JP2002334482A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成であって、表面記録再生用の光学
記録媒体を提供する。特に記録密度が高密度化された光
学記録媒体を提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂からなる、エンボスピット
または案内溝が設けられた０.３〜１.２ｍｍ厚さの基板
と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられ
た厚さ３〜２００μｍの透明保護層とを具備し、当該透
明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度
変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体におい
て、当該基板が曲げ弾性率２２,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以
上、ＩＳＯ６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて
測定したｔａｎδが０.００３以上、飽和吸水率０.４０
％以下およびＡＳＴＭ Ｄ−６４８に従って荷重１.８
２ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が９０℃以上であ
る熱可塑性樹脂からなることを特徴とする光学記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体、特
に表面記録再生用情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常のＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどの光ディ
スク（これらを“ＣＤディスク”と略称する）において
は、１.２ｍｍ厚の透明基板の一方の面上に記録データ
に応じたエンボスピットが形成され、さらにその上にＡ
ｌなどからなる反射膜が形成されている。こうしたＣＤ
光ディスクに記録された情報は、反射膜が設けられた面
とは反対側の透明基板側から集光ビームを照射すること
により再生される。これに対して、より記録密度が高密
度化されたＤＶＤやＤＶＤ−ＲＯＭディスク（これらを
“ＤＶＤディスク”と略称する）においては、０.６ｍ
ｍ厚の透明基板の一方の面上にＣＤディスクの場合より
も微細なエンボスピットが形成され、さらにその上にＡ
ｌなどからなる反射膜が形成されている。こうしたＤＶ
Ｄディスクの記録面に記録された情報の再生は、ＣＤデ
ィスクの場合と同様に反射膜が形成されている面とは反
対側の透明基板側から集光ビームを照射することにより
行われる。

【０００３】０.６ｍｍ厚の基板の材料としては、透明
な樹脂材料であるＰＣ（ポリカーボネート）が一般的に
使用されている。０.６ｍｍ厚のＰＣ基板では、機械的
特性が十分ではなく、そのままでは基板が反ってしまう
ため、記録面が内側となるよう２枚の０.６ｍｍＰＣ基
板を貼り合わせて、合計厚さ１.２ｍｍのディスクとし
て機械的特性を確保している。なお、ＤＶＤディスクの
基板厚が０.６ｍｍとなったのは、チルトマージンを確
保するためである。トラックピッチ、ピット密度がより
詰まるとディスクの傾き、いわゆるチルトのマージンが
減少してしまう。１.２ｍｍから０.６ｍｍへと基板厚を
小さくすることによって、チルトマージンは確保するこ
とができるが、機械的強度の低下は避けられない。

【０００４】そこで、基板を薄くして機械的強度を確保
するため、ディスクの中央部を厚くすることにより機械
的強度を確保することが提案されている（特開平９−２
０４６８６号公報）。しかしながら機械的強度を確保す
るためには、信号記録領域の基板厚さは０.６ｍｍが限
界であった。また、透明基板の厚さを０.１ｍｍ〜０.６
ｍｍとすることが報告されている（特開平９−２０４６
８８号公報）が、記録膜を保持する保護基板の厚さ、反
射膜の膜厚等については言及されておらず、実施するう
えでは問題であった。

【０００５】ところが近年になって、新しい方式の光学
記録媒体が種々提案されている。例えば、特開平１１−
７６５８号公報には、“熱可塑性樹脂からなり、０.３
〜１.２ｍｍの厚さの支持体と、上記支持体上に案内溝
と、該案内溝上に、順に、少なくとも反射膜と、相変化
型記録膜とからなる記録領域を有し、少なくとも上記記
録領域において、３〜１７７μｍの厚さの透明保護層が
形成されて成り、上記透明保護層の、厚さムラをΔｔと
したときに、再生、もしくは記録再生する光学系のＮ.
Ａ.および波長λとの間に、 Δｔ≦５.２６（λ／Ｎ.Ａ.⁴）（μｍ）（Ｎ.Ａ.は開口
数） の関係を満たすことを特徴とする光学記録媒体”が提案
され、透明保護層の厚さと、その厚さむらの関係を規定
することにより、大容量化が可能な光記録媒体が提供さ
れるとしている。

【０００６】そして一つの例として、記憶容量８ＧＢの
高密度を達成するための光学記録媒体に必要な条件をま
とめ、次のように示されている。すなわち、記録再生光
学系がλ≦０.６８μｍかつＮ.Ａ.／λ≦１.２０をみた
し、かつ、記録領域内で透明保護層の厚さｔ＝３〜１７
７μｍ、透明保護層の厚さむらは、 △ｔ≦±５.２６（λ／Ｎ.Ａ.⁴）（μｍ） トラックピッチＰ≦０.６４（μｍ） 公差△Ｐ≦±０.０４Ｐ（μｍ） 線密度ｄ≦０.１１６１／Ｐ（μｍ／ｂｉｔ） ディスクスキュー Θ≦８４.１１５×（λ／Ｎ.Ａ.³／
ｔ） 偏心Ｅ≦６７.５７Ｐ（μｍ） 表面粗さＲａ≦±３λ／１００（スポット照射領域内） というものである。

【０００７】また特開平１１−２９６９０４号公報に
は、片面記録方式として、“エンボスピットまたは案内
溝が設けられた記録面を有する基板と、この基板の前記
記録面の上に形成された反射膜と、この反射膜の上に形
成された保護膜とを具備し、前期保護膜が形成された側
である第１の表面と、この第１の表面に対向する第２の
表面との２つの面により表面が構成され、前記第１の表
面側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に
基づいて記録情報を再生する情報記録媒体であって、前
記基板の記録面から前記第１の表面までの距離は、前記
基板の厚さより小さく前記第１の表面は平滑であること
を特徴とする情報記録媒体”が提案され、また両面記録
方式として“エンボスピットまたは案内溝が設けられ、
対向する第１および第２の記録面を有する基板と、この
基板の前記第１および第２の記録面にそれぞれ形成され
た第１および第２の反射膜と、この第１および第２の反
射膜の上にそれぞれ形成された第１および第２の保護膜
とを具備し、前記第１の保護膜が形成された側である第
１の表面と、前記第２の保護膜が形成された側である第
２の表面との２つの面により表面が構成され、前記第１
の表面側および第２の表面側から、それぞれ光ビームを
照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を
再生する情報記録媒体であって、前記基板の第１の記録
面から前記第１の表面までの距離、および前記基板の第
２の記録面から前記第２の表面までの距離は、５λ／
（４ｎ）以上０.６ｍｍ以下（λは光ビームの波長であ
り、ｎは前記波長λの光の前記第１または第２の保護膜
の光屈折率である）であり、前記基板の厚さは０.６ｍ
ｍ以上１.２ｍｍ以下であり、前記第１の表面から第２
の表面までの距離は１.２ｍｍ以下であることを特徴と
する情報記録媒体”が提案されている。

【０００８】これらは記録密度を高めても十分なチルト
マージンと機械的強度とを確保しうる情報記録媒体を提
供することを目的としている。ところでこれらの提案の
記録媒体においては基板を構成する材料については特別
な考慮は払われておらず、例えば特開平１１−２９６９
０４号公報には、基板材料として、例えばポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ガラ
ス、Ａｌなどの金属、合金、およびセラミック等が挙げ
られる。

【０００９】しかし、前述した記録媒体の構成では、下
記〜の理由により、スキュー（ＳＫＥＷ）の発生を
回避することは困難である。 射出時：キャビティー内を樹脂が流動する際にせん断
応力による応力の発生（分子配向歪）。 充填完了：樹脂がキャビティーに充填されたときスク
リューの運動の急激な停止と共に樹脂の流動が急激に停
止し樹脂とスクリューの慣性力がすべて基板にかかる。 保圧：射出時の樹脂がゲートシールされるまで樹脂の
逆流防止と体積収縮によるヒケ等の防止のために樹脂に
圧力をかけているため基板全体に圧力分布が発生する。 冷却：熱収縮により温度分布にしたがった応力が発生
する。そのため、特開平１１−２４２８２９号公報で
は、その改良として、“基板上に少なくとも記録層と透
明保護層とが順次形成されており、当該透明保護層側か
ら光が入射されて情報信号の記録および／または再生が
行われる光記録媒体であって、上記基板は、上記記録層
が形成される側の面を形成する第１の樹脂層と、上記第
１の樹脂層に積層され、上記第１の樹脂層を形成する樹
脂材料よりも曲げ弾性率の大きい樹脂材料からなる第２
の樹脂層とを備えることを特徴とする光記録媒体”が提
案されている。

【００１０】一方、上記改良により機械特性の課題を解
決しても片面信号の光記録媒体では温度湿度の環境変化
における吸湿によりディスクに変形が生じる。ＤＶＤデ
ィスクの場合は通常の吸水率０.３％以上のポリカーボ
ネート基板を使用しているが０.６ｍｍディスクを信号
側を内側に背中合わせに貼り合せているため、吸水率が
大きくても吸水バランスが取れ変形を起こしにくく、問
題になることはなかった。しかし、高Ｎ.Ａ.（開口率）
の高密度ディスクでは表層の片側に信号があるために吸
水バランスが異なり、吸水変形を起こす問題が生じてい
る。特にドライブ運転中は機内温度が高く湿度も低いと
ころから急激な変化がおこり易くディスクの変形により
信号が読み出せない等のフォーカスエラーを起こし易
い。

【００１１】このような吸水変形を抑えるために、特開
２０００−１１４４９号公報では、“基板と、この基板
に配置されて情報信号を記録するための記録層とその記
録層に積層される透明保護層を有し、透明保護層側から
光を入射することで情報信号の記録／再生を行うディス
ク状の情報記録媒体であり、この基板は、樹脂製のコア
層と、コア層に一体になっており、一方の面に記録層側
の情報信号の凸凹が存在し、コア層に比べて流動性を有
する樹脂製の表層とから構成されていることを特徴とす
る情報記録媒体。”であって基板表層の吸水率を０.３
％以下の樹脂を用いる基板が提案されており、２色成
形、サンドイッチ成形による複雑な基板構成で問題を解
決する方向が示されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、前記の
如き従来技術の動向に鑑み、複雑な構成にすることな
く、単純な構成の上記形式の光学記録媒体の基板を提供
することを目的とし、鋭意研究し、本発明に到達した。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、熱可
塑性樹脂からなる、エンボスピットまたは案内溝が設け
られた０.３〜１.２ｍｍ厚さの基板と、該基板上に設け
られた反射層と、その上に設けられた厚さ３〜２００μ
ｍの透明保護層とを具備し、当該透明保護層側から光ビ
ームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録
情報を再生する光学記録媒体において、当該基板が曲げ
弾性率２２０００ｋｇｆ／ｃｍ²以上、制振性がｔａｎ
δで０.００３以上、吸水率０.４０％以下およびＡＳＴ
Ｍ Ｄ−６４８に従って荷重１.８２ＭＰａにて測定し
た荷重たわみ温度が９０℃以上の熱可塑性樹脂からなる
ことを特徴とする光学記録媒体である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１
〜３は、本発明を適用した光記録媒体として、光ディス
クの一例を示すディスク面における垂直の断面の部分的
模式図である。なお、本発明で提案する光ディスクの構
成はここに挙げた例に限定するものではない。本発明を
適用した光ディスク１は、図１に示すように、案内溝を
有する基板２上に光反射層３、記録層４および透明保護
層５が順次積層形成されてなるものである。基板２に
は、その上部表面にデータ情報やトラッキングサーボ信
号等の記録がなされる位相ピットや、プリグルーブ等の
微細な凸凹等の所定の凸凹パターンからなる案内溝が形
成されている。

【００１５】また、光ディスク２は、図２に示すよう
に、案内溝を有する基板２上に記録膜あるいは反射層
と、透明保護層が複数積層された多層構造であることを
特徴としており、さらに、光ディスク３では、図３に示
すようにエンボスピットまたは案内溝が基板２の両面に
設けられ、該反射層および透明保護層も共に両面に順次
積層形成することを特徴としている。なお、これら光デ
ィスクを構成する基板、光反射層、記録層、透明保護層
には同一もしくは類似の特性を持つ材料が使用可能であ
る。以下に好適な材料ならびに基板の特性を示す。

【００１６】基板２に用いられる熱可塑成樹脂の曲げ弾
性率は２２,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以上であることが好ま
しく、より好ましくは２４,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以上で
あり、２７,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以上であることが最も
好ましい。曲げ弾性率が２２,０００ｋｇｆ／ｃｍ²より
小さいと、成形された光ディスクが高速回転する際に起
こる面振れが大きくなり、高密度の記憶容量を要する光
ディスクとして好ましくない。曲げ弾性率は、成形性を
保持する観点から通常３７,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以下、
好ましくは３５,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以下である。

【００１７】また、本発明における熱可塑性樹脂は、Ａ
ＳＴＭ Ｄ−６４８に従って、１.８２ＭＰａにて測定
した荷重たわみ温度が、９０℃以上であることが好まし
く、１００℃以上であることがより好ましく、１０５℃
以上がさらに好ましい。荷重たわみ温度が低くなると、
ディスクとしての耐熱性が不足する。荷重たわみ温度
は、通常の射出成形に適用する場合、一般的には１５０
℃以下、好ましくは１４０℃以下である。

【００１８】さらに、該熱可塑性樹脂は、ＩＳＯ ６７
２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎ
δが０.００３以上であることが好ましく、より好まし
くは０.００９以上であり、０.０１３以上であることが
最も好ましい。ｔａｎδが０.００３より小さいと該樹
脂の制振性が小さくなり、成形された光ディスクが高速
回転する際に起こる面振れが大きくなるため好ましくな
い。ｔａｎδは一般的には０.０８以下、通常０.０７以
下である。

【００１９】本発明における熱可塑性樹脂は、さらに２
３℃の純水に浸漬した場合の飽和吸水率が０.４０重量
％以下であることが好ましい。さらに好ましくは０.３
３重量％以下である。殊に飽和吸水率が０.２５重量％
以下であることが最も好ましい。飽和吸水率が０.４０
重量％を超えると、吸湿および脱湿過程における光ディ
スクの反り変形が生じ易くなり、フォーカスエラーやト
ラッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。

【００２０】光ディスクの吸湿および脱湿過程における
反り変形に関しては以下の測定法を用いた。すなわち、
ディスクを温度３０℃、湿度９０％ＲＨの環境下（Ａ環
境）に飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３
℃、湿度５０％ＲＨ環境（Ｂ環境）に移した時に生じる
中心から５８ｍｍ部のチルト（Ｔｉｌｔ）変化を経時的
に測定し、チルト（Ｔｉｌｔ）変化の最大値と定常に達
したときの値の差（△Ｔｉｌｔ）を比較したものであ
る。このときのディスクの△Ｔｉｌｔは０.９度以内、
好ましくは０.７５度以内、さらに好ましくは０.５度以
内である。

【００２１】また、本発明の光ディスクは、透明保護層
５側から光を入射させて情報信号の記録および／再生が
行われるため、基板２は光学的な記録および／再生特性
に影響を与えることがなく、透明性を必要としない。大
きく屈折率が異なった２種以上の樹脂のブレンド材料は
光散乱によりヘイズ（Ｈａｚｅ）が生じるため、従来の
光学特性を必要とするＣＤ、ＤＶＤ等の基板材料として
使用することは容易ではなかったが、上述したように本
発明の基板２には、大きく屈折率が異なった２種以上の
樹脂のブレンド材料でも用いることが可能である。

【００２２】次にかかる熱可塑性樹脂の例を挙げる。し
かし、本発明における基板を形成する熱可塑性樹脂は以
下の例に限定するものではない。本発明における熱可塑
性樹脂としては、吸水率が低く、且つ制振性および曲げ
弾性率が良好で、ディスク材料として良好な耐熱性を有
する樹脂を主成分とする前記特性を満たす樹脂であれば
良い。このような熱可塑性樹脂の例としてはポリカーボ
ネート樹脂、非晶性ポリオレフィン類および水添ポリス
チレンなどから選ぶことが出来るが、特にポリカーボネ
ート樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂から選ぶのが好ま
しい。

【００２３】上記ポリカーボネート樹脂は、通常芳香族
ジヒドロキシ化合物とカーボネート結合前駆体とを例え
ば溶液法または溶融法等で重合させて得られるものであ
る。ここで使用される芳香族ジヒドロキシ化合物は、上
記の条件を満たすことができるならば、どのような化合
物でも差し支えないが、例えば、２,２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノ−ルＡ
と略記する場合がある）、２,２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１,１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシ
クロヘキサン、９,９−ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）フルオレンまたはα,α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ｍ−ジイソプロピルベンゼンが好
ましい。なお、前記α,α’−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ｍ−ジイソプロピルベンゼンは、下記化学構造
式により表される化合物である。

【００２４】

【化１】

【００２５】また、該ポリカーボネート樹脂は、単独の
芳香族ジヒドロキシ化合物からなるものはもちろん、２
種類以上の芳香族ジヒドロキシ化合物の共重合でも何ら
差し支えない。さらにこれらのポリカーボネート樹脂を
２種以上混合して用いても何ら問題はない。

【００２６】本発明の熱可塑性樹脂は上記のごとくポリ
カーボネート樹脂単独からなることができるが、吸水率
をさらに低減する目的、ならびに転写性を向上させる目
的でそれ以外の樹脂を混合することも可能である。この
ような樹脂としては、ポリスチレン、耐衝撃性ポリスチ
レン、アクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ）、
メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合体
（ＭＢＳ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン
共重合体（ＡＢＳ）などのスチレン系共重合体や、非晶
性ポリオレフィン類、水添ポリスチレン、ポリアミドな
どが好ましい。特にポリスチレン、非晶性ポリオレフィ
ンまたは水添ポリスチレンが好適である。

【００２７】好ましい熱可塑性樹脂の具体例を挙げれ
ば、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサンおよび／または９,９−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレ
ンとα,α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｍ−ジ
イソプロピルベンゼンとを２０：８０〜７０：３０、好
ましくは４０：６０〜７０：３０のモル比で含むビスフ
ェノール成分をカーボネート前駆体と反応させて得られ
る共重合ポリカーボネートそのもの、またはそれらをベ
ースとする組成物、あるいは２,２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンから得られるポリカーボネート
とポリオレフィンとを９９：１〜４０：６０、好ましく
は９５：５〜８０：２０の重量比で含む組成物が挙げら
れる。

【００２８】前記ポリカーボネート樹脂は、そのポリマ
ー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０
℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のものが好ましく、
０.２５〜０.４の範囲のものがより好ましい。比粘度が
０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなると
溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成
形品が得難くなる。本発明の熱可塑性樹脂には、熱安定
剤としてリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸
およびこれらのエステルよりなる群から選択された少な
くとも１種のリン化合物を配合することができる。この
リン化合物を配合することにより、かかる光ディスク用
樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下
や色相の悪化が防止される。

【００２９】かかる熱安定剤の配合量は、該熱可塑性樹
脂に対して０.０００１〜０.０５重量％であり、０.０
００５〜０.０２重量％が好ましく、０.００１〜０.０
１重量％が特に好ましい。配合量が０.０００１重量％
未満では上記効果が得られ難く、０.０５重量％を超え
ると、逆に該熱可塑性樹脂の熱安定性に悪影響を与える
ことがあり、また樹脂によっては耐加水分解性も低下す
るので好ましくない。本発明の熱可塑性樹脂には、酸化
防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することが
できる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示す
ことができる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範
囲は該熱可塑性樹脂に対して、０.０００１〜０.０５重
量％である。

【００３０】さらに本発明の熱可塑性樹脂には、必要に
応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステル
を加えることもできる。この一価または多価アルコール
の高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記熱可
塑性樹脂の成形時の金型からの離型性が改良され、ディ
スク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良
によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。
また、該熱可塑性樹脂の溶融流動性が改善される利点も
ある。

【００３１】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、該熱可塑性樹脂に対して０.０１〜２重
量％であり、０.０１５〜０.５重量％が好ましく、０.
０２〜０.２重量％がより好ましい。配合量が０.０１重
量％未満では上記効果が得られず、２重量％を越えると
成形の際に金型表面の汚れの原因ともなる。本発明の光
ディスク基板用樹脂には、さらに他の熱可塑性樹脂、光
安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を、転
写性、ならびに成形したディスクの吸湿および脱湿過程
における反りの低減効果を損なわない範囲で加えること
ができる。

【００３２】本発明の樹脂組成物の調整において、ポリ
カーボネート樹脂同士の混合および／または他の樹脂と
の混合は、ポリマー溶液、粉粒体またはペレット等の成
形品の各段階での実施が考えられるが、特に制限するも
のではない。また混合の方法については、ポリマー溶液
の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考えら
れ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、例
えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、
バンバリーミキサー、混練ロールまたは押出機などで混
合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法が
採用でき、特に制限はないが、混合操作中の異物混入に
対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合
後、適切な目開きのフィルターを通過させる方法が好ま
しい。

【００３３】ポリカーボネート樹脂およびポリスチレン
を溶液にて混合する場合は、ポリカーボネート樹脂なら
びにポリスチレンが共に可溶な溶媒を用いることが好ま
しい。この場合、溶液状態において濾過処理を行い未反
応成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。さ
らに射出成形に供するためのペレット状樹脂組成物を得
る押出工程（ペレット化工程）では溶融状態のときに濾
過精度５０μｍ以下の焼結金属フィルター等を通すなど
して異物を除去することが好ましい。必要により、例え
ばリン系等の酸化防止剤などの添加剤を加えることも好
ましい。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、
不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必
要である。

【００３４】次に光ディスクの製造方法を示す。上記光
ディスク基板用樹脂より光ディスク基板を製造する場合
には光記録媒体に必要なスペックを満たすピッチおよび
グルーブ、並びに表面むらを実現したスタンパが装着さ
れた射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用い、射出
成形法にて作成する。この時ディスク基板の厚さは０.
３〜１.２ｍｍとする。この射出成形機としては一般的
に使用されているもので良いが、炭化物の発生を抑制し
ディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやス
クリューと樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗
性を有する材料を使用してなるものを用いるのが好まし
い。成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可
能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に
供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融
樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮す
ることも重要となる。

【００３５】本発明における光ディスク基板用樹脂は、
射出成形または射出圧縮成形の際に、転写性の良好とな
る十分な流動性を有していることが好ましい。つづいて
本発明の光ディスク基板は、その片面に少なくとも反射
膜を形成させることにより光ディスクとなる。この材料
としては、金属元素を単独で、あるいは複合させて用い
ることができる。そのうちＡｌおよびＡｕを単独で使用
するか、もしくは０.５重量％以上１０重量％以下、特
に好ましくは３.０重量％以上１０重量％以下のＴｉを
含有するＡｌ合金、０.５重量％以上１０重量％以下の
Ｃｒを含有するＡｌ合金を使用するのが好ましい。また
該反射膜は、イオンビームスパッタ法、ＤＣスパッタ法
またはＲＦスパッタ法などの手段で形成させることがで
きる。

【００３６】通常この金属薄膜（反射層）の他に、基本
的には記録層４（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒの場合は
相変化膜、染料が挙げられ、光磁気ディスクの場合は光
磁気記録膜が挙げられる）および透明保護層５が形成さ
れて本発明の光ディスクとなる。かかる相変化膜記録材
料層としては、例えば単体のカルコゲンやカルコゲン化
合物が用いられる。具体的には、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ,Ｇｅ−Ｔｅ,Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ,Ｉｎ
−Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ,Ｉｎ−Ｓｅ,Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃ
ｏ,Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ,Ｂｉ₂Ｔｅ₃,ＢｉＳｅ,Ｓｂ₂Ｓ
ｅ₃,Ｓｂ₂Ｔｅ₃等のカルコゲナイト系材料が使用され
る。また、光磁気記録膜層には、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の
非晶質合金薄膜等の、カー効果やファラデー効果等の磁
気光学特性を有する垂直磁化膜等が用いられる。

【００３７】続いて、透明保護層５は記録層４上に形成
される。この透明保護層５は、レーザー光を透過する材
料よりなり、かかる材料としては、例えば、ポリカーボ
ネートや非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹
脂や、各種熱硬化性樹脂等が挙げられる。透明保護層を
形成する手段は、例えば、記録層４上にポリカーボネー
トや非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂か
らなるシートやガラス板等の透明版を貼り合わせる方
法、また紫外線硬化樹脂をスピンコート等の手法によっ
て塗布し、紫外線照射することによって形成する方法が
挙げられる。さらにこの透明保護層はコマ収差をかなり
小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限され
る。

【００３８】以上が本発明の光ディスクの基本的構成で
あるが、この構成に加えて誘電体層を設けて、光学的特
性や熱的特性を制御しても良い。この場合、基板２上に
光反射層３、第一の誘電体層、記録層４、第２の誘電体
層、透明保護層５を順次、形成する。

【００３９】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部である。なお、評価は下
記の方法に従った。 （１）荷重たわみ温度 ＡＳＴＭ Ｄ−６４８に従って、荷重１.８２ＭＰａに
て測定した。 （２）飽和吸水率 ２３℃の純水に浸漬し、２０日後における変化量を測定
した。 （３）曲げ弾性率 ペレットを１２０℃で５時間乾燥した後、射出成形機
［住友重機（株）製ＳＧ−１５０］により、シリンダー
温度３４０℃で射出成形した試験片を用い、ＡＳＴＭ
Ｄ−０７９０に従って測定した。 （４）初期機械特性 名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて各ペレ
ットから１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板
を射出成形した。表１に各基板の成形条件を示した。そ
の後、射出成形により得られたディスク基板に順に反射
膜、誘電体層１、相変化記録膜、誘電体層２をスパッタ
蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を
貼り合わせることで目的の光ディスク基板を得た。続い
て、ディスクが互いに接触しないようスペーサーを挟
み、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境に２日間以上放置
した。熱収縮および環境変化に対するＴｉｌｔの変化が
安定した時点でジャパン・イー・エム（株）製３次元形
状測定器ＤＬＤ−３０００ＵによりＴｉｌｔ（初期基板
形状）の評価を行い、初期機械特性とした。 （５）△Ｔｉｌｔ 初期機械特性を評価したディスク基板を温度３０℃、湿
度９０％ＲＨの環境下（Ａ環境）に飽和吸水率に達する
まで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境（Ｂ
環境）に移した。移動後、環境変化によって生じる中心
から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化をジャパン・イー・エム
（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにより経
時的に測定し、Ｔｉｌｔ変化が最大に達した値および定
常に達した値の差を△Ｔｉｌｔとした。 （６）制振性（ｔａｎδ） ＩＳＯ ６７２１−４に準じ、レオメトリックス社製Ｒ
ＤＡIIを用いて４０℃、１８Ｈｚにて測定した。

【００４０】［実施例１］温度計、攪拌機、還流冷却器
付き反応器にイオン交換水９２９.２部、４８％水酸化
ナトリウム水溶液６１.３部を入れ、１,１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘ
キサン（成分ａ−１）４３.９部、α,α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ｍ−ジイソプロピルベンゼン（成
分ａ−２）４３.６部およびハイドロサルファイト０.１
７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
１.５１部と塩化メチレン６３７.９部を加えトリエチル
アミン０.０９部を添加した後攪拌下１５〜２５℃でホ
スゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲ
ン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液１
５.６部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を
終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈し
て水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率が
イオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に
異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩
化メチレンを蒸発して、成分ａ−１と成分ａ−２の比が
モル比で５３：４７の比粘度が０.２７である無色のポ
リマー８６.４部を得た（収率９７％）。

【００４１】このポリカーボネート樹脂粉粒体にトリス
ノニルフェニルフォスフェートを０.００５％、トリメ
チルフォスフェートを０.００３％、ステアリン酸モノ
グリセリドを０.０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍ
ｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所
（株）製Ｍ３５−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、０.
６ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このディス
ク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、
第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカー
ボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光
ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性およ
び△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果およ
び環境変化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌ
ｔ変化（安定時を基準として図示した）をそれぞれ表
１、図４に示す。

【００４２】［実施例２］温度計、撹拌機、還流冷却器
およびホスゲン吹き込み管を備えた反応器にイオン交換
水３２１６５部、水酸化ナトリウム１７５７部を入れ、
９,９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン（成分ａ−３）２２１３部およびα,α’−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｍ−ジイソプロピルベ
ンゼン（成分ａ−４）３０３９部およびハイドロサルフ
ァイト１１部を溶解した後、塩化メチレン１０９５０部
を加え、撹拌下１６〜１８℃でホスゲン１６６７部を６
０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９２部と水酸化ナトリウ
ム２９３部を加え、さらにトリエチルアミン４部を加え
て３０℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了
後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸
酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど
同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸
発して、成分ａ−３と成分ａ−４の比がモル比で４０：
６０である白色粉粒体５５５０部を得た（収率９６
％）。この粉粒体の比粘度は０.２４５、Ｔｇは１４３
℃であった。

【００４３】この樹脂粉粒体にトリスノニルフェニルフ
ォスフェートを０.００５％、トリメチルフォスフェー
トを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０
３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用い
て、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−
Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディ
スク基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射
膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層を
スパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カ
バー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。
このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔなら
びに制振性を評価した。評価結果および環境変化によっ
て生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化（安定時を
基準として図示した）をそれぞれ表１、図４に示す。

【００４４】［実施例３］ ［Ａ］ ビスフェノールＡからのポリカーボネート単独
重合体（ポリマーＡ）の合成；温度計、攪拌機および還
流冷却器付き反応器にイオン交換水１１０５７部、４８
％水酸化ナトリウム水溶液１５６０部を仕込み、これに
ビスフェノールＡ２１３４部およびハイドロサルファイ
ト２.１部を溶解した後、塩化メチレン６４４５部を加
え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン１００５部を６０分
要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後ｐ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール９２部および４８％水酸化ナトリウム
水溶液８３０部を加え、撹拌して乳化させた後トリエチ
ルアミン０.０９部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌
して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板付
遠心抽出機［（株）日立製作所製ウルトレックスＥＰ−
０２］にてイオン交換水流量１,０００ｍｌ／分、反応
生成物溶液流量１,５００ｍｌ／分、回転数３,５００ｒ
ｐｍの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸
性にし、さらに同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水
相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところ
で、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダ
ーにより塩化メチレンを蒸発して、粉粒状の無色のポリ
カーボネート樹脂２,４００部（収率９２％）を得た。

【００４５】［Ｂ］ ポリマーＢの共重合体の合成；温
度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９
２９.２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１.３部を
入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ−１）４３.
９部、α,α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｍ−
ジイソプロピルベンゼン（成分ａ−２）４３.６部およ
びハイドロサルファイト０.１７部を溶解した後、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５１部と塩化メチレン
６３７.９部を加えトリエチルアミン０.０９部を添加し
た後攪拌下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分
を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％
水酸化ナトリウム水溶液１５.６部を加え、２８〜３３
℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成
物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にし
て水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じにな
ったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離
室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、成分
ａ−１と成分ａ−２の比がモル比で５３：４７の比粘度
が０.２７である無色のポリマー８６.４部を得た（収率
９７％）

【００４６】［Ｃ］ 樹脂組成物の調整 ［Ａ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリ
マーＡ）の塩化メチレン溶液と［Ｂ］で合成したポリマ
ーＢの共重合体の塩化メチレン溶液とを溶液中のポリマ
ー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が８０：２０とな
るようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して
混合した。混合後、目開き０.３μｍのフィルターを通
過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設け
たニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸
発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得
た。

【００４７】この樹脂粉粒体にトリスノニルフェニルフ
ォスフェートを０.００５％、トリメチルフォスフェー
トを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０
３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用い
て、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−
Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディ
スク基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射
膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層を
スパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カ
バー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。
このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔなら
びに制振性を評価した。評価結果および環境変化によっ
て生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化（安定時を
基準として図示した）をそれぞれ表１、図４に示す。

【００４８】［実施例４］実施例３の［Ａ］で合成した
ビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）の塩化メ
チレン溶液と［Ｂ］で合成したポリマーＢの共重合体の
塩化メチレン溶液とを溶液中のポリマー重量比（ポリマ
ーＡ：ポリマーＢ）が６０：４０となるようにそれぞれ
攪拌機付容器に投入した後、攪拌して混合した。混合
後、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸
受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこ
の混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することによ
り該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た。

【００４９】この樹脂粉粒体にトリスノニルフェニルフ
ォスフェートを０.００５％、トリメチルフォスフェー
トを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０
３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用い
て、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−
Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディ
スク基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射
膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層を
スパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カ
バー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。
このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔなら
びに制振性を評価した。評価結果および環境変化によっ
て生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化（安定時を
基準として図示した）をそれぞれ表１、図４に示す。

【００５０】［実施例５］ポリマー成分Ａとして帝人化
成（株）製のポリカーボネート（パンライトＡＤ−５０
００Ｗ）の粉粒体１００部と、ポリマー成分Ｂとしてエ
ー・アンド・エムスチレン（株）製のポリスチレン（Ｈ
Ｆ７７）のペレット１１.１部を塩化メチレンに溶解
し、均一に混合した。この後、目開き０.３μｍのフィ
ルターを通過させ、軸受部に異物取出口を有する隔離室
を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレ
ンを蒸発することにより該樹脂組成物の粉粒体を得た。

【００５１】この樹脂組成物粉粒体にトリスノニルフェ
ニルフォスフェートを０.００５％、トリメチルフォス
フェートを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリド
を０.０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出
機を用いて、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ
３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚
みのディスク基板を射出成形した。このディスク基板に
順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘
電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート
製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスク
を得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉ
ｌｔならびに制振性を評価した。評価結果および環境変
化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化
（安定時を基準として図示した）をそれぞれ表１、図４
に示す。

【００５２】［実施例６］ポリマー成分Ａとして帝人化
成（株）製のポリカーボネート（パンライトＡＤ−５０
００Ｗ）の粉粒体１００部と、ポリマー成分Ｂとしてエ
ー・アンド・エムスチレン（株）製のポリスチレン（Ｈ
Ｆ７７）のペレット２５.０部を塩化メチレンに溶解
し、均一に混合した。この後、目開き０.３μｍのフィ
ルターを通過させ、軸受部に異物取出口を有する隔離室
を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレ
ンを蒸発することにより該樹脂組成物の粉粒体を得た。

【００５３】この樹脂組成物粉粒体にトリスノニルフェ
ニルフォスフェートを０.００５％、トリメチルフォス
フェートを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリド
を０.０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出
機を用いて、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ
３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚
みのディスク基板を射出成形した。このディスク基板に
順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘
電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート
製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスク
を得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉ
ｌｔならびに制振性を評価した。評価結果および環境変
化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化
（安定時を基準として図示した）をそれぞれ表１、図４
に示す。

【００５４】［比較例１］ローム アンド ハース ジ
ャパン製のポリメチルメタクリレート（ＶＬＤ−１０
０）を名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて
１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成
形した。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体
層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着さ
せ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合
わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基
板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評
価した。評価結果および環境変化によって生じる中心か
ら５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化（安定時を基準として図示
した）をそれぞれ表１、図４に示す。

【００５５】［比較例２］エー・アンド・エム スチレ
ン（株）製のポリスチレン（ＨＦ７７）を名機製作所
（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、
１.２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形した。このデ
ィスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録
膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリ
カーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的
の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性
および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果
および環境変化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴ
ｉｌｔ変化（安定時を基準として図示した）をそれぞれ
表１、図４に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１に示すように、実施例１〜６に示した
樹脂は飽和吸水率を０.４％以下に抑えることができ、
△Ｔｉｌｔを１.０以下に抑えることが可能となった。
また、曲げ弾性率およびｔａｎδも充分に大きいため、
成形された光ディスクが高速回転する際に起こる面振れ
は小さく抑えることが可能であった。比較例１のＰＭＭ
Ａは飽和吸水率が２.０％と高いため、△Ｔｉｌｔは５.
０以上と非常に大きくなり、実用上、適さないことがわ
かった。また、比較例２のポリスチレンは吸水率が低い
ため、△Ｔｉｌｔは非常に小さく抑えることができた
が、ガラス転移点（Ｔｇ）が低いため、ディスク基板と
しての耐熱性が不足する結果となった。

【００５８】

【発明の効果】本発明の光ディスクとしては、基板上
に、順に、少なくとも反射膜、記録層および透明保護層
とが形成され、透明保護層側から光が照射されて情報記
号の記録および／または再生が行われる光ディスクを対
象としている。この光ディスクにおいて、直径１２ｃｍ
のディスク片面で１５ＧＢを越える記録容量を持つもの
も開発されているが、本発明の光ディスク基板は複雑な
構成にすることなく、これらのものにも十分に適応する
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に適用する光ディスクの一例におけるデ
ィスク面の垂直断面の部分的模式図を示す。

【図２】本発明に適用する光ディスクの他の一例におけ
るディスク面の垂直断面の部分的模式図を示す。

【図３】本発明に適用する光ディスクの他の一例におけ
るディスク面の垂直断面の部分的模式図を示す。

【図４】環境変化によって生じる光ディスクの中心から
５８ｍｍ部におけるＴｉｌｔ経時変化を安定時を基準と
して示したものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ３２Ｂ 7/02 １０１ Ｂ３２Ｂ 7/02 １０１ １０３ １０３ Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 (72)発明者 池田 幸紀 東京都千代田区内幸町１丁目２番２号 帝 人化成株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AB10D AB25D AB31D AK01A AK45A AL05A AR00B AR00C AR00D BA03 BA04 BA07 BA10A BA10C DD05A EH66 GB41 JB16A JD15A JG05D JK07A JN01C JN06B YY00A 4J002 BB00X BC02X BC03X BC05X BC06X CG01W CL00X 5D029 JB01 JB32 KA25 KB03 KC10 KC11 KC20

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱可塑性樹脂からなる、エンボスピット
   または案内溝が設けられた０.３〜１.２ｍｍ厚さの基板
   と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられ
   た厚さ３〜２００μｍの透明保護層とを具備し、当該透
   明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度
   変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体におい
   て、当該基板が曲げ弾性率２２,０００ｋｇｆ／ｃｍ²以
   上、ＩＳＯ ６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚに
   て測定したｔａｎδが０.００３以上、飽和吸水率０.４
   ０％以下およびＡＳＴＭ Ｄ−６４８に従って荷重１.
   ８２ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が９０℃以上で
   ある熱可塑性樹脂からなることを特徴とする光学記録媒
   体。
2. 【請求項２】 該反射層と透明保護層との間に記録膜を
   有する請求項１記載の光学記録媒体。
3. 【請求項３】 記録膜あるいは反射層が複数積層され
   る、多層構造であることを特徴とする請求項１〜２記載
   の光学記録媒体。
4. 【請求項４】 該基板が曲げ弾性率が２４,０００ｋｇ
   ｆ／ｃｍ²以上、ＩＳＯ ６７２１−４に準じて４０
   ℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０.００９以上、
   飽和吸水率０.３３％以下およびＡＳＴＭ Ｄ−６４８
   に従って荷重１.８２ＭＰａにて測定した荷重たわみ温
   度が１００℃以上である熱可塑性樹脂からなる請求項１
   〜３記載のいずれかの光学記録媒体。
5. 【請求項５】 該基板が、曲げ弾性率が２７,０００ｋ
   ｇｆ／ｃｍ²以上、ＩＳＯ ６７２１−４に準じて４０
   ℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０.０１３以上、
   飽和吸水率０.２５％以下およびＡＳＴＭ Ｄ−６４８
   に従って荷重１.８２ＭＰａにて測定した荷重たわみ温
   度が１０５℃以上である熱可塑性樹脂からなる請求項１
   〜４記載のいずれかの光学記録媒体。
6. 【請求項６】 該エンボスピットまたは案内溝が基板の
   両面に設けられ、該反射層、記録膜および／または透明
   保護層も共に両面に設けられている請求項１〜５記載の
   光学記録媒体。
7. 【請求項７】 該熱可塑性樹脂が２種以上のポリマーの
   組成物からなることを特徴とする請求項１〜６記載の光
   学記録媒体。