JPH038155A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消去を行う
磁気光学記憶素子に関する。

〈従来技術〉 近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の要求を満
足しうる光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。

そして、既に実用化に達したものとして、記憶ディスク
に微細ビット列を形成し、各ピット部における光ビーム
の回折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶媒
体の反射率変化を利用して再生信号を得る装置がある。

しかしながら、これら装置は再生専用であるか又は再生
及び情報の追加記憶が可能なものに留どまり、不要な情
報を消去し、再記録までも可能なものについては未だ研
究開発段階にある。

この不要な情報を消去し、再記録までも可能なものとし
て有力な装置としては記録材料として垂直磁化膜を利用
した磁気光学記憶装置が有力である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、磁気光学記憶装置は上記の再記録の利点を有す
る一方で再生信号レベルが低いという欠点かある。

特に磁気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再
生を行う、カー効果再生方式においてはカー回転角が小
さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）を高める事が困難であ
った。その為従来では記録媒体である磁性材料を改良し
たり或は記録媒体上にＳｉＯや５ｉｆｔの誘電体薄膜を
形成したりしてカー回転角を高める工夫かなされていた
。後者の例としてＭ　ｎ　Ｂ　ｉ磁性体膜上にＳｉＯ膜
を形成することによってカー回転角が０．７度から３６
度に増大した例が報告されている（　Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓＪｏ１４５　ｎｏ８　ａｕｇｕｓｔ　１９７４）
。

しかしながら上記ＳｉＯや５ｉｆｔの誘電体薄膜では、
磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食の実質的な防
御とはなり得なく、又１μｍ程度の小さなほこりやゴミ
が該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビット径が１μｍ
程度であるためビット検出が不可能になり、よって上記
ＳｉＯ，５ｉＯ１の誘電体薄膜を形成することは実用に
適さなかった。そして前記腐食の防御及びほこりやゴミ
に対する対策の為には０．５〜２ｍｍ程度のガラス又は
透明樹脂を磁性体に被覆することが望ましいとされてい
る。しかしこの被覆材では当然ながらカー回転角の増大
は難しく、従ってＳ／Ｎ比の増大の効果を得ることも困
難である。

〈問題点を解決するための手段〉 本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、
透明基板上に、該透明基板の屈折率より充分屈折率の値
が大きい窒化シリコンからなる透明薄膜と、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、断熱層と、金属反
射膜とを、この順に配置し、前記透明基板より前記磁性
体薄膜に光を入射する構成としたものである。

〈作用〉 本発明は上記の構成を採ることにより、透明基板側から
入射した光は窒化ンリコン膜の内部で干渉をおこし、そ
れによって、窒化シリコンが存在しない場合と比較して
カー回転角を増大するものである。

更に、窒化シリコンは単に屈折率が大きいだけでなく、
熱伝導率が高いので入射光の光量を大きくしても窒化シ
リコンにおいて熱が伝搬し易く、光を照射したとき、磁
性体薄膜での必要以上の熱上昇を防ぐことができる。従
って、入射光潰を多くできるので結果的に高いＳ／Ｎ比
を得ることができる。

又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱層を投１イう
にして、金属反射膜への過度の熱伝導を防止している。

即ち、磁性体薄膜と金属反射膜とが密着していると磁性
体薄膜に対して記録する際において、熱が金属反射膜に
分散して磁性体薄膜の熱が上昇し難くなるので、記録す
る際に支障が生ずる。これに対し断熱層があれば磁性体
薄膜において熱が蓄えられ加熱を容ｇにする。

〈実施例〉 以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例を図
面を用いて詳細に説明する。

図面は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の側
面断面図である。

図で、ｌはガラス、アクリル樹脂等の透明基板で厚さは
０．５〜２ｍｍ程度である。２は５ｉｔＮ、（窒化シリ
コン）からなる透明薄膜である。

３はＭｎＢ１．ＴｂＤｙＰｅ、ＧｄＴｂＦｅ等の膜面に
垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄
膜３は接着層４により支持基板５に接着される。尚、図
面の構成に加え磁性体薄膜３と接着層４の間にＡＩ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の反射膜層を設けている。更に反射膜
と磁性体薄膜３の間にＳ　ｉｏｎ、Ｓ　ｊｏ、Ｓ　１ｓ
Ｎａ等の断熱層を設けている。

上記基板１の屈折率は１．５．５ｉｓＮ４からなる透明
薄膜２の屈折率は２．０である為基板ｌより入射した光
は５ｉｓＮ＋からなる透明薄膜２の中で干渉し、それに
よってカー効果は増大する。従ってＳ／Ｎ比は向上する
。尚、上記透明薄膜２の材質である５ｉｓＮ＜は単に屈
折率か大きいだけでなく、熱伝導率が良い為、Ｓ／Ｎ比
の向上に寄与するものである。

即ち、磁気光学記憶素子において、 Ｓ／Ｎ比１ｉｅｋ＊７Ｒ（ｅｋｌｌ−回転角、Ｒは反射
光ｆ１）に比例するものであり、θにだけ高めても反射
光量が少なくては所定のＳ／Ｎ比を得ることが出来ない
。しかし、上記磁性体薄膜３に熱伝導性の悪い物質が被
覆される場合、照射光によって上記磁性体薄膜３は容易
に温度上昇し、記録情報が乱されてしまう恐れがある。

即ち、上記磁性体薄膜３は外部磁場の供給が無くとも特
定部分の温度ｈ（上昇すればその周囲に存在する磁性体
薄膜自身の磁場によって磁化の反転を生ずることが有る
のである。よって照射光量を多くできずその為反射光量
を充分に得ることが出来ない。

一方、５ｉｉＮｔは熱伝導率か良い（実験によればＳｉ
Ｏはｌ　、　５　Ｊ／ｍ−ｓ・ｋ、　、　Ｚ　ｎ　Ｓは
２Ｊ／１ｖｓ−ｋに対して５ｉｔＮ４はｌ　Ｏ〜２０　
Ｊ　／ｎｒｓ−に程度の熱伝導率か得られる。）為、磁
性体薄膜３に対して供給する光量を多くしてもＳｉ３Ｎ
、から熱が伝搬するため上記の反射光ｆｉＲを大きくで
き、その結果Ｓ／Ｎ比を向上することが出来るものであ
る。

また、上記の意思外に、ＺｎＳを用いた場合、温度の上
昇７こつれその結晶粒が成長し、その結晶粒の表面で著
しい乱反射か発生するため、光の透Ｉｔか著しく減少す
る。しかるｊこ、磁気光学記憶素子の酸膜工程等の製造
過程において温度上昇の発生は避けられない。よって、
ＺｎＳは上記透明薄膜２として使うことには極めて鮒が
ある。

これに対し、Ｓ：ｚＮ＜は温度の上昇に対してし優れた
安定性を有し、光の透過量が減少するといっｆ二間厘が
生じず、非常に優れている。

以上の実施例に留どまらず本発明の好適な実施の形態と
して次のらのが挙げられる。

（１）基板１に凹凸状のガイドトラックを形成する。

（２）磁性体薄膜３を非晶質磁性体にて形成し、その一
部を結晶化せしめガイドトラックとなす。

（３）支持基板５に対して両側面に図面の構成を設は両
面仕様とする。

以上の（１）〜（３）の形態は互いに組み合わせること
ら可能である。

〈効果〉 以上説明したごとく本発明によれば、カー回転角を増大
せしめることができ、しかも磁性体の腐食及びほこりや
ゴミに対しても充分対応が可能なものであり、極めて実
用的な構成にてカー回転角の増大化が達成できるもので
ある。

更に、透明基板上に、該透明基板の屈折率より充分屈折
率の値が大きい透明薄膜の材質として熱伝導率の良い窒
化ノリコンを用いているので、磁性体薄膜に対して充分
な光の量を供給でき、その結果として良好なＳ／Ｎ比を
得ることができるものである。

又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱層を設けよう
にして、金属反射膜への過度の熱伝導を防止しているの
で、熱が金属反射膜に分散して磁性体薄膜の熱が上昇し
難くなることを回避できる。

即ち、断熱層があれば磁性体薄膜において熱が蓄えられ
加熱を容易にするものである。

上記のように本発明では記録の際においである程度、磁
性体Ｒ膜における蓄熱効果をらたせ、且つ再生の際には
ある程度、磁性体薄膜における熱を分散せしめる構成を
有するものであり、記録及び再生の両方において良好な
効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の側面
断面図を示す。 図中、に基板　　２．透明薄膜　３：磁性体薄膜　　４
．接着層　　５：支持基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透明基板上に、該透明基板の屈折率より充分屈折率
   の値が大きい窒化シリコンからなる透明薄膜と、膜面に
   垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、断熱層と、金
   属反射膜とをこの順に配置し、前記透明基板より前記磁
   性体薄膜に光を入射する構成としたことを特徴とする磁
   気光学記憶素子。