JP2003045080A - 光学記録媒体 - Google Patents
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Abstract
た、簡単な構成の光学記録媒体用の基板を提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂からなる、エンボスピット
または案内溝が設けられた0.3〜1.2mm厚さの基板
と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられ
た厚さ3〜200μmの透明保護層とを具備し、当該透
明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度
変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体におい
て、当該基板に用いる樹脂は下記式(1)で定義する吸
水速度が15×10-6(1/hr)以下であることを特
徴とする光学記録媒体。 吸水速度(1/hr)=飽和吸水率(重量%)/〔飽和到達時間(hr)×100〕・・・(1)
Description
に表面記録再生用情報記録媒体に関する。
スクにおいては、1.2mmの厚さの透明基板の一方の
面上に記録データに応じたエンボスピットが形成され、
さらにその上にAl(アルミニウム)などからなる反射
膜が形成されている。こうしたCDに記録された情報
は、反射膜が設けられた面とは反対側の透明基板側から
集光ビームを照射することにより再生される。
VD−ROMディスクにおいては、0.6mmの厚さの
透明基板の一方の面上にCDの場合よりも微細なエンボ
スピットが形成され、さらにその上にAl(アルミニウ
ム)などからなる反射膜が形成されている。こうしたデ
ィスクの記録面に記録された情報の再生は、CDの場合
と同様に反射膜が形成されている面とは反対側の透明基
板側から集光ビームを照射することにより行われる。
透明な樹脂材料であるPC(ポリカーボネート)が一般
的に使用されている。0.6mmの厚さのPC基板で
は、機械的特性が十分ではなく、そのままでは基板が反
ってしまうため、記録面が内側となるよう2枚の0.6
mmの厚さのPC基板を貼り合わせて、合計厚さ1.2
mmのディスクとして機械的特性を確保している。
6mmとなったのは、チルトマージンを確保するためで
ある。トラックピッチ、ピット密度がより詰まるとディ
スクの傾き、いわゆるチルトのマージンが減少してしま
う。1.2mmから0.6mmへと基板の厚さを小さくす
ることによって、チルトマージンは確保することができ
るが、機械的強度の低下は避けられない。
記録媒体が提案された。例えば、特開平11−7658
号公報には「熱可塑性樹脂からなり、0.3〜1.2mm
の厚さの支持体と、上記支持体上に案内溝と、該案内溝
上に、順に、少なくとも反射膜と、相変化型記録膜とか
らなる記録領域を有し、少なくとも上記記録領域におい
て、3〜177μmの厚さの透明保護層が形成されて成
り、上記透明保護層の、厚さムラをΔtとしたときに、
再生、もしくは記録再生する光学系のN.A.および波長
λとの間に、 Δt≦5.26(λ/N.A.4)(μm)(N.A.は開口
数) の関係を満たすことを特徴とする光学記録媒体」が提案
され、透明保護層の厚さと、その厚さむらの関係を規定
することにより、大容量化が可能な光記録媒体が提供さ
れるとしている。
高密度を達成するための光学記録媒体に必要な条件をま
とめ、次のように示されている。すなわち、記録再生光
学系がλ≦0.68μmかつN.A./λ≦1.20をみた
し、かつ、記録領域内で透明保護層の厚さt=3〜17
7μm、透明保護層の厚さむらは、 △t≦±5.26(λ/N.A.4)(μm) トラックピッチP≦0.64(μm) 公差△P≦±0.04P(μm) 線密度d≦0.1161/P(μm/bit) ディスクスキュー Θ≦84.115×(λ/N.A.3/
t) 偏心E≦67.57P(μm) 表面粗さRa≦±3λ/100(スポット照射領域内) というものである。
は、片面記録方式として、「エンボスピットまたは案内
溝が設けられた記録面を有する基板と、この基板の前記
記録面の上に形成された反射膜と、この反射膜の上に形
成された保護膜とを具備し、前期保護膜が形成された側
である第1の表面と、この第1の表面に対向する第2の
表面との2つの面により表面が構成され、前記第1の表
面側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に
基づいて記録情報を再生する情報記録媒体であって、前
記基板の記録面から前記第1の表面までの距離は、前記
基板の厚さより小さく前記第1の表面は平滑であること
を特徴とする情報記録媒体」が提案され、また両面記録
方式として「エンボスピットまたは案内溝が設けられ、
対向する第1および第2の記録面を有する基板と、この
基板の前記第1および第2の記録面にそれぞれ形成され
た第1および第2の反射膜と、この第1および第2の反
射膜の上にそれぞれ形成された第1および第2の保護膜
とを具備し、前記第1の保護膜が形成された側である第
1の表面と、前記第2の保護膜が形成された側である第
2の表面との2つの面により表面が構成され、前記第1
の表面側および第2の表面側から、それぞれ光ビームを
照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を
再生する情報記録媒体であって、前記基板の第1の記録
面から前記第1の表面までの距離、および前記基板の第
2の記録面から前記第2の表面までの距離は、5λ/
(4n)以上0.6mm以下(λは光ビームの波長であ
り、nは前記波長λの光の前記第1または第2の保護膜
の光屈折率である)であり、前記基板の厚さは0.6m
m以上1.2mm以下であり、前記第1の表面から第2
の表面までの距離は1.2mm以下であることを特徴と
する情報記録媒体」が提案されている。これらは記録密
度を高めても十分なチルトマージンと機械的強度とを確
保しうる情報記録媒体を提供することを目的としてい
る。
解決しても片面信号の光記録媒体では温度湿度の環境変
化における基板の吸湿、または脱湿によりディスクが時
間の経過とともに反りを生じていくため、信号が読み出
せない等のフォーカスエラーやトラッキングエラーを起
こしやすいといった問題が生じている。このような環境
変化におけるディスクの反りは従来のCDでも問題とな
っていたが、本発明で課題とするディスクは、高N.A.
(開口率)の対物レンズを使用し、光ピックアップが複
雑となっているため、要求は一層と厳しいものになって
いる。
(No.774)142〜168ページ記載の内容によ
れば、本発明で課題としているディスクの光ピックアッ
プ方式は従来と全く異なっている。図1に簡単に本発明
で課題としているディスクの光学系とディスクの関係を
図示するが、前述したように、高N.A.の対物レンズ
(1)が使用され、透明保護層(2)の厚さは3〜20
0μmと非常に薄くなっている。さらに、新しい光ピッ
クアップ方式はディスク面と対物レンズの距離(3)w
orking distance)が0.15mm前後
と非常に小さくなっているのが特徴である。
変化による反りによって、フォーカスエラーおよびトラ
ッキングエラーを起こし易いだけでなく、光ピックアッ
プが透明保護層に衝突するといった問題も生じている。
このような現象には、透明保護層の表面をハード・コ
ートで保護するといった面倒な処理を行い対処してい
る。
如き従来技術の動向に鑑み、環境変化におけるディスク
の反りを低減し、且つ、緩やかに反りが生じて実質的に
反りの影響を無視しうる単純な構成の上記形式の光学記
録媒体の基板を提供することを目的とし、鋭意研究し、
本発明に到達した。
塑性樹脂からなる、エンボスピットまたは案内溝が設け
られた0.3〜1.2mm厚さの基板と、該基板上に設け
られた反射層と、その上に設けられた厚さ3〜200μ
mの透明保護層とを具備し、当該透明保護層側から光ビ
ームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録
情報を再生する光学記録媒体において、当該基板に用い
る樹脂の下記式(1)で定義する吸水速度が15×10
-6(1/hr)以下であることを特徴とする光学記録媒
体である。 吸水速度(1/hr)=飽和吸水率(重量%)/〔飽和到達時間(hr)×100〕・・・(1)
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図2
〜4は、それぞれ本発明を適用した光記録媒体として、
光ディスクの一例を示す断面模式図である。なお、本発
明で提案する光ディスクの構成はここに挙げた例に限定
されるものではない。
示すように、案内溝を有する基板(4a)上に光反射層
(4b)、記録層(4c)、透明保護層(4d)が順次
積層形成されてなるものである。基板(4a)には、そ
の表面にデータ情報やトラッキングサーボ信号等が記録
される位相ピットや、プリグルーブ等の微細な凸凹等の
所定の凸凹パターンからなる案内溝が形成されている。
に、案内溝を有する基板(5a)上に光反射層(5bお
よび5e)、記録層(5cおよび5f)が中間層(5
d)を挟み込み複数積層された多層構造であることを特
徴としており、表面には透明保護層(5g)が形成され
る。 さらに、光ディスク6では、図4に示すようにエ
ンボスピットまたは案内溝が基板(6a)の両面に設け
られ、該光反射層(6bおよび6d)および記録層(6
cおよび6e)、透明保護層(6f)も共に両面に順次
積層形成することを特徴としている。なお、これら光デ
ィスクを構成する基板、光反射層、記録層、透明保護層
には同一もしくは類似の特性を持つ材料が使用可能であ
る。以下に好適な材料ならびに基板の特性を示す。
(1)で定義した吸水速度が15×10-6(1/hr)
以下を満たせば、どのような樹脂でもよく、10×10
-6(1/hr)以下であれば、一層望ましい。
回る場合、吸水が速く進行するため、ディスクは簡単に
水を吸収してしまう。そのため、反り変形が大きく、フ
ォーカスエラーやトラッキングエラーを起こし易くなる
ので好ましくない。また反り変形が大きくなることによ
り、ディスクと光ピックアップの衝突を回避するのは難
しくなる。なお、光ディスクの吸湿および脱湿過程にお
ける反り変形に関しては以下の測定法を用いた。
度90%RHの環境下(A環境)に飽和吸水率に達する
まで暴露した後、温度23℃、相対湿度50%RH環境
(B環境)に移した時に生じる中心から58mm部のチ
ルト(Tilt)変化を経時的に測定し、チルト(Ti
lt)変化の最大値と定常に達したときの値の差(△T
ilt)を比較したものである。このときのディスクの
△Tiltは0.9度以内、好ましくは0.75度以内、
さらに好ましくは0.5度以内である。デイスクの径が
小さい場合は端部で接線を引いて58mmの値として計
算することが出来る。
明保護層側から光を入射させて情報信号の記録および/
再生が行われるため、基板は光学的な記録および/再生
特性に影響を与えることがなく、透明性を必要としな
い。大きく屈折率が異なった2種以上の樹脂のブレンド
物は光散乱によりヘイズ(Haze)が生じるため、従
来の光学特性を必要とするCD、DVD等の基板材料に
は用いにくかったが、上述したように本発明の基板に
は、大きく屈折率が異なった2種以上の樹脂のブレンド
物も用いることが可能である。次に本発明において基板
を形成する熱可塑性樹脂の例を挙げる。なお、本発明で
提案する熱可塑性樹脂は以下の例に限定するものではな
い。
水速度が遅く、ディスク材料として良好な耐熱性を有す
る樹脂を主成分としたものであれば良く、このような熱
可塑性樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、非晶性
ポリオレフィン類、水添ポリスチレンなどが挙げられる
が、特にポリカーボネート樹脂を主成分とするのが好ま
しい。
ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合前駆体とを溶液
重合法または溶融重合法等で反応させて得られるもので
ある。 好ましいポリマーの具体例を挙げれば、9,9
−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオ
レンとα,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)m−
ジイソプロピルベンゼンとを20:80〜70:30、
好ましくは40:60〜70:30のモル比で含むビス
フェノール成分をカーボネート前駆体と反応させて得ら
れる共重合ポリカーボネートそのもの、またはそれらを
ベースとする組成物、或いは2,2−ビス(4−ヒドロ
キシ−3−メチルフェニル)プロパンとカーボネート前
駆体とを反応させて得られるポリカーボネートまたはそ
れらをベースとする組成物等が挙げられる。
芳香族ジヒドロキシ化合物からなるものはもちろん、2
種類以上の芳香族ジヒドロキシ化合物の共重合でも何ら
差し支えない。さらにこれらのポリカーボネート樹脂を
2種以上混合して用いても何ら問題はない。本発明にお
けるポリカーボネート樹脂は、そのポリマー0.7gを
100mlの塩化メチレンに溶解し、20℃で測定した
比粘度が0.2〜0.5のものが好ましく、0.25〜0.
4の範囲のものがより好ましい。比粘度が0.2未満で
は成形品が脆くなり、0.5より高くなると溶融流動性
が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得難
くなる。
ボネート樹脂および/またはそれ以外の樹脂の他に、熱
安定剤としてリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホ
ン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された
少なくとも1種のリン化合物を、熱安定剤としてその共
重合体に対して特定の割合で配合することができる。こ
のリン化合物を配合することにより、かかる光ディスク
用樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低
下や色相の悪化が抑止される。
脂に対して0.0001〜0.05重量%であり、0.0
005〜0.02重量%が好ましく、0.001〜0.0
1重量%が特に好ましい。配合量が0.0001重量%
未満では上記効果が得られ難く、0.05重量%を超え
ると、逆に該熱可塑性樹脂の熱安定性に悪影響を与える
ことがあり、また樹脂によっては耐加水分解性も低下す
るので好ましくない。
的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。
その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことがで
きる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は該熱
可塑性樹脂に対して、0.0001〜0.05重量%であ
る。
応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステル
を加えることもできる。この一価または多価アルコール
の高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記熱可
塑性樹脂の成形時の金型からの離型性が改良され、ディ
スク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良
によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。
また、該熱可塑性樹脂の溶融流動性が改善される利点も
ある。
ルの配合量は、該熱可塑性樹脂に対して0.01〜2重
量%であり、0.015〜0.5重量%が好ましく、0.
02〜0.2重量%がより好ましい。配合量が0.01重
量%未満では上記効果が得られず、2重量%を越えると
成形の際に金型表面の汚れの原因ともなる。
に他の熱可塑性樹脂、光安定剤、着色剤、帯電防止剤、
滑剤などの添加剤を、転写性、ならびに成形したディス
クの吸湿および脱湿過程における反りの低減効果を損な
わない範囲で加えることができる。
て、ポリカーボネート樹脂どうしの混合および/または
その他の樹脂との混合は、ポリマー溶液、粉粒体、ペレ
ット等の成形品の段階が考えられるが、特に制限するも
のではない。また混合の方法については、ポリマー溶液
の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考えら
れ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、例
えばタンブラー、V型ブレンダー、ナウターミキサー、
バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混合す
る方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法で使用
され、特に制限はないが、混合操作中の異物混入に対す
る除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合後、
任意の目開きのフィルターを通過させるという方法が好
ましい。次に光ディスクの製造方法について説明する。
基板を製造する場合には光記録媒体に必要なスペックを
満たすピッチおよびグルーブ、並びに表面むらを実現し
たスタンパが装着された射出成形機(射出圧縮成形機を
含む)を用い、射出成形法にて作成する。この時ディス
ク基板の厚さは0.3〜1.2mmとする。この射出成形
機としては一般的に使用されているもので良いが、炭化
物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点か
らシリンダーやスクリューと樹脂との付着性が低く、か
つ耐食性、耐摩耗性を示す材料を使用したものを用いる
のが好ましい。成形工程での環境は、本発明の目的から
考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。ま
た、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去するこ
とや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないよ
うに配慮することも重要となる。
射出成形または射出圧縮成形の際に、転写性の良好とな
る十分な流動性を有していることが好ましい。
片面に少なくとも反射膜を形成させることにより光ディ
スクとなる。この材料としては、金属元素を単独で、あ
るいは複合させて用いることができる。そのうちAlお
よびAuを単独で使用するか、もしくは0.5重量%以
上10重量%以下、特に好ましくは3.0重量%以上1
0重量%以下のTiを含有するAl合金、0.5重量%
以上10重量%以下のCrを含有するAl合金を使用す
るのが好ましい。また該反射膜は、イオンビームスパッ
タ法、DCスパッタ法、RFスパッタ法などの手段で形
成させることができる。
層(DVD−RAM、DVD−Rタイプの場合は相変化
膜、染料が挙げられ、光磁気ディスクは光磁気記録膜が
挙げられる)および透明保護層が形成されて本発明の光
ディスクとなる。
単体のカルコゲンやカルコゲン化合物が用いられる。具
体的には、Te、Seの各単体、Ge−Sb−Te,G
e−Te,In−Sb−Te,In−Se−Te−A
g,In−Se,In−Se−Tl−Co,In−Sb
−Se,Bi2Te3,BiSe,Sb2Se3,Sb2T
e3等のカルコゲナイト系材料が使用される。また、光
磁気記録層には、Tb−Fe−Co等の非晶質合金薄膜
等の、カー効果やファラデー効果等の磁気光学特性を有
する垂直磁化膜等が用いられる。
る。この透明保護層は、レーザー光を通過する材料より
なり、かかる材料としては、例えば、ポリカーボネート
樹脂や非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂
や、各種熱硬化性樹脂等が挙げられる。
録層上にポリカーボネート樹脂や非晶性ポリオレフィン
系樹脂などの熱可塑性樹脂からなるシートやガラス板等
の透明版を貼り合わせる方法、また紫外線硬化樹脂をス
ピンコート等の手法によって塗布し、紫外線照射するこ
とによって形成する方法が挙げられる。さらにこの透明
保護層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、3〜2
00μmの厚さに制限される。
あるが、この構成に加えて誘電体層を設けて、光学的特
性や熱的特性を制御しても良い。この場合、基板上に光
反射層、第一の誘電体層、記録層、第2の誘電体層、透
明保護層を順次、形成する。
る。なお実施例中の部は重量部である。なお、評価は下
記の方法に従った。
ト(約6g)の23℃純水中における重量変化率(重量
%)により求めた。通常、ASTM D−0570では
24時間後の変化率を用いるが、1時間後および飽和到
達時間の変化率も求め、それぞれ初期吸水率および飽和
吸水率として用いた。それらは吸水試験の初期重量をW
0、1時間目の重量をW1、24時間目の重量をW24、飽
和到達時点での重量をWsとすれば、以下の式で算出さ
れる。 初期吸水率= 〔(W1−W0)/W0〕×100 吸水率(ASTM D−0570)=〔(W24−W0)
/W0〕×100 飽和吸水率= 〔(Ws−W0)/W0〕×100
ットから120mmφ、1.2mm厚みのディスク基板
を射出成形した。表2に各基板の成形条件を示した。そ
の後、射出成形により得られたディスク基板に順にAl
Cr(反射膜)1000Å、ZnS−SiO2(誘電体
層1)100Å、GeSbTe(相変化記録膜)120
Å、ZnS−SiO2(誘電体層2)100Åをスパッ
タ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層
を貼り合わせることで目的の光ディスク基板を得た。続
いて、ディスクが互いに接触しないようスペーサーを挟
み、温度23℃、相対湿度50%RH環境に2日間以上
放置した。熱収縮および環境変化に対するTiltの変
化が安定した時点でジャパン・イー・エム(株)製3次
元形状測定器DLD−3000UによりTiltの評価
を行い、初期機械特性とした。なお、ディスクの中心か
ら58mm部のTiltを評価の対象とした。
対湿度90%RHの環境下(A環境)に飽和吸水率に達
するまで暴露した後、温度23℃、相対湿度50%RH
環境(B環境)に移した。移動後、環境変化によって生
じる中心から58mm部のTilt変化をジャパン・イ
ー・エム(株)製3次元形状測定器DLD−3000U
により経時的に測定し、Tilt変化が最大に達した値
および定常に達した値の差を△TiltMA Xとした。ま
た、変化開始から1時間での変化量をΔTilt/1h
として示した。
を備えた反応器にイオン交換水32165部、水酸化ナ
トリウム1757部を入れ、9,9−ビス(3−メチル
−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(成分a−3)
2213部およびα,α’−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)m−ジイソプロピルベンゼン(成分a−4)30
39部およびハイドロサルファイト11部を溶解した
後、塩化メチレン10950部を加え、撹拌下16〜1
8℃でホスゲン1667部を60分を要して吹き込ん
だ。ホスゲン吹き込み終了後、p−tert−ブチルフ
ェノール92部と水酸化ナトリウム293部を加え、さ
らにトリエチルアミン4部を加えて30℃で1時間撹拌
して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレ
ンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相
の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、
ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、成分a−3と成
分a−4の比がモル比で40:60である白色粉粒体5
550部を得た(収率96%)。この粉粒体の比粘度は
0.245、ガラス転移温度(Tg)は143℃であっ
た。
ォスフェートを0.005%、トリメチルフォスフェー
トを0.003%、ステアリン酸モノグリセリドを0.0
30%加えて、ベント付きφ30mm二軸押出機を用い
て、ペレット化し、吸水率の評価を行った。吸水曲線を
図5に示す。続いて名機製作所(株)製M35B−D−
DMを用いて120mmφ、1.2mm厚みのディスク
基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射膜、
第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパ
ッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー
層を貼り合わせることにより目的の光ディスクを得た。
このディスク基板の初期機械特性および△Tiltを評
価した。各評価結果および環境変化によって生じる中心
から58mm部のTilt変化(安定時を基準として図
示した)を表1、表2および図6に示した。
換水11057部、48%水酸化ナトリウム水溶液15
60部を仕込み、これに2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)プロパン2396部およびハイ
ドロサルファイト2.1部を溶解した後、塩化メチレン
6445部を加え、攪拌下15〜20℃でホスゲン10
05部を60分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後
p−tert−ブチルフェノール92部および48%水
酸化ナトリウム水溶液830部を加え、撹拌して乳化さ
せた後トリエチルアミン0.09部を加え、28〜33
℃で1時間攪拌して反応を終了した。反応終了後生成物
溶液を多孔板付遠心抽出機[(株)日立製作所製ウルト
レックスEP−02]にてイオン交換水流量1,000
ml/分、反応生成物溶液流量1,500ml/分、回
転数3,500rpmの条件で遠心分離した後、塩化メ
チレン相を塩酸酸性にし、さらに同様の条件で遠心分離
操作を繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じ
になったところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室
を設けたニーダーにより塩化メチレンを蒸発して、粉粒
状の無色のポリカーボネート樹脂2,400部(収率9
2%)を得た。この粉粒体のガラス転移温度(Tg)は
121℃であった。
ォスフェートを0.005%、トリメチルフォスフェー
トを0.003%、ステアリン酸モノグリセリドを0.0
30%加えて、ベント付きφ30mm二軸押出機を用い
て、ペレット化し、吸水率の評価を行った。吸水曲線を
図5に示す。続いて、実施例1と同様の方法で目的のデ
ィスクを得て、初期機械特性および△Tiltを評価し
た。各評価結果および環境変化によって生じる中心から
58mm部のTilt変化(安定時を基準として図示し
た)を表1、表2および図6に示した。
帝人化成(株)製のポリカーボネート(AD−550
3)を用い実施例1と同様の方法で目的のディスクを得
て、初期機械特性および△Tiltならびに衝突頻度を
評価した。各評価結果および環境変化によって生じる中
心から58mm部のTilt変化(安定時を基準として
図示した)を表1、表2および図6に示した。
に変化すると、サーボ機構の追従が難しくフォーカスエ
ラー等の原因となる。また、エラーの原因となるばかり
でなく、時にはピックアップ部とディスクが衝突を起こ
し、ディスク表面を傷つけてしまうことさえある。
ることなく、反り変化を緩やかにすることが可能なた
め、これらの問題にも十分に対処することが可能であ
る。
ィスクの関係を示す模式図を示す。
式図を示す。
式図を示す。
式図を示す。
す。
基板のTilt変化(環境変化によって生じる光ディス
クの中心から58mm部におけるTilt経時変化)を
安定時を基準として図示したもの。
Claims (5)
- 【請求項1】 熱可塑性樹脂からなる、エンボスピット
または案内溝が設けられた0.3〜1.2mm厚さの基板
と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられ
た厚さ3〜200μmの透明保護層とを具備し、当該透
明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度
変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体におい
て、当該基板に用いる樹脂は下記式(1)で定義する吸
水速度が15×10-6(1/hr)以下であることを特
徴とする光学記録媒体。 吸水速度(1/hr)=飽和吸水率(重量%)/〔飽和到達時間(hr)×100〕・・・(1) - 【請求項2】 該反射層と該透明保護層との間に記録膜
を有する請求項1記載の光学記録媒体。 - 【請求項3】 該記録膜および/または該反射層と、透
明保護層が複数積層される、多層構造であることを特徴
とする請求項1〜2記載の光学記録媒体。 - 【請求項4】 該エンボスピットまたは案内溝が基板の
両面に設けられ、該反射層および透明保護層も共に両面
に設けられている請求項1〜3記載の光学記録媒体。 - 【請求項5】 該基板に用いる樹脂が二種以上の熱可塑
性樹脂のブレンド物から形成される請求項1〜4記載の
光学記録媒体。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2014021151A1 (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 日東電工株式会社 | 位相差フィルムの製造方法 |
-
2001
- 2001-07-30 JP JP2001229291A patent/JP4332306B2/ja not_active Expired - Fee Related
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