JPH0410245A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH0410245A JPH0410245A JP2110962A JP11096290A JPH0410245A JP H0410245 A JPH0410245 A JP H0410245A JP 2110962 A JP2110962 A JP 2110962A JP 11096290 A JP11096290 A JP 11096290A JP H0410245 A JPH0410245 A JP H0410245A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光を用いて情報の再生や書き替えを行
う光ディスクおよびその製造方法に関する。
う光ディスクおよびその製造方法に関する。
光ディスク、例えば記録膜にＴｂＦｅＣｏやＧｄＦｅＣ
ｏなどの希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜を用
いた光磁気ディスクは、ポリカーボネートやポリメチル
メタクリート等の透明な樹脂基板の上に、記録膜を誘電
体膜によってサンドインチ状に挾み込んで設けた構造を
している。そして、記録膜が腐食しやすいところから、
記録膜を挾み込んだ誘電体膜の上に、紫外線硬化樹脂な
どの樹脂による保護膜を設け、記録膜を腐食から保護す
るようにしている。
ｏなどの希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜を用
いた光磁気ディスクは、ポリカーボネートやポリメチル
メタクリート等の透明な樹脂基板の上に、記録膜を誘電
体膜によってサンドインチ状に挾み込んで設けた構造を
している。そして、記録膜が腐食しやすいところから、
記録膜を挾み込んだ誘電体膜の上に、紫外線硬化樹脂な
どの樹脂による保護膜を設け、記録膜を腐食から保護す
るようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の光ディスクは、保護膜が樹脂によって形
成しであるため、機械的な強度が弱く、疵が付きやすい
欠点がある。しかも、保護膜用の樹脂は高価であって、
光ディスクのコストを上昇させる一因となっている。
成しであるため、機械的な強度が弱く、疵が付きやすい
欠点がある。しかも、保護膜用の樹脂は高価であって、
光ディスクのコストを上昇させる一因となっている。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、機械的強度に優れた保護膜を有する光ディス
クを提供することを目的とするとともに、機械的強度に
優れた保護膜を安価に形成することができる光ディスク
の製造方法を提供することを目的としている９ （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明に係る光ディスク
は、誘電体膜によってサンドイッチ状に挾んだ記録膜が
基板上に設けてある光ディスクにおいて、前記記録膜を
挾んだ前記基板上または前記誘電体膜の上またはその両
方の上に、液相成長法によって形成したＳｉＯ＋＋から
なる保護膜を有することを特徴としている。
たもので、機械的強度に優れた保護膜を有する光ディス
クを提供することを目的とするとともに、機械的強度に
優れた保護膜を安価に形成することができる光ディスク
の製造方法を提供することを目的としている９ （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明に係る光ディスク
は、誘電体膜によってサンドイッチ状に挾んだ記録膜が
基板上に設けてある光ディスクにおいて、前記記録膜を
挾んだ前記基板上または前記誘電体膜の上またはその両
方の上に、液相成長法によって形成したＳｉＯ＋＋から
なる保護膜を有することを特徴としている。
また、本発明に係る光ディスクの製造方法は、基板上に
第１の誘電体膜と記録膜と第２の誘電体膜とを順次積層
したのち、前記基板上または前記第２の誘電体膜の上ま
たはその両方の上に５ｉＯ８膜を液相成長法によって形
成することを特徴としている。
第１の誘電体膜と記録膜と第２の誘電体膜とを順次積層
したのち、前記基板上または前記第２の誘電体膜の上ま
たはその両方の上に５ｉＯ８膜を液相成長法によって形
成することを特徴としている。
液相成長法によるＳｉＯｘ膜は、ホウ酸を含むフルオロ
ケイ酸溶液を、基板上または第２の誘電体膜上またはそ
の両方の上にスピン塗布したり、ホウ酸を含むフルオロ
ケイ酸溶液中に、第２の誘電体膜を形成した基板を浸漬
することによって形成することができる。
ケイ酸溶液を、基板上または第２の誘電体膜上またはそ
の両方の上にスピン塗布したり、ホウ酸を含むフルオロ
ケイ酸溶液中に、第２の誘電体膜を形成した基板を浸漬
することによって形成することができる。
フルオロケイ酸溶液中に基板を浸漬して５ｉＯ８膜を形
成する場合、基板を回転させるとよい。
成する場合、基板を回転させるとよい。
また、液相成長法により形成したＳｉＯｘ膜は、乾燥し
たのちＳｉＯｘ膜にレーザ光を照射して加熱処理をする
ことが望ましい。
たのちＳｉＯｘ膜にレーザ光を照射して加熱処理をする
ことが望ましい。
上記の如く構成した本発明の光ディスクは、誘電体膜上
に設けた保護膜が、機械的強度に優れたセラミックの一
種であるＳｉＯｘからなっているため、疵が付きに＜＜
、疵によって記録膜が損傷するのを防止することができ
る。
に設けた保護膜が、機械的強度に優れたセラミックの一
種であるＳｉＯｘからなっているため、疵が付きに＜＜
、疵によって記録膜が損傷するのを防止することができ
る。
また、上記の如く構成した本発明の光ディスクの製造方
法は、ホウ酸を含むフルオロケイ酸溶液を第２の誘電体
膜上または、前記基板上にまたはその両方の上にスピン
塗布したり、ホウ酸を含むフルオロケイ酸溶液中に、第
２の誘電体膜を形成した前記基板を浸漬して５ｔｏｒ膜
を液相成長法によって形成するため、機械的強度に優れ
た保護膜を容易に得ることができる。しかも、スバ・ン
タリングによって・成膜するのと異なり、高価な装置を
必要とせず、成膜時間も短縮できるため、光ディスクの
製造コストを低減することができる６基板をフルオロケ
イ酸溶液に浸漬してＳｉＯｘ膜を形成すると、基板の両
面に同時にＳｉＯｘからなる保護膜を形成することがで
きる。そして、基板をフルオロケイ酸溶液に浸漬してＳ
ｉＯｘ膜を形成する場合、基板を回転させると、フルオ
ロケイ酸溶液の攪拌効果が得られ、特別な攪拌装置を必
要とせず、均一な膜を得ることができる。また、形成し
たＳｉＯｘ膜を乾燥したのち、レーザ光をＳｉＯｘ膜に
照射して加熱処理をすると、５ｉ０ｘ膜が緻密となり、
機械的強度や耐透水性等の特性をより向上することがで
きる。
法は、ホウ酸を含むフルオロケイ酸溶液を第２の誘電体
膜上または、前記基板上にまたはその両方の上にスピン
塗布したり、ホウ酸を含むフルオロケイ酸溶液中に、第
２の誘電体膜を形成した前記基板を浸漬して５ｔｏｒ膜
を液相成長法によって形成するため、機械的強度に優れ
た保護膜を容易に得ることができる。しかも、スバ・ン
タリングによって・成膜するのと異なり、高価な装置を
必要とせず、成膜時間も短縮できるため、光ディスクの
製造コストを低減することができる６基板をフルオロケ
イ酸溶液に浸漬してＳｉＯｘ膜を形成すると、基板の両
面に同時にＳｉＯｘからなる保護膜を形成することがで
きる。そして、基板をフルオロケイ酸溶液に浸漬してＳ
ｉＯｘ膜を形成する場合、基板を回転させると、フルオ
ロケイ酸溶液の攪拌効果が得られ、特別な攪拌装置を必
要とせず、均一な膜を得ることができる。また、形成し
たＳｉＯｘ膜を乾燥したのち、レーザ光をＳｉＯｘ膜に
照射して加熱処理をすると、５ｉ０ｘ膜が緻密となり、
機械的強度や耐透水性等の特性をより向上することがで
きる。
〔実施例〕
本発明の光ディスクおよびその製造方法の好ましい実施
例を、添付図面に従って詳説する。
例を、添付図面に従って詳説する。
第１図は、本発明の実施例に係る光ディスクの一部断面
図である。
図である。
第１図において、光ディスク１０は、基板１２がガラス
やポリカーボネート、ポリメチルメタクリート等の透明
な樹脂からなっていて、基板１２の上面に第１の誘電体
膜１４、記録膜１６、第２の誘電体膜１８が順次積層し
である。そして、記録膜１６を覆っている第２の誘電体
膜１８の上には、スピン塗布したりローラコータにより
塗布した保護樹脂膜２０が設けてある。また、この保護
樹脂膜２０の上と基板１２の下面とには、詳細を後述す
る液相成長法によって形成したＳｉＯｘ保護膜２２．２
４が設けてある。
やポリカーボネート、ポリメチルメタクリート等の透明
な樹脂からなっていて、基板１２の上面に第１の誘電体
膜１４、記録膜１６、第２の誘電体膜１８が順次積層し
である。そして、記録膜１６を覆っている第２の誘電体
膜１８の上には、スピン塗布したりローラコータにより
塗布した保護樹脂膜２０が設けてある。また、この保護
樹脂膜２０の上と基板１２の下面とには、詳細を後述す
る液相成長法によって形成したＳｉＯｘ保護膜２２．２
４が設けてある。
第１と第２の誘電体膜１４．１８は、ＳｉＮ、ＡＩ！、
ｚ Ｏｙ 、Ｓ ｉＯｚ 、Ｓ ｉＯＮ、Ｓ ｉＡｆ！
ＯＮ等からなっていて、一般にスパッタリングや真空蒸
着によって形成される。また、記録膜１６は、ＰｔＣｏ
、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ等の光磁気記録膜やＦｅ
ＣｏＴｉ等の磁気記録膜またはＴｅＧｅＡｓ、５ｎＴｅ
Ｓｅ、ＳｍＳ等の相転移型材料から構成され、スパッタ
リングや真空蒸着によって形成される。
ｚ Ｏｙ 、Ｓ ｉＯｚ 、Ｓ ｉＯＮ、Ｓ ｉＡｆ！
ＯＮ等からなっていて、一般にスパッタリングや真空蒸
着によって形成される。また、記録膜１６は、ＰｔＣｏ
、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ等の光磁気記録膜やＦｅ
ＣｏＴｉ等の磁気記録膜またはＴｅＧｅＡｓ、５ｎＴｅ
Ｓｅ、ＳｍＳ等の相転移型材料から構成され、スパッタ
リングや真空蒸着によって形成される。
なお、基板１２上に設けた第１、第２の誘電体膜１４．
１８、記録膜１６および保護樹脂膜２０の厚さは、通常
の光ディスクと同様である。
１８、記録膜１６および保護樹脂膜２０の厚さは、通常
の光ディスクと同様である。
このように構成した光ディスク１ｏは、第２図のように
して得ることができる。
して得ることができる。
まず、成形した基板１２を洗浄、乾燥等の前処理をした
のち（ステップ３ｏ）、図示しないスパッタリング装置
の真空槽内に配置し、基板１２の上に第１の誘電体膜１
４をスパッタリングによって形成する（ステップ３２）
。第１の誘電体膜１４を所定の厚さに成膜したならば、
この誘電体膜１４の上に記録膜１６をスパッタリングに
より所定の厚さだけ成膜する（ステップ３４）。次に、
記録膜１６の形成が完了したならば、記録膜１６上に第
２の誘電体膜１８をスパッタリングにより、所定の厚さ
形成する（ステップ３６）。
のち（ステップ３ｏ）、図示しないスパッタリング装置
の真空槽内に配置し、基板１２の上に第１の誘電体膜１
４をスパッタリングによって形成する（ステップ３２）
。第１の誘電体膜１４を所定の厚さに成膜したならば、
この誘電体膜１４の上に記録膜１６をスパッタリングに
より所定の厚さだけ成膜する（ステップ３４）。次に、
記録膜１６の形成が完了したならば、記録膜１６上に第
２の誘電体膜１８をスパッタリングにより、所定の厚さ
形成する（ステップ３６）。
第２の誘電体膜１８の成膜が終了したならば、基板１２
を真空槽から取り出し、第２の誘電体膜１８または基板
１２の上またはその両方の上に保護樹脂をスピンコード
またはローラコータによって塗布し、この樹脂を硬化さ
せて保護樹脂膜２゜を形成する。例えば、保護樹脂膜２
ｏの上にボウ酸（ＨｊＢ○、）を含むフルオロケイ酸（
フン化ケイ酸Ｈ２Ｓ１Ｆ６）の溶液をスピンコードして
、ＳｉＯｘの膜を５００〜１０００人堆積させる（ステ
ンブ４０）。
を真空槽から取り出し、第２の誘電体膜１８または基板
１２の上またはその両方の上に保護樹脂をスピンコード
またはローラコータによって塗布し、この樹脂を硬化さ
せて保護樹脂膜２゜を形成する。例えば、保護樹脂膜２
ｏの上にボウ酸（ＨｊＢ○、）を含むフルオロケイ酸（
フン化ケイ酸Ｈ２Ｓ１Ｆ６）の溶液をスピンコードして
、ＳｉＯｘの膜を５００〜１０００人堆積させる（ステ
ンブ４０）。
ホウ酸を含むフルオロケイ酸溶液の調整は、電子情報通
信学会技術研究報告ＳＤＭ８９−１５９の吉冨貞幸等に
よる「液相成長法による５ｉｎ２膜を用いた５１−ＭＯ
Ｓダイオードの基礎研究」に記載されている方法により
行うことができる。
信学会技術研究報告ＳＤＭ８９−１５９の吉冨貞幸等に
よる「液相成長法による５ｉｎ２膜を用いた５１−ＭＯ
Ｓダイオードの基礎研究」に記載されている方法により
行うことができる。
すなわち、半導体工業用ＨＦ（含量４７％）にＳｉＯ２
粉末を添加しくステップ５０）、よく攪拌して比重が２
０ｍ／！当たり約２７．６〜２７．８ｇのＳｉＯ□過飽
和状態の）Ｔ２Ｓ；Ｆ、溶液を作る。次に、Ｈ２Ｓ１Ｆ
ｉに入っているＳ ｉ ０２をろ過して除去しくステッ
プ５２ ） 、Ｈｚ Ｓ ＩＦ ｂの溶液６２ｍｆｆ１
当たり１１８ｍｊｌ！のＨ，Ｏを添加して希釈する（ス
テップ５４）。その後、この希釈した溶液にＨ，ＢＯ，
を加えてＨｚＳｉＦ６＋Ｈ，ＢＯ，溶液を作る。
粉末を添加しくステップ５０）、よく攪拌して比重が２
０ｍ／！当たり約２７．６〜２７．８ｇのＳｉＯ□過飽
和状態の）Ｔ２Ｓ；Ｆ、溶液を作る。次に、Ｈ２Ｓ１Ｆ
ｉに入っているＳ ｉ ０２をろ過して除去しくステッ
プ５２ ） 、Ｈｚ Ｓ ＩＦ ｂの溶液６２ｍｆｆ１
当たり１１８ｍｊｌ！のＨ，Ｏを添加して希釈する（ス
テップ５４）。その後、この希釈した溶液にＨ，ＢＯ，
を加えてＨｚＳｉＦ６＋Ｈ，ＢＯ，溶液を作る。
なお、Ｈｆｆ ＢＯ，は、粉末状ではＨ１ＳｉＦ６ン容
液に？容げにくいので、溶液にしてＨ２ＳＩＦ−溶液に
徐々に添加し、充分に攪拌する。
液に？容げにくいので、溶液にしてＨ２ＳＩＦ−溶液に
徐々に添加し、充分に攪拌する。
保護樹脂膜２０（７）上ニＨ２Ｓ ｉ Ｆ ｂ ＋ Ｈ
ｙ ＢＯ３溶液を塗布してＳ ｉ ＯＸを堆積させた後
は、基板１２を水洗いして乾燥しくステップ４２．４４
）、５ｉＯＸ保護膜２２を形成する。そして、５ＩＯＸ
保護膜２２の乾燥が終了したならば、５ｉＯＸ保護膜２
２にＣＯ□レーザを照射し、５ｉＯＸ保護膜２２を２０
０〜６００”Ｃに加熱シテ処理スル（ステップ４６）。
ｙ ＢＯ３溶液を塗布してＳ ｉ ＯＸを堆積させた後
は、基板１２を水洗いして乾燥しくステップ４２．４４
）、５ｉＯＸ保護膜２２を形成する。そして、５ＩＯＸ
保護膜２２の乾燥が終了したならば、５ｉＯＸ保護膜２
２にＣＯ□レーザを照射し、５ｉＯＸ保護膜２２を２０
０〜６００”Ｃに加熱シテ処理スル（ステップ４６）。
加熱処理を終了した光ディスク１０は、検査等の次の工
程に搬送される。
程に搬送される。
なお、ステップ４０において、第２の誘電体膜２０を形
成した基板１２を、Ｈ２ＳＩＦｂ＋ＨｙＢＯ，溶液中に
浸漬すれば、第１図に示した基板１２の両面にＳｉＯｘ
保護膜２２．２４を有する光ディスク１０を容易に得る
ことができる。そして、基板１２を溶液に浸漬した場合
、基板１２を回転させると、溶液を撹拌する効果が得ら
れ、特別な攪拌装置を用いることなく５ｉｎｘ膜を均一
に堆積させることができる。
成した基板１２を、Ｈ２ＳＩＦｂ＋ＨｙＢＯ，溶液中に
浸漬すれば、第１図に示した基板１２の両面にＳｉＯｘ
保護膜２２．２４を有する光ディスク１０を容易に得る
ことができる。そして、基板１２を溶液に浸漬した場合
、基板１２を回転させると、溶液を撹拌する効果が得ら
れ、特別な攪拌装置を用いることなく５ｉｎｘ膜を均一
に堆積させることができる。
上記の如く、実施例に係る光ディスク１ｏは、その外面
をセラミックであるＳｉＯｘからなる保護膜２２．２４
によって覆っであるため、保護膜の機械的強度を大幅に
向上することができ、疵が付いて記録膜１６を損傷した
り、書き込みや再生のエラーの発生をなくすことができ
、信転性の向上が図れる。また、実施例の光ディスク１
０は、記録膜１６を設けていない下面にもＳｉＯｘ保護
膜２４を設けたことにより、基板１２の下面からの吸湿
を防止して環境の変化による光ディスク１０の反り変形
を防ぐとともに、基板１２が庇付いて情報の記録、再生
時のエラーの発生を防くことができる。
をセラミックであるＳｉＯｘからなる保護膜２２．２４
によって覆っであるため、保護膜の機械的強度を大幅に
向上することができ、疵が付いて記録膜１６を損傷した
り、書き込みや再生のエラーの発生をなくすことができ
、信転性の向上が図れる。また、実施例の光ディスク１
０は、記録膜１６を設けていない下面にもＳｉＯｘ保護
膜２４を設けたことにより、基板１２の下面からの吸湿
を防止して環境の変化による光ディスク１０の反り変形
を防ぐとともに、基板１２が庇付いて情報の記録、再生
時のエラーの発生を防くことができる。
また、実施例の製造方法によれば、高価なスパッタリン
グ装置を用いることなく、Ｓｔｏｗ保護膜２２．２４を
液相成長法によって容易、短時間で形成することができ
、機械的強度の優れたＳｉＯ□保護膜２２．２４を安価
に得ることができる。
グ装置を用いることなく、Ｓｔｏｗ保護膜２２．２４を
液相成長法によって容易、短時間で形成することができ
、機械的強度の優れたＳｉＯ□保護膜２２．２４を安価
に得ることができる。
しかも、実施例においては、ＳｉＯｘ保護膜をレーザ光
によって熱処理しているため、より機械的強度と耐吸湿
性に優れた緻密な５ｌｏｚ保護嗅を得ることができる。
によって熱処理しているため、より機械的強度と耐吸湿
性に優れた緻密な５ｌｏｚ保護嗅を得ることができる。
また、５ｉｎＸ保護膜の加熱処理は、レーザ光によって
いるため、基板１２がポリカーボ矛−トやポリメチルメ
タクリート等の熱に弱いものであっても、基板１２に熱
的影響をほとんど与えることがない。
いるため、基板１２がポリカーボ矛−トやポリメチルメ
タクリート等の熱に弱いものであっても、基板１２に熱
的影響をほとんど与えることがない。
［発明の効果〕
以上に説明したように、本発明の光ディスクによれば、
誘電体膜上に設けた保護膜が、機械的強度に優れたセラ
ミックの一種であるＳ ｉＯ＋＋からなっているため、
疵が付きにくく、疵によって記録膜が損傷するのを防止
することができる。
誘電体膜上に設けた保護膜が、機械的強度に優れたセラ
ミックの一種であるＳ ｉＯ＋＋からなっているため、
疵が付きにくく、疵によって記録膜が損傷するのを防止
することができる。
また、本発明の光ディスクの製造方法によれば、ホウ酸
を含むフルオロケイ酸溶液を第２の誘電体膜上または前
記基板またはその両方の上にスピン塗布したり、ホウ酸
を含むフルオロケイ酸溶液中に、第２の誘電体膜を形成
した前記基板を浸漬してＳｉＯｘ膜を液相成長法によっ
て形成するため、機械的強度に優れた保護膜を容易に得
ることができる。しかも、スパッタリングによって成膜
するのと異なり、高価な装置を必要とせず、成膜時間も
短縮できるため、光ディスクの製造コストを低減するこ
とができる。
を含むフルオロケイ酸溶液を第２の誘電体膜上または前
記基板またはその両方の上にスピン塗布したり、ホウ酸
を含むフルオロケイ酸溶液中に、第２の誘電体膜を形成
した前記基板を浸漬してＳｉＯｘ膜を液相成長法によっ
て形成するため、機械的強度に優れた保護膜を容易に得
ることができる。しかも、スパッタリングによって成膜
するのと異なり、高価な装置を必要とせず、成膜時間も
短縮できるため、光ディスクの製造コストを低減するこ
とができる。
そして、基板をフルオロケイ酸溶液に浸漬してＳｉＯｘ
膜を形成すると、基板の両面に同時にＳｉＯｘからなる
保護膜を形成することができる。
膜を形成すると、基板の両面に同時にＳｉＯｘからなる
保護膜を形成することができる。
また、基板をフルオロケイ酸溶液に浸漬してＳｉＯｘ膜
を形成する場合、基板を回転させると、フルオロケイ酸
溶液の横押効果が得られ、特別な攪拌装置を必要とせず
、均一な膜を得ることができる。さらに、形成したＳｉ
Ｏｘ膜を乾燥したのち、レーザ光をＳｉＯｘ膜に照射し
て加熱処理をすると、ＳｉＯｘ膜が緻密となり、機械的
強度や耐透水性等の特性をより向上することができる。
を形成する場合、基板を回転させると、フルオロケイ酸
溶液の横押効果が得られ、特別な攪拌装置を必要とせず
、均一な膜を得ることができる。さらに、形成したＳｉ
Ｏｘ膜を乾燥したのち、レーザ光をＳｉＯｘ膜に照射し
て加熱処理をすると、ＳｉＯｘ膜が緻密となり、機械的
強度や耐透水性等の特性をより向上することができる。
第１図は本発明の実施例に係る光ディスクの一部断面図
、第２図は本発明の実施例に係る光ディスクの製造方法
の工程を示すフローチャートである。 第１の誘電体膜、１６ の誘電体膜、２２．２４ 記録膜、Ｉ８−・−第２ ＳｉｎＸ保護膜ゆ
、第２図は本発明の実施例に係る光ディスクの製造方法
の工程を示すフローチャートである。 第１の誘電体膜、１６ の誘電体膜、２２．２４ 記録膜、Ｉ８−・−第２ ＳｉｎＸ保護膜ゆ
Claims (6)
- （１）誘電体膜によってサンドイッチ状に挾んだ記録膜
が基板上に設けてある光ディスクにおいて、前記記録膜
を挾んだ前記基板上または前記誘電体膜の上またはその
両方の上に、液相成長法によって形成したＳｉＯ＿ｘか
らなる保護膜を有することを特徴とする光ディスク。 - （２）基板上に第１の誘電体膜と記録膜と第２の誘電体
膜とを順次積層したのち、前記基板上または前記第２の
誘電体膜の上またはその両方の上にＳｉＯ＿ｘ膜を液相
成長法によって形成することを特徴とする光ディスクの
製造方法。 - （３）前記液相成長法によるＳｉＯ＿ｘ膜の形成は、ホ
ウ酸を含むフルオロケイ酸溶液を、前記基板上または前
記第２の誘電体膜上またはその両方の上にスピン塗布す
ることを特徴とする請求項２に記載の光ディスクの製造
方法。 - （４）前記液相成長法によるＳｉＯ＿ｘ膜の形成は、ホ
ウ酸を含むフルオロケイ酸溶液中に、前記第２の誘電体
膜を形成した前記基板を浸漬することを特徴とする請求
項２に記載の光ディスクの製造方法。 - （５）前記フルオロケイ酸溶液中に浸漬した基板を回転
させることを特徴とする請求項４に記載の光ディスクの
製造方法。 - （６）前記液相成長法により形成したＳｉＯ＿ｘ膜を乾
燥したのち、ＳｉＯ＿ｘ膜にレーザ光を照射して加熱処
理することを特徴とする請求項２または５のいずれか１
に記載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110962A JP2927883B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2110962A JP2927883B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410245A true JPH0410245A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2927883B2 JP2927883B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=14548929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2110962A Expired - Fee Related JP2927883B2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927883B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605779A (en) * | 1992-02-27 | 1997-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196636A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デイジタル信号記録、再生デイスク |
| JPH01165925U (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-21 | ||
| JPH01307940A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Seiko Epson Corp | 光情報記録担体 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP2110962A patent/JP2927883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196636A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デイジタル信号記録、再生デイスク |
| JPH01165925U (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-21 | ||
| JPH01307940A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Seiko Epson Corp | 光情報記録担体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605779A (en) * | 1992-02-27 | 1997-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2927883B2 (ja) | 1999-07-28 |
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