変化する。その為に第
４図の及びの如く上記SiO膜４の膜厚によつ
て反射率は大きく変化するのである。第４図のＣ
及びＤで示したSiO膜厚では個所Ａにおける反射
率と個所Ｂにおける反射率とは一致してい
る。これは個所Ａにおける多重干渉状態と個所Ｂ
における多重干渉状態とが一致する為である。又
SiO膜厚がＥ（60nm及び210nm）の近辺では個所
Ａにおける反射率より個所Ｂにおける反射率
が小さくなつている。これは個所Ａにおける多重
干渉より個所Ｂにおける多重干渉の方が反射光の
減少効果が大きい為である。
次にガイド信号の信号量について考察する。ガ
イド信号はホトレジスト膜２の存在しない個所Ｂ
つまりホトレジスト膜２に継続的に形成されてい
る60nmの深さの溝によつて与えられる。即ちデ
イスク上を円周に沿つて移動するレーザ光スポツ
トが上記溝部分に至つた時にレーザ光の反射光が
減少することにより該レーザ光の減少をガイド信
号として検知するのである。ここでSiO膜４の膜
厚が第４図のＣ又はＤの点で与えられる値である
場合つまり個所Ａと個所Ｂでの反射率が同一であ
る場合はレーザ光の反射光の減少は回折効果によ
つてのみ与えられる。しかしSiO膜４の膜厚が第
４図のＥの点即ち60nm若しくは210nmの近辺で
は個所Ａでの反射率より個所Ｂでの反射率の
方が相対的に小さいのでレーザ光スポツトがホト
レジスト膜２の溝部分に至つた時のレーザ光の反
射光の減少は回折効果と反射率の相違に基づく減
光効果とが相和し著しいものとなる。上記SiO膜
４の膜厚である60nm，210nmの値はガイド信号
が最も顕著に得ることのできる膜厚であり、この
膜厚は上記SiO膜４のみによる多重干渉により反
射光量が極小になる膜厚に相当する。
イド信号はホトレジスト膜２の存在しない個所Ｂ
つまりホトレジスト膜２に継続的に形成されてい
る60nmの深さの溝によつて与えられる。即ちデ
イスク上を円周に沿つて移動するレーザ光スポツ
トが上記溝部分に至つた時にレーザ光の反射光が
減少することにより該レーザ光の減少をガイド信
号として検知するのである。ここでSiO膜４の膜
厚が第４図のＣ又はＤの点で与えられる値である
場合つまり個所Ａと個所Ｂでの反射率が同一であ
る場合はレーザ光の反射光の減少は回折効果によ
つてのみ与えられる。しかしSiO膜４の膜厚が第
４図のＥの点即ち60nm若しくは210nmの近辺で
は個所Ａでの反射率より個所Ｂでの反射率の
方が相対的に小さいのでレーザ光スポツトがホト
レジスト膜２の溝部分に至つた時のレーザ光の反
射光の減少は回折効果と反射率の相違に基づく減
光効果とが相和し著しいものとなる。上記SiO膜
４の膜厚である60nm，210nmの値はガイド信号
が最も顕著に得ることのできる膜厚であり、この
膜厚は上記SiO膜４のみによる多重干渉により反
射光量が極小になる膜厚に相当する。
次に第４図に示したＳ／Ｎ比特性の現象につい
て説明する。同図ののグラフは第３図のＢの部
分に記録された情報に関するSiO膜４の膜厚を変
化させた時のＳ／Ｎ比特性を示している。同図の
のグラフによればＳ／Ｎ比が極大となるのは
SiO膜４の膜厚が同図のＣの時である。従つて磁
気光学効果によるＳ／Ｎを重視する場合はSiO膜
４の膜厚が同図のＣであれば最も適する。この結
論は上述したガイド信号の信号量を最も顕著に得
ることのできるSiO膜４の膜厚の値とは異なる。
しかし磁気光学効果に基づくＳ／Ｎ値が十分であ
る場合には上述したガイド信号の信号量が最も顕
著に得ることのできるSiO膜４の膜厚に設定する
ことが適切である。
て説明する。同図ののグラフは第３図のＢの部
分に記録された情報に関するSiO膜４の膜厚を変
化させた時のＳ／Ｎ比特性を示している。同図の
のグラフによればＳ／Ｎ比が極大となるのは
SiO膜４の膜厚が同図のＣの時である。従つて磁
気光学効果によるＳ／Ｎを重視する場合はSiO膜
４の膜厚が同図のＣであれば最も適する。この結
論は上述したガイド信号の信号量を最も顕著に得
ることのできるSiO膜４の膜厚の値とは異なる。
しかし磁気光学効果に基づくＳ／Ｎ値が十分であ
る場合には上述したガイド信号の信号量が最も顕
著に得ることのできるSiO膜４の膜厚に設定する
ことが適切である。
以上説明した本発明に係る実施例では磁気光学
記録装置に適用した例について説明したが、本発
明た例えばTe，TeS，TeOx等を記録媒体とする
追加記録型の光デイスクにおいても利用できる。
又上述した透明平面基板１はPMMA.若しくはポ
リカーボネート等の樹脂基板であつても良く、更
に上述したホトレジスト膜２の代わりにSiO，
SiO2，Si3N4，TiO2，Ta2O5等の透明体を用いて
も良く、更に上述したSiO膜４の代わりに他の透
明体を用いても構わない。要は透明平面基板１の
屈折率とホトレジスト膜２（若しくはその代用透
明体）の屈折率とSiO膜４（若しくはその代用透
明体）の屈折率が互いに相違すれば良いのであ
る。
記録装置に適用した例について説明したが、本発
明た例えばTe，TeS，TeOx等を記録媒体とする
追加記録型の光デイスクにおいても利用できる。
又上述した透明平面基板１はPMMA.若しくはポ
リカーボネート等の樹脂基板であつても良く、更
に上述したホトレジスト膜２の代わりにSiO，
SiO2，Si3N4，TiO2，Ta2O5等の透明体を用いて
も良く、更に上述したSiO膜４の代わりに他の透
明体を用いても構わない。要は透明平面基板１の
屈折率とホトレジスト膜２（若しくはその代用透
明体）の屈折率とSiO膜４（若しくはその代用透
明体）の屈折率が互いに相違すれば良いのであ
る。
〈効果〉
本発明によればガイド信号が顕著な光メモリ装
置を得る。
置を得る。
第１図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第２
図は本発明に係る光メモリ装置の透明基板の一部
斜視図、第３図は本発明に係る光メモリ装置の一
実施例の一部側面断面図、第４図は反射率及び
Ｓ／Ｎ比の特性グラフ図、第５図は光メモリ装置
へレーザ光を照射した状態を示す説明図である。 図中、１……透明平面基板、２……ホトレジス
ト膜、２′……溝、３……透明基板、４……SiO
膜、５……アモルフアス垂直磁化膜、６……
SiO2膜、７……Cu反射膜。
図は本発明に係る光メモリ装置の透明基板の一部
斜視図、第３図は本発明に係る光メモリ装置の一
実施例の一部側面断面図、第４図は反射率及び
Ｓ／Ｎ比の特性グラフ図、第５図は光メモリ装置
へレーザ光を照射した状態を示す説明図である。 図中、１……透明平面基板、２……ホトレジス
ト膜、２′……溝、３……透明基板、４……SiO
膜、５……アモルフアス垂直磁化膜、６……
SiO2膜、７……Cu反射膜。
Claims (1)
- １ 光学的に情報の再生を行う光メモリ装置にお
いて、記録媒体が層設される平面円板状の透明基
板上に該透明基板と屈折率の異なる透明体を被覆
することにより線状若しくは断続線状の溝を形成
し該溝の部分の反射率の相違に基づく光学的変化
を記録情報の再生を行う際のガイド情報としたこ
とを特徴とする光メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169330A JPS5958641A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169330A JPS5958641A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958641A JPS5958641A (ja) | 1984-04-04 |
| JPH0442736B2 true JPH0442736B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=15884545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169330A Granted JPS5958641A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958641A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59185053A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58133648A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57169330A patent/JPS5958641A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5958641A (ja) | 1984-04-04 |
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