JPS592094B2 - 層状光磁気記録媒体 - Google Patents

層状光磁気記録媒体

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JPS592094B2
JPS592094B2 JP55115847A JP11584780A JPS592094B2 JP S592094 B2 JPS592094 B2 JP S592094B2 JP 55115847 A JP55115847 A JP 55115847A JP 11584780 A JP11584780 A JP 11584780A JP S592094 B2 JPS592094 B2 JP S592094B2
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JP
Japan
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magneto
optical
recording medium
optical recording
thin film
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JP55115847A
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信介 田中
修武 今村
忠一 太田
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KDDI Corp
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Kokusai Denshin Denwa KK
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • GPHYSICS
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    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material

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  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光磁気メモリに関するもので、特に、アドレス
が容易で書き換え可能であり、しかも光ビデオディスク
媒体としても使用可能な構造を有する光磁気記録媒体に
関するものである。
光磁気メモリ用の記録媒体としては、MnBi、MnA
lGe、GdFe、TbFe、GdCo等の材料が知ら
れている。
これ等は真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、ガ
ラスやシリコンウェハー等の基板上に薄膜(アモルファ
ス合金薄膜)として作られる。これ等の光磁気記録媒体
に共通している特性としては、(1)磁化容易軸が膜面
に垂直方向にある。
(2)キュリー温度や磁気補償温度が比較的低い。の2
点をあげることができる。磁化容易軸が膜面に対して垂
直方向にあるので、記録としては第1図に示すごとく、
ガラス基板3上の膜面に垂直な上向き磁化1か下向き磁
化2かで゛1 ″、゛o″を区別でき、ディジタルメモ
リとしての2値が得られる。記録の方法としては、例え
ば次の方法がある。まず膜全体を゛o″すなわち下向き
磁化にしておいて、゛ 1 ″を記録したい部分にレー
ザービームを照射する。レーザービームが照射されたと
ころは温度が上昇し、そのため保磁力Hcが小さくなる
。従つて、レーザービームを照射の際微弱な外部磁場を
゛ 1 ″方向に与えておくと、照射部分は保磁力Hc
が小さくなつたため磁化反転しa1 ″すなわち磁化が
上向きになる。゛0″の記録は、初期状態が゛0″であ
るからレーザービームを照射しなければ良い。第2図に
は、そのようにして記録した記録パターンの一例が示し
てある。すなわち第2図では、ガラス基板3の上にある
膜状の垂直磁気記録媒体4において、レーザービーーム
を照射して磁化反転を起させa1 ″に相当する部分5
と、レーザービームを照射しないで磁化が下向きの゛0
″に相当する部分6とから磁気記録パターンができてい
る。ところで今の場合、記録する場所はアドレスを考慮
せず任意にとつてある。
しかし実際に光磁気ディスク等を構成した場合には、ト
ラッキングガイドなしで任意の場所にレーザービームを
アドレスして高密度に記録するのは、高い機械的精度を
必要とするので作製上及び使用上好ましくない。このこ
とは、光読み出しの際にも言えることである。従来の光
磁気記録方式では、光読み出し用レーザとして大形のガ
ス・レーザが使われていたためもあつて、ガス・レーザ
の方が固定にならざるを得ないため、高密度記録・再生
ではデイスクの回転精度等に非常にきびしいものが要求
された。しかし、最近では半導体レーザの進歩により、
光書き込み・読み出し部分が小形・軽量化できるように
なつた。従つて、メモリ媒体にトラツキングガイドを設
けておくことにより、光記録再生ヘツドがそのガイドに
沿つて動くようにすることが可能である。例えば、メモ
リ媒体の反射/不反射を2値とする従来の光ビデオデイ
スクでは、トラツキングガイドとして第3図に示す如く
光メモリ媒体7に凹凸8をつけたものが用いられていた
このトラツキングガイドの場合は、第4図に示す如く3
個の光スポツト9a,9b,9cを同一トラツタ上に結
ばせるのであるが、中央のスポツト9bがトラツク中央
から外れると両側のスポツト9a,9cのうち一方はト
ラツクから外れて凸部方向に移動し、他方はトラツクの
凹部に入る方向に移動する。この場合、光の反射率は凹
部と凸部では異なるため、スポツトがトラツクから外れ
ると反射光検出に両側のスポツト9a,9cによる差動
信号が現れる。そこで、この差動信号によつてレンズの
位置を補正してトラツク上にスポツトを結ばせることに
より、トラツタに追従することができる。即ち、光メモ
リ媒体7では記録に用いるトラツクと記録に用いないト
ラツクとで反射率が異つてさえいれば、トラツク追従型
の光記録・再生ヘツドを用いて記録・読み出しを行うこ
とができるのである。一方、光磁気メモリの光再生では
、第5図に示す如く、予め書き込まれたビツトの列10
a,10b,10c,・・・に第4図と同じく3個の光
スポツト9a,9b,9cを結ばせれば、反射光の偏光
面の回転成分を検出することによりトラツクを追従する
ことができる。
なお、光ビデオデイスクでも再生時のスタート位置が決
つていて特定のアドレスへ飛ぶ必要のない場合は、第3
図の如き凹凸のガイドを用いずに、既に書き込まれてい
るピツトを基にしてこの光磁気メモリの場合と同様な3
つのビームスポツトなどの方法によりトラツクを追従す
ることが行われている。しかし、第5図のトラツキング
方式では既に書き込まれたビツトを用いてトラツキング
を行うため、長い部分にわたつてビツトが無い場合はト
ラツキングが効かずまたアドレスも効かなくなる恐れが
あり、特に光磁気メモリの場合はその特長の一つである
消去書き込みを生かしきれない。したがつて、光磁気メ
モリにおいても何らかの方法で予めトラツキングガイド
を設けることが望ましい。なお、光磁気メモリでは磁気
カー効果による偏光面の回転を利用するため、第4図の
光ビデオデイスクの例の如くメモリ媒体そのものに段差
をつけてしまうと、その段差の部分の光が乱反射するの
で直線偏光を乱してノイズの原因となり光検出が難しく
なるという欠点につながる。メモリ媒体そのものに段差
をつけずにトラツキングガイドを設ける方法としては、
メモリ媒体にレーザビームを照射掃引することにより照
射部分に熱処理を施して、第6図の如く同一平面内に反
射率若しくは保磁力の異なる領域11,12を作りこれ
をトラツキングガイドとする方法が考えられている。
本発明は上述の考察から、光ビデオデイスク媒体と光磁
気メモリ媒体とを層状に重ねることにより、両者の利点
を兼ね備え、消去書き換え及びアドレス可能でしかも従
来の光ビデオデイスクとの互換性を有する層状光磁気記
録媒体を提供するものである。
以下、図面に基づいて本発明をその一実施例とともに説
明する。第7図は本発明の一実施例を示し、図中、13
はガラス等の基板、14はアモルフアス合金薄膜による
光磁気記録媒体、15はSlD2(二酸化硅素)等から
なる透明保護膜、16はTe(テルル)等からなる低融
点金属薄膜であり、例えば、MnBl,MnAlGe,
GdFe,TbFe,GdCO等の材料をガラス基板1
3上に真空蒸着やスパツタリングによりアモルフアス合
金薄膜14として形成し、このアモルフアス合金薄膜1
4上にSlD2の透明保護膜15を被覆し、更にこのS
lD2膜15上にTe金属薄膜16を被覆することによ
り層状光磁気記録媒体17を得る。
この層状光磁気記録媒体17を用いて消去や書き換えを
要する信号を記録する場合は、例えば、次のようにする
まず最上層の低融点金属薄膜16にレーザビームを強く
照射掃引することによりこの膜16を第6図形状の如く
らせん状に蒸発させ、第8図のような凹凸を形成する。
この凹凸をトラツキングガイドとし、即ち、凸部(低融
点金属薄膜16)からの反射率と凹部(アモルフアス合
金薄膜14)からの反射率の差を検出して凹部に沿つて
光記録ヘツドを移動させることにより、アモルフアス合
金薄膜14に従来と同様に磁化方向の上下による2値信
号を記録し、また読み取りはこのアモルフアス合金薄膜
14からの反射光の偏光面の変化により磁化方向の上下
を検出して行う。この場合、アモルフアス合金薄膜14
自体には何らの段差がないので直線偏光の乱れはない。
なお、トラツキングガイドにおいて、2つの反射面即ち
低融点金属薄膜16とアモルフアス合金薄膜14とはど
ちらもその表面が鏡面であるが、その間にはSlO2透
明保護膜15が存在するため、アモルフアス合金薄膜1
4からの反射光はこの層15でかなり弱められるため、
両薄膜16,14からの反射率の差は十分検出可能であ
る。例えばSlO2透明保護膜15を0.15μmとし
たとき、両者の比は2:l程度となる。一方、上記層状
光磁気記録媒体17に消去せず永久に保存する信号を記
録する場合や光ビデオデイスクとして用いる場合は、従
来の光ビデオデイスクと同様、次のようにする。
即ち、低融点金属薄膜16に信号に応じてレーザビーム
を強く照射することにより膜16を蒸発させ、ピツトを
あけることにより記録を行う。読み出しはレーザビーム
を弱く照射してピツトのあいている部分のアモルフアス
合金薄膜14からの反射率とピツトのあいていない部分
の低融点金属薄膜16からの反射率の差を検出すること
により行う。なお、この場合のトラツキングは従来の光
ビデオデイスクと同様、ピツトを利用して第5図中の9
a,9cのようにトラツキング用のスポツトの差動信号
により行うか、第3,4図の如く最上層の低融点金属薄
膜16に凹凸のガイドを設けてスポツト9a,9cの差
動信号により行うことができる。低融点金属薄膜16に
凹凸のガイドを設けるには凸部にあたる所に金属薄膜を
積み上げるか、あるいは凹部にあたる所を底を残す程度
に除去するかすれば良い。以上の如く層状光磁気記録媒
体を光ビデオデイスク媒体及び光磁気メモリ媒体のいず
れに用いる場合にも共通していることは、低融点金属薄
膜16とその下層のアモルフアス合金薄膜14との反射
率の差を用いてトラツキングを行えることである。
また相違は、読み取りに際し、光ビデオデイスク媒体と
しての場合はトラツキングと同様に反射率の差を利用す
るのに対し、光磁気メモリ媒体としての場合は、磁化の
方向による反射光の偏光面の回転を利用することである
。ここで付言するに、磁化容易軸が膜面に垂直にあつて
磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの2値をと
る膜としては、例示した各材料のアモルフアス合金薄膜
14の他、種々用いることができる。
また、この膜の上面に施す透明保護膜としてはSlO2
膜15の他、例えば、LlNbO3,LiTaO3など
種々のものを用いることができる。更に、最上層の金属
被膜としてはTeからなる低融点金属薄膜16の他、合
金、非合金を問わず多くの金属被膜を用いることができ
るが、ただこの金属被膜はある程度の強さのレーザビー
ム照射により蒸発できるものである必要があると共にそ
の際に下層の透明保護膜及び光磁気記録媒体が損傷を受
けてはならないので、金属被膜の融点はこれらよりも低
いことが肝要である。この金属被膜の例としては他にS
n,Bi,PO等がある。なお、当然ではあるが、光ビ
デオデイスク媒体としての使用を最初から目さない場合
は、透明保護膜上に金属被膜を施す代りに光磁気記録媒
体とは反射率が異なる任意の被膜層で例えば第6図の如
きトラツキングガイドを予め設けることもできる。以上
説明した如く、本発明の層状光磁気記録媒体は光ビデオ
デイスク媒体と光磁気メモリ媒体とを透明保護膜を介し
て層状に重ねたものであるため、そのどちらにも記録し
且つ読み取ることができ、また光磁気メモリ媒体として
の使用に際しては光ビデオデイスク媒体部分をトラツキ
ングガイドに用いて消去、書き換えやアドレスを自由に
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光磁気記録方式の概念を示す説明図、第2図は
その磁気記録パターンの一例を示す図、第3図は光ビデ
オデイスク媒体における光ガイドの一例を示す図、第4
図はそのトラツキング方法に係り、aは平面図、bは側
面断面図、第5図は光磁気メモリにおけるトラツキング
例を示す説明図、第6図は他のトラツキング例を説明す
る図である。 第7図は本発明の層状光磁気記録媒体の一実施例を示す
斜視図、第8図はその光磁気メモリ媒体としての使用例
を説明する図である。図面中、13はガラス等による基
板、14はアモルフアス合金薄膜等による光磁気記録媒
体、15はSlO2膜等による透明保護膜、16は低融
点金属等による金属被膜、17は実施例に係る層状光磁
気記録媒体である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 磁化容易軸が膜面に垂直にあつて磁化の向きが膜面
    に垂直で上向きか下向きかの2値をとる光磁気記録媒体
    において、光磁気記録媒体それ自体と、この光磁気記録
    媒体上に施した透明保護膜と、この透明保護膜及び前記
    光磁気記録媒体のいずれよりも融点が低く透明保護膜上
    に施した金属被膜とを有することを特徴とする層状光磁
    気記録媒体。
JP55115847A 1980-08-25 1980-08-25 層状光磁気記録媒体 Expired JPS592094B2 (ja)

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US06/294,310 US4417290A (en) 1980-08-25 1981-08-19 Multi-layer magneto-optical recording medium

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JPS5740768A JPS5740768A (en) 1982-03-06
JPS592094B2 true JPS592094B2 (ja) 1984-01-17

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