JP2004062965A

JP2004062965A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP2004062965A
Application number: JP2002217994A
Authority: JP
Inventors: Masato Ando; 安藤　正人
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 2002-07-26
Filing date: 2002-07-26
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】簡単な構成であって、表面記録再生用の光学記録媒体を提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなる、エンボスピットまたは案内溝が設けられた基板と、基板上に設けられた反射層と、透明保護層とを具備し、透明保護層側から光ビームを照射する光学記録媒体において、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）曲げ弾性率が２８００ＭＰａ〜４０００ＭＰａであり、（Ｂ）飽和に達した時の吸水率が０．３重量％以下であり、（Ｃ）ＩＳＯ　６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０．０２０以上、および（Ｄ）ＩＳＯ７５−１，−２に従って荷重１．８１ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が１１０℃以上である芳香族ポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記録媒体、特に表面記録再生用情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常のＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどの光ディスク（これらを“ＣＤディスク”と略称する）においては、１．２ｍｍ厚の透明基板の一方の面上に記録データに応じたエンボスピットが形成され、さらにその上にＡｌなどからなる反射膜が形成されている。こうしたＣＤ光ディスクに記録された情報は、反射膜が設けられた面とは反対側の透明基板側から集光ビームを照射することにより再生される。
【０００３】
これに対して、より記録密度が高密度化されたＤＶＤやＤＶＤ−ＲＯＭディスク（これらを“ＤＶＤディスク”と略称する）においては、０．６ｍｍ厚の透明基板の一方の面上にＣＤディスクの場合よりも微細なエンボスピットが形成され、さらにその上にＡｌなどからなる反射膜が形成されている。こうしたＤＶＤディスクの記録面に記録された情報の再生は、ＣＤディスクの場合と同様に反射膜が形成されている面とは反対側の透明基板側から集光ビームを照射することにより行われる。
【０００４】
０．６ｍｍ厚の基板の材料としては、透明な樹脂材料であるＰＣ（ポリカーボネート）が一般的に使用されている。０．６ｍｍ厚のＰＣ基板では、機械的特性が十分ではなく、そのままでは基板が反ってしまうため、記録面が内側となるよう２枚の０．６ｍｍＰＣ基板を貼り合わせて、合計厚さ１．２ｍｍのディスクとして機械的特性を確保している。
【０００５】
なお、ＤＶＤディスクの基板厚が０．６ｍｍとなったのは、チルトマージンを確保するためである。トラックピッチ、ピット密度がより高くなるとディスクの傾き、いわゆるチルトのマージンが減少してしまう。１．２ｍｍから０．６ｍｍへと基板厚を小さくすることによって、チルトマージンは確保することができるが、材料力学的には、基板の弾性率は板厚の３乗に比例することから、基板製造プロセスで発生するチルト特性の悪化は避けられない。
【０００６】
一方、光ディスク記録媒体系において、上述の高密度化とともにデータの入力および読み取りなどの転送レートを上げるためにはディスク基板をより高速回転させることが避けられなくなっている。
【０００７】
しかし、前述した記録媒体の構成では、下記▲１▼〜▲４▼の理由により、スキュー（ＳＫＥＷ）の発生を回避することは困難である。
▲１▼射出時：キャビティー内を樹脂が流動する際にせん断応力による応力の発生（分子配向歪）。
▲２▼充填完了：樹脂がキャビティーに充填されたときスクリューの運動の急激な停止と共に樹脂の流動が急激に停止し樹脂とスクリューの慣性力がすべて基板にかかる。
▲３▼保圧：射出時の樹脂がゲートシールされるまで樹脂の逆流防止と体積収縮によるヒケ等の防止のために樹脂に圧力をかけているため基板全体に圧力分布が発生する。
▲４▼冷却：熱収縮により温度分布にしたがった応力が発生する。
そのため、特開平１１−２４２８２９号公報では、その改良として、“基板上に少なくとも記録層と透明保護層とが順次形成されており、当該透明保護層側から光が入射されて情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体であって、上記基板は、上記記録層が形成される側の面を形成する第１の樹脂層と、上記第１の樹脂層に積層され、上記第１の樹脂層を形成する樹脂材料よりも曲げ弾性率の大きい樹脂材料からなる第２の樹脂層とを備えることを特徴とする光記録媒体”が提案されている。
【０００８】
一方、上記改良により機械特性の課題を解決しても片面信号の光記録媒体では温度湿度の環境変化における吸湿によりディスクに変形が生じる。
【０００９】
ＤＶＤディスクの場合は通常の吸水率０．３重量％以上のポリカーボネート基板を使用しているが０．６ｍｍディスクを信号側を内側に背中合わせに貼り合せているため、吸水率が大きくても吸水バランスが取れ変形を起こしにくく、問題になることはなかった。しかし、高Ｎ．Ａ．（開口率）の高密度ディスクでは表層の片側に信号があるために吸水バランスが異なり、吸水変形を起こす問題が生じている。特にドライブ運転中は機内温度が高く湿度も低いところから急激な変化がおこり易くディスクの変形により信号が読み出せない等のフォーカスエラーを起こし易い。
【００１０】
このような吸水変形を抑えるために、特開２０００−１１４４９号公報では、“基板と、この基板に配置されて情報信号を記録するための記録層とその記録層に積層される透明保護層を有し、透明保護層側から光を入射することで情報信号の記録／再生を行うディスク状の情報記録媒体であり、この基板は、樹脂製のコア層と、コア層に一体になっており、一方の面に記録層側の情報信号の凸凹が存在し、コア層に比べて流動性を有する樹脂製の表層とから構成されていることを特徴とする情報記録媒体。”であって基板表層の吸水率を０．３％重量以下の樹脂を用いる基板が提案されており、２色成形、サンドイッチ成形による複雑な基板構成で問題を解決する方向が示されている。
【００１１】
これまで述べてきたように記録密度を高めても十分なチルトマージンと機械的強度とを確保し、かつ温度湿度の環境変化における吸湿によりディスクに変形を防止する情報記録媒体を製造するために、その基板構成が非常に複雑化している。
【００１２】
その潜在的な要因としては、当該記録媒体を開発するに当たり、基板材料樹脂として必要とされる特性、すなわち剛性、制振性、耐熱性あるいは吸水性について、いずれの要求も満足する樹脂を入手することができなかったことが容易に考えられる。とりわけ、光記録媒体として広範に使用されるポリカーボネート系樹脂の研究開発の場合、最も汎用となっている４，４’−ジヒドロキシフェニルプロパンをカーボネート結合してなるポリカーボネート樹脂に対して、その光学特性を改良する目的で、極めて多様なポリカーボネート系樹脂が開発されてきた（例えば特開２０００−３２７７６７号公報）。　しかし、上述のように剛性、吸水性、制振性、耐熱性について改良を施したポリカーボネート樹脂の開発は、依然、不十分なものであり、成形性まで含めて、当該記録基板の設計を容易にするような樹脂を使用して、より単純な構造で、高記録密度を実現した光記録媒体基板を提供することが切望されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、前記の如き従来技術の動向に鑑み、複雑な構成にすることなく、単純な構成の上記形式の光学記録媒体の基板を提供することを目的とし、鋭意研究し、本発明に到達した。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、熱可塑性樹脂からなる、エンボスピットまたは案内溝が設けられた０．３〜１．２ｍｍ厚さの基板と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられた厚さ３〜２００μｍの透明保護層とを具備し、当該透明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体における当該基板として、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）曲げ弾性率が２８００ＭＰａ〜４０００ＭＰａであり、（Ｂ）飽和に達した時の吸水率が０．３重量％以下であり、（Ｃ）ＩＳＯ　６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０．０２０以上、および（Ｄ）ＩＳＯ７５−１，−２に従って荷重１．８１ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が１１０℃以上であることを満足する樹脂により形成されていることを特徴とする光学記録媒体である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１〜２は、本発明を適用した光記録媒体として、光ディスクの一例を示すディスク面における垂直の断面の部分的模式図である。なお、本発明で提案する光ディスクの構成はここに挙げた例に限定するものではない。
【００１６】
本発明を適用した光ディスク１は、図１に示すように、案内溝を有する基板２上に光反射層３、記録層４および透明保護層５が順次積層形成されてなるものである。基板２には、その上部表面にデータ情報やトラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピットや、プリグルーブ等の微細な凸凹等の所定の凸凹パターンからなる案内溝が形成されている。
【００１７】
また、光ディスク２は、図２に示すように、案内溝を有する基板２上に記録膜あるいは反射層と、透明保護層が複数積層された多層構造であることを特徴としている。なお、これら光ディスクを構成する基板、光反射層、記録層、透明保護層には同一もしくは類似の特性を持つ材料が使用可能である。
【００１８】
以下に好適な材料ならびに基板の特性を示す。本発明の光ディスク基板の素材として使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下、“ビスクレゾールＦ”“ＢＣＦ”と略称することがある）が全芳香族ジヒドロキシ成分当り、少なくとも２０モル％の割合で構成されたポリカーボネート樹脂である。
【００１９】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記ビスクレゾールＦを全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モル％使用している。このビスクレゾールＦの割合が２０モル％未満の場合、得られた光ディスク基板または光ディスクは、透明性、耐熱性、機械的物性、斜め入射複屈折、吸水率、剛性、転写性あるいは反りのいずれかの性質が不満足となり、これら特性を全て満足する光ディスク基板または光ディスクは得られない。ビスクレゾールＦは、１００モル％でもよいが流動性が悪くなる傾向になるので、ビスクレゾールＦの割合がこのように高い場合には、後述するように特定の末端基改質剤で末端を変性することが望ましい。
【００２０】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、芳香族ジヒドロキシ成分として前記ビスクレゾールＦを一定割合使用することが必要であり、流動性、剛性、耐吸水性等を所望の特性とするために、前記ビスクレゾールＦに対して特定のジヒドロキシ成分を組合わせて共重合ポリカーボネート樹脂とすることがその手段として採用される。
【００２１】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、それを構成する全芳香族ジヒドロキシ成分中のビスクレゾールＦの割合が２５〜７０モル％の範囲であるのが好ましく、３０〜６０モル％の範囲であるのが特に好ましい。
【００２２】
本発明者の研究によれば、前記ビスクレゾールＦに対して、或る特定のジヒドロキシ成分を組合わせて得られた共重合ポリカーボネート樹脂は、本発明の光ディスク基板として特に適していることが見出された。すなわち、共重合ポリカーボネート樹脂は、（ａ）ビスクレゾールＦ（これを成分ａという）および（ｂ）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ビスフェノールＭ”“ＢＰＭ”と略称することがある）および／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下“ビスフェノールＣ”“ＢＰＣ”と略称することがある）［これらを成分ｂという］を全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ成分ａと成分ｂとの割合がモル比で、２０：８０〜７０：３０であるポリカーボネート樹脂は光ディスク基板として特に好ましい。これらのビスフェノールはその合成時に副生する不純物を極力除去した９９．０％以上の高純度のものが好ましい。
【００２３】
前記共重合ポリカーボネート樹脂の好ましい態様の１つは、成分ａがビスクレゾールＦであり、且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、２０：８０〜７０：３０の範囲、特に３０：７０〜６０：４０の範囲であるのが一層好ましい。
【００２４】
また好ましい他の態様は、成分ａがビスクレゾールＦであり、且つ成分ｂがビスフェノールＣの組合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、２０：８０〜７０：３０の範囲、特に３０：７０〜６０：４０の範囲であるのがより好ましい。これら好ましい態様において、成分ａと成分ｂの合計は、全芳香族ジヒドロキシ成分中、少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％であるのが有利であり、典型的には、成分ａおよび成分ｂによって実質的に形成された共重合ポリカーボネート樹脂であるのが望ましい。
【００２５】
前記好ましい態様において、ビスクレゾールＦの割合が２０モル％より少なくなると、樹脂のガラス転移温度が低下する傾向になるので好ましくない。
【００２６】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分（成分Ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差支えない。
【００２７】
かかる成分Ｃとしては、通常芳香族ポリカーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下“ＢＰＡ”と省略することがある）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンが挙げられる。
【００２８】
また、本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、三官能以上のフェノール性化合物（成分ｄ）を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であってもよい。
【００２９】
かかる三官能以上のフェノール性化合物としては、例えばフロログルシン、フロログルシド、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル）プロパン、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−イソプロピルベンジル）−４−イソプロピルフェノール、ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル）メタン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、トリスフェノール、２，２−ビス（２，４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ケトン、１，４−ビス（４，４−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン等が挙げられ、なかでも１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンが好ましい。これらは単独で用いても、二種以上併用してもよい。かかる三官能以上のフェノール性化合物は、全芳香族ジヒドロキシ成分に対して、好ましくは０．０１〜５モル％、より好ましくは０．１〜３モル％使用され、得られる分岐ポリカーボネート樹脂は、剛性に優れ、光ディスク基板として好適となる。
【００３０】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００３１】
カーボネート前駆物質として例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
【００３２】
カーボネート前駆物質として炭酸ジエステルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加熱しながら撹拌して、生成するアルコールまたはフェノール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノール類の沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応はその初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノール類を留出させながら反応を完結させる。また反応を促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３３】
重合速度を速めるために重合触媒を使用することもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、四級アンモニウム塩類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、アンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応やエステル交換反応に使用される触媒を使用することができる。触媒は一種だけ用いても、二種以上を組合わせて用いてもよい。これら触媒の使用量は原料の二価フェノール１モルに対して好ましくは１×１０^−９〜１×１０^−３当量、より好ましくは１×１０^−８〜１×１０^−４当量の範囲で選ばれる。
【００３４】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、ビスクレゾールＦあるいはビスクレゾールＦと他の芳香族ジヒドロキシ成分との混合物を使用し、それ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従って製造することができる。
【００３５】
その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られた芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００３６】
かかる単官能フェノール類としては、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一般にはフェノールあるいは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式（１）で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００３７】
【化１】

【００３８】
［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］
前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【００３９】
また、他の単官能フェノール類としては、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族エステル基を置換基として有するフェノール類または安息香酸クロライド類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用することができ、これらを用いてポリカーボネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでなく、殊に光学ディスク基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効果があり、好ましく使用される。なかでも、下記式（２）および（３）で表される長鎖のアルキル基を置換基として有するフェノール類が好ましく使用される。
【００４０】
【化２】

【００４１】
【化３】

【００４２】
［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］
かかる式（２）の置換フェノール類としてはｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール及びトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
【００４３】
また、式（３）の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ドコシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。
【００４４】
これらの末端停止剤は、得られたポリカーボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
【００４５】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、その樹脂の０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が０．１〜０．５の範囲のものが好ましく、０．１５〜０．４の範囲のものがより好ましい。かかる範囲の比粘度を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、溶融流動性が良好で成形性に優れている。
【００４６】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、ＩＳＯ１７８に従って測定した曲げ弾性率が、２８００ＭＰａ〜４０００ＭＰａであり、より好ましくは２９００ＭＰａ〜３９００ＭＰａ、さらに好ましくは３１００ＭＰａ〜３９００ＭＰａである。曲げ弾性率が２８００ＭＰａより小さいと、成形された光ディスクが高速回転する際に起こる面振れが大きくなり、高密度の記憶容量を要する光ディスクとして好ましくない。また、曲げ弾性率が４０００ＭＰａより大きいと、成形された光ディスクが脆くなり、成形が困難である。
【００４７】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、ＩＳＯ７５−１，−２に従って、１．８１ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が、１１０℃以上であることが好ましく、１１５℃以上であることがより好ましく、１２０℃以上がさらに好ましい。荷重たわみ温度が低くなると、ディスクとしての耐熱性が不足する。荷重たわみ温度は、通常の射出成形に適用する場合、一般的には１５０℃以下、好ましくは１４０℃以下である。
【００４８】
さらに、本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、ＩＳＯ　６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０．０２０以上であることが好ましく、より好ましくは０．０２５以上であり、０．０２７以上であることが最も好ましい。ｔａｎδが０．０２０より小さいと該樹脂の制振性が小さくなり、成形された光ディスクが高速回転する際に起こる面振れが大きくなるため好ましくない。
【００４９】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、ＩＳＯ６２に従って、２３℃で飽和に達した時の吸水率が０．３重量％以下、好ましくは０．２８重量％以下であることが必要である。吸水率が０．３重量％を超えると、光ディスク基板表面上に金属膜を形成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。特に好ましい吸水率は０．２７重量％以下である。
【００５０】
光ディスクの吸湿および脱湿過程における反り変形に関しては以下の測定法を用いた。すなわち、ディスクを温度３０℃、湿度９０％ＲＨの環境下（Ａ環境）に飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境（Ｂ環境）に移した時に生じる中心から５８ｍｍ部のチルト（Ｔｉｌｔ）変化を経時的に測定し、チルト（Ｔｉｌｔ）変化の最大値と定常に達したときの値の差（△Ｔｉｌｔ）を比較したものである。このときのディスクの△Ｔｉｌｔは１．００度以内、好ましくは０．７５度以内、より好ましくは０．６０度以内である。
【００５１】
また、本発明の光ディスクは、透明保護層５側から光を入射させて情報信号の記録および／再生が行われるため、基板２は光学的な記録および／再生特性に影響を与えることがなく、透明性を必要としない。大きく屈折率が異なった２種以上の樹脂のブレンド材料は光散乱によりヘイズ（Ｈａｚｅ）が生じるため、従来の光学特性を必要とするＣＤ、ＤＶＤ等の基板材料として使用することは容易ではなかったが、上述したように本発明のに基板２は、大きく屈折率が異なった２種以上の樹脂のブレンド材料でも用いることが可能である。
【００５２】
本発明の熱可塑性樹脂には、熱安定剤としてリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物を配合することができる。このリン化合物を配合することにより、かかる光ディスク用樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
【００５３】
かかる熱安定剤の配合量は、該熱可塑性樹脂に対して０．０００１〜０．０５重量％であり、０．０００５〜０．０２重量％が好ましく、０．００１〜０．０１重量％が特に好ましい。配合量が０．０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、０．０５重量％を超えると、逆に本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂の熱安定性に悪影響を与えることがあり、また樹脂によっては耐加水分解性も低下するので好ましくない。
【００５４】
本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は該熱可塑性樹脂に対して、０．０００１〜０．０５重量％である。
【００５５】
さらに本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記熱可塑性樹脂の成形時の金型からの離型性が改良され、ディスク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。また、本発明で使用される芳香族ポリカーボネート樹脂の溶融流動性が改善される利点もある。
【００５６】
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該熱可塑性樹脂に対して０．０１〜２重量％であり、０．０１５〜０．５重量％が好ましく、０．０２〜０．２重量％がより好ましい。配合量が０．０１重量％未満では上記効果が得られず、２重量％を越えると成形の際に金型表面の汚れの原因ともなる。
【００５７】
本発明の光ディスク基板用樹脂には、さらに他の熱可塑性樹脂、光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を、転写性、ならびに成形したディスクの吸湿および脱湿過程における反りの低減効果を損なわない範囲で加えることができる。
【００５８】
混合の方法については、ポリマー溶液の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考えられ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロールまたは押出機などで混合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法が採用でき、特に制限はないが、混合操作中の異物混入に対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合後、適切な目開きのフィルターを通過させる方法が好ましい。
【００５９】
さらに射出成形に供するためのペレット状樹脂組成物を得る押出工程（ペレット化工程）では溶融状態のときに濾過精度５０μｍ以下の焼結金属フィルター等を通すなどして異物を除去することが好ましい。必要により、例えばリン系等の酸化防止剤などの添加剤を加えることも好ましい。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。
【００６０】
次に光ディスクの製造方法を示す。
上記光ディスク基板用樹脂より光ディスク基板を製造する場合には光記録媒体に必要なスペックを満たすピッチおよびグルーブ、並びに表面むらを実現したスタンパが装着された射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用い、射出成形法にて作成する。この時ディスク基板の厚さは０．３〜１．２ｍｍとする。この射出成形機としては一般的に使用されているもので良いが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューと樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を有する材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００６１】
つづいて本発明の光ディスク基板は、その片面に少なくとも反射膜を形成させることにより光ディスクとなる。この材料としては、金属元素を単独で、あるいは複合させて用いることができる。そのうちＡｌおよびＡｕを単独で使用するか、もしくは０．５重量％以上１０重量％以下、特に好ましくは３．０重量％以上１０重量％以下のＴｉを含有するＡｌ合金、０．５重量％以上１０重量％以下のＣｒを含有するＡｌ合金を使用するのが好ましい。また該反射膜は、イオンビームスパッタ法、ＤＣスパッタ法またはＲＦスパッタ法などの手段で形成させることができる。
【００６２】
通常この金属薄膜（反射層）の他に、基本的には記録層４（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒの場合は相変化膜、染料が挙げられ、光磁気ディスクの場合は光磁気記録膜が挙げられる）および透明保護層５が形成されて本発明の光ディスクとなる。
【００６３】
かかる相変化膜記録材料層としては、例えば単体のカルコゲンやカルコゲン化合物が用いられる。具体的には、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｂｉ_２Ｔｅ_３，ＢｉＳｅ，Ｓｂ_２Ｓｅ_３，Ｓｂ_２Ｔｅ_３等のカルコゲナイト系材料が使用される。
【００６４】
また、光磁気記録膜層には、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の非晶質合金薄膜等の、カー効果やファラデー効果等の磁気光学特性を有する垂直磁化膜等が用いられる。
【００６５】
続いて、透明保護層５は記録層４上に形成される。この透明保護層５は、レーザー光を透過する材料よりなり、かかる材料としては、例えば、ポリカーボネートや非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂や、各種熱硬化性樹脂等が挙げられるが、とりわけビスクレゾールＦが全芳香族ジヒドロキシ成分当り、少なくとも２０モル％の割合で構成されたポリカーボネート樹脂が好適に用いられる。
【００６６】
透明保護層を形成する手段は、例えば、記録層４上にポリカーボネートや非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂からなるシートやガラス板等の透明版を貼り合わせる方法、また紫外線硬化樹脂をスピンコート等の手法によって塗布し、紫外線照射することによって形成する方法が挙げられる。さらにこの透明保護層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
【００６７】
以上が本発明の光ディスクの基本的構成であるが、この構成に加えて誘電体層を設けて、光学的特性や熱的特性を制御しても良い。この場合、基板２上に光反射層３、第一の誘電体層、記録層４、第２の誘電体層、透明保護層５を順次、形成する。
【００６８】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％である。なお、評価は下記の方法に従った。
【００６９】
（１）荷重たわみ温度
ＩＳＯ７５−１，−２に従って、荷重１．８１ＭＰａにて測定した。
【００７０】
（２）飽和吸水率
測定条件、方法はＩＳＯ６２に準じ、２３℃の純水に浸漬し、１日間の変化量が０．０１％以下になったところを飽和吸水率として測定した。
【００７１】
（３）曲げ弾性率
ペレットを１２０℃で５時間乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ−１５０］により、シリンダー温度２９０℃で射出成形した試験片を用い、ＩＳＯ１７８に従って測定した。
【００７２】
（４）初期機械特性
名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて各ペレットから１２０ｍｍφ、１．２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形した。表１に各基板の成形条件を示した。その後、射出成形により得られたディスク基板に順に反射膜、誘電体層１、相変化記録膜、誘電体層２をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスク基板を得た。
続いて、ディスクが互いに接触しないようスペーサーを挟み、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境に２日間以上放置した。熱収縮および環境変化に対するＴｉｌｔの変化が安定した時点でジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００ＵによりＴｉｌｔ（初期基板形状）の評価を行い、初期機械特性とした。
【００７３】
（５）△Ｔｉｌｔ
初期機械特性を評価したディスク基板を温度３０℃、湿度９０％ＲＨの環境下（Ａ環境）に飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境（Ｂ環境）に移した。
移動後、環境変化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化をジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにより経時的に測定し、Ｔｉｌｔ変化が最大に達した値および定常に達した値の差を△Ｔｉｌｔとした。
【００７４】
（６）制振性（ｔａｎδ）
ＩＳＯ　６７２１−４に準じ、レオメトリックス社製ＲＤＡＩＩを用いて４０℃、１８Ｈｚにて測定した。
【００７５】
［実施例１］
温度計、撹拌機、還流冷却器およびホスゲン吹き込み管を備えた反応器にイオン交換水３１５００部、水酸化ナトリウム１７３０部を入れ、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下“ＢＣＦ”と略すことがある）２０４０部および４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ＢＰＭ”と略すことがある）２８０２部およびハイドロサルファイト１０部を溶解した後、塩化メチレン１３７７０部を加え、撹拌下１６〜１８℃でホスゲン１６７０部を６０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８１部と水酸化ナトリウム１７８部を加え、さらにトリエチルアミン４部を加えて３０℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ＢＣＦとＢＰＭの比がモル比で４０：６０である白色パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２８３であった。
【００７６】
このパウダーに、該パウダー１００部に対して、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．００３部、トリメチルホスフェートを０．００５部、およびステアリン酸モノグリセリドを０．０４５部加えた。次に、かかるパウダーをベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２６０℃で脱気しながら溶融混錬し、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１．２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００７７】
［実施例２］
実施例１のＢＣＦを１８１４部、ＢＰＭを３０８４部を使用してホスゲン吹き込みを行ない、さらにｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８６部をホスゲン吹込み後に加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ＢＣＦとＢＰＭの比がモル比で３５：６５である白色パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２８３であった。
【００７８】
このパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化した。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形しディスク基板を得た。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００７９】
［実施例３］
実施例１のＢＣＦを２２７７部、ＢＰＭを２０８４部を使用してホスゲン吹き込みを行ない、さらにｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール７４部をホスゲン吹込み後に加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ＢＣＦとＢＰＭの比がモル比で５０：５０である白色パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２６３であった。
【００８０】
このパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化した。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形しディスク基板を得た。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８１】
［実施例４］
実施例１において、ＴＨＰＥ２３部をホスゲン吹込み後に加え、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８１部をホスゲン吹込み後に加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ＢＣＦとＢＰＭとＴＨＰＥの比がモル比で４０：６０：０．５である白色パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２８３であった。
【００８２】
このパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化した。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形しディスク基板を得た。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８３】
［実施例５］
実施例１のＢＣＦを２２７７部、ＢＰＭの代わりに２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下“ＢＰＣ”と略すことがある）を２３１３部使用してホスゲン吹き込みを行ない、さらにｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール７２部をホスゲン吹込み後に加えた以外は実施例１と同様の方法で、ＢＣＦとＢＰＣの比がモル比で４０：６０である白色パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０．２７９であった。
【００８４】
このパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化した。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形しディスク基板を得た。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８５】
［比較例１］
実施例１において、ジヒドロキシ成分として、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）のみを４３２０部使用した以外は実施例１と同様の方法で無色のポリマー４７５０部を得た。このパウダーの比粘度は０．２８９であった。
【００８６】
このパウダーに実施例１と同様の添加剤を同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化した。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形しディスク基板を得た。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８７】
［比較例２］
ローム　アンド　ハース　ジャパン製のポリメチルメタクリレート（ＶＬＤ−１００）を名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１．２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔならびに制振性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】

【００８９】
表１に示すように、実施例１〜５に示した樹脂は飽和吸水率を０．３％以下に抑えることができ、△Ｔｉｌｔを０．５以下に抑えることが可能となった。また、曲げ弾性率およびｔａｎδも充分に大きいため、成形された光ディスクが高速回転する際に起こる面振れは小さく抑えることが可能であった。
【００９０】
比較例１のＰＣ−Ａは剛性およびｔａｎδが小さくいため光ディスクが高速回転する際に起こる面振れが大きい。また飽和吸水率も実施例と比較して高いため、△Ｔｉｌｔが大きなものとなった。
【００９１】
比較例２のＰＭＭＡは、飽和吸水率が２．０％以上と高いため、△Ｔｉｌｔは５．０以上と非常に大きくなり、実用上、適さないことがわかった。
【００９２】
【発明の効果】
本発明の光ディスクとしては、基板上に、順に、少なくとも反射膜、記録層および透明保護層とが形成され、透明保護層側から光が照射されて情報記号の記録および／または再生が行われる光ディスクを対象としている。この光ディスクにおいて、直径１２ｃｍのディスク片面で１５ＧＢを越える記録容量を持つものも開発されているが、本発明の光ディスク基板は複雑な構成にすることなく、これらのものにも十分に適応することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に適用する光ディスクの一例におけるディスク面の垂直断面の部分的模式図を示す。
【図２】本発明に適用する光ディスクの他の一例におけるディスク面の垂直断面の部分的模式図を示す。

Claims

熱可塑性樹脂からなる、エンボスピットまたは案内溝が設けられた０．３〜１．２ｍｍ厚さの基板と、該基板上に設けられた反射層と、その上に設けられた厚さ３〜２００μｍの透明保護層とを具備し、当該透明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体において、当該基板として、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）曲げ弾性率が２８００ＭＰａ〜４０００ＭＰａであり、（Ｂ）飽和に達した時の吸水率が０．３重量％以下であり、（Ｃ）ＩＳＯ　６７２１−４に準じて４０℃、１８Ｈｚにて測定したｔａｎδが０．０２０以上、および（Ｄ）ＩＳＯ７５−１，−２に従って荷重１．８１ＭＰａにて測定した荷重たわみ温度が１１０℃以上であることを満足する樹脂により形成されていることを特徴とする光学記録媒体。
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳香族ジヒドロキシ成分の２５〜７０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンである請求項１記載の光学記録媒体。
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、（ａ）９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）を全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で２０：８０〜７０：３０である請求項１記載の光学記録媒体。
該成分ｂが、４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項３記載の光学記録媒体。
該反射層と透明保護層との間に記録膜を有する請求項１〜４記載の光学記録媒体。
該エンボスピットまたは案内溝が基板の両面に設けられ、該反射層、記録膜および／または透明保護層も共に両面に設けられている請求項１〜５記載の光学記録媒体。
記録膜あるいは反射層が複数積層される、多層構造であることを特徴とする請求項１〜６記載の光学記録媒体。
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳香族ジヒドロキシ成分に対して、さらに三官能以上のフェノール性化合物０．０１〜５モル％を使用して得られる芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載の光学記録媒体。
該三官能以上のフェノール性化合物は、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンである請求項８記載の光学記録媒体。
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、その０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘度が０．１〜０．５である請求項１記載の光学記録媒体。