JPH01208742A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
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- JPH01208742A JPH01208742A JP63032123A JP3212388A JPH01208742A JP H01208742 A JPH01208742 A JP H01208742A JP 63032123 A JP63032123 A JP 63032123A JP 3212388 A JP3212388 A JP 3212388A JP H01208742 A JPH01208742 A JP H01208742A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去などを行う
光ディスクなどに利用される光メモリ素子に関するもの
である。
光ディスクなどに利用される光メモリ素子に関するもの
である。
従来、表裏両面で情報の記録、再生、消去などを行う光
メモリ素子を製造するには、一般に、第４図（ａ）に示
すように、透明な基板１の一方の面にグループ（１りや
ピントとなる凹凸２・・・を形成した後、同図（ｂ）に
示すように、この凹凸２・・・を覆うように記録膜３を
一体的に形成して光メモリ基板４を得る。次いで、同図
（ｃ）に示すように、上記と同様にして形成された光メ
モリ基板４′を用意し、各々の記録膜３・３′同士を対
向させた状態で、これら記録膜３・３′の間に例えば紫
外線硬化樹脂などの接着剤層５を介在させ、光メモリ基
板４・４′同士を互いに接着固定して光メモリ素子を得
ていた。
メモリ素子を製造するには、一般に、第４図（ａ）に示
すように、透明な基板１の一方の面にグループ（１りや
ピントとなる凹凸２・・・を形成した後、同図（ｂ）に
示すように、この凹凸２・・・を覆うように記録膜３を
一体的に形成して光メモリ基板４を得る。次いで、同図
（ｃ）に示すように、上記と同様にして形成された光メ
モリ基板４′を用意し、各々の記録膜３・３′同士を対
向させた状態で、これら記録膜３・３′の間に例えば紫
外線硬化樹脂などの接着剤層５を介在させ、光メモリ基
板４・４′同士を互いに接着固定して光メモリ素子を得
ていた。
ところが、上記の基板１・１′は、情報の記録、再生、
消去用の光を透過させる必要があり、また、凹凸２・・
・、２′・・・を形成する必要があるために、かかる基
板１・１′に対して種々の条件が要求されることになる
。例えば、■透明であること、■光学的に等方的である
こと、特に、複屈折が小さいこと、■“反り”や“うね
り”が小さく平坦であること、■凹凸２・・・・２′・
・・を形成し易いことなどが要求される。さらに、基板
ｌ・１′は記録膜３・３′との関係においても種々の条
件が要求されており、例えば、記録膜３・３′の形成に
おいて温度が上昇するのであれば耐熱性が要求され、ま
た、記録膜３・３′の耐湿性が問題になる場合には、低
透湿性や低吸水性が要求される。
消去用の光を透過させる必要があり、また、凹凸２・・
・、２′・・・を形成する必要があるために、かかる基
板１・１′に対して種々の条件が要求されることになる
。例えば、■透明であること、■光学的に等方的である
こと、特に、複屈折が小さいこと、■“反り”や“うね
り”が小さく平坦であること、■凹凸２・・・・２′・
・・を形成し易いことなどが要求される。さらに、基板
ｌ・１′は記録膜３・３′との関係においても種々の条
件が要求されており、例えば、記録膜３・３′の形成に
おいて温度が上昇するのであれば耐熱性が要求され、ま
た、記録膜３・３′の耐湿性が問題になる場合には、低
透湿性や低吸水性が要求される。
このため、近年では、上記の基板１・１′として、射出
成形法によるポリカーボネート基板（以下、単にＰＣ基
板と称する）を用いることが検討されている。
成形法によるポリカーボネート基板（以下、単にＰＣ基
板と称する）を用いることが検討されている。
ところが、上記の射出成形法によるＰＣ基板といえども
、複屈折が大きくなり易いく、また、記録膜３が形成さ
れたとき、すなわち、記録膜３が形成されて光メモリ基
板４となったときに、第５図に示すように、記録膜３側
を凸にして反ってしまう傾向がある。光メモリ基板４が
記録膜３側を凸にして反ってしまうのは、記録膜３とＰ
Ｃ基板１との熱膨張係数が異なるためであり、記録膜３
の形成時において温度が上昇していると、常温になった
ときにＰＣ基板１が記録膜３に比べて小さくなるためで
ある。
、複屈折が大きくなり易いく、また、記録膜３が形成さ
れたとき、すなわち、記録膜３が形成されて光メモリ基
板４となったときに、第５図に示すように、記録膜３側
を凸にして反ってしまう傾向がある。光メモリ基板４が
記録膜３側を凸にして反ってしまうのは、記録膜３とＰ
Ｃ基板１との熱膨張係数が異なるためであり、記録膜３
の形成時において温度が上昇していると、常温になった
ときにＰＣ基板１が記録膜３に比べて小さくなるためで
ある。
また、上記のように、反った光メモリ基板４・４′を互
いに貼り合わせて光メモリ素子を作製した場合、かかる
光メモリ素子には常に応力が加わることになる。このた
め、光メモリ素子に急激な温度変化が加わった場合など
には、光メモリ素子に剥離を生じてしまい、光メモリ素
子の信頼性を損なうといった問題を招来する。
いに貼り合わせて光メモリ素子を作製した場合、かかる
光メモリ素子には常に応力が加わることになる。このた
め、光メモリ素子に急激な温度変化が加わった場合など
には、光メモリ素子に剥離を生じてしまい、光メモリ素
子の信頼性を損なうといった問題を招来する。
本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、表面および裏面の少なくとも一方の面に凹凸の形
成された基板と、この基板の表裏両面にそれぞれ形成さ
れた記録膜と、この記録膜上に貼付された透明保護基板
とが備えられたことを特徴としている。
めに、表面および裏面の少なくとも一方の面に凹凸の形
成された基板と、この基板の表裏両面にそれぞれ形成さ
れた記録膜と、この記録膜上に貼付された透明保護基板
とが備えられたことを特徴としている。
上記の構成によれば、基板に“反り”が生じるのを防止
することができる。すなわち、基板の両面にそれぞれ形
成された記録膜は、その熱膨張係数の等しいもの若しく
は同程度のものであるから、温度変化による大きさの変
化も互いに等しく、従って、これら画記録膜の大きさが
たとえ上記の基板と異なることになっても、この大きさ
の相違から生じる力は基板の両面から互いに等しい強さ
で上記の基板に作用することになる。基板の両面から互
いに等しい強さの力が加わると、これら両刀は互いに相
殺されることになり、その結果として基板には“反り”
が生じなくなるのである。
することができる。すなわち、基板の両面にそれぞれ形
成された記録膜は、その熱膨張係数の等しいもの若しく
は同程度のものであるから、温度変化による大きさの変
化も互いに等しく、従って、これら画記録膜の大きさが
たとえ上記の基板と異なることになっても、この大きさ
の相違から生じる力は基板の両面から互いに等しい強さ
で上記の基板に作用することになる。基板の両面から互
いに等しい強さの力が加わると、これら両刀は互いに相
殺されることになり、その結果として基板には“反り”
が生じなくなるのである。
また、上記の透明保護基板については、グループやピッ
トとなる凹凸を形成する必要がないため、この透明保護
基板の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易性を考慮す
る必要が無くなる。従って、その分だけ素材選択の余地
が拡がり、透明保護基板として要求される光学的な優秀
性および保護作用の優秀性などに重点をおいた素材選び
が可能となる。
トとなる凹凸を形成する必要がないため、この透明保護
基板の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易性を考慮す
る必要が無くなる。従って、その分だけ素材選択の余地
が拡がり、透明保護基板として要求される光学的な優秀
性および保護作用の優秀性などに重点をおいた素材選び
が可能となる。
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
本考案にかかる光メモリ素子において、第１図（’ｃ
）に示すように、基板１１の表裏両面にはグループ（溝
）やビットとなる凹凸１２・・・が形成されており、こ
の凹凸１２・・・を覆うようにして記録膜１３・１３が
一体的に形成されている。記録膜１３・１３上には、透
明な接着剤層１４・１４が形成されており、この透明接
着剤Ｎ１４・１４によって透明保護基板１５・１５がそ
れぞれ接着固定されている。
）に示すように、基板１１の表裏両面にはグループ（溝
）やビットとなる凹凸１２・・・が形成されており、こ
の凹凸１２・・・を覆うようにして記録膜１３・１３が
一体的に形成されている。記録膜１３・１３上には、透
明な接着剤層１４・１４が形成されており、この透明接
着剤Ｎ１４・１４によって透明保護基板１５・１５がそ
れぞれ接着固定されている。
光メ、そり素子を製造するには、同図（ａ）に示すよう
に、まず、基板１１の表裏両面にグループなどとなる凹
凸１２・・・を形成する。凹凸１２・・・を形成したら
、同図（ｂ）に示すように、記録膜１３・１３をスパッ
タリング法などによって形成する。記録膜１３・１３と
しては、例えば、Ａｊ２／Ａ７！Ｎ／ （Ｇｄｏ、ｂ
Ｔｂｏ、４） ｏ、ｚｓＦ ｅｏ、７ｚ／ＡｆＮの４Ｎ
を積層した光磁気記録媒体などが用いられる。勿論、こ
のようなＧｄＴｂＦｅ系のものに限らず、他の素材を用
いた光磁気記録媒体、さらには、Ｔｅ系を用いた相変化
型（結晶−アモルファスの相変化利用型）の記録媒体な
どでも良いものである。次いで、上記の記録膜１３・１
３上に透明接着剤を塗布して接着剤層１４・１４を形成
し、この接着剤層１４・１４によって透明保護基板１５
・１５を接着固定する。上記の接着剤としては、紫外線
硬化樹脂などが適用される。
に、まず、基板１１の表裏両面にグループなどとなる凹
凸１２・・・を形成する。凹凸１２・・・を形成したら
、同図（ｂ）に示すように、記録膜１３・１３をスパッ
タリング法などによって形成する。記録膜１３・１３と
しては、例えば、Ａｊ２／Ａ７！Ｎ／ （Ｇｄｏ、ｂ
Ｔｂｏ、４） ｏ、ｚｓＦ ｅｏ、７ｚ／ＡｆＮの４Ｎ
を積層した光磁気記録媒体などが用いられる。勿論、こ
のようなＧｄＴｂＦｅ系のものに限らず、他の素材を用
いた光磁気記録媒体、さらには、Ｔｅ系を用いた相変化
型（結晶−アモルファスの相変化利用型）の記録媒体な
どでも良いものである。次いで、上記の記録膜１３・１
３上に透明接着剤を塗布して接着剤層１４・１４を形成
し、この接着剤層１４・１４によって透明保護基板１５
・１５を接着固定する。上記の接着剤としては、紫外線
硬化樹脂などが適用される。
上記の構成によれば、基板１１の表裏両面に記録膜１３
・１３がそれぞれ形成されているため、基板１１に記録
膜１３・１３が形成された状態においてこの基板１１に
“反り”が生じるのを防止することができる。すなわち
、記録膜Ｉ３・１３はその熱膨張係数が互いに等しいも
のであるから、温度変化による大きさの変化も互いに等
しく、従って、これら両記録膜１３・１３の大きさがた
とえ上記の基板１１と異なることになっても、この大き
さの相違から生じる力は基板１１に対しその両面から互
いに等しい強さで作用することになる。基板１１の両面
から互いに等しい強さの力が加わると、これら両刀は互
いに相殺されてしまい、その結果として上記の基板１１
には“反り”が生じなくなるのである。
・１３がそれぞれ形成されているため、基板１１に記録
膜１３・１３が形成された状態においてこの基板１１に
“反り”が生じるのを防止することができる。すなわち
、記録膜Ｉ３・１３はその熱膨張係数が互いに等しいも
のであるから、温度変化による大きさの変化も互いに等
しく、従って、これら両記録膜１３・１３の大きさがた
とえ上記の基板１１と異なることになっても、この大き
さの相違から生じる力は基板１１に対しその両面から互
いに等しい強さで作用することになる。基板１１の両面
から互いに等しい強さの力が加わると、これら両刀は互
いに相殺されてしまい、その結果として上記の基板１１
には“反り”が生じなくなるのである。
また、上記の透明保護基板１５・１５については、グル
ープなどとなる凹凸１２・・・を形成する必要がないた
め、この透明保護基板１５の素材を選ぶにあたり、凹凸
形成の容易性を考慮する必要が無くなる。従って、その
分だけ素材選択の余地が拡がり、透明保護基板１５とし
て要求される光学的な優秀性および保護作用の優秀性な
どに重点をおいた素材選びが可能となる。
ープなどとなる凹凸１２・・・を形成する必要がないた
め、この透明保護基板１５の素材を選ぶにあたり、凹凸
形成の容易性を考慮する必要が無くなる。従って、その
分だけ素材選択の余地が拡がり、透明保護基板１５とし
て要求される光学的な優秀性および保護作用の優秀性な
どに重点をおいた素材選びが可能となる。
本実施例では、基板１１の表裏両面に凹凸１２・・・を
形成しているが、この場合において、基板１１が射出成
形によるポリカーボネート基板（以下、単にＰＣ基板と
称する）であるならば、上記の表裏両面の凹凸１２・・
・の形成は、金型に取り付けられた一対のスタンバによ
って行われる。この方法であれば、従来のように、２枚
の光メモリ基板を貼り合わせる時にその都度グループ中
心を合わせるといった手間を省くことができる。すなわ
ち、上記のスタンバの位置調節を予め行っておくことに
より、基板１１の表裏両面に形成されたグループ同士の
中心合わせを容易に行うことができ、しかも、−度中心
合わせを行えば、複製されるグループ付き基板１１は表
裏両面で常に同じグループ中心を持つことになるからで
ある。このように、グループ中心を表裏両面で一致させ
ることができると、光メモリ素子をプレーヤーに装填し
て回転させたときに生じる不均衡を抑制することが容易
となる。
形成しているが、この場合において、基板１１が射出成
形によるポリカーボネート基板（以下、単にＰＣ基板と
称する）であるならば、上記の表裏両面の凹凸１２・・
・の形成は、金型に取り付けられた一対のスタンバによ
って行われる。この方法であれば、従来のように、２枚
の光メモリ基板を貼り合わせる時にその都度グループ中
心を合わせるといった手間を省くことができる。すなわ
ち、上記のスタンバの位置調節を予め行っておくことに
より、基板１１の表裏両面に形成されたグループ同士の
中心合わせを容易に行うことができ、しかも、−度中心
合わせを行えば、複製されるグループ付き基板１１は表
裏両面で常に同じグループ中心を持つことになるからで
ある。このように、グループ中心を表裏両面で一致させ
ることができると、光メモリ素子をプレーヤーに装填し
て回転させたときに生じる不均衡を抑制することが容易
となる。
なお、上記の基板１１は必ずしも透明であることを要し
ないものであり、その素材としては上記のＰＣ基板に限
らず、ＡＢＳ樹脂やメラミン樹脂などをはじめ、ガラス
、セラミックスなどを素材としたものが使用される。ま
た、基板の製法としては上記の射出成形の他に押出成形
やキャスティングなどが適用でき、このキャスティング
により成形されたエポキシ樹脂板やアクリル樹脂板など
も基板１１として適用することもできる。
ないものであり、その素材としては上記のＰＣ基板に限
らず、ＡＢＳ樹脂やメラミン樹脂などをはじめ、ガラス
、セラミックスなどを素材としたものが使用される。ま
た、基板の製法としては上記の射出成形の他に押出成形
やキャスティングなどが適用でき、このキャスティング
により成形されたエポキシ樹脂板やアクリル樹脂板など
も基板１１として適用することもできる。
ここで、上記の透明保護基板１５・ｌ・５として、■ガ
ラス基板、■押出成形によるｐｃ基板、■射出成形によ
るｐｃ基板を用いた３つ場合について光メモリ素子の信
号品質、例えば、記録ビット長とＣ／Ｎとの関係をそれ
ぞれ測定すると、第２図の通りであった。この測定結果
によると、押出成形によるＰＣ基板を用いた光メモリ素
子では、ガラス基板を用いた光メモリ素子と同程度のＣ
／Ｎ比が得られており、押出成形によるｐｃ基板が透明
保護基板１５として極めて適していることが判明した。
ラス基板、■押出成形によるｐｃ基板、■射出成形によ
るｐｃ基板を用いた３つ場合について光メモリ素子の信
号品質、例えば、記録ビット長とＣ／Ｎとの関係をそれ
ぞれ測定すると、第２図の通りであった。この測定結果
によると、押出成形によるＰＣ基板を用いた光メモリ素
子では、ガラス基板を用いた光メモリ素子と同程度のＣ
／Ｎ比が得られており、押出成形によるｐｃ基板が透明
保護基板１５として極めて適していることが判明した。
一方、射出成形によるＰＣ基板を用いた光メモリ素子は
、ガラス基板を用いた光メモリ素子に比べてＣ／Ｎ比が
低く、透明保護基板１５としては必ずしも適当でない。
、ガラス基板を用いた光メモリ素子に比べてＣ／Ｎ比が
低く、透明保護基板１５としては必ずしも適当でない。
また、押出成形によるＰＣ基板と、射出成形によるＰＣ
基板とでは、第３図に示すように、その垂直複屈折（基
板の面内方向と垂直方向との屈折率の差）においても差
異がある。すなわち、押出成形によるｐｃ基板の方が垂
直複屈折は小さくなっていて、光学的等方性に優れてい
る。なお、ガラス基板には複屈折は殆ど生じなかった。
基板とでは、第３図に示すように、その垂直複屈折（基
板の面内方向と垂直方向との屈折率の差）においても差
異がある。すなわち、押出成形によるｐｃ基板の方が垂
直複屈折は小さくなっていて、光学的等方性に優れてい
る。なお、ガラス基板には複屈折は殆ど生じなかった。
さらに、押出成形によるＰＣ基板と、射出成形によるＰ
Ｃ基板とでは、その製法の相違に起因して、凹凸１２・
・・の成形の容易性についても差異がある。射出成形に
よるＰＣ基板の方が押出成形によるｐｃ基板よりも、凹
凸１２・・・の形成が容易である。
Ｃ基板とでは、その製法の相違に起因して、凹凸１２・
・・の成形の容易性についても差異がある。射出成形に
よるＰＣ基板の方が押出成形によるｐｃ基板よりも、凹
凸１２・・・の形成が容易である。
以上のことから、凹凸１２・・・が形成される基板１１
として射出成形によるＰＣ基板を適用する一方、光学的
等方性などを要求される透明保護基板１５・１５として
押出成形によるｐｃ基板を適用すれば、理想的な光メモ
リ素子を得ることができる。この場合、押出成形による
ｐｃ基板と、射出成形によるｐｃ基板とは、その熱膨張
率が同程度であるから、光メモリ素子の内部応力の低減
をも図ることが可能となる。
として射出成形によるＰＣ基板を適用する一方、光学的
等方性などを要求される透明保護基板１５・１５として
押出成形によるｐｃ基板を適用すれば、理想的な光メモ
リ素子を得ることができる。この場合、押出成形による
ｐｃ基板と、射出成形によるｐｃ基板とは、その熱膨張
率が同程度であるから、光メモリ素子の内部応力の低減
をも図ることが可能となる。
なお、上記の基板１１は射出成形によるＰＣ基板に限定
されないことは勿論であり、上記の押出成形によるＰＣ
基板を適用してもよいものである。押出成形によるＰＣ
基板に凹凸１２・・・を形成する場合には、かかるＰＣ
基板を型と型の間に配置して両側から押し付けて凹凸Ｉ
２・・・を形成する。
されないことは勿論であり、上記の押出成形によるＰＣ
基板を適用してもよいものである。押出成形によるＰＣ
基板に凹凸１２・・・を形成する場合には、かかるＰＣ
基板を型と型の間に配置して両側から押し付けて凹凸Ｉ
２・・・を形成する。
この形成時の温度を約１００℃に保持しておけば、グル
ープをなす上記凹凸１２・・・の形状を良好に転写する
ことが可能である。
ープをなす上記凹凸１２・・・の形状を良好に転写する
ことが可能である。
また、本発明にかかる光メモリ素子は、ディスク状のも
のに限らず、例えば、カード状のものにおいても適用で
きるものである。
のに限らず、例えば、カード状のものにおいても適用で
きるものである。
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、表面およ
び裏面の少なくとも一方の面に凹凸の形成された基板と
、この基板の表裏両面にそれぞれ形成された記録膜と、
この記録膜上に貼付された透明保護基板とが備えられた
構成である。
び裏面の少なくとも一方の面に凹凸の形成された基板と
、この基板の表裏両面にそれぞれ形成された記録膜と、
この記録膜上に貼付された透明保護基板とが備えられた
構成である。
これにより、上記の基板に“反り”が生じるのを防止で
き、光メモリ素子の信頬性向上に大きく寄与することが
できる。また、上記の透明保護基板については、グルー
プなどとなる凹凸を形成する必要がないため、この透明
保護基板の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易性を考
慮する必要が無くなる。従って、その分だけ素材選択の
余地が拡がり、透明保護基板として要求される光学的な
優秀性および保護作用の優秀性などに重点をおいた素材
選びが可能となり、光メモリ素子の性能を格段に向上で
きるという効果も併せて奏する。
き、光メモリ素子の信頬性向上に大きく寄与することが
できる。また、上記の透明保護基板については、グルー
プなどとなる凹凸を形成する必要がないため、この透明
保護基板の素材を選ぶにあたり、凹凸形成の容易性を考
慮する必要が無くなる。従って、その分だけ素材選択の
余地が拡がり、透明保護基板として要求される光学的な
優秀性および保護作用の優秀性などに重点をおいた素材
選びが可能となり、光メモリ素子の性能を格段に向上で
きるという効果も併せて奏する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図（ａ）はグループなどとなる凹凸が表裏両
面に形成された基板の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
における基板の両面に記録膜を形成した状態を示す断面
図、同図（ｃ）は同図（ｂ）における記録膜上に透明接
着剤層を介して透明保護基板を貼付した状態を示す断面
図、第２図は透明保護基板として■ガラス基板■押出成
形によるＰＣ基板■射出成形によるｐｃ基板を用いた３
つ場合について光メモリ素子における記録ビット長とＣ
／Ｎ ｌ送波対雑音比）との関係をそれぞれ示すグラフ
、第３図は透明保護基板として■押出成形によるｐｃ基
板■射出成形によるＰＣ基板を用いた２つ場合について
基板の回転角度と垂直複屈折との関係をそれぞれ示すグ
ラフ、第４図および第５図は従来例を示すものであって
、第４図（ａ）はグループとなる凹凸が片面に形成され
た基板の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）における凹凸
上に記録膜を形成してなる光メモリ基板を示す断面図、
同図（ｃ）は同図（ｂ）における光メモリ基板を２つ貼
り合わせた状態を示す断面図、第５図は光メモリ基板に
反りが生じた状態を示す断面図である。 １１は基板、１２は凹凸、１３は保護膜、１４は透明接
着剤、１５は透明保護基板である。 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 第 ＩＦｊ！１（ｃ） 第４図（ａ） 第４図（ｂ） Ｔｈ、 ４ Ｊ（Ｃ） 第５図 １ ｌ ｚ
って、第１図（ａ）はグループなどとなる凹凸が表裏両
面に形成された基板の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
における基板の両面に記録膜を形成した状態を示す断面
図、同図（ｃ）は同図（ｂ）における記録膜上に透明接
着剤層を介して透明保護基板を貼付した状態を示す断面
図、第２図は透明保護基板として■ガラス基板■押出成
形によるＰＣ基板■射出成形によるｐｃ基板を用いた３
つ場合について光メモリ素子における記録ビット長とＣ
／Ｎ ｌ送波対雑音比）との関係をそれぞれ示すグラフ
、第３図は透明保護基板として■押出成形によるｐｃ基
板■射出成形によるＰＣ基板を用いた２つ場合について
基板の回転角度と垂直複屈折との関係をそれぞれ示すグ
ラフ、第４図および第５図は従来例を示すものであって
、第４図（ａ）はグループとなる凹凸が片面に形成され
た基板の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）における凹凸
上に記録膜を形成してなる光メモリ基板を示す断面図、
同図（ｃ）は同図（ｂ）における光メモリ基板を２つ貼
り合わせた状態を示す断面図、第５図は光メモリ基板に
反りが生じた状態を示す断面図である。 １１は基板、１２は凹凸、１３は保護膜、１４は透明接
着剤、１５は透明保護基板である。 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 第 ＩＦｊ！１（ｃ） 第４図（ａ） 第４図（ｂ） Ｔｈ、 ４ Ｊ（Ｃ） 第５図 １ ｌ ｚ
Claims (1)
- １、表面および裏面の少なくとも一方の面に凹凸の形成
された基板と、この基板の表裏両面にそれぞれ形成され
た記録膜と、この記録膜上に貼付された透明保護基板と
が備えられたことを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212388A JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
| US07/308,018 US5059473A (en) | 1988-02-15 | 1989-02-09 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| CA 590987 CA1316603C (en) | 1988-02-15 | 1989-02-14 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| EP19890301463 EP0329425B1 (en) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| DE1989614490 DE68914490T2 (de) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | Optisches Aufzeichnungsmedium und dessen Herstellungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212388A JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208742A true JPH01208742A (ja) | 1989-08-22 |
| JP2680591B2 JP2680591B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12350107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212388A Expired - Lifetime JP2680591B2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059473A (ja) |
| EP (1) | EP0329425B1 (ja) |
| JP (1) | JP2680591B2 (ja) |
| CA (1) | CA1316603C (ja) |
| DE (1) | DE68914490T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04149834A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Pioneer Electron Corp | 相変化型光学式情報記録媒体 |
| US5470627A (en) * | 1992-03-06 | 1995-11-28 | Quantum Corporation | Double-sided optical media for a disk storage device |
| US5202880A (en) * | 1992-03-06 | 1993-04-13 | Digital Equipment Corporation | Double-sided magneto-optical media for a multi-disk storage device |
| US5471443A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-28 | Randall Jamail | Method of selectively concealing magneto-optical compact disk data for playback upon demand |
| US5467327A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-14 | Jamail; Randall | Method of masking data on a storage medium |
| US5808974A (en) * | 1993-12-22 | 1998-09-15 | Jamail; Randall H. | Method of masking data on a storage medium using a directory |
| US5488597A (en) * | 1994-04-19 | 1996-01-30 | Alan G. Chen | Multilayer optical memory with means for recording and reading information |
| EP0706178B1 (en) * | 1994-10-03 | 2001-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information medium, method for producing the optical information medium, and unit for producing the optical information medium |
| USRE39412E1 (en) | 1995-02-15 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information medium, and method and apparatus for fabricating the same |
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Citations (2)
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Family Cites Families (10)
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| JPS60155424A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 大径のポリカ−ボネ−ト製光デイスク基板およびその製造法 |
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| JPS62185264A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3212388A patent/JP2680591B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-09 US US07/308,018 patent/US5059473A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-14 CA CA 590987 patent/CA1316603C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 DE DE1989614490 patent/DE68914490T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 EP EP19890301463 patent/EP0329425B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139249A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-02-25 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− | 光学的記録媒体 |
| JPS6429530U (ja) * | 1987-08-14 | 1989-02-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0329425A2 (en) | 1989-08-23 |
| EP0329425A3 (en) | 1990-10-10 |
| DE68914490T2 (de) | 1994-11-24 |
| CA1316603C (en) | 1993-04-20 |
| EP0329425B1 (en) | 1994-04-13 |
| US5059473A (en) | 1991-10-22 |
| JP2680591B2 (ja) | 1997-11-19 |
| DE68914490D1 (de) | 1994-05-19 |
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Legal Events
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