JPH0432449B2 - - Google Patents
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- JPH0432449B2 JPH0432449B2 JP1148890A JP14889089A JPH0432449B2 JP H0432449 B2 JPH0432449 B2 JP H0432449B2 JP 1148890 A JP1148890 A JP 1148890A JP 14889089 A JP14889089 A JP 14889089A JP H0432449 B2 JPH0432449 B2 JP H0432449B2
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- thin film
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- silicon nitride
- film
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
〈従来技術〉
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足しうる光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
要求を満足しうる光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
そして、既に実用化に達したものとして、記憶
デイスクに微細ピツト列を形成し、各ピツト部に
おける光ビームの回折現象を利用して再生信号を
得る装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して
再生信号を得る装置がある。
デイスクに微細ピツト列を形成し、各ピツト部に
おける光ビームの回折現象を利用して再生信号を
得る装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して
再生信号を得る装置がある。
しかしながら、これら装置は再生専用であるか
又は再生及び情報の追加記憶が可能なものに留ど
まり、不要な情報を消去し、再記録までも可能な
ものについては未だ研究開発段階にある。
又は再生及び情報の追加記憶が可能なものに留ど
まり、不要な情報を消去し、再記録までも可能な
ものについては未だ研究開発段階にある。
この不要な情報を消去し、再記録までも可能な
ものとして有力な装置としては記録材料として垂
直磁化膜を利用した磁気光学記憶装置が有力であ
る。
ものとして有力な装置としては記録材料として垂
直磁化膜を利用した磁気光学記憶装置が有力であ
る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、磁気光学記憶装置は上記の再記録の利
点を有する一方で再生信号レベルが低いという欠
点がある。
点を有する一方で再生信号レベルが低いという欠
点がある。
特に磁気光学記憶素子からの反射光を利用して
情報の再生を行う、カー効果再生方式においては
カー回転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）
を高める事が困難であつた。その為従来では記憶
媒体である磁性材料を改良したり或は記憶媒体上
にSiOやSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例と
してMnBi磁性体膜上にSiO膜を形成することに
よつてカー回転が0.7度から3.6度に増大した例が
報告されている（J.Appl.Phys.Vo145 no8
august 1974）。
情報の再生を行う、カー効果再生方式においては
カー回転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）
を高める事が困難であつた。その為従来では記憶
媒体である磁性材料を改良したり或は記憶媒体上
にSiOやSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例と
してMnBi磁性体膜上にSiO膜を形成することに
よつてカー回転が0.7度から3.6度に増大した例が
報告されている（J.Appl.Phys.Vo145 no8
august 1974）。
しかしながら上記SiOやSiO2の誘電体薄膜で
は、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食の
実質的な防御とはなり得なく、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合
は記録ビツト径が1μｍ程度であるためピツト検
出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電
体薄膜を形成することは実用に適さなかつた。そ
して前記腐食の防御及びほこりやゴミに対する対
策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂
を磁性体に被覆することが望ましいとされてい
る。しかしこの被覆材では当然ながらカー回転角
の増大は難しく、従つてＳ／Ｎ比の増大の効果を
得ることも困難である。
は、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食の
実質的な防御とはなり得なく、又1μｍ程度の小
さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合
は記録ビツト径が1μｍ程度であるためピツト検
出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の誘電
体薄膜を形成することは実用に適さなかつた。そ
して前記腐食の防御及びほこりやゴミに対する対
策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透明樹脂
を磁性体に被覆することが望ましいとされてい
る。しかしこの被覆材では当然ながらカー回転角
の増大は難しく、従つてＳ／Ｎ比の増大の効果を
得ることも困難である。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたもの
であり、透明基板上に、該透明基板の屈折率より
充分屈折率の値が大きい窒化シリコンからなる透
明薄膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性
体薄膜と、窒化シリコンからなる層と、金属反射
膜とをこの順に配置することによつて前記磁性体
薄膜の両側に窒化シリコンを設け、前記透明基板
より前記磁性体薄膜に光を入射する構成としたこ
とを特徴とする磁気光学記憶素子である。
であり、透明基板上に、該透明基板の屈折率より
充分屈折率の値が大きい窒化シリコンからなる透
明薄膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性
体薄膜と、窒化シリコンからなる層と、金属反射
膜とをこの順に配置することによつて前記磁性体
薄膜の両側に窒化シリコンを設け、前記透明基板
より前記磁性体薄膜に光を入射する構成としたこ
とを特徴とする磁気光学記憶素子である。
〈作用〉
本発明は上記の構成を採ることにより、透明基
板側から入射した光は窒化シリコン膜の内部で干
渉をおこし、それによつて、窒化シリコンが存在
しない場合と比較してカー回転角を増大するもの
である。
板側から入射した光は窒化シリコン膜の内部で干
渉をおこし、それによつて、窒化シリコンが存在
しない場合と比較してカー回転角を増大するもの
である。
更に、窒化シリコンは単に屈折率が大きいだけ
でなく、熱伝導率が高いので入射光の光量を大き
くしても窒化シリコンにおいて熱が伝搬し易く、
光を照射したとき、磁性体薄膜での必要以上の熱
上昇を防ぐことができる。従つて、入射光量を多
くできるので結果的に高いＳ／Ｎ比を得ることが
できる。
でなく、熱伝導率が高いので入射光の光量を大き
くしても窒化シリコンにおいて熱が伝搬し易く、
光を照射したとき、磁性体薄膜での必要以上の熱
上昇を防ぐことができる。従つて、入射光量を多
くできるので結果的に高いＳ／Ｎ比を得ることが
できる。
又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱層を
設けるようにして、金属反射膜への過度の熱伝導
を防止している。即ち、磁性体薄膜と金属反射膜
とが密着していると磁性体薄膜に対して記録する
際において、熱が金属反射膜に分散して磁性体薄
膜の熱が上昇し難くなるので、記録する際に支障
が生ずる。これに対し断熱層があれば磁性体薄膜
において熱が蓄えられ加熱を容易にする。
設けるようにして、金属反射膜への過度の熱伝導
を防止している。即ち、磁性体薄膜と金属反射膜
とが密着していると磁性体薄膜に対して記録する
際において、熱が金属反射膜に分散して磁性体薄
膜の熱が上昇し難くなるので、記録する際に支障
が生ずる。これに対し断熱層があれば磁性体薄膜
において熱が蓄えられ加熱を容易にする。
また、この断熱層に窒化シリコンからなる層を
用いることによつて、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体薄膜を窒化シリコンで挟みこむの
で、磁性体薄膜の酸化を防止する効果が高く、磁
気光学記憶素子の信頼性を高めることができる。
用いることによつて、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する磁性体薄膜を窒化シリコンで挟みこむの
で、磁性体薄膜の酸化を防止する効果が高く、磁
気光学記憶素子の信頼性を高めることができる。
〈実施例〉
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
図面は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例の側面断面図である。
施例の側面断面図である。
図で、１はガラス、アクリル樹脂等の透明基板
で厚さは0.5〜２mm程度である。２はSi3N4（窒化
シリコン）からなる透明薄膜である。３は
MnBi，TbDyFe，GdTbFe等の膜面に垂直な磁
化容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜
３は接着層４により支持基板５に接着される。
尚、図面の構成に加え磁性体薄膜３と接着層４と
の間にAl，Au，Ag，Cu等の反射膜層を設けて
いる。更に反射膜と磁性体薄膜３の間にSi3N4か
らなる層を設けている。
で厚さは0.5〜２mm程度である。２はSi3N4（窒化
シリコン）からなる透明薄膜である。３は
MnBi，TbDyFe，GdTbFe等の膜面に垂直な磁
化容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜
３は接着層４により支持基板５に接着される。
尚、図面の構成に加え磁性体薄膜３と接着層４と
の間にAl，Au，Ag，Cu等の反射膜層を設けて
いる。更に反射膜と磁性体薄膜３の間にSi3N4か
らなる層を設けている。
上記基板１の屈折率は1.5、Si3N4からなる透明
薄膜２の屈折率は2.0である為基板１より入射し
た光はSi3N4からなる透明薄膜２の中で干渉し、
それによつてカー効果は増大する。従つてＳ／Ｎ
比は向上する。尚、上記透明薄膜２の材質である
Si3N4は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導
率が良い為、Ｓ／Ｎ比の向上に寄与するものであ
る。
薄膜２の屈折率は2.0である為基板１より入射し
た光はSi3N4からなる透明薄膜２の中で干渉し、
それによつてカー効果は増大する。従つてＳ／Ｎ
比は向上する。尚、上記透明薄膜２の材質である
Si3N4は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導
率が良い為、Ｓ／Ｎ比の向上に寄与するものであ
る。
即ち、磁気光学記憶素子において、
Ｓ／Ｎ比はΘk＊√（Θkはカー回転角、Ｒは反
射光量）に比例するものであり、Θkだけ高めて
も反射光量が少なくては所定のＳ／Ｎ比を得るこ
とが出来ない。しかし、上記磁性体薄膜３に熱伝
導性の悪い物質が被覆される場合、照射光によつ
て上記磁性体薄膜３は容易に温度上昇し、記録情
報が乱されてしまう恐れがある。即ち、上記磁性
体薄膜３は外部磁場の供給が無くとも特定部分の
温度が上昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜
自身の磁場によつて磁化の反転を生ずることが有
るのである。よつて照射光量を多くできずその為
反射光量を充分に得ることが出来ない。
射光量）に比例するものであり、Θkだけ高めて
も反射光量が少なくては所定のＳ／Ｎ比を得るこ
とが出来ない。しかし、上記磁性体薄膜３に熱伝
導性の悪い物質が被覆される場合、照射光によつ
て上記磁性体薄膜３は容易に温度上昇し、記録情
報が乱されてしまう恐れがある。即ち、上記磁性
体薄膜３は外部磁場の供給が無くとも特定部分の
温度が上昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜
自身の磁場によつて磁化の反転を生ずることが有
るのである。よつて照射光量を多くできずその為
反射光量を充分に得ることが出来ない。
一方、Si3N4は熱伝導率が良い（実験によれば
SiOは1.5J／ｍ・ｓ・ｋ，ZnSは2J／ｍ・ｓ・ｋ
に対してSi3N4は10〜20J／ｍ・ｓ・ｋ程度の熱
伝導率が得られる。）為、磁性体薄膜３に対して
供給する光量を多くしてもSi3N4から熱が伝搬す
るため上記の反射光量Ｒを大きくでき、その結果
Ｓ／Ｎ比を向上することが出来るものである。
SiOは1.5J／ｍ・ｓ・ｋ，ZnSは2J／ｍ・ｓ・ｋ
に対してSi3N4は10〜20J／ｍ・ｓ・ｋ程度の熱
伝導率が得られる。）為、磁性体薄膜３に対して
供給する光量を多くしてもSi3N4から熱が伝搬す
るため上記の反射光量Ｒを大きくでき、その結果
Ｓ／Ｎ比を向上することが出来るものである。
また、上記の点以外に、ZnSを用いた場合、温
度の上昇につれその結晶粒が成長し、その結晶粒
の表面で著しい乱反射が発生するため、光の透過
量が著しく減少する。しかるに、磁気光学記憶素
子の成膜工程等の製造過程において温度上昇の発
生は避けられない。よつて、ZnSは上記透明薄膜
２として使うことには極めて難がある。
度の上昇につれその結晶粒が成長し、その結晶粒
の表面で著しい乱反射が発生するため、光の透過
量が著しく減少する。しかるに、磁気光学記憶素
子の成膜工程等の製造過程において温度上昇の発
生は避けられない。よつて、ZnSは上記透明薄膜
２として使うことには極めて難がある。
これに対し、Si3N4は温度の上昇に対しても優
れた安定性を有し、光の透過量が減少するといつ
た問題が生じず、非常に優れている。
れた安定性を有し、光の透過量が減少するといつ
た問題が生じず、非常に優れている。
以上の実施例に留どまらず本発明の好適な実施
の形態として次のものが挙げられる。
の形態として次のものが挙げられる。
(1) 基板１に凹凸状のガイドトラツクを形成す
る。
る。
(2) 磁性体薄膜３を非晶質磁性体にて形成し、そ
の一部を結晶化せしめガイドトラツクとなす。
の一部を結晶化せしめガイドトラツクとなす。
(3) 支持基板５に対して両側面に図面の構成を設
け両面仕様とする。
け両面仕様とする。
以上の(1)〜(3)の形態は互いに組み合わせること
も可能である。
も可能である。
〈効果〉
以上説明したごとく本発明によれば、カー回転
角を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐
食及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能な
ものであり、極めて実用的な構成にてカー回転角
の増大化が達成できるものである。
角を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐
食及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能な
ものであり、極めて実用的な構成にてカー回転角
の増大化が達成できるものである。
更に、透明基板上に、該透明基板の屈折率より
充分屈折率の値が大きい透明薄膜の材質として熱
伝導率の良い窒化シリコンを用いているので、磁
性体薄膜に対して充分な光の量を供給でき、その
結果として良好なＳ／Ｎ比を得ることができるも
のである。
充分屈折率の値が大きい透明薄膜の材質として熱
伝導率の良い窒化シリコンを用いているので、磁
性体薄膜に対して充分な光の量を供給でき、その
結果として良好なＳ／Ｎ比を得ることができるも
のである。
又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱層を
設けようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を
防止しているので、熱が金属反射膜に分散して磁
性体薄膜の熱が上昇し難くなることを回避でき
る。即ち、断熱層があれば磁性体薄膜において熱
が蓄えられ加熱を容易にするものである。
設けようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を
防止しているので、熱が金属反射膜に分散して磁
性体薄膜の熱が上昇し難くなることを回避でき
る。即ち、断熱層があれば磁性体薄膜において熱
が蓄えられ加熱を容易にするものである。
さらに、本発明では磁性体薄膜を窒化シリコン
で挟みこむので磁性体薄膜の酸化を防止すること
ができ、信頼性の高い磁気光学記憶素子を提供す
ることができる。
で挟みこむので磁性体薄膜の酸化を防止すること
ができ、信頼性の高い磁気光学記憶素子を提供す
ることができる。
図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施
例の側面断面図を示す。 図中、１……基板、２……透明薄膜、３……磁
性体薄膜、４……接着層、５……支持基板。
例の側面断面図を示す。 図中、１……基板、２……透明薄膜、３……磁
性体薄膜、４……接着層、５……支持基板。
Claims (1)
- １ 透明基板上に、該透明基板の屈折率より充分
屈折率の値が大きい窒化シリコンからなる透明薄
膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄
膜と、窒化シリコンからなる層と、金属反射膜と
をこの順に配置することによつて前記磁性体薄膜
の両側に窒化シリコンを設け、前記透明基板より
前記磁性体薄膜に光を入射する構成としたことを
特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889089A JPH038155A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889089A JPH038155A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5407081A Division JPS57169996A (en) | 1981-01-14 | 1981-04-09 | Magnetooptic storage element |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304568A Division JP2672914B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038155A JPH038155A (ja) | 1991-01-16 |
| JPH0432449B2 true JPH0432449B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=15462990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889089A Granted JPH038155A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038155A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2672914B2 (ja) * | 1991-11-20 | 1997-11-05 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD98782A1 (ja) * | 1972-06-27 | 1973-07-12 | ||
| JPS50151035A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14889089A patent/JPH038155A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD98782A1 (ja) * | 1972-06-27 | 1973-07-12 | ||
| JPS50151035A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038155A (ja) | 1991-01-16 |
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