JPS60155424A - 大径のポリカ−ボネ−ト製光デイスク基板およびその製造法 - Google Patents

大径のポリカ−ボネ−ト製光デイスク基板およびその製造法

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JPS60155424A
JPS60155424A JP59012565A JP1256584A JPS60155424A JP S60155424 A JPS60155424 A JP S60155424A JP 59012565 A JP59012565 A JP 59012565A JP 1256584 A JP1256584 A JP 1256584A JP S60155424 A JPS60155424 A JP S60155424A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光学式記録・再生装置に用いられるビデオディ
スク、コンパクトディスク、ＤＲＡＷ用ディスク、Ｅ−
ＤＲＡＷ用ディスク等のプラスチック製高密度情報記録
担体に関するものであり、特に、直径が１３０調以上か
っ３５０＋ｎｍ以内のポリカーボネート製ディ１′ス・
久基板であって、複屈折が２５ｎｍ　以下である基板と
その射出成形法に関するものである。
（従来技術） 光学式記録・再生装置に用いられるプラスチック製の高
密度情報記録担体用基板（以下、単に光デイスク基板と
いう）は主として２Ｐ法（ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ
ｉｚａｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓ）と射出成形によって
作られる。’　２　Ｐ法ではＵＶ硬化装置等の硬化手段
が必要であり、生産性を上けるのが困難であるため、射
出成形法で光デイスク基板を作る研究開発が今日まで精
力的に進められている。
射出成形用の材料としては透明性で且つ安定性のある樹
脂としてアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエ
ステル樹脂、メチルペンテン樹脂等が提案されているが
、特に、前２者が主とじて用いられている。これらの樹
脂材料には透明性、複屈折等の光学的特性、衝撃強度、
寸法安定性等の物理的特性、吸湿性等の化学的特性およ
び溶融流動性、転写性等の成形特性に極めて厳しい要求
がなされている。
すなわち、光ディスクではタバコの煙の直径より小さい
サブミクロンオーダーの情報が記録されるため、上記の
諸特性全てが満足されなければならない。これら諸物性
については日経マグロウヒル社発行［日経エレクトロニ
クス１９８２．６−７Ｊの第１３３〜１５２頁に詳細に
記載されている。
上記文献にも記載されているように光ディスクは既に実
用化されており、アクリル樹脂は直径が最大３００削の
ビデオディスクやＤＲＡＷ型ディスクに用いられ、ポリ
カーボネート樹脂は直径が１２０朧の小径なコンパクト
ディスクに用いられている。
アクリル樹脂は溶融粘度が低く、射出成形し易く、複屈
折も少ないため直径３００．０デイスクを作ることも可
能であるが、アクリル樹脂は吸湿性が大きく、金属膜付
着時に熱変形し易く、経時的に変形し易いため長期保存
性に不安がある。
一方、ポリカーボネート樹力旨は金属膜コーティング時
の加熱に対する耐変形性に優れ、透湿性が低いが、ポリ
カーボネート樹脂を用いて直径が１３０削以上の大径デ
ィスクを射出成形で作ると複屈折が大きくなり、光学的
に信号を読み取りで＠なくなるため光ディスクとしての
実用化が顧慮されていなかった。
直径が１２０．の小径のコンパクトディスク基板を射出
成形で作ることは前記文献や特開昭５８−１２６１１特
、特開昭５８−１８０５５３号で既に公知である。
しかし、直径が１３０ｍｍ以上のポリカーボネート樹脂
製光デイスク基板を射出成形で作るということは全く知
られていない上に、例えば、直径を１２０調から２００
關にすることは直径比では１．７倍ではあるが面積比で
は２８倍となり、この大巾に増大した光ディスクの記録
面の複屈折を２５ｎｍ　以下におさえ且つ均一に分布さ
せるということは極めて困難なことである。
（本発明の目的） したがって、本発明の第１の目的は射出成形によって作
った複屈折が２５ｎｍ　以下である直径が１３０咽以上
のポリカーボネート製光デイスク基板を提供することに
ある。
さらに本発明の他の目的は複屈折が２５ｎｍ　以下であ
る直径が１３０燗以上の大径ポリカーボネート製光デイ
スク基板の射出成形方法を提供することにある。
本発明の他の目的は上記大径のポリカーボネート製光デ
イスク基板の射出成形に用いられる金型を提供すること
にある。
（発明の構成） 以下、本発明の詳細な説明するが、本発明による複屈折
率の低い光デイスク基板がいかに重要であるかというこ
とを理解してもらうために、第１図を用いて光学式の情
報記録・再生の原理を説明する。
第１図は典型的な光デイスク用光学系の概念図であり、
例えば半導体レーザ２から出た直線偏光光線はビームス
プリッタ−３を通った後に波長板４を通って円偏光に変
わり、集束レンズ５によって０５〜１μｍオーダーのス
ポットに集束され、光ディスク１のビット部分に入射す
る。反射型光ディスクではビット部分で反射され円偏光
のレーザビームの旋回方向が進行方向に対し逆転する。
この円偏光は再度％波長板４を通過する際に再び直線偏
光に変えられてビームスプリッタ−３に入る。このビー
ムスプリッタ−では進行方向と偏光面が９０°異ってい
るので戻り光線はビームスプリッタ−を通過せずに反射
されて光検出器６へ送られる。
以上の説明は光ディスクが複屈折の無い場合であるが、
光ディスクに複屈折があると光ディスクで反射した反射
光は％波長板を通過した際に入射光に対して正確に９０
°異った直線偏光にならず、位相ずれが起る。その結果
、ビームスプリッタ−で完全に反射されなくなるため、
光の一部が点線で示すように半導体レーザ２に戻り■雑
音の原因となジ、■検出器へ向う光量の減少によるＳ／
Ｎ比低下の原因となる。
上記の好捷しくない複屈折はプラスチック中を通る際に
進行方向によって位相差を生じる場合に起る。この位相
差は屈折率が方向によって異る場合に生じる。すなわち
、Ｘ方向およびＸ方向の屈折率をそれぞれｎｘ、ｎ、と
すると、プラスチック中を通る光のＸ成分およびＸ成分
に位相差が生じる。
この位相差は角度δで表わされ、次式（すが成立する： δ−丁（ｎ　ｘ　ｎｙ）ｄ　（１） ここでλは光の波長、ｄは光がプラスチックを通過した
距離である。一般に複屈折は（ｎ　ｘ　ｎ　ｙ　）　ｄ
　＝Δｎｄの絶対値で表わされ、この値が小さいことが
重重しく、実用上はこの絶対値が２５ｎｍ　以下である
のが望ましい。
射出成形によってプラスチック類の光デイスク基板を成
形する除に複屈折が起る原因には分子の配向と残留応力
が主たる原因と考えられており、これらの原因を除くた
めに樹脂の性質や成形条件を変えて裡々の実験が行われ
ているが、今日１で直径１３０．以上のポリカーボネー
ト制光ディイスノ基板の複屈折率を２５ｎｍ　以下にす
ることはできなかった。
本発明は直径が１３０１１ＩＩ１以上の大径のポリカー
ボネート製光デイスク基板の実用上の問題であった複屈
折を大巾に低下させたものである。
本発明の提供するポリカーボネート製光デイスク基板は
平均分子前が１４，０００〜２２，０００であるポリカ
ーボネートを用い射出成形によって作った厚さが１．０
〜２．０１１１１１１　、半径が６５喘以上且つ１７５
．以下の高密度情報記録担体であって、半径上の４０〜
１７０＋ｍの範囲の記録領域における複屈折が２５ｎｒ
ｒｔＪ内であることを特徴とする。
上記ポリカーボネートはビス（ヒドロキシフェニル）ア
ルカン系ポリカーボネートであるのが好ましい。
また、上記複屈折は上記記録領域の中間領域では略一様
であり、記録領域の両端近傍でなだらかに変化している
。
不発明の特殊実施例では半径１００糎のポリカーボネー
ト製ディスク基板の複屈折が半径上の４０〜１００間の
記録領域において２Ｓｎｍ　以内である。
第２図は本発明による大径ポリカーボネート製光デイス
ク基板（曲線Ａ）と、公知の小径ポリカーボネート製光
デイスク基板の一例（点線Ｂ）との複屈折△ｎｄを光デ
ィスクの半径（Ｒ）に対して描いたものである。なお上
記公知例（点線Ｂ）は特開昭５８−１８０５５３号の実
施例１であり、この賜金はダブルパスで測定した値であ
る。一方、本発明のΔｎｄはシングルパスで測定した仙
である。
この図かられかるように、不発明の光デイスク基板の複
屈折率Δｎｄは測定法の違いを差し引いたとしても記録
領域Ｚにおいて均一であり低い値であることは明らかで
ある。
次に本発明の大径ポリカーボネート製光デイスク基板の
成形方法について説明する。一般に、射出成形において
、成形後の光デイスク基板の特性に影響を与えるファク
ターは主として次の３つである： １）ポリカーボネート樹脂原料 ２）成形条件 ３）金形条件 これらのファクターは、互いに密接な関係にあり、本発
明者は１）〜３）の最適条件を見出して直径１３０問以
上のポリカーボネート製光デイスク基板の複屈折　を２
４３！ｈｍ以下にすることができたものである。
先ず、ポリカーボネート樹脂原料については樹脂の種類
と分子量が重要なファクターである。樹脂の種類として
は現在工業的に生産されているものの中でビス（ヒドロ
キシフェニル）アルカン系ポリカーボネートが好ましい
。
ビス（ヒドロキシフェニル）アルカン系ポリカーボネー
トとはビス（４ヒドロキシフエニル）アルカンのような
ヒドロキシン（単核もしくは複核アリール）化合物とカ
ーボネートプリカーサ−たとえばホスゲン、ホルメート
又はカーボネートエステルとを反応させて得られる芳香
族炭化水素重合体であり一般式 ％式％ （但し式中、Ａは２価フェノールの２価芳香族基） で示される。
２価フェノールは官能基として２個の水酸基を含廟し、
芳香族の炭素原子にじかに結合している。
代表的なものとして、 ２．２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン
、ハイドロキノン、レゾルシノール、２，２ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）−ペンタン、２．４’ジヒドロ
キシジフエニルメタン、ビス−（２−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス−（４−ヒドロジフェニル）メタン、
ビス−（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニル）−メタ
ン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニルエタン）
、３．３−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ペンタ
ン、２．２’−ジヒドロキシジェニル、２，６−シヒド
ロキシナフタレン、ビス−（４ヒドロキシフエニル）ス
ルホン、２．４’−’；ヒドロキシジフェニルスルホン
、５′−クロル−２，４”；ヒドロキシジフェニルスル
ホンビス−（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルジス
ルホン、４．４’−’；ヒドロキシジフェニルエーテル
、３′ジクロルジフエニルエーテル、４，４′ジヒドロ
キシ−２，５−ジェトキシジフェニルエーテル、２．２
（４，４′ジヒドロキシ−３，３′、５，５′テトラハ
ロジフエニル）プロパンツするｉ カーボネートエステルはジフェニルカーボネートが有利
であるが、ジメチルカーボネート、ジメチルカーボネー
ト、ジエチルカーボネート、フェニルメチルカーボネー
ト、フェニルトリルカーボネート、ジ（トリル）カーボ
ネーＦｔＸども使用することができる。
カーボネートプリカーサ−としてホスゲンのようなカー
ボニルハライドを使用した場合には遊離醸捕捉体の存在
下で縮合反応を行ない、カーボネートエステルを使用す
る場合は減圧下でのエステル交換反応によってポリカー
ボネートを合成することができる。
ポリカーボネート樹脂の分子量は機械的特性と成形性と
のかね合いで、平均分子量が１４，０００〜２２．００
０であるのが好ましい。すなわち、平均分子量が１４，
０００未満のものでは衝撃強度等の機械的特性が不足し
、２２，０００を超えると溶融粘度が高過ぎるため転写
性等の光デイスク基板特性が低下する。
ポリカーボネート樹脂の溶融時の劣化、分解を防止する
ための酸化防止剤を添加することもできるが、光デイス
ク基板の記録媒体への悪影響を無くす：ため（イ）、添
加剤は極力用いないのが望ましい。
次に、成形条件を決定するファクターは多数あり、プロ
グラム制御等のプロセス制御も重要であるが、本発明で
は下記のファクターが光デイスク基板の特性に重大な影
響を与えることを見出した：（１）　射出シリンダー中
での樹脂の滞留時間（２）射出時のキャビティー中への
流入速度先ず、射出シリンダー中での樹脂の滞留時間（
ｔ：分）は樹脂の熱分解を防止し且つスクリュー前進速
度を高速化させるために下記の条件（２）を満足しなけ
ればならない： ｔ≦１４−−（Ｔ−３００）　’（２）０ ここでＴは射出シリンダーの設定温度（′Ｏである。
この射出シリンダ一温度Ｔは使用する樹脂の種類、分子
量によっても変わるが、前記のビス（ヒドロキシフェニ
ル）アルカン系ポリカーボネートの場合には一般に３３
０℃〜４００℃である。
上記滞留時間（Ｑの下限は特に限定されないが、樹脂が
均一に可塑化されるのに十分な時間が必要なことは明ら
かであり、その下限時間は使用する射出成形機によって
決する。
また、上記（２）式を超える滞留時間にすると射出シリ
ンダー中で樹脂の分解が生じ得られた光デイスク基板の
特性が低下する。
上配滞貿時間を正確にコントロールするには射出成形機
の加熱シリンダーへの材料供給を滞留時間に見合っただ
けの量とし、かつ一定量づつ補充する方法が好ましい。
射出速度すなわちキャビティー中への樹脂の流入速度は
均質な成形品を得るためにできるだけ高くするのが春ま
しい。本発明者は種々実験の結果、キャビティー中への
樹脂の流入速度Ｖ（ｍ１７秒）が成形する光デイスク基
板の寸法、よりｌＥ確には光デイスク基板の半径Ｒ−と
厚さｄ−の比Ｒ／ｄ、に対して下記の範囲を満足しなけ
ればならないことを見出した。すなわち、横軸にＲ／ｄ
をとり、縦軸ＶｃｌｏｇＶｉとった片対数表において、
下記の上限および下限直線で囲壕れる領域内に上記流入
速度■がなければならない： ３２．５≦牙≦１００の範囲の場合、 ＩＲ ゴひ）−１，５ｌｏｇ２＋１≦ｌｏｇ””１００　（ａ
、）　＋　ｔ　ｓ　（３）００　ｄ ７５≦牙≦１５０の範囲の場合、 ＩＲＩＲ −（−）−０，５１ｏｇ２≦ｌｏｇＶ≦−（−）＋１．
５　（４）１００　ｄ　１００　ｄ 」１記（３）　（４）式で規定される領域は第３図の斜
線部分で表わされる。
キャビティーへの流入速度Ｖが上記領域内にないと満足
な成形品を得ることは不可能である。
次に、金型構造は複屈折　２を低くおさえるために極め
て重要なファクターとなる。先ず、光デイスク基板等の
高密度情報記録担体の成形に用いられる金型構造を第４
図と第５図を用いて説明する。
第４図は光デイスク基板の射出成形に用いられる公知の
金型の概念図であり、溶融樹脂は射出シリンダー（図示
せず）から割型１０、］０’の一方に設けたノズルタッ
チ部１１からスプルー１２およびゲート１３を介して偏
平環状の成形キャビティー１４中に射出される。成形キ
ャビティー１４の軸方向表面には一般にサブミクロンオ
ーダーのトラック溝を有するスタンパ−１５が取付けら
れている。また、金型温度を調節するための温度調節手
段１６が設けられている。金型組立体にはこの他にセン
タ一孔を明ける手段やスタンバ−保持手段等が設けられ
ているがこれらは本発明の一部を成すものではないので
詳細は省略する。この構造の金型は特開昭５４−６９１
６９号に示されている。
第５図は本出願人による特願昭５８−１１５９００号に
記載された金型構造であり、第４図と類似の部材には同
一符号が付けられている。第５図の金型が第４図のもの
と基本的に異る点はセンタ、一孔を成形によって作るセ
ンター金型部加を有し、このセンター金型部加を取り囲
んだ環状フラッシュゲート２１がスブに一＃２２を介し
てノズルタッチ部１１と連列している点である。
本発明の特徴は第４，５図およびその他任意の金型のゲ
ートの開口総断面積Ｓ（単位Ｗｊ）が下記の式（６）： ％式％ （６） （ここで、Ｒはディスクの半径（単位：喘）、ｄはディ
スクの厚さく単位：　ｍＲ）　）を満足するようにした
点にある。
この（６）式の範囲は第６図の斜線部分に対応する。
ゲートの開口総断面積Ｓを上記の範囲に設定することに
よってゲート通過時に溶融樹脂に剪断力が加わって樹脂
が昇温し、溶融流動性が改善されると同時に樹脂の極端
な分子配向が防止され、ゲートシールも完全に行うこと
ができる。
逆に、上記範囲を外れると結果的に複屈折を２５０・ｍ
以下に下げることはできない。
光デイスク基板に要求される緒特性、すなわち、ｌ）ピ
ント、トランクの転写性等の成形性２）耐衝撃性等の機
械的特性 ３）低複屈折率等の光学的特性 ４）低湿度透過性、耐熱性等の化学的特性は本発明によ
る上記成形方法によってバランス良く満足させることが
できる。
本発明による光学式記録・再生装置に用いられるポリカ
ーボネート製ディスク基板は公知の任意の型式の記録・
再生方式に適用することができる。
すなわち、ＤＡＤやビデオディスクのような再生専用デ
ィスクとして用いる場合には記録面側にアルミニウム等
の反射金属膜が蒸着され、ＤＲＡＷ（追記可能）用ディ
スクの場合にばＡｌ　１ｑｒｕ−；ｌ’ｂ、、！Ａｃ、
Ｒ１１ｊｚｒｌ　７Ｃｕ　。
Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｂｉ　、Ｃ８２−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ，
Ｔｅ−Ａｓ、色素薄膜。
Ａｇ−ポリマー、サーモプラスチックス等がコーティン
グされ、Ｅ−ＤＲＡＷ（消去・書き換え可能）用ディス
クの場合にはＴｅＯｘ、Ｍｎ−Ｂ１　、Ｃｄ−Ｃｏ、Ｔ
ｂ　−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｇｄ−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
　、Ａｓ−８ｅ　−８−Ｇｅ等が蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の方法でコーティングされる
。一般には必要に応じてさらに反射用金属膜や保護用に
ケイソ酸化物、エポキシ等の膜が形成され、さらに２枚
のディイスクを貼り合せて用いられることもある。
以下、特殊実施例を用いて本発明を説明する。
実施例１ 平均分子量１５，２００の２，２ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパンのポリカーボネートを定量供給装置
を装着した射出成形機で成形した。成形キャビティーの
寸法は半径■が１５０目、厚さくｄ）が１．２ＩＩｍす
なわちＲ／ｄが１２５であり、成形キャビティーの片面
にはプレグルーブが刻印されたスタンバ−が取付けられ
ている。
成形機の射出シリンダーの温度ωは３４０℃に設定した
。一方、金型のゲートの開口総面積［Ｆ］）は４０龍２
にした。
以上の条件に設定した成形機を用い、樹脂原料の供給を
制限して射出シリンダー中での樹脂の滞留時間（１）を
１０分にし、キャビティー中°への樹脂の流入速度を１
２０ｄ／秒にして成形を行った。
得られたディスクは実用回部な機械的特性を有すると同
時に、４０≦Ｒ≦１４５の範囲に於ける複屈折（Δｎｄ
）の絶対値が２５　ｎｍ以下であった。
実施例２ 実施例１と同一樹脂および同一成形機を用いたが、金型
は成形キャビティーの寸法が半径（Ｒ）＝１００１＋Ｉ
Ｉ＋１、厚さくｄ）　＝　１．２鰭すなわちＲ／ｄが８
３３のものを使用した。射出シリンダーの温度（’′ｒ
）は３３５℃にし、金型のゲート開口総断面積（Ｓ）は
３７−にした。
実施例１と同様にして射出シリンダー中での樹脂の滞留
時間（１）を８分にし、樹脂の流入速度（Ｖ）を８０ｍ
１／秒にして成形を行った。
得られたディスクは実用可能な機械的特性を有すると同
時に、４０≦Ｒ≦９５の記録領域に於いて複屈折（△ｎ
ｄ）の絶対値が１８　ｒ＋ｒ＋１ｂ、Ｉ、下であった。
比較例１ 平均分子量が２５，０００の２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンのポリカーボネートを使用した
以外は実施例１と全く同一条件で成形を行ったが、得ら
れたディスクの複屈折の最大値は１１０目ｍであった。
比較例２ 実施例１の成形機から定量供給装置を取り外し、樹脂原
料が自重でホッパーから射出シリンダー中に落下するよ
うにして、前記滞留時間（１）が１１分になるようにし
た点以外は実施例１と全く同じ条件で成形した。得られ
たディスクの複屈折は最大７０ｎｍ　であり、ディスク
にガス焼けが見られた。
比較例３ 金型のゲート開口総断面積（Ｓ）を１２０−にした以外
は実施例１と全く同じ条件で成形した。得られたディス
ク基板の複屈折（Δｎｄ）の最大値は４０１ｍであった
。
比較例４ 流入速度（財）を１０　ｍｌ　／秒にした以外は実施例
１と全く同じ条件で成形した。得られたディスク基板の
複屈折（Δｎｄ）の最大値は５０ｎｍであった。
【図面の簡単な説明】
第１図は光学式記録・再生の原理を示す概念図。 第２図は光ディスクの半径（Ｒ）とその複屈折（Δｎｄ
）との関係を示す図で、実線（４）は本発明による光デ
ィスクをシングルパスで測定したもの、また点線（Ｂ）
は特開昭５８−１８０５５３号の実施例１に示される公
知の光ディスクの値で、この値はダブルパスで測ったも
の。 第３図は本発明による射出成形法における樹脂のキャビ
ティー中への流入速度（至）と光ディスクの半径／厚さ
くＲ／ｄ）との関係を示す図。 第４，５図は光ディスクの射出成形に用いられる公知の
金型構造を示す概念図。 第６図は本発明による射出成形金型のゲート開口総断面
積（Ｓ）と上記（、Ｒ／ｄ）との関係を示す図。 （図中符号） １：光ディスク、１０：金型、１３　、２１　：ゲート
、１４：キャビティー 出願人　ダイセル化学工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）平均分子量が１４，０００〜２２，０００であるポ
    リカーボネートを用い、射出成形によって作った厚さが
    １０〜２．０１１１１１１　、半径が６５ｗＩＩ＋＋以
    上且つ１７５閣以内である高密度情報記録担体であって
    、半径上の４０〜１７０鴫の範囲の記録領域における複
    屈折が２５ｎｍ　以内であることを特徴とする担体。 ２）上記ポリカーボネートがビス（ヒドロキシフェニル
    ）アルカン系ポリカーボネートであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の担体。 ３ン　上記複屈折率が上記記録領域の中間部分では略一
    様であり、且つ記録領域の両端部分ではなだらかに変化
    していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    担体。 ４）上記複屈折が半径上の４０〜１００簡　の範囲の記
    録領域において２５　ｎｍ以内になっていることを特徴
    とする半径が１１００ａである特許請求の範囲第１項記
    載の担体。 ５）偏平環状キャビティーの中心部より溶融したポリカ
    ーボネート樹脂を射出して厚さくｄ）が１．０問〜２０
    Ｉ１１＋＋１で半径（８）が６５間以上且つ１７５Ｍ以
    下である高密度情報記録担体用ポリカーボネート製ディ
    スク基板の射出成形方法において、ポリカーボネート樹
    脂として平均分子量が１４，０００〜２２．０００のポ
    リカーボネートを用い、射出シリンダ一温度（１）を３
    ３０〜４００℃に設定し、金型温度を８０〜１３０℃に
    設定し、かつ射出シリンダー内でのポリカーボネート樹
    脂の滞留時間（ｔ：単位−分）が ｔ≦１４−−（Ｔ−３００） ０ 〔ここで、Ｔは上記射出シリンダ一温度（単位−℃）〕 となるようにしたことを特徴とする射出成形方法。 ６）射出工程におけるキャビティー中への流入速度（■
    ：単位＝ｍｌ／秒）が３２．５≦旦≦１００の範囲でｄ は、 一ユ部（”−）−ｔ　ｓ　Ｉｏｇ２　＋　１≦＋　ｏｇ
    Ｖ≦±（旦）＋ｔｓ１００　ｄ　Ｚｏｏ　ｄ １００≦１≦１７５の範囲では、 Ｉ　Ｒ、Ｉ　Ｒ （７）　−０，５ｌｏｇ２≦１０ｇ？≦酊’ＣＴ）＋　
    １．５（ここでＲはディスク半径：単位””　＋１５１
    １１　ｄはディスクの厚さ：単位−ｍｌ）であることを
    特徴とする特許請求の範囲第５項記載の射出成形方法。 ７）前記偏平環状キャビティーの中心部近傍に設けたゲ
    ートの開口の総断面積（Ｓ：単位−）が−！一旦＋１０
    ≦Ｓ≦ス旦＋３５ １Ｑ　ｄ　１０　ｄ （ここでＲはディスクの半径：単位””　１１１１１１
    　Ｈｄはディスクの厚さ：単位＝鵡） であることを特徴とする特許請求の範囲第５項または第
    ６項に記載の射出成形方法。
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