JP2564638B2 - コンパクトディスクの製造方法 - Google Patents
コンパクトディスクの製造方法Info
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- JP2564638B2 JP2564638B2 JP63335344A JP33534488A JP2564638B2 JP 2564638 B2 JP2564638 B2 JP 2564638B2 JP 63335344 A JP63335344 A JP 63335344A JP 33534488 A JP33534488 A JP 33534488A JP 2564638 B2 JP2564638 B2 JP 2564638B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
- Y10S425/81—Sound record
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、コンパクトディスクを製造する方法に関す
る。
る。
［従来の技術］ 従来のコンパクトディスクの製造は、次のような方法
で行なわれていた。
で行なわれていた。
第４図は、最初のマスタリング工程を示しており、こ
の工程では、まず、表面を研磨したガラス原盤の上にフ
ォトレジストをスピナ法などの手段で均一に塗布した
後、スピンドルモータ12で上記ガラス原盤13を回転させ
ながら、対物レンズ14を含むピックアップから上記ガラ
ス原盤上のフォトレジスト膜にレーザ発生器18で発生さ
せたArレーザやHe−Cdレーザ等のレーザスポットを照射
し、フォトレジスト膜を感光させる。この際、ピックア
ップは、送り機構15により、スピンドルモータ12の１回
転毎に1.6μｍの速度でガラス原盤13の径方向に送られ
ると共に、スピンドルモータ12の回転数は、制御器11に
より、上記ピックアップの位置の関係から定められた回
転数に制御される。さらに、上記フォトレジスト膜に照
射されるレーザスポットは、データソース源16のデータ
を基にCD信号発生器17から発生する信号に従い、変調器
19において変調され、上記フォトレジスト膜に照射され
る。こうして感光させたフォトレジスト膜を現像処理
し、マスタを得る。
の工程では、まず、表面を研磨したガラス原盤の上にフ
ォトレジストをスピナ法などの手段で均一に塗布した
後、スピンドルモータ12で上記ガラス原盤13を回転させ
ながら、対物レンズ14を含むピックアップから上記ガラ
ス原盤上のフォトレジスト膜にレーザ発生器18で発生さ
せたArレーザやHe−Cdレーザ等のレーザスポットを照射
し、フォトレジスト膜を感光させる。この際、ピックア
ップは、送り機構15により、スピンドルモータ12の１回
転毎に1.6μｍの速度でガラス原盤13の径方向に送られ
ると共に、スピンドルモータ12の回転数は、制御器11に
より、上記ピックアップの位置の関係から定められた回
転数に制御される。さらに、上記フォトレジスト膜に照
射されるレーザスポットは、データソース源16のデータ
を基にCD信号発生器17から発生する信号に従い、変調器
19において変調され、上記フォトレジスト膜に照射され
る。こうして感光させたフォトレジスト膜を現像処理
し、マスタを得る。
次に、このマスタを基に、メッキ手段を含むいわゆる
電鋳プロセスを経てメタルマスクを作る。さらに、この
メタルマスクから複数枚のマザーを作り、このマザーか
ら複数枚のスタンパを作る。
電鋳プロセスを経てメタルマスクを作る。さらに、この
メタルマスクから複数枚のマザーを作り、このマザーか
ら複数枚のスタンパを作る。
次に、第５図で示すように、上記スタンパ21を基に、
適当な成型法により、ピット23、23…が転写、形成され
た基板22を得る。
適当な成型法により、ピット23、23…が転写、形成され
た基板22を得る。
そして、この基板22のピット面に金属膜を真空蒸着法
等の手段で形成し、さらにこの上を硬い紫外線硬化性樹
脂等の保護層で覆うことにより、コンパクトディスクが
完成する。
等の手段で形成し、さらにこの上を硬い紫外線硬化性樹
脂等の保護層で覆うことにより、コンパクトディスクが
完成する。
［発明が解決しようとする課題］ 上記コンパクトディスクの製造方法は、同じコンパク
トディスクを多量に生産するのには適しているが、製造
工程、特にマスタリングを経てスタンパを作るまでの工
程が複雑であり、少量のコンパクトディスクを製造する
には、コスト面での負担が大きいという課題があった。
トディスクを多量に生産するのには適しているが、製造
工程、特にマスタリングを経てスタンパを作るまでの工
程が複雑であり、少量のコンパクトディスクを製造する
には、コスト面での負担が大きいという課題があった。
そこで本発明は、上記従来の問題点に鑑み、少量のコ
ンパクトディスクでも簡便に製造することができるコン
パクトディスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
ンパクトディスクでも簡便に製造することができるコン
パクトディスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達するため、本発明では、光学
的な手段で読み取り可能なデータが記録されたコンパク
トディスクを製造する方法において、光ピックアップか
ら照射されるレーザスポットのトラッキングガイド手段
が形成された透光性基板の表面上に光吸収層を形成し、
その上に光反射層を形成し、さらに同光反射層を保護層
で覆ったディスクを用い、上記透光性基板側から光吸収
層のレーザスポットを当てて、再生可能なデータをカッ
ティング形成するコンパクトディスクの製造方法を提供
する。
的な手段で読み取り可能なデータが記録されたコンパク
トディスクを製造する方法において、光ピックアップか
ら照射されるレーザスポットのトラッキングガイド手段
が形成された透光性基板の表面上に光吸収層を形成し、
その上に光反射層を形成し、さらに同光反射層を保護層
で覆ったディスクを用い、上記透光性基板側から光吸収
層のレーザスポットを当てて、再生可能なデータをカッ
ティング形成するコンパクトディスクの製造方法を提供
する。
ここで、上記光反射層の複素屈折率の実数部nrefと虚
数部krefとを、kref≧２nref＋0.8の関係とする。
数部krefとを、kref≧２nref＋0.8の関係とする。
さらに、上記コンパクトディスクの製造方法におい
て、上記光吸収層の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚
dabsと再生レーザ光の波長λとで与えられるρ＝nabsd
abs／λが、0.05≦ρ≦0.6であり、かつ光吸収層の複素
屈折率の虚数部kabsが0.3以下であることが望ましい。
て、上記光吸収層の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚
dabsと再生レーザ光の波長λとで与えられるρ＝nabsd
abs／λが、0.05≦ρ≦0.6であり、かつ光吸収層の複素
屈折率の虚数部kabsが0.3以下であることが望ましい。
［作用］ 上記コンパクトディスクの製造方法では、後述するよ
うに、コンパクトディスクプレーヤで再生することによ
り、コンパクトディスクについて定められた規格、いわ
ゆるCDフォーマットを満足する再生信号が得られる光デ
ィスク、つまりコンパクトディスクが製造できる。
うに、コンパクトディスクプレーヤで再生することによ
り、コンパクトディスクについて定められた規格、いわ
ゆるCDフォーマットを満足する再生信号が得られる光デ
ィスク、つまりコンパクトディスクが製造できる。
第９図は、本発明の方法により得られたコンパクトデ
ィスクを市販のコンパクトディスクプレーヤで再生した
場合の再生信号のアイパターンの例を示している。他
方、第10図と第11図は、従来の方法で製造されたコンパ
クトディスクの再生信号のアイパターンの例を示してい
る。これらを比較して明かな通り、本発明の方法で製造
されたコンパクトディスクは、従来の方法で製造された
コンパクトディスクと同等の再生信号が得られる。
ィスクを市販のコンパクトディスクプレーヤで再生した
場合の再生信号のアイパターンの例を示している。他
方、第10図と第11図は、従来の方法で製造されたコンパ
クトディスクの再生信号のアイパターンの例を示してい
る。これらを比較して明かな通り、本発明の方法で製造
されたコンパクトディスクは、従来の方法で製造された
コンパクトディスクと同等の再生信号が得られる。
そして、上記製造に当たっては、マスタリングを経て
スタンパを作るまでの従来の工程が不要となり、ディス
ク形成後、光吸収層にレーザスポットを照射し、カッテ
ィング工程を行なうだけでコンパクトディスクを製造す
ることができる。比較的少量のコンパクトディスクを製
造する場合は、マスタリングからスタンパを作るまでの
工程を経るのに比べ、ディスク形成後、レーザスポット
を照射してカッティング工程を経る方が有利である。
スタンパを作るまでの従来の工程が不要となり、ディス
ク形成後、光吸収層にレーザスポットを照射し、カッテ
ィング工程を行なうだけでコンパクトディスクを製造す
ることができる。比較的少量のコンパクトディスクを製
造する場合は、マスタリングからスタンパを作るまでの
工程を経るのに比べ、ディスク形成後、レーザスポット
を照射してカッティング工程を経る方が有利である。
第６図は、再生光として波長λ＝780nmの半導体レー
ザを用いた場合に、カッティング前のブランクディスク
の光吸収層の複素屈折率の実数部nabs、その膜厚dabs及
び再生光の波長λで与えられるρ＝nabsdabs／λと、基
板側から入射させた光の反射率との関係を示すグラフで
ある。これから明かなように、上記ρを0.05〜0.6とす
ることにより、ブランクディスクの反射率をCDフォーマ
ットに適合する70％以上とすることができる。
ザを用いた場合に、カッティング前のブランクディスク
の光吸収層の複素屈折率の実数部nabs、その膜厚dabs及
び再生光の波長λで与えられるρ＝nabsdabs／λと、基
板側から入射させた光の反射率との関係を示すグラフで
ある。これから明かなように、上記ρを0.05〜0.6とす
ることにより、ブランクディスクの反射率をCDフォーマ
ットに適合する70％以上とすることができる。
第６図のグラフに示された通り、上記ρが0.05に満た
ない領域や、0.6を越える領域、例えば後述する比較例
２の場合では、ρ≧0.8の部分でやはり70％以上の反射
率が得られる。但し前者の場合は、光吸収層の膜厚dabs
を0.05μｍ以下と、相当薄くしなければならない。ま
た、後者の場合は、逆に光吸収層の膜厚を0.25μｍ以上
と、相当厚くしなければならない。よってρが0.05〜0.
6の範囲が最も望ましく、特に、0.30〜0.5の範囲がより
望ましいということができる。
ない領域や、0.6を越える領域、例えば後述する比較例
２の場合では、ρ≧0.8の部分でやはり70％以上の反射
率が得られる。但し前者の場合は、光吸収層の膜厚dabs
を0.05μｍ以下と、相当薄くしなければならない。ま
た、後者の場合は、逆に光吸収層の膜厚を0.25μｍ以上
と、相当厚くしなければならない。よってρが0.05〜0.
6の範囲が最も望ましく、特に、0.30〜0.5の範囲がより
望ましいということができる。
なお、第６図において実線で示したグラフは、ブラン
クディスクの光吸収層２が、1,1′，ジブチル3,3,3′,
3′テトラメチル4,5,4′,5′ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレート（日本感光色素（株）製、品番NK
3219）を、ジアセトンアルコール溶剤10ccに溶解し、こ
れをポリカーボネート基板上にスピンコート法により塗
布して形成された場合で、その膜厚dabsを変えることに
よってρの値を０〜0.8の範囲で変えたときの反射率変
化を示す。また、同図において破線で示したグラフは、
光吸収層が、GaAs膜をポリカーボネート基板上にスパッ
タリングすることにより形成された場合で、同様にして
膜厚変化によりρの値を変えたときの反射率変化を示
す。
クディスクの光吸収層２が、1,1′，ジブチル3,3,3′,
3′テトラメチル4,5,4′,5′ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレート（日本感光色素（株）製、品番NK
3219）を、ジアセトンアルコール溶剤10ccに溶解し、こ
れをポリカーボネート基板上にスピンコート法により塗
布して形成された場合で、その膜厚dabsを変えることに
よってρの値を０〜0.8の範囲で変えたときの反射率変
化を示す。また、同図において破線で示したグラフは、
光吸収層が、GaAs膜をポリカーボネート基板上にスパッ
タリングすることにより形成された場合で、同様にして
膜厚変化によりρの値を変えたときの反射率変化を示
す。
さらに、ブランクディスクが上記のような反射率を有
するためには、光吸収層の透光性が十分確保されていな
ければならない。例えば、第７図は、光反射層にAu膜を
用いたブランクディスクにおいて、シアニン系色素から
なる光吸収層の透光性を変え、複素屈折率の実数部をn
abs＝2.4と一定にしながら、その虚部kabsを０に近い値
から2.0まで変化させたときの反射率を示す。上記の条
件のもとで高い反射率を維持するめには、光吸収層の透
光性が十分高くなければならず、同層の複素屈曲率の虚
部kabsが0.3以下であることが望ましい。
するためには、光吸収層の透光性が十分確保されていな
ければならない。例えば、第７図は、光反射層にAu膜を
用いたブランクディスクにおいて、シアニン系色素から
なる光吸収層の透光性を変え、複素屈折率の実数部をn
abs＝2.4と一定にしながら、その虚部kabsを０に近い値
から2.0まで変化させたときの反射率を示す。上記の条
件のもとで高い反射率を維持するめには、光吸収層の透
光性が十分高くなければならず、同層の複素屈曲率の虚
部kabsが0.3以下であることが望ましい。
さらに、第８図は、再生光として波長λ＝780nmの半
導体レーザを用い、ブランクディスクの光吸収層の複素
屈折率の実数部nabs＝1.5〜３、その虚数部kabs≦２の
条件のもとに、光反射層の複素屈曲率の実数部nrefと虚
数部krefを変えた場合に、基板側から入射させた光の反
射率を示すグラフである。このグラフで明かな通り、上
記光反射層の複素屈折率の実数部nrefと虚数部krefとの
関係を、kref≧２nref＋0.8とすることにより、反射率7
0％以上のコンパクトディスクが容易に得られる。
導体レーザを用い、ブランクディスクの光吸収層の複素
屈折率の実数部nabs＝1.5〜３、その虚数部kabs≦２の
条件のもとに、光反射層の複素屈曲率の実数部nrefと虚
数部krefを変えた場合に、基板側から入射させた光の反
射率を示すグラフである。このグラフで明かな通り、上
記光反射層の複素屈折率の実数部nrefと虚数部krefとの
関係を、kref≧２nref＋0.8とすることにより、反射率7
0％以上のコンパクトディスクが容易に得られる。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明の製造方法で得られるコンパクトディスクの模
式的な構造の例を、第１図〜第３図に示す。
式的な構造の例を、第１図〜第３図に示す。
１は、透光性を有する基板で、例えばポリカーボネー
ト等の透光性の高い樹脂により、内径φ15、外径φ12
0、厚さ1.2mmのドーナツ状に形成される。図示してない
が、その表面には、後述するカッティング工程におい
て、光ピックアップ６から照射されるレーザスポット７
のトラッキングを行なうため、プレグルーブやプレピッ
ト等のトラッキングガイド手段が射出成形法等の手段で
予め形成される。
ト等の透光性の高い樹脂により、内径φ15、外径φ12
0、厚さ1.2mmのドーナツ状に形成される。図示してない
が、その表面には、後述するカッティング工程におい
て、光ピックアップ６から照射されるレーザスポット７
のトラッキングを行なうため、プレグルーブやプレピッ
ト等のトラッキングガイド手段が射出成形法等の手段で
予め形成される。
２は、この透光性基板１のトラッキングガイド手段の
上に形成された光吸収層で、これはカッティング工程に
おいて照射されたレーザスポットにより発熱、溶融、蒸
発、昇華、変形または変性等を伴う層である、この光吸
収層２は、例えば、溶剤で溶解したシアニン系色素等
を、スピンコート法等の手段で、上記透光性基板の表面
に一様にコーティングすることにより形成される。
上に形成された光吸収層で、これはカッティング工程に
おいて照射されたレーザスポットにより発熱、溶融、蒸
発、昇華、変形または変性等を伴う層である、この光吸
収層２は、例えば、溶剤で溶解したシアニン系色素等
を、スピンコート法等の手段で、上記透光性基板の表面
に一様にコーティングすることにより形成される。
３は、その上に形成されたレーザ光を反射する光反射
層で、例えば、金や銀等の金属を上記光吸収層２の上に
真空蒸着することにより形成される。４は、その外側に
設けられた保護層を示し、紫外線硬化性樹脂等の硬質の
樹脂により形成される。
層で、例えば、金や銀等の金属を上記光吸収層２の上に
真空蒸着することにより形成される。４は、その外側に
設けられた保護層を示し、紫外線硬化性樹脂等の硬質の
樹脂により形成される。
コンパクトディスクは、上記ディスクの光吸収層２に
CDフォーマット信号により変調されたレーザスポット
を、上記トラッキングガイド手段に従ってトラッキング
しながら照射し、CD信号が再生されるピット５等をカッ
ティングすることにより得られる。第３図は、このカッ
ティング工程において、光吸収層２の局部的な熱変形に
より、基板１の表面が一部変形され、ピット５が形成さ
れた状態を模式的に示す。
CDフォーマット信号により変調されたレーザスポット
を、上記トラッキングガイド手段に従ってトラッキング
しながら照射し、CD信号が再生されるピット５等をカッ
ティングすることにより得られる。第３図は、このカッ
ティング工程において、光吸収層２の局部的な熱変形に
より、基板１の表面が一部変形され、ピット５が形成さ
れた状態を模式的に示す。
本発明のコンパクトディスクの製造方法の具体例につ
いて、以下に説明する。
いて、以下に説明する。
（実施例１） 直径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μｍ、深さ0.08μ
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグループが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内形15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形法により成形した。
ｍ、ピッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグループが形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内形15mmφのポリカ
ーボネート基板１を射出成形法により成形した。
光吸収層を形成するための有機色素として、0.65gの
1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′ジ
ベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本感
光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアンコー
ル溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピン
コート法により塗布し、膜厚0.13μｍの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
は、nabs＝2.7、kabs＝0.05である。後述するように、
再生光の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ＝n
absdabs／λ＝0.45である。
1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′ジ
ベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本感
光色素（株）製、品番NK3219）を、ジアセトンアンコー
ル溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の上にスピン
コート法により塗布し、膜厚0.13μｍの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
は、nabs＝2.7、kabs＝0.05である。後述するように、
再生光の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ＝n
absdabs／λ＝0.45である。
このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚
500オングストロームのAu膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.16、k
ref＝4.67である。さらに、この光反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層４を形成した。
500オングストロームのAu膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.16、k
ref＝4.67である。さらに、この光反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層４を形成した。
こうして得られたディスクに、上記プレグルーブに従
ってトラッキングしながら、波長780nmの半導体レーザ
スポットを、線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射
し、上記ディスクの直径46〜50mmの範囲にTOC（Table o
f contents）データが、直径50〜100mmの範囲にプログ
ラムデータが、直径100〜102の範囲にリードアウトデー
タが各々再生出来る再生可能なデータをカッティングし
た。そして、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Au
rex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で再生したとこ
ろ、第９図で示すようなアイパターンを有する再生信号
が得られた。この光ディスクの反射率は、74％、I11／I
topは、73％、I3／Itopは、57％、ブロックエラーレー
トは、2.5×10-3であった。ここで、I11とI3とは、各々
最大ピット長と最小ピット長における再生信号の振幅、
Itopは、高域フィルタ前の再生信号に対するピーク値で
あり、I11／ItopとI3／Itopとは、各々最大ピット長と
最小ピット長における再生信号の変調振幅である。
ってトラッキングしながら、波長780nmの半導体レーザ
スポットを、線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射
し、上記ディスクの直径46〜50mmの範囲にTOC（Table o
f contents）データが、直径50〜100mmの範囲にプログ
ラムデータが、直径100〜102の範囲にリードアウトデー
タが各々再生出来る再生可能なデータをカッティングし
た。そして、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ（Au
rex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で再生したとこ
ろ、第９図で示すようなアイパターンを有する再生信号
が得られた。この光ディスクの反射率は、74％、I11／I
topは、73％、I3／Itopは、57％、ブロックエラーレー
トは、2.5×10-3であった。ここで、I11とI3とは、各々
最大ピット長と最小ピット長における再生信号の振幅、
Itopは、高域フィルタ前の再生信号に対するピーク値で
あり、I11／ItopとI3／Itopとは、各々最大ピット長と
最小ピット長における再生信号の変調振幅である。
CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが60％以
上、I3／Itopが30〜0.60％と定められており、この実施
例により製造された上記光ディスクは、この規格を満足
するコンパクトディスクである。
上、I3／Itopが30〜0.60％と定められており、この実施
例により製造された上記光ディスクは、この規格を満足
するコンパクトディスクである。
（実施例２） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基
板１に、光吸収層を形成するための有機色素として、0.
5gの1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジエ
トキシインドジカーボシアニンアイオダイドを、イソプ
ロピルアルコール溶剤10ccに溶解したものをスピンコー
ト法により塗布し、膜厚0.10μｍの色素膜からなる光吸
収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、n
abs＝2.65、kabs＝0.05であり、ρ＝nabsdabs／λ＝0.3
4である。
板１に、光吸収層を形成するための有機色素として、0.
5gの1,1′ジエチル3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジエ
トキシインドジカーボシアニンアイオダイドを、イソプ
ロピルアルコール溶剤10ccに溶解したものをスピンコー
ト法により塗布し、膜厚0.10μｍの色素膜からなる光吸
収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、n
abs＝2.65、kabs＝0.05であり、ρ＝nabsdabs／λ＝0.3
4である。
このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚
500オングストロームのCu膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.12、k
ref＝4.89である。さらに、この光反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層４を形成した。
500オングストロームのCu膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.12、k
ref＝4.89である。さらに、この光反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層４を形成した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてレーザスポットを照射しながら、カッティングを
行なった。そして、この光ディスクを、上記実施例１で
用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、上記実施
例１とほぼ同様のアイパターンを有する再生信号が得ら
れた。この結果、光ディスクの反射率は、71％、I11／I
topは、63％、I3／Itopは、33％であった。従って、こ
の実施例により製造された光ディスクも、上記実施例と
同様に、CD規格を満足するコンパクトディスクである。
にしてレーザスポットを照射しながら、カッティングを
行なった。そして、この光ディスクを、上記実施例１で
用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、上記実施
例１とほぼ同様のアイパターンを有する再生信号が得ら
れた。この結果、光ディスクの反射率は、71％、I11／I
topは、63％、I3／Itopは、33％であった。従って、こ
の実施例により製造された光ディスクも、上記実施例と
同様に、CD規格を満足するコンパクトディスクである。
（実施例３） 上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネート基
板１に、膜厚900オングストロームのGaAs膜をスパッタ
リング法により成膜し、光吸収層２を形成した。この光
吸収層２の複素屈折率は、nabs＝3.6、kabs＝0.07であ
り、ρ＝nabsdabs／λ＝0.42である。
板１に、膜厚900オングストロームのGaAs膜をスパッタ
リング法により成膜し、光吸収層２を形成した。この光
吸収層２の複素屈折率は、nabs＝3.6、kabs＝0.07であ
り、ρ＝nabsdabs／λ＝0.42である。
このディスクの全面にスパッタリング法により、膜厚
450オングストロームのAg膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.086、k
ref＝5.29である。さらに、この光吸収層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層を形成した。
450オングストロームのAg膜を成膜し、光反射層３を形
成した。この光反射層３の複素屈折率はnref＝0.086、k
ref＝5.29である。さらに、この光吸収層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚さ10μｍの保護層を形成した。
こうして得られたブランクディスクに、上記実施例１
と同様にしてレーザスポットを照射しながら、カッティ
ングを行なった。そして、この光ディスクを、上記実施
例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、上
記実施例１とほぼ同様にアイパターンを有する再生信号
が得られた。この結果、反射率は、73％、I11／I
topは、63％、I3／Itopは、35％であった。従って、こ
の実施例により製造されたものは、上記実施例と同様
に、CD規格を満足するコンパクトディスクとなる。
と同様にしてレーザスポットを照射しながら、カッティ
ングを行なった。そして、この光ディスクを、上記実施
例１で用いたのと同じCDプレーヤで再生したところ、上
記実施例１とほぼ同様にアイパターンを有する再生信号
が得られた。この結果、反射率は、73％、I11／I
topは、63％、I3／Itopは、35％であった。従って、こ
の実施例により製造されたものは、上記実施例と同様
に、CD規格を満足するコンパクトディスクとなる。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、従来のようにマ
スタリングを経てスタンパを作るまでの工程を経ずに、
ディスク形成後、光吸収層にレーザスポットを照射して
カッティングすることによりコンパクトディスクを製造
することができる。よって、多品種少量生産のコンパク
トディスクの製造に適した製造方法を提供することがで
きる。
スタリングを経てスタンパを作るまでの工程を経ずに、
ディスク形成後、光吸収層にレーザスポットを照射して
カッティングすることによりコンパクトディスクを製造
することができる。よって、多品種少量生産のコンパク
トディスクの製造に適した製造方法を提供することがで
きる。
第１図は、本発明により得られたコンパクトディスクの
構造の一例を示す模式半断面斜視図、第２図は、第１図
のカッティング工程前の状態を示すＡ部拡大図、第３図
は、上記Ａ部のカッティング工程後の状態の一例を示す
断面図、第４図は、従来のコンパクトディスクの製造方
法におけるマスタリング工程の説明図、第５図は、同従
来技術におけるコンパクトディスクの透光性基板の成形
工程を説明する説明図、第６図は、本発明により使用す
るブランクディスクにおける光吸収層のρ＝nabsdabs／
λと反射率との関係を示すグラフ、第７図は、同じくk
absと反射率との関係を示すグラフ、第８図は、同じく
光反射層におけるnref、krefと反射率との関係の例を示
すグラフ、第９図は、本発明により製造されたコンパク
トディスクの再生信号のアイパターンを示すオシロ波形
の写真、第10図と第11図は、何れも従来の方法で製造さ
れたコンパクトディスクの再生信号のアイパターンを示
すオシロ波形の写真である。 １…透光性基板、２…光吸収層、３…光反射層、４…保
護層
構造の一例を示す模式半断面斜視図、第２図は、第１図
のカッティング工程前の状態を示すＡ部拡大図、第３図
は、上記Ａ部のカッティング工程後の状態の一例を示す
断面図、第４図は、従来のコンパクトディスクの製造方
法におけるマスタリング工程の説明図、第５図は、同従
来技術におけるコンパクトディスクの透光性基板の成形
工程を説明する説明図、第６図は、本発明により使用す
るブランクディスクにおける光吸収層のρ＝nabsdabs／
λと反射率との関係を示すグラフ、第７図は、同じくk
absと反射率との関係を示すグラフ、第８図は、同じく
光反射層におけるnref、krefと反射率との関係の例を示
すグラフ、第９図は、本発明により製造されたコンパク
トディスクの再生信号のアイパターンを示すオシロ波形
の写真、第10図と第11図は、何れも従来の方法で製造さ
れたコンパクトディスクの再生信号のアイパターンを示
すオシロ波形の写真である。 １…透光性基板、２…光吸収層、３…光反射層、４…保
護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜田 恵美子 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−237239（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−121142（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】光学的な手段で読み取り可能なデータが記
録されたコンパクトディスクを製造する方法において、
光ピックアップから照射されるレーザスポットのトラッ
キングガイド手段が形成された透光性基板の表面上に光
吸収層を形成し、その上に光反射層を形成し、さらに同
光反射層を保護層で覆ったディスクであって、光反射層
の複素屈折率の実数部nrefと虚数部krefとがkref≧２n
ref＋0.8の関係にあるディスクを用い、上記透光性基板
側から光吸収層のレーザスポットを当てて、再生可能な
データをカッテイング形成することを特徴とするコンパ
クトディスクの製造方法。 - 【請求項２】前記特許請求の範囲第１項において、光吸
収層の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚dabsと再生レ
ーザ光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λが、0.
05≦ρ≦0.6であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚数
部kabsが0.3以下であることを特徴とするコンパクトデ
ィスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63335344A JP2564638B2 (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | コンパクトディスクの製造方法 |
| US07/433,675 US5009818A (en) | 1988-12-30 | 1989-11-07 | Method of manufacturing an optical information recorded disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63335344A JP2564638B2 (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | コンパクトディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179945A JPH02179945A (ja) | 1990-07-12 |
| JP2564638B2 true JP2564638B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=18287471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63335344A Expired - Lifetime JP2564638B2 (ja) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | コンパクトディスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5009818A (ja) |
| JP (1) | JP2564638B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3109866B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2000-11-20 | 太陽誘電株式会社 | 光学式情報記録担体用基板及びその製造方法 |
| JPH04205936A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 転写用成形媒体およびその製造方法 |
| US5812506A (en) * | 1992-04-10 | 1998-09-22 | Wea Manufacturing, Inc. | System and methods for measuring and correcting for overshoot in a high frequency (HF) signal generated by a compact disc player during testing of a compact disc |
| US5518789A (en) | 1994-05-17 | 1996-05-21 | Eastman Kodak Company | Thioether containing photopolymerizable compositions |
| TW250565B (en) * | 1994-10-20 | 1995-07-01 | Digital Audio Disc Corp | Mass production of multisession discs |
| US5904969A (en) * | 1995-07-07 | 1999-05-18 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical data recording medium and manufacturing method thereof |
| US5635114A (en) * | 1995-08-14 | 1997-06-03 | Hong Gilbert H | Method of making thin film optical storage media |
| US5803968A (en) * | 1995-08-21 | 1998-09-08 | Schwartz; Vladimir | Compact disc spin coater |
| US5667860A (en) | 1995-11-14 | 1997-09-16 | Eastman Kodak Company | Optical recording elements having recording layers exhibiting reduced bubble formation |
| US5728441A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recordable/replayable optical recording medium and optical recording method therefor |
| KR100230449B1 (ko) * | 1996-10-10 | 1999-11-15 | 윤종용 | 광기록매체 |
| KR100230448B1 (ko) * | 1996-10-10 | 1999-11-15 | 윤종용 | 광기록매체 |
| US6039898A (en) | 1997-05-08 | 2000-03-21 | O.M.D. Optical Memory Devices, Ltd. | Optical memory device and a method for manufacturing thereof |
| US6214412B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-04-10 | First Light Technologies, Inc. | System and method for distributing a resin disposed between a top substrate and a bottom substrate |
| US6352612B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-03-05 | Steag Hamatech, Inc. | System for forming bonded storage disks with low power light assembly |
| US6098272A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-08 | First Light Technology, Inc. | System for maintaining concentricity of a combination of a top and bottom substrate during the assembly of a bonded storage disk |
| US6106657A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-22 | First Light Technology, Inc. | System and method for dispensing a resin between substrates of a bonded storage disk |
| US6254809B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-07-03 | Steag Hamatech, Inc. | System and method for curing a resin disposed between a top and bottom substrate with thermal management |
| US6103039A (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-15 | First Light Technology, Inc. | System and method for thermally manipulating a combination of a top and bottom substrate before a curing operation |
| US6292457B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-09-18 | Eastman Kodak Company | Recordable optical media with a silver-gold reflective layer |
| US6242068B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-06-05 | Eastman Kodak Company | Recordable optical media with a silver-palladium reflective layer |
| CN1513173A (zh) * | 2001-03-28 | 2004-07-14 | 在信息层中含有可环化的化合物的光学数据载体 | |
| TW200519925A (en) * | 2003-08-05 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical disc and the manufacturing method thereof |
| US20070121021A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Kaehler John W | Display device with acoustic noise suppression |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4615753A (en) * | 1968-06-06 | 1986-10-07 | Discovision Associates | Process for making a video record disc |
| NL7900281A (nl) * | 1979-01-15 | 1980-07-17 | Philips Nv | Optische registratie-inrichting alsmede een werkwijze voor het registreren van informatie langs optische weg. |
| NL7904113A (nl) * | 1979-05-25 | 1980-11-27 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf, werkwijze voor de vervaardiging ervan alsmede een inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. |
| JPS58158225A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Toshiba Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
| DE3377173D1 (en) * | 1982-09-29 | 1988-07-28 | Toshiba Kk | Radiation-sensitive carrier body utilized as stamper structure |
| FR2548578B1 (fr) * | 1983-07-04 | 1986-01-31 | Thomson Csf | Procede de fabrication de disques optiques par pressage et disque obtenu par un tel procede |
| JPS60155424A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 大径のポリカ−ボネ−ト製光デイスク基板およびその製造法 |
| CH664030A5 (de) * | 1984-07-06 | 1988-01-29 | Landis & Gyr Ag | Verfahren zur erzeugung eines makroskopischen flaechenmusters mit einer mikroskopischen struktur, insbesondere einer beugungsoptisch wirksamen struktur. |
| US4790893A (en) * | 1984-07-19 | 1988-12-13 | Hallmark Cards, Inc. | Replication of information carriers |
| JP2808103B2 (ja) * | 1985-04-13 | 1998-10-08 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録再生方法 |
| JPH0675303B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1994-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体の製造法 |
| US4810547A (en) * | 1986-03-26 | 1989-03-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate with fine grooves and method for manufacturing the same |
| JPS6337834A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| NL8602567A (nl) * | 1986-10-13 | 1988-05-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een diffuse reflector. |
| JPS63121142A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| US4876042A (en) * | 1987-12-28 | 1989-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Molding processing using a reproducible molding die |
-
1988
- 1988-12-30 JP JP63335344A patent/JP2564638B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-11-07 US US07/433,675 patent/US5009818A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02179945A (ja) | 1990-07-12 |
| US5009818A (en) | 1991-04-23 |
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