JPH03216837A - 書き換え自在型光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、情報の書き換え自在な光ディスクに関する。

背景技術 従来から書き換え自在な光ディスクにおいては、特開昭
６１−１７８７５号公報に示されたように、ビットによ
る反射光強度記録と光磁気効果によるカー回転角記録と
をなすものが知られている。

かかる光ディスクは、第５図に示すように、反射光強度
の変化を検出して記録された情報を読み出す第１のトラ
ックと、情報の読み出しを光の偏光面の回転を検出して
行なう第２のトラックとを交互に配置した光ディスク１
０であって、第１のトラックを透明基板２２上に予め形
成したピット列からなる再生専用トラック１１とし、第
２のトラックを希土類一遷移金属合金アモルファス磁性
膜２３により形成された書き換え可能な書換可能トラッ
ク１２としたことを特徴としている。

かかる光ディスクは、再生専用トラック１に記録された
情報の読み出しには反射光の強度変化を利用しており、
また、書換可能トラック２においては光磁気効果の光偏
光面の回転（Ｋｅｒｒ回転）の変化を利用して、再生専
用トラック１１と書換可能トラック１２とを交互に隣接
されて配置し、両トラック間の距離を１．６μｍの約１
／２、すなわち０．　　８μｍにまで接近させ、ディス
ク全体の記録容量を２倍に高めている。

しかしながら、近年においては情報の書き換えに対する
要望が益々高くなって、さらに高密度な書き換え自在型
の光ディスクが望まれている。

発明の概要 ［発明の目的］ 本発明の目的は、記録密度を高めた書き換え自在型光デ
ィスクを提供することにある。

［発明の構成］ 本発明の書き換え自在型光ディスクは、透明基板と、光
磁気記録層及び相変化記録層並びに前記光磁気記録層及
び前記相変化記録層間に扶持された誘電体断熱層からな
りかつ前記基板に配された積層記録層と、前記積層記録
層上に配された誘電体保護層とからなり、前記相変化記
録層からの反射光強度の変化が検出される第１のトラッ
クと、前記光磁気記録層からの反射光偏光面回転角の変
化が検出される第２のトラックとを交互に隣接して配置
したことを特徴とする。

口発明の作用］ 本発明によれば、単一波長の偏光レーサビームの偏光面
回転角及び強度の変化にそれぞれ情報を対応させて、ト
ラック位置を変化させるたけで高密度の情報記録が可能
となる。

実施例 以下に本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。

第１図は本実施例の先ディスクを示す。かかる光ディス
クは透明な基板１がＰＭＭＡ，ＰＣの樹脂，ガラス等か
らなり、その上に、力一効果エンハンス効果をなす５ｉ
Ｎｘからなる７０ａλ膜厚の誘電体力一効果エンハンス
層２、ＴｂＦｅＣｏからなる２００人〜７００人膜厚の
光磁気記録層３、ＳｉＮｘからなる３００人膜厚の誘電
体断熱層４、■ｎＳｂＴｅからなる２００人膜厚の相変
化記録層５、ＳｉＮｘからなる７００人膜厚の第２の誘
電体断熱層６、八Ωからなる１０００人膜厚の反射層７
、ＳｉＮｘからなる１０００λ膜厚の誘電体保護層８の
順に積層して形成されている。ここで、光磁気記録層３
、誘電体断熱層４及び相変化記録層５の順に積層された
組は積層記録層Ａをなす。相変化記録層５は光磁気記録
層３のための反射層としても働く。

反射層７は積層記録層Ａのための放熱層としても働く。

基板１の主面上にはトラッキングの為の案内溝、データ
の書込みあるいは読出しを制御するだめのプリビット、
プリアドレスＰが予め形成されている。レーザービーム
Ｌａは基板１側から照射される。

第２図に実施例の光磁気記録層３の膜厚を変化させた場
合のアモルファス相の相変化記録層５の反射率Ｘ及び結
晶相の相変化記録層５の反射率Ｙの変化を示す。

ここで、ＴｂＦｅＣｏの光磁記録層の膜厚は変化させ得
るが、ＴｂＦｅＣｏの光磁記録層の膜厚が３５０人の時
が好ましく、この時のＩｎＳｂＴｅの相変化記録層５に
おけるアモルファス相及び結晶相聞での反射率は、２１
％と１５％とであった。

また、その時の光磁気記録層３によるカ一回転角は、そ
れぞれ１．０度及び１．３度であった。第２図から、こ
の実施例においてはＴｂＦｅＣｏＯ先磁気記録層３の膜
厚が３５０人のときにＩ　ｎＳｂＴｅの相変化記録層５
のアモルファス相及び結晶相聞における反射率の差が最
大となることが分る。

なお、ＩｎＳｂＴｅからなる相変化記録層５は、そのア
モルファス相では反射率が高く及び結晶相ては反射率が
低い薄膜である。

ここで、反射光強度の変化を検出して記録された情報を
読み出す第１のトラックＴ１として相変化記録層５を用
い、情報の読み出しを光の偏光面の回転を検出して行な
う第２のトラックＴ２として光磁気記録層３を用いて、
これら第１及び第２のトラックを光ディスクの半径方向
において交互に隣接して配置することにより記録密度を
従来の２倍にすることができる。

このように本実施例の先ディスクを交互に半ピッチ例え
ば０．　　８μｍ離して第１及び第２のトラックＴＩ，
Ｔ２を形成するように記録再生を行なえば、相変化記録
層の反射光の強度変化を検出してその第１のトラックＴ
１に記録された情報を再生する時にそのレーザビームが
隣りにある先磁気記録層の第２のトラッＴ２をトレース
しても、そこに書き込まれた情報、すなわち磁化の上下
いずれかの向きとして記録された情報によって反射光の
強度は影響されない。

また、逆に光磁気記録層の第２のトラックＴ２から光の
偏光面の回転を検出して記録された情報の読み出しを行
うときに、作動検出法を用いると隣りの招変化記録層の
第１のトラックＴ１にレーザビームの１部が当たっても
、そこから反射された光の強度変化は相殺されて光磁気
記録層の第２のトラックＴ２からの情報の読み出しに何
ら影響を与えない。

第３図は本発明による他の実施例の光ディスクを示す。

ここで、かかる光ディスクは、積層記録層Ａについて第
１図の光ディスクの光磁気記録層３及び相変化記録層５
の順序を逆に配置し、基板１から相変化記録層５、誘電
体断熱層４及び光磁気記録層３の順に積層されている。

かかる光ディスクは透明な基板１上に、力一効果エンハ
ンス効果をなすＳｉＮｘからなる７００人膜厚の誘電体
力一効果エンハンス層２、Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　Ｔ　ｅから
なる２００人膜厚の相変化記録層５、ＳｉＮｘからなる
３００人膜厚の誘電体断熱層４、ＴｂＦｅＣｏからなる
２００人〜７００人膜厚の光磁気記録層３、ＳｉＮＸか
らなる７００人膜厚の第２の誘電体断熱層６、Ａ，ｌ？
からなる１０００λ膜厚の反射層７、ＳｉＮｘからなる
ｌ０００人膜厚の誘電体保護層８の順に積層して形成さ
れている。

第４図に他の実施例の光ディスクの光磁気記録層３の膜
厚を変化させた場合のアモルファス相の相変化記録層５
の反射率Ｘ及び結晶相の相変化記録層５の反射率Ｙの変
化を示す。

ここで、ＴｂＦｅＣｏの光磁記録層の膜厚も変化させ得
るが、ＴｂＦｅＣｏの光磁記録層の膜厚が３００人の時
が好ましく、この時のＩｎＳｂＴｅの相変化記録層５に
おけるアモルファス相及び結晶相間での反射率は、５％
と１１％とであった。

また、その時の光磁気記録層３によるカー回転角は、そ
れぞれ０．　　７度及び１．０度であった。

第４図からこの実施例においてはＴｂＦｅＣｏの先磁気
記録層３の膜厚が３００人のときにＩｎＳｂＴｅの相変
化記録層５のアモルファス相及び結晶相聞における反射
率の差か最大となることが分る。

したがって、本実施例によれば、光ディスク上の２つの
記録トラック上に交互に記録再生を行い、単一波長でか
つ単一光学ヘッドによる記録再生が可能となる。

発明の効果 本発明の書換自在型光ディスクによれば、光磁気記録層
及び相変化記録層並びにこれら層間に扶持された誘電体
断熱層からなる積層記録層を有し、反射光強度の変化を
検出して記録された情報を読み出す第１のトラックと、
情報の読み出しを反射光の偏光面の回転を検出して行な
う第２のトラックとを交互に隣接して配置した故に、光
磁気記録層及び相変化記録層間の熱干渉が減少し、光磁
気記録と相変化記録との相互のクロストークもなく、記
録密度を増大させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による実施例の光ディスクの拡大部分断
面図、第２図は第１図の本発明による光ディスクの光磁
気記録層の膜厚の変化に対する相変化記録層の反射率の
変化を示すグラフ、第３図は本発明による他の実施例の
光ディスクの拡大部分断面図、第４図は第３図の他の実
施例の光ディスクの光磁気記録層の膜厚の変化に対する
相変化記録層の反射率の変化を示すグラフ、第５図は従
来の光ディスクの拡大部分斜視図である。 主要部分の符号の説明

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板と、光磁気記録層及び相変化記録層並び
   に前記光磁気記録層及び前記相変化記録層間に挟持され
   た誘電体断熱層からなりかつ前記基板に配された積層記
   録層と、前記積層記録層上に配された誘電体保護層とか
   らなり、前記相変化記録層からの反射光強度の変化が検
   出される第１のトラックと、前記光磁気記録層からの反
   射光偏光面回転角の変化が検出される第２のトラックと
   を交互に隣接して配置したことを特徴とする書換自在型
   光ディスク。
2. （２）前記積層記録層において、前記基板側から前記光
   磁気記録層、前記誘電体断熱層及び前記相変化記録層の
   順に積層されたことを特徴とする請求項１記載の光ディ
   スク。
3. （３）前記積層記録層において、前記基板側から前記相
   変化記録層、前記誘電体断熱層及び前記光磁気記録層の
   順に積層されたことを特徴とする請求項１記載の光ディ
   スク。
4. （４）前記基板及び前記積層記録層間に誘電体からなる
   カー効果エンハンス層が配されたことを特徴とする請求
   項２又は３記載の光ディスク。
5. （５）前記誘電体保護層及び前記積層記録層間ににおい
   て前記基板側から第２の誘電体断熱層及び反射層が順に
   積層されたことを特徴とする請求項２、３又は４記載の
   光ディスク。