JPS6013339A - 光磁気メモリ−媒体 - Google Patents
光磁気メモリ−媒体Info
- Publication number
- JPS6013339A JPS6013339A JP12020783A JP12020783A JPS6013339A JP S6013339 A JPS6013339 A JP S6013339A JP 12020783 A JP12020783 A JP 12020783A JP 12020783 A JP12020783 A JP 12020783A JP S6013339 A JPS6013339 A JP S6013339A
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- JP
- Japan
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- substrate
- heat
- film layer
- plastic
- adhered
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は酸化劣化しない六方晶系フェリ磁性体を有する
レーザ光によって記録再生可能な光磁気メモリー媒体に
関する。
レーザ光によって記録再生可能な光磁気メモリー媒体に
関する。
従来技術
従来、記録、消去ができ書き換え可能な光磁気メモリー
媒体の材料としてフェリ磁性合金膜が多く開発されてい
る。この合金膜はキュリ一温度が低く半導体レーザによ
って記録、再生、消去が可能であるという利点を有する
が、該合金膜の組成元素である重希土類例えばＴｂ、Ｇ
４゜Ｄ７ などは極めて活性である故に高融高湿の環境
下で磁性膜の酸化および腐食が急激に起って磁気特性の
劣化とピンホールの発生を促進しひいてはメモリー特性
を劣化する。これを防止する手段として磁性合金膜上に
保護膜例えば５１０２、Ｓｉ、Ｎ４．プラスチック樹脂
などを設けることが提案されているが、磁性膜作製時に
残留ガス中の酸素が磁性層中に混入して高温時に酸化を
促進しまた真空室内の微小異物および基板上に付着して
いた異物を完全に除去することも困難であること塾らこ
の方法によっては磁気特性の劣化を防止できない。それ
故、遷移金属−重希土類合金磁性膜を１０年程度記録材
料として使用することは困難である。また、酸化劣化の
ない磁性材料として六方晶系フェライト酸化物磁性体が
バブル材料として検討されてきたが、この材料はキュリ
一温度が４００℃以上と高く光磁気記憶膜に適用できな
かった。そこで、本発明者は大方晶系フェライト酸化物
磁性体のＦｅｉ子の１部を他の元素で置換してキュリ一
温度を下げ半導体レーザによって記録再生可能な酸化物
磁性体を先に提案した。しかしながら、この酸化物磁性
体は磁気記録薄膜作製時に基板温度を５００℃以上にし
ないと垂直磁化膜の特性が得られないので基板として耐
熱性の高い石英ガラス、セラミックなどを使用しなけれ
ばならない。
媒体の材料としてフェリ磁性合金膜が多く開発されてい
る。この合金膜はキュリ一温度が低く半導体レーザによ
って記録、再生、消去が可能であるという利点を有する
が、該合金膜の組成元素である重希土類例えばＴｂ、Ｇ
４゜Ｄ７ などは極めて活性である故に高融高湿の環境
下で磁性膜の酸化および腐食が急激に起って磁気特性の
劣化とピンホールの発生を促進しひいてはメモリー特性
を劣化する。これを防止する手段として磁性合金膜上に
保護膜例えば５１０２、Ｓｉ、Ｎ４．プラスチック樹脂
などを設けることが提案されているが、磁性膜作製時に
残留ガス中の酸素が磁性層中に混入して高温時に酸化を
促進しまた真空室内の微小異物および基板上に付着して
いた異物を完全に除去することも困難であること塾らこ
の方法によっては磁気特性の劣化を防止できない。それ
故、遷移金属−重希土類合金磁性膜を１０年程度記録材
料として使用することは困難である。また、酸化劣化の
ない磁性材料として六方晶系フェライト酸化物磁性体が
バブル材料として検討されてきたが、この材料はキュリ
一温度が４００℃以上と高く光磁気記憶膜に適用できな
かった。そこで、本発明者は大方晶系フェライト酸化物
磁性体のＦｅｉ子の１部を他の元素で置換してキュリ一
温度を下げ半導体レーザによって記録再生可能な酸化物
磁性体を先に提案した。しかしながら、この酸化物磁性
体は磁気記録薄膜作製時に基板温度を５００℃以上にし
ないと垂直磁化膜の特性が得られないので基板として耐
熱性の高い石英ガラス、セラミックなどを使用しなけれ
ばならない。
また、高密度記録を達成するためには基板上にプラスチ
ック材質の微小なガイド溝を設けこの上に磁性薄膜を積
層して記録媒体を作製することが必要である。ところが
、酸化物磁性体は磁性膜作製時に基板温度が高くなるの
でプラスチック材質の微小なガイド溝上に磁性薄膜を積
層することは困難であった。
ック材質の微小なガイド溝を設けこの上に磁性薄膜を積
層して記録媒体を作製することが必要である。ところが
、酸化物磁性体は磁性膜作製時に基板温度が高くなるの
でプラスチック材質の微小なガイド溝上に磁性薄膜を積
層することは困難であった。
目的
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであって、その
目的は酸化物磁性体を用いても微小なガイド溝を設ける
ことができかつ酸化、腐食および磁気特性の劣化がない
光磁気メモリー媒体を提供することである。まだ１本発
明の別の目的は軽量で安価なプラスチック基板を主体に
した光磁気メモリー媒体を提供することである。
目的は酸化物磁性体を用いても微小なガイド溝を設ける
ことができかつ酸化、腐食および磁気特性の劣化がない
光磁気メモリー媒体を提供することである。まだ１本発
明の別の目的は軽量で安価なプラスチック基板を主体に
した光磁気メモリー媒体を提供することである。
構成
本発明はプラスチック板上に微小なガイド溝および反射
層を設けた基板と、耐熱性透光性支持体上に透光性酸化
物磁性体を被覆した記録媒体とを接合することによって
微小ながイド溝付光磁気メモリー媒体を提供するもので
ある。
層を設けた基板と、耐熱性透光性支持体上に透光性酸化
物磁性体を被覆した記録媒体とを接合することによって
微小ながイド溝付光磁気メモリー媒体を提供するもので
ある。
次に１図面を参照して本発明の微小ながイド溝付光磁気
メモリー媒体の構成とその作製法を実施例により説明す
る。
メモリー媒体の構成とその作製法を実施例により説明す
る。
第１図は本発明の光磁気メモリー媒体の基本的な構成を
示すものであって、その作製は次の順序にしだがって行
なわれる。まず、耐熱性透光性支持体１を、例えばアル
ミニウムシート上に耐熱性無機シリコン樹脂（東芝シリ
コーン製トスが−）５１Ｇ）を硬化後の膜厚が０．０１
〜３．０−になるようにコーティングして３０分風乾後
１２０℃で１時間加熱硬化させ次にアルミニウムを酸処
理により溶解エツチングして作製する。このようにして
作製した耐熱性透明支持体１を基板ホルダーに密着させ
この支持体上にターク゛ットとしてキュリ一温度２２０
℃の酸化物磁性体ＢａＡＥ（）ａ４Ｆｅ １ 、○４．
を用い基板温度５５０℃に維持してＲｆマダネト四ノン
スパッタリング法よって磁性体薄膜層２を膜厚１μｍで
付着させた。−５一 方、プラスチック透明基板６に例えば射出成形、コンプ
レッション、２Ｐ法などによってトラックピッチ２〜１
０μｍ、）ラック幅０．４〜５μｍおよびトラック深さ
０．０４〜０．５μｍ程度のガイド溝４を設ける。この
溝によって形成された凹凸面に反射膜層５としてＡ１％
ｐｔ％Ａｕ、Ａｇ、 Ｃｕなどの金属薄膜をスパツタリ
）フグ法または蒸着法によって膜厚０．０１〜０．４μ
ｍで付着させる。この際、反射膜層の厚さが溝の深さく
トラック深さ）を越えないことが必要である。次いで、
先のようにして形成した耐熱性透明支持体１上の磁性体
薄膜層２と、微小なガイド溝４を有するプラスチック基
板３の凹凸面に設けられた反射膜層５とを互いに向き合
せて接着剤（接着剤層６）によシ接着硬化させ貼り合せ
て第１図に示すような光磁気メモリー媒体を作製した。
示すものであって、その作製は次の順序にしだがって行
なわれる。まず、耐熱性透光性支持体１を、例えばアル
ミニウムシート上に耐熱性無機シリコン樹脂（東芝シリ
コーン製トスが−）５１Ｇ）を硬化後の膜厚が０．０１
〜３．０−になるようにコーティングして３０分風乾後
１２０℃で１時間加熱硬化させ次にアルミニウムを酸処
理により溶解エツチングして作製する。このようにして
作製した耐熱性透明支持体１を基板ホルダーに密着させ
この支持体上にターク゛ットとしてキュリ一温度２２０
℃の酸化物磁性体ＢａＡＥ（）ａ４Ｆｅ １ 、○４．
を用い基板温度５５０℃に維持してＲｆマダネト四ノン
スパッタリング法よって磁性体薄膜層２を膜厚１μｍで
付着させた。−５一 方、プラスチック透明基板６に例えば射出成形、コンプ
レッション、２Ｐ法などによってトラックピッチ２〜１
０μｍ、）ラック幅０．４〜５μｍおよびトラック深さ
０．０４〜０．５μｍ程度のガイド溝４を設ける。この
溝によって形成された凹凸面に反射膜層５としてＡ１％
ｐｔ％Ａｕ、Ａｇ、 Ｃｕなどの金属薄膜をスパツタリ
）フグ法または蒸着法によって膜厚０．０１〜０．４μ
ｍで付着させる。この際、反射膜層の厚さが溝の深さく
トラック深さ）を越えないことが必要である。次いで、
先のようにして形成した耐熱性透明支持体１上の磁性体
薄膜層２と、微小なガイド溝４を有するプラスチック基
板３の凹凸面に設けられた反射膜層５とを互いに向き合
せて接着剤（接着剤層６）によシ接着硬化させ貼り合せ
て第１図に示すような光磁気メモリー媒体を作製した。
また、第２図は本発明の光磁気メモリー媒体 ６−
の別の構成を示すものであって、磁性体薄膜層２とガイ
ド溝付きプラスチック透明基板６との間にスペーサ７と
して透明プラスチック層を設は耐熱性透明支持体１と反
射膜層５との間の寸法ｔを０．５〜５ ｍｍに調整して
耐熱性透明支持体１側から配録再生時のレーザ照射した
場合の表面のゴミ、傷の影響を減少させることができる
。
ド溝付きプラスチック透明基板６との間にスペーサ７と
して透明プラスチック層を設は耐熱性透明支持体１と反
射膜層５との間の寸法ｔを０．５〜５ ｍｍに調整して
耐熱性透明支持体１側から配録再生時のレーザ照射した
場合の表面のゴミ、傷の影響を減少させることができる
。
また、プラスチック透明基板を接着面として２枚を互に
貼り合せて両面が記録再生消去できる構成としてもよい
。
貼り合せて両面が記録再生消去できる構成としてもよい
。
また、本発明に用いられる耐熱性支持体は、耐熱性プラ
スチック例えばポリカーボネートフィルム、トリアセテ
ートフィルム、ポリエーテルサルフオンフイルム、芳香
族アミド、イミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリア
クリレートなどに、無機シリコン、セラミックなどの透
明被覆形成可能な物質例えばシリコン／％−トコーティ
ング剤（東芝シリコーン製トスが一ド５１０、住友化学
製スミカシムＰ）およびセラミックコーティング剤をコ
ーティングし２５０℃以下で硬化させた後剥離まだは溶
剤溶解により耐熱性プラスチックを除去して作製するこ
とができる。剥離する場合は耐熱性透明支持体にテフロ
ン、シリコンなどの離型剤を塗布しておくとよい。耐熱
性透光性セラミック材料としてはＭｇＯ−ｕ２０５ ％
Ｍｇ０−Ｌ１Ｆ 、 Ｙ２Ｏ３・ＬＩＦ 、 ＢｅＯ。
スチック例えばポリカーボネートフィルム、トリアセテ
ートフィルム、ポリエーテルサルフオンフイルム、芳香
族アミド、イミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリア
クリレートなどに、無機シリコン、セラミックなどの透
明被覆形成可能な物質例えばシリコン／％−トコーティ
ング剤（東芝シリコーン製トスが一ド５１０、住友化学
製スミカシムＰ）およびセラミックコーティング剤をコ
ーティングし２５０℃以下で硬化させた後剥離まだは溶
剤溶解により耐熱性プラスチックを除去して作製するこ
とができる。剥離する場合は耐熱性透明支持体にテフロ
ン、シリコンなどの離型剤を塗布しておくとよい。耐熱
性透光性セラミック材料としてはＭｇＯ−ｕ２０５ ％
Ｍｇ０−Ｌ１Ｆ 、 Ｙ２Ｏ３・ＬＩＦ 、 ＢｅＯ。
ＺｒＯ２・Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＣａＯ１ＰＬＺＴなど
の透光性焼結物をあげることができる。これらのセラミ
ック材料を金型な用いてプレス（またはホットプレス）
し、この圧縮体を焼結して厚さ０．０１〜３Ｂの透光性
セラミック板を作製する。
の透光性焼結物をあげることができる。これらのセラミ
ック材料を金型な用いてプレス（またはホットプレス）
し、この圧縮体を焼結して厚さ０．０１〜３Ｂの透光性
セラミック板を作製する。
磁性体薄膜としてはキュリー瀝度２５０℃の六方晶系フ
ェライト例えば、 ＢａＧａ４Ｆ８０，７． Ｂａ（）ａ５Ｆｅ７０１ｇ、
５ｒＧａ６Ｆｅ６０１ ｐ 。
ェライト例えば、 ＢａＧａ４Ｆ８０，７． Ｂａ（）ａ５Ｆｅ７０１ｇ、
５ｒＧａ６Ｆｅ６０１ ｐ 。
ＢａＡＡＧａ３ＦｅＢ０１ｇ、５ｒＡＡ２Ｇａ５Ｆｅ、
０１７、ＰｂＧａ４Ｆｅ６０１．。
０１７、ＰｂＧａ４Ｆｅ６０１．。
ＢａＹＯ，５Ｂｉｏ、５Ｇａ５ＦｅＢ○＋ ｇ 、５ｒ
Ｔｔ）１．０Ｂ１１．（ＩＧａ３Ｆ８７０１ｇ、５ｒＶ
０．５Ｂｊ、（１，５０ａ４Ｆｅ７０１９、ＢａＢ１１
．０Ｇａ４Ｆｅ７０１９．５ｒＢｉ２，０Ｇａ２Ｆｅ８
０４９ 、ＢａＣｏＧａ４Ｆｅ７０１ｇ、５ｒＣＯＧａ
４Ｆ８７０１ ｑ 、 ＢａＴｉ、、。Ｇａ３Ｆｅ８０
，９、ＢａＴｉ １４Ｚｎ４，５０ａ５Ｆ６＋７０ ＋
。
Ｔｔ）１．０Ｂ１１．（ＩＧａ３Ｆ８７０１ｇ、５ｒＶ
０．５Ｂｊ、（１，５０ａ４Ｆｅ７０１９、ＢａＢ１１
．０Ｇａ４Ｆｅ７０１９．５ｒＢｉ２，０Ｇａ２Ｆｅ８
０４９ 、ＢａＣｏＧａ４Ｆｅ７０１ｇ、５ｒＣＯＧａ
４Ｆ８７０１ ｑ 、 ＢａＴｉ、、。Ｇａ３Ｆｅ８０
，９、ＢａＴｉ １４Ｚｎ４，５０ａ５Ｆ６＋７０ ＋
。
などが用いられる。磁性体薄膜の厚さは０．１〜１０μ
ｍ好ましくは０．５〜５μｍである。また、プラスチッ
ク透明基板としてはボリメタク１ル−ト樹月しポリカー
ボネート樹月旨、ポリエーテルサルフオン樹脂、ナイロ
ン樹月旨、トリアセテート樹脂が用いられる。この透明
プラスチック基板上に微小グループ溝が形成される。溝
はインジェクション、コンプレッションｔ＊は２Ｐ法な
どによって作製する。さらにこの上に反射膜トシテ金属
層Ａｇ、 Ａ１．、Ｃｕ、 Ａ＋１、ｐｔなどをスノく
ツタリング法または蒸着法によって積層する。
ｍ好ましくは０．５〜５μｍである。また、プラスチッ
ク透明基板としてはボリメタク１ル−ト樹月しポリカー
ボネート樹月旨、ポリエーテルサルフオン樹脂、ナイロ
ン樹月旨、トリアセテート樹脂が用いられる。この透明
プラスチック基板上に微小グループ溝が形成される。溝
はインジェクション、コンプレッションｔ＊は２Ｐ法な
どによって作製する。さらにこの上に反射膜トシテ金属
層Ａｇ、 Ａ１．、Ｃｕ、 Ａ＋１、ｐｔなどをスノく
ツタリング法または蒸着法によって積層する。
９−
プラスチック透明基板の損傷を防止するためにこの上に
耐摩耗性のよい硬い耐熱性透明材料を被覆してもよい。
耐摩耗性のよい硬い耐熱性透明材料を被覆してもよい。
効果
上述のようにして構成された本発明の光磁気メモリー媒
体は酸化安定性および磁気特性がすぐれている点で従来
のものに北上で大きな利点を有する。
体は酸化安定性および磁気特性がすぐれている点で従来
のものに北上で大きな利点を有する。
第１図は本発明の微小なガイド溝付光磁気メモリー媒体
の基本構成を示す断面図でありそして第２図は本発明の
光磁気メモリー媒体の別の構成を示す断面図である。 １・・・耐熱性透明支持体、、２・・・磁性体薄膜層、
３・・・プラスチック基板、４・・・微小なガイド溝、
５・・・反射膜層、６・・・接着層、７・・・スペーサ
。 １０−
の基本構成を示す断面図でありそして第２図は本発明の
光磁気メモリー媒体の別の構成を示す断面図である。 １・・・耐熱性透明支持体、、２・・・磁性体薄膜層、
３・・・プラスチック基板、４・・・微小なガイド溝、
５・・・反射膜層、６・・・接着層、７・・・スペーサ
。 １０−
Claims (1)
- 耐熱性透光性支持体上に設けられた透光性酸化物磁性体
薄膜層と、微小ながイド溝を有するブジスナック基板上
の凹凸面に設けられた反射膜層とを互いに向き合せて接
合したことを特徴とする、光磁気メモリー媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020783A JPS6013339A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | 光磁気メモリ−媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020783A JPS6013339A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | 光磁気メモリ−媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013339A true JPS6013339A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14780548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12020783A Pending JPS6013339A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | 光磁気メモリ−媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117357A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気デイスク及びその製造方法 |
| JPH04364250A (ja) * | 1991-09-26 | 1992-12-16 | Brother Ind Ltd | 光記録媒体 |
-
1983
- 1983-07-04 JP JP12020783A patent/JPS6013339A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117357A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気デイスク及びその製造方法 |
| JPH04364250A (ja) * | 1991-09-26 | 1992-12-16 | Brother Ind Ltd | 光記録媒体 |
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