KR100928169B1

KR100928169B1 - 폴리카보네이트 공중합체 및 이 공중합체로 이루어지는내열부품

Info

Publication number: KR100928169B1
Application number: KR1020047014881A
Authority: KR
Inventors: 이께다고끼; 도꾸다도시마사; 오까모또요시마사; 안도마사또
Original assignee: 테이진 카세이 가부시키가이샤
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2003-03-24
Publication date: 2009-11-25
Also published as: CN1656144A; WO2003082951A1; US20050119441A1; TW200400982A; US7317067B2; CN1294177C; EP1489123A4; EP1489123A1; AU2003227193B8; EP1489123B1; TWI304074B; CA2481208C; DE60329374D1; AU2003227193A1; KR20040102362A; AU2003227193B2; CA2481208A1; CN101024721A

Abstract

본 발명은 내열성, 치수안정성이 우수한 폴리카보네이트 공중합체 및 이것으로 이루어지는 각종 용도에 적용하기에 적합한 내열부품을 제공하는 목적으로 한다. 본 발명은 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 95∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

(식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체 및 이것으로 이루어지는 각종 내열부품이다.

광디스크, 투명보호층, 기록층, 광반사층, 기판

Description

폴리카보네이트 공중합체 및 이 공중합체로 이루어지는 내열부품{COPOLYCARBONATE AND HEAT-RESISTANT PART COMPRISING THE COPOLYMER}

본 발명은 폴리카보네이트 공중합체 및 이 공중합체로 이루어지는 내열부품에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌으로부터의 반복 단위를 갖는 폴리카보네이트 공중합체, 및 이 공중합체로 이루어지는 내열부품에 관한 것이다. 또 본 발명은 이러한 공중합체를 함유하는 수지 조성물에 관한 것이다.

2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 (이하 비스페놀 A 라고 하기도 함) 에 카보네이트 전구체 물질을 반응시켜 얻어지는 폴리카보네이트는 엔지니어링 플라스틱으로서 많은 분야에 널리 사용되고 있다. 그러나 상기 비스페놀 A 로 이루어지는 폴리카보네이트를 사용한 성형품은, 용도에 따라서는 내열성, 투명성, 성형성, 치수안정성이 부족하기 때문에, 성형품의 변형, 융착 등이 일어나는 경우가 있다.

이 때문에, 내열성을 개량하기 위해 여러가지가 제안되어 있다 (특허문헌 1, 2, 3, 4, 5, 6 참조).

또 광학용도로서 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌으로 대표되는 플루오렌 구조를 갖는 폴리카보네이트 공중합체가 제안되어 있다 (특허문헌 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 참조).

(선행기술 문헌 정보)

특허문헌 1 일본 공개특허공보 평6-25401 호

특허문헌 2 일본 공개특허공보 평7-52270 호

특허문헌 3 일본 공개특허공보 평6-192411 호

특허문헌 4 일본 공개특허공보 평11-306823 호

특허문헌 5 일본 공개특허공보 평11-35815 호

특허문헌 6 일본 공개특허공보 평7-268197 호

특허문헌 7 일본 공개특허공보 평6-25398 호

특허문헌 8 일본 공개특허공보 평6-172508 호

특허문헌 9 일본 공개특허공보 2000-319375 호

특허문헌 10 일본 공개특허공보 2000-319376 호

특허문헌 11 일본 공개특허공보 2000-319377 호

특허문헌 12 일본 공개특허공보 2001-55435 호

특허문헌 13 일본 공개특허공보 2001-55436 호

(발명이 해결하고자 하는 과제)

본 발명은 내열성, 치수안정성이 우수한 폴리카보네이트 공중합체, 이와 같은 공중합체로 이루어지는 수지 조성물 및 각종 성형체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

(식 중, R^a∼R^d 는 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체이다.

또 본 발명은 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지는 내열부품으로, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

[화학식 II]

(식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 내열부품이다.

본 발명의 제 1 태양으로서, 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지는 리플로우 납땜 부품으로, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 60∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 40∼5 몰% 의 하기 일반식 (II-1)

로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 리플로우 납땜 부품을 들 수 있다.

본 발명의 제 1 태양으로서 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지는, 광로변환부품으로서, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 50∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 50∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 광로변환부품을 들 수 있다.

본 발명의 제 3 태양으로서, 엠보스 피트 또는 안내홈이 형성된 0.3∼1.2㎜ 두께의 기판과, 이 기판 상에 형성된 반사층과, 그 위에 형성된 두께 3∼200㎛ 의 투명보호층을 구비하고, 이 투명보호층측으로부터 광빔을 조사하여 그 반사광의 광 강도변화에 의거하여 기록정보를 재생하는 광디스크로서,

이 기판은 실질적으로 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 80∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

( 식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 기판은,

(A) 굽힘 탄성률이 2,800㎫∼4,000㎫,

(B) 포화에 도달했을 때의 흡수율이 0.3 중량% 이하,

(C) ISO 6721-4 에 준하여 40℃, 18㎐ 로 측정한 tanδ가 0.020 이상, 및

(D) ISO75-1, -2 에 따라 하중 1.81㎫ 로 측정한 하중 변형 온도가 110℃ 이상,

을 만족하는 것을 특징으로 하는, 상기 광디스크를 들 수 있다.

본 발명의 제 4 태양으로서, 폴리카보네이트 기판 및 금속 반사막으로 이루어지는 플라스틱 미러로서, 이 폴리카보네이트 기판은 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 80∼30 몰% 의 하기 일반식 (II-1) 및/또는 (II-2)

[화학식 II-1]

로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 120℃∼230℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.2 중량% 이하, 그리고

(C) 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼4,000㎫,

를 만족하는 것을 특징으로 하는, 상기 플라스틱 미러를 들 수 있다.

본 발명의 제 5 태양으로서, 폴리카보네이트 공중합체 및 탄소계 충전재로 이루어지는 도전성 수지 조성물로서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 95∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 도전성 수지 조성물을 들 수 있다.

이와 같은 제 5 태양에는, 전자부품의 반송 트레이로서, 폴리카보네이트 공중합체 및 탄소계 충전재로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

[화학식 II]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 반송 트레이가 포함된다.

도 1 은 본 발명의 광디스크의 일례에서의 디스크의 수직 단면의 부분적 모식도이다.

도 2 는 본 발명의 광디스크의 일례에서의 디스크의 수직 단면의 부분적 모식도이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

폴리카보네이트 공중합체

(성분 a)

본 발명의 폴리카보네이트 공중합체는, 방향족 디히드록시 성분으로서, 하기 식 (1) 로 표시되는 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌 (이하, "비스크레졸플루오렌" 으로 약칭하기도 함) 을 사용하여 제조한다.

(성분 b)

본 발명의 폴리카보네이트 공중합체는, 공중합체로서 하기 식 (2) 로 표시되는 방향족 디히드록시 성분을 사용하여 제조한다.

이와 같은 방향족 디히드록시 성분은, 통상 폴리카보네이트의 디히드록시 성분으로서 사용되는 것이면 되고, 예컨대 4,4'-디히드록시비페닐, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판("비스페놀A"), 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판 ("비스페놀C"), 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 2,2-비스(4-히드록시-3,3'-비페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-이소프로필페닐)프로판, 2,2-비스(3-t-부틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)옥탄, 2,2-비스(3-브로모-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디브로모-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디클로로-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)프로판, 1,1-비스(3-시클로헥실-4-히드록시페닐)시클로헥산, 비스(4-히 드록시페닐)디페닐메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산 ("비스페놀Z"), 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로펜탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸디페닐에테르, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술폭시드, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸디페닐술폰, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸디페닐술피드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸디페닐술폭시드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디페닐디페닐술폰, 4,4'-디히드록시-3,3'-디페닐디페닐술피드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디페닐디페닐술폭시드, 1,3-비스{2-(4-히드록시페닐)프로필}벤젠 ("비스페놀M"), 1,4-비스{2-(4-히드록시페닐)프로필}벤젠 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 하기 식 (2-1) 로 표시되는 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 ("비스페놀 A"), 하기 식 (2-2) 로 표시되는 1,3-비스{2-(4-히드록시페닐)프로필}벤젠 ("비스페놀 M"), 하기 식 (2-3) 으로 표시되는 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판 ("비스페놀 C") 가 바람직하다.

(기타 공중합 성분)

또 본 발명의 폴리카보네이트 공중합체는, 3관능 이상의 페놀성 화합물을 공중합한 분기 폴리카보네이트 공중합체일 수도 있다.

이러한 3관능 이상의 페놀성 화합물로는, 예컨대 플로로글루신, 플로로글루시드, 4,6-디메틸-2,4,6-트리스(4-히드록시페닐)헵텐-2,4,6-디메틸-2,4,6-트리스(4-히드록시페닐)헵탄, 1,3,5-트리스(4-히드록시페닐)벤젠, 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄, 2,2-비스(4,4-비스(4-히드록시페닐)시클로헥실)프로판, 2,6-비스(2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페놀, 2,6-비스(2-히드록시-5-이소프로필벤젤)-4-이소프로필페놀, 비스(2-히드록시-3-(2-히드록시-5-메틸벤질)-5-메틸페닐)메탄, 테트라키스(4-히드록시페닐)메탄, 트리스(4-히드록시페닐)페닐메탄, 트리스페놀, 2,2-비 스(2,4-히드록시페닐)프로판, 비스(2,4-디히드록시페닐)케톤, 1,4-비스(4,4-디히드록시트리페닐메틸)벤젠 등을 들 수 있고, 그 중에서도 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 이러한 3관능 이상의 페놀성 화합물은, 전체 방향족 디히드록시 성분에 대해, 바람직하게는 0.01∼5 몰%, 보다 바람직하게는 0.1∼3 몰% 사용되고, 얻어지는 분기 폴리카보네이트 공중합체는 강성이 우수하다.

본 발명은 상기 공중합체로 이루어지는 내열부품을 포함한다. 내열부품으로는 리플로우 납땜 부품, 광로변환부품, 광디스크, 플라스틱 미러, 전자부품의 반송용 트레이 등을 들 수 있다.

<제 1 태양 : 리플로우 납땜 부품>

본 발명의 제 1 태양은, 리플로우 로내에서의 납땜시에 변형을 일으키지 않는 투명성이 양호한 리플로우 납땜 부품에 관한 것이다.

전저부품의 분야에서는 최근의 전화제품의 소형화, 고성능화에 수반하여, 또 생산성 향상을 목표로 각종 전자부품을 기판에 실장하는 방법으로서 부품의 실장밀도도 높고 효율도 좋은 표면실장기술 (SMT) 이 일반적으로 되고 있다.

여기에서 표면실장기술이란 예컨대 프린트 인쇄된 배선기판 상에, 크림 형상의 땜납 위에 전자부품을 올린 후, 배선 기판을 가열로 (리플로우 로) 내에 통과시킴으로써, 땜납을 녹여 전자부품을 배선 기판 상에 고정하는 기술을 말한다.

리플로우 로내에서의 기판의 가열방법으로서 주로 사용되는 방법은, 열풍을 강제적으로 순환시키고 있는 곳에 기판을 통과시키는 열풍 대류열 전달방식, 원적 외선에 의해 기판 위로부터 또는 상하 양면으로부터 가열하는 원적외선 방식, 또 열풍에 의한 가열과 원적외선에 의한 가열을 함께 이용하는 방식 등이 있다. 납땜시에 리플로우 로내에 도입된 배선 기판 및 전자 부품은 220∼270℃ 의 고온에 도달한다.

전자부품 중에는 렌즈나 프리즘 혹은 투명 커버와 같은, 투명성을 필요로 하는 부품이 있다. 이들의 부품에는 현재로는 내열성 문제 때문에 유리나 열경화성 수지가 사용되고 있으나, 성형에 시간이 걸린다는 문제가 있어, 리플로우에 대한 내열성을 갖고, 또한 성형이 용이한 열가소성 수지가 요구되고 있다. 그러나 리플로우 내열성과 광학특성을 겸비한 것은 아직 알려져 있지 않다.

본 발명의 제 1 태양은 리플로우 납땜에 대한 내열성을 갖고, 투명성과 성형성이 우수한 리플로우 납땜 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.

(폴리카보네이트 공중합체)

본 발명의 제 1 태양의 리플로우 납땜용 부품을 구성하는 폴리카보네이트 공중합체는, 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 를 60∼95 몰%, 바람직하게는 65∼90 몰%, 더욱 바람직하게는 70∼85 몰% 를 함유하고, 일반식 (II-1) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 를 40∼5 몰%, 바람직하게는 35∼10 몰%, 더욱 바람직하게는 30∼15 몰% 함유한다.

성분 a 가 60 몰% 보다 적은 경우, 리플로우 납땜 부품으로서의 내열성이 부족한 경우가 있다. 또 성분 a 가 95% 이상인 경우, 용융유동성이 부족하여, 성형이 곤란해짐과 동시에, 성형품의 투명성이 저하된다.

(비점도)

폴리카보네이트 공중합체는 그 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하고, 20℃ 에서 측정한 비점도가 0.17∼0.55 의 범위인 것이 바람직하고, 0.21∼0.45 의 범위인 것이 보다 바람직하다.

(유리전이온도)

폴리카보네이트 공중합체는 승온속도 20℃/min 으로 측정한 유리전이온도 (Tg) 가 200℃∼250℃ 인 것이 바람직하다. 나아가서는 205∼245℃ 인 것이 바람직하다. Tg 가 200℃ 이하에서는 이 공중합체를 사용하여 형성한 광학부품의 리플로우 내열성이 충분하지 않고, 한편 Tg 가 250℃ 이상에서는 용융점도가 높아져 취급이 곤란해지는 경우가 있다.

(멜트 볼륨 레이트)

폴리카보네이트 공중합체는 JIS K-7210 에 준거하여 320℃, 하중 1.2㎏ 으로 측정한 멜트 볼륨 레이트 (MVR) 이, 바람직하게는 0.2㎤/10min 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.5㎤/10min 이상이다.

본 발명의 리플로우 납땜 부품으로서는, 구체적으로는 각종 표시등의 렌즈 및 커버 ; 카메라가 부착된 휴대전화의 카메라 렌즈 및 렌즈 바렐 ; 다이오드 등 발광소자의 렌즈 및 커버 ; 트랜지스터, 정류소자 등의 각종 소자의 커버나 밀봉제 ; 센서, IC (집적회로) 등의 커버나 밀봉재 ; 광도파로, 광파이버 케이블 등의 분파합파소자, 예컨대 프리즘 등을 들 수 있다. 특히 렌즈, 렌즈바렐, 프리즘에 적합하다.

리플로우 납땜 부품은 예컨대 사출성형법, 압축성형법, 사출압축성형법, 압출성형법, 용액 캐스팅법 등 임의의 방법에 의해 성형된다.

광학부품은 용도에 따라 투명성이 필요하게 되는 파장은 다르다. 예컨대 커버 밀봉제는 가시광 (400∼700㎚) 의 투명성이 필요하다. 다이오드 등 발광소자의 렌즈나 커버는 소자가 발하는 광의 파장에 대한 투명성이 필요하다. 또 광파이버 통신에는 1,300∼1,600㎚ 의 파장이 사용되고 있고, 광파이버 케이블의 분파용의 프리즘 등의 분파소자에는 이 파장에서의 투명성이 필요하다.

본 발명에 사용하는 폴리카보네이트 공중합체는, 이들 어느 파장에서나 양호한 투명성을 갖는다. 이 폴리카보네이트 공중합체로 형성한 두께 1.0㎜ 의 시험편은 400㎚, 500㎚, 600㎚, 700㎚, 1,300㎚, 1,400㎚, 1,500㎚, 1,600㎚ 의 각 파장에서 모두 60% 이상의 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 70% 이상의 투과율을 가지면 더욱 바람직하다.

본 발명의 리플로우 납땜 부품은, 피크온도가 250℃ 에서 5초 동안으로 되도록 설정된 리플로우 로에서 처리한 후도, 변형을 일으키는 일이 없다.

<제 2 태양 : 광로변환부품>

본 발명의 제 2 태양은, 내열성 및 열안정성이 양호하고, 복굴절이 매우 작고, 또한 투명성이 우수한 광로변환부품에 관한 것이다.

종래 폴리메틸메타크릴레이트 수지는 양호한 투명성과 낮은 복굴절 특성을 갖고 있는 점에서, 렌즈나 도광판 등의 공학재료로서 수많이 사용되고 있다. 그러나 최근 전자부품의 고밀도화나 안전성의 관점에서 수지에 대한 내열성 향상의 요구가 높아지고 있는 가운데, 폴리메틸메타크릴레이트 수지는 충분한 내열성을 갖고 있다고는 말하기 어렵다.

한편, 폴리카보네이트 수지는 투명성, 치수안정성이 높은 점에서, 광학재료를 비롯해 여러 용도에 이용되고 있다. 그러나 광학적 정밀도가 요구되는 렌즈나 프리즘, 도광판, 광도파로와 같은 광학부재에 요구되는 특성에 대해 폴리카보네이트 수지는, 분자쇄의 배향에 의해 발생되는 복굴절이 일반적인 플라스틱 중에서는 매우 큰 부류에 속하고, 또 성형시에 발생되는 성형 변형도 크기 때문에, 광학소자로의 전개가 곤란하다는 것이 현 실정이다.

이와 같은 폴리카보네이트 수지의 복굴절을 개량하는 방법으로서, 스티렌계 수지와 그래프트 공중합하는 방법이 제안되어 있다 (일본 공개특허공보 소61-19630호, 동 63-15822호). 그러나 폴리카보네이트 수지와 스티렌계 수지의 그래프트 공중합체는, 기계강도가 낮고, 매우 약하며, 또 열안전성이 나쁘기 때문에 성형이 곤란하여, 기계강도를 올리기 위해서는 분자량을 높게 할 필요가 있으나, 분자량을 높게 하면 성형성이나 표면 정밀도가 악화되어, 실용적인 렌즈를 얻을 수 없다.

이 점을 개량한 것으로서 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판 등의 방향족 디히드록시 성분으로 이루어지는 폴리카보네이트 수지와 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체를 혼합하는 방법이 제안되어 있다 (일본 공개특허공보 평05-027101호). 그러나 이 수지조성물은 투명성이나 복굴절은 개선되지만, 열안정성이 낮고, 성형이 매우 곤란하다는 결점이 있었다.

또 플루오렌 골격을 도입한 방향족 디히드록시 성분을 함유하는 폴리카보네 이트 공중합체로 이루어지는 내열성이 개선된 고굴절률의 렌즈에 대해 보고되어 있다 (일본 공개특허공보 평06-018701호). 그러나 이 공보에는 내열성과 굴절률의 개량에 대해서만 기재되어 있고, 특이적으로 복굴절이 개선되는 것에 대한 기재는 없다.

본 발명의 제 2 태양은, 복굴절이 매우 작고, 투명성이 우수한 광학성형체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는 특정 2가 페놀을 특정 비율로 사용했을 때에 얻어지는 폴리카보네이트 공중합체는 복굴절이 매우 작고, 또한 이 폴리카보네이트 공중합체로 형성된 성형체의 광학특성이 적합한 것을 발견하였다.

(폴리카보네이트 공중합체)

본 발명의 제 2 태양의 광로변환부품을 구성하는 폴리카보네이트 공중합체는, 50∼95 몰%, 바람직하게는 65∼75 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복단위 (성분 a), 및 50∼5몰%, 바람직하게는 35∼25 몰% 의 일반식 (II) 로 표시되는 반복단위 (성분 b) 로 이루어진다.

그 중에서도 50∼95 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 50∼5 몰% 의 일반식 (II-1) 및/또는 (II-2) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체가 바람직하다.

(Re₅₅₀)

이 폴리카보네이트 공중합체는, 성형판으로 했을 때의 550㎚ 에서의 투과율 이 80% 이상이고, 또한 550㎚ 에서의 리타데이션을 Re₅₅₀(㎚), 투과율 및 리타데이션의 측정 부위의 두께를 d(㎜) 로 했을 때, Re₅₅₀/d≤10(㎚) 을 만족하는 것이 바람직하다.

일반적인 비스페놀 A 타입의 폴리카보네이트로 이루어지는 광학소자는 통상 리타데이션이 크고, 성형조건에 따라 그 값을 저감할 수 있는 경우도 있지만, 통상 그 조건 폭은 매우 작고, 따라서 성형이 매우 어려워져, 대부분의 경우 상기 식을 만족할 수 없다. 본 발명에 사용하는 폴리카보네이트 공중합체는, 수지의 배향에 의해 발생되는 리타데이션이 작고, 또 성형 변형도 작기 때문에, 성형조건을 엄밀하게 설정하지 않아도 양호한 광학소자를 얻을 수 있다.

(투과율)

성형판의 550㎚ 에서의 투과율 (T₅₅₀) 은 80% 이상이 바람직하고, 85% 이상이 더욱 바람직하다. 투과율은 히따찌제작소(주) 제조의 U-4001 형 분광광도계에 의해 측정한다.

(비점도)

폴리카보네이트 공중합체는, 그 폴리머 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하고, 20℃ 에서 측정한 비점도가 0.17∼0.55 의 범위인 것이 바람직하고, 0.21∼0.45 의 범위의 것이 보다 바람직하다.

(유리전이온도)

폴리카보네이트 공중합체는, 승온속도 20℃/min 으로 측정한 유리전이온도 (Tg) 가 150∼250℃ 인 것이 바람직하다. 160∼245℃ 인 것이 더욱 바람직하다.

(5% 중량 감소 온도)

폴리카보네이트 공중합체는, 열안정성의 지표로서, 승온속도 20℃/min 으로 측정한 5% 중량 감소 온도 (Td) 가 450℃ 이상인 것이 바람직하다. 480℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 5% 중량 감소 온도가 450℃ 보다 낮은 경우는, 성형시의 열분해가 심하여, 양호한 성형체를 얻기 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다.

(광탄성 상수)

폴리카보네이트 공중합체는, 광탄성 상수가 50×10¹³㎠/dyne 이하인 것이 바람직하다. 45×10¹³㎠/dyne 이하인 것이 더욱 바람직하다. 광탄성 정수가 50×10¹³㎠/dyne 보다 큰 경우, 성형시에 발생하는 성형 변형이 커져, 광로변환부품으로로 사용하기 곤란해지는 경우가 있다.

(멜트 볼륨 레이트)

폴리카보네이트 공중합체는 JIS K-7210 에 준거하여 340℃, 하중 1.2㎏ 으로 측정한 멜트 볼륨 레이트 (MVR) 이 바람직하게는 1.0㎤/10min 이상이고, 더욱 바람직하게는 1.5㎤/10min 이상이다.

광로변환부품이란 광학기기용의 부품이 되는 광학소자인 렌즈, 프리즘류나 도광판, 광도파로 등을 말한다. 구체적으로는 렌즈로서는 2개의 구면 혹은 비구면의 굴절표면을 갖고, 광을 투과시킬 수 있는 것을 말하고, 이것을 만족하는 것 이면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 프레넬 렌즈, 마이크로 어레이 렌즈 등의 종류를 들 수 있다.

또 프리즘으로는 적어도 평행이 아니라, 어느 각도로 구성된 연마면을 2 개 이상 갖는 성형체를 말하고, 이것을 만족하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 든다면, 직각 프리즘, 폴로 프리즘, 아미시 프리즘, 오각 프리즘, 도브리스 프리즘, 헨졸트 프리즘, 스플렝 프리즘, 멜라 프리즘, 월라스톤 프리즘, 경사 프리즘, 아베 프리즘 등을 들 수 있다.

광로변환부품은 예컨대 사출성형법, 압축성형법, 사출압축성형법, 압출성형법, 용액 캐스팅법 등 임의의 방법으로 성형된다. 성형의 용이성이나 비용면에서 특히 사출성형법 혹은 사출압축성형법에 의해 성형되는 것이 바람직하다.

광로변환부품은 성형체의 550㎚ 에서의 투과율이 80% 이상인 것이 바람직하다. 85% 이상인 것이 더욱 바람직하다.

이와 같이 본 발명의 광로변환부품은 양호한 광학특성을 갖기 때문에, 카메라나 디지털 카메라, 액정 디스플레이, 액정 프로젝터, 복사기, 광디스크 관련기기 등의 전기전자기기의 광학부재, 및 광통신기기 중의 분파기나 합파기 등의 광로변환부품으로서 적합하게 사용할 수 있다.

광로변환부품은 픽업 렌즈, 카메라 렌즈, 마이크로 어레이 렌즈, 프로젝터 렌즈 또는 프리즘인 것이 바람직하다.

본 발명의 광로변환부품은, 내열성 및 열안정성이 양호하고, 복굴절이 매우 작으며, 또한 투명성이 우수하다.

<제 3 태양 : 광디스크>

본 발명의 제 3 태양은, 강성, 내흡수성이 우수한 광디스크에 관한 것이다.

통상의 CD, CD-ROM 등의 광디스크 (이들을 "CD 디스크" 라고 약칭함) 에서는, 1.2㎜ 두께의 투명기판의 일방의 면 위에 기록 데이터에 따른 엠보스 피트가 형성되고, 추가로 그 위에 Al 등으로 이루어지는 반사막이 형성되어 있다. 이러한 CD 디스크에 기록된 정보는, 반사막이 형성된 면과는 반대측의 투명기판측으로부터 집광 빔을 조사함으로써 재생된다.

이에 대해 보다 기록밀도가 고밀도화된 DVD 나 DVD-ROM 디스크 (이들을 "DVD 디스크" 로 약칭함) 에 있어서는, 0.6㎜ 두께의 투명기판의 일방의 면 위에 CD 디스크의 경우보다도 미세한 엠보스 피트가 형성되고, 다시 그 위에 Al 등으로 이루어지는 반사막이 형성되어 있다. 이러한 DVD 디스크의 기록면에 기록된 정보의 재생은, CD 디스크의 경우와 동일하게 반사막이 형성되어 있는 면과는 반대측의 투명기판측으로부터 집광빔을 조사함으로써 행해진다.

0.6㎜ 두께의 기판의 재료로는 투명한 수지재료인 PC (폴리카보네이트) 가 일반적으로 사용되고 있다. 0.6㎜ 두께의 PC 기판에서는, 기계적 특성이 충분하지 않고, 그 상태에서는 기판이 휘기 때문에, 기록면이 내측으로 되도록 2 장의 0.6㎜ PC 기판을 접착하여, 합계 두께 1.2㎜ 의 디스크로서 기계적 특성을 확보하고 있다.

또한 DVD 디스크의 기판 두께가 0.6㎜ 로 된 것은, 틸트 마진을 확보하기 위해서이다. 트랙 피치, 피트 밀도가 보다 높아지면 디스크의 경사, 소위 틸트의 마진이 감소된다. 1.2㎜ 내지 0.6㎜ 로 기판 두께를 작게 함으로써, 틸트 마진은 확보할 수 있으나, 재료역학적으로는 기판의 탄성률은 판두께의 3승에 비례하기 때문에, 기판 제조 프로세스에서 발생하는 틸트 특성의 악화는 피할 수 없다.

한편 광디스크에 있어서, 전술한 고밀도화와 함께 데이터의 입력 및 판독 등의 전송 레이트를 높이기 위해서는 디스크 기판을 보다 고속 회전시키는 것을 피할 수 없게 되어 있다.

그러나 전술한 광디스크의 구성에서는 하기 (1)∼(4) 의 이유에 의해, 스큐 (SKEW) 의 발생을 회피하는 것은 곤란하다.

(1) 사출시 : 캐비티 내를 수지가 유동할 때에 전단응력에 의한 응력의 발생 (분자 배향 변형)

(2) 충전 완료 : 수지가 캐비티에 충전되었을 때 스크류 운동의 급격한 정지와 함께 수지의 유동이 급격하게 정지되어 수지와 스크류의 관성력이 전부 기판에 가해진다.

(3) 보압 : 사출시의 수지가 게이트 시일될 때까지 수지의 역류방지와 체적수축에 의한 싱크 (sink) 의 방지를 위해 수지에 압력을 가하기 때문에 기판 전체에 압력 분포가 발생된다.

(4) 냉각 : 열수축에 의해 온도분포에 따라 응력이 발생한다.

이 때문에 그 개량으로서 "기판 상에 적어도 기록층과 투명보호층이 순차적으로 형성되어 있고, 해당 투명보호층측으로부터 광이 입사되어 정보신호의 기록 및/또는 재생이 행해지는 광기록매체로서, 상기 기판은, 상기 기록층이 형성되는 측의 면을 형성하는 제 1 수지층과, 상기 제 1 수지층에 적층되어, 상기 제 1 수지층을 형성하는 수지 재료보다도 굽힘 탄성률이 큰 수지재료로 이루어지는 제 2 수지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 광디스크" 가 제안되어 있다 (일본 공개특허공보 평11-242829호).

한편, 상기 개량에 의해 기계특성의 과제를 해결해도 편면 신호의 광디스크에서는 온도습도의 환경변화에서의 흡습에 의해 디스크에 변형이 발생한다.

DVD 디스크의 경우는 통상의 흡수율 0.3 중량% 이상의 폴리카보네이트 기판을 사용하고 있으나 0.6㎜ 디스크를 신호측을 내측에 등을 맞대 접착하기 때문에, 흡수률이 커도 흡수 균형이 잡혀 변형이 쉽게 일어나지 않아 문제되는 일은 없었다. 그러나 높은 N. A. (개구율) 의 고밀도 디스크에서는 표층의 편측에 신호가 있기 때문에 흡수 균형이 달라, 흡수변형을 일으키는 문제가 발생한다. 특히 드라이브 운전중은 기내 온도가 높고 습도가 낮은 점에서 급격한 변화가 일어나기 쉬워 디스크의 변형에 의해 신호를 판독할 수 없는 등의 포커스 에러를 일으키기 쉽다.

이와 같은 흡수변형을 억제하기 위해, "기판과, 이 기판에 배치되어 정보신호를 기록하기 위한 기록층과 그 기록층에 적층되는 투명보호층을 갖고, 투명보호층측으로부터 광을 입사함으로써 정보신호를 기록/재생하는 디스크 형상의 정보기록매체로서, 이 기판은, 수지제의 코어층과, 코어층에 일체로 되어 있고, 일방의 면에 기록층측의 정보신호의 요철이 존재하고, 코어층에 비하여 유동성을 갖는 수지제의 표층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 정보기록매체'" 로서 기판 표 층의 흡수율을 0.3% 중량 이하의 수지를 사용하는 기판이 제안되어 있다 (일본 공개특허공보 2000-11449호). 이러한 제안에 있어서는, 2색 성형, 샌드위치 성형에 의한 복잡한 기판 구성으로 문제를 해결하는 방향이 나타나 있다.

이와 같이 기록밀도를 높여, 충분한 틸트 마진과 기계적 강도를 확보하고, 또한 온도습도의 환경변화에서의 흡습에 의한 변형을 방지하기 위해 기판 구성이 매우 복잡화되고 있다.

그 점재적인 요인으로는 해당 광디스크를 개발하는 데에 있어서, 기판 재료 수지로서 필요하게 되는 특성, 즉, 강성, 제진성(制振性), 내열성 혹은 흡수성에 대해 어느 요구나 만족하는 수지를 입수할 수 없었다는 점이 있다. 특히 광디스크로서 광범하게 사용되는 폴리카보네이트계 수지의 연구개발의 경우, 가장 범용되고 있는 4,4'-디히드록시페닐프로판을 카보네이트 결합하여 이루어지는 폴리카보네이트 수지에 대해, 그 광학특성을 개량하는 목적에서, 매우 다양한 폴리카보네이트계 수지가 개발되어 왔다 (예컨대 일본 공개특허공보 2000-327767호).

그러나 전술한 바와 같이 강성, 흡수성, 제진성, 내열성에 대해 개량을 실시한 폴리카보네이트 수지의 개발은 여전히 불충분하고, 성형성까지 포함시켜, 해당 기록기판의 설계를 용이하게 하는 수지를 사용하여, 보다 단순한 구조로 고기록밀도를 실현한 광디스크를 제공하는 것이 요망되고 있다.

본 발명의 제 3 태양은, 복잡한 구성이 아니라, 단순한 구성으로, 강성, 제진성, 내열성, 흡수성이 우수한 광디스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.

(구조)

본 발명의 광디스크는, 엠보스 피트 또는 안내홈이 형성된 0.3∼1.2㎜ 두께의 기판과, 이 기판 상에 형성된 반사층과, 그 위에 형성된 두께 3∼200㎛ 의 투명보호층을 구비하고, 이 투명보호층측으로부터 광빔을 조사하여 그 반사광의 광강도변화에 의거하여 기록정보를 재생하는 광디스크이다.

본 발명의 광디스크는, 예컨대 도 1 에 나타낸 바와 같이 안내홈을 갖는 기판 (2) 상에 광반사층 (3), 기록층 (4) 및 투명보호층 (5) 이 순차적으로 적층 형성되어 이루어지는 것이다 (광디스크 1). 기판 (2) 에는, 그 상부 표면에 데이터 정보나 트랙킹 서보 신호 등의 기록이 이루어지는 위상 피트나, 프리그루브 등의 미세한 요철 등의 소정의 요철 패턴으로 이루어지는 안내홈이 형성되어 있다.

또 광디스크 (2) 는 도 2 에 나타낸 바와 같이 안내홈을 갖는 기판 (2) 상에 기록막 혹은 반사층과, 투명보호층이 복수 적층된 다층 구조인 것을 특징으로 한다. 또한 이들 광디스크를 구성하는 기판, 광반사층, 기록층, 투명보호층에는 동일 혹은 유사한 특성을 갖는 재료를 사용할 수 있다.

광디스크는 반사층과 투명보호층 사이에 기록막을 갖는 것이 바람직하다. 또 광디스크는 엠보스 피트 또는 안내홈이 기판의 양면에 형성되고, 반사층, 기록막 및/또는 이 투명보호층도 함께 양면에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한 광디스크는 기록막 혹은 반사층이 복수 적층되는 다층 구조인 것이 바람직하다. 또 본 발명의 광디스크는, 투명보호층이, 기판을 구성하는 폴리카보네이트 공중합체와 동일한 폴리카보네이트 공중합체로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

(폴리카보네이트 공중합체)

본 발명의 광디스크의 소재로서 사용되는 폴리카보네이트 공중합체는, 20∼95 몰%, 바람직하게는 25∼70 몰%, 더욱 바람직하게는 30∼60 몰%의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 로 이루어진다.

다른 성분은 80∼5 몰%, 바람직하게는 75∼30 몰%, 더욱 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II) 로 표시되는 반복단위 (성분 b) 로 이루어진다.

일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위의 비율이 20 몰% 미만인 경우, 얻어진 광디스크는 투명성, 내열성, 기계적 물성, 경사 입사 복굴절, 흡수율, 강성, 전사성 혹은 휨 중 어느 하나의 성질을 만족할 수 없게 되는 경우가 있다.

본 발명에서 사용되는 폴리카보네이트 공중합체는, 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 를 일정한 비율로 함유하는 것이 필요하고, 유동성, 강성, 내흡수성 등을 원하는 특성으로 하기 위해, 다른 성분으로서 일반식 (II) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 를 조합하는 것이다.

특히 20∼95 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 및 80∼5 몰% 의 일반식 (II-2) 로 표시되는 반복 단위 및/또는 일반식 (II-3) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체가 바람직하다.

그 중에서도 20∼70 몰%, 바람직하게는 30∼60 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복단위 및 80∼30 몰%, 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II-2) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체가 바람직하다.

또 20∼70 몰%, 바람직하게는 30∼60 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 및 80∼30 몰%, 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II-3) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체가 바람직하다.

본 발명의 광디스크에 있어서 기판은,

(A) 굽힘 탄성률이 2800㎫∼4,000㎫,

(B) 포화에 도달했을 때의 흡수율이 0.3 중량% 이하,

을 만족하는 것을 특징으로 한다.

(굽힘 탄성률)

폴리카보네이트 공중합체는 ISO178 에 따라 측정한 굽힘 탄성률이, 2,800㎫∼4,000㎫ 이고, 보다 바람직하게는 2,900㎫∼3,900㎫, 더욱 바람직하게는 3,100㎫∼3,900㎫ 이다. 굽힘 탄성률이 2,800㎫ 보다 작으면, 성형된 광디스크가 고속회전할 때에 일어나는 면 흔들림이 커지고, 고밀도의 기억용량을 필요로 하는 광디스크로서 바람직하지 않다. 또 굽힘 탄성률이 4,000㎫ 보다 크면, 성형된 광디스크가 약해져, 성형이 곤란해지는 경우가 있다.

(흡수율)

폴리카보네이트 공중합체는, ISO62 에 따라 23℃ 에서 포화에 도달했을 때의 흡수율이 0.3 중량% 이하이고, 바람직하게는 0.28 중량% 이하이다. 흡수율이 0.3 중량% 를 초과하면, 광디스크 기판 표면 상에 금속막을 형성시킨 광디스크가 흡수에 의해 휨을 일으키기 쉬워져, 트랙킹 에러를 일으키기 쉬워진다. 특히 바람직한 흡수율은 0.27 중량% 이하이다.

(tanδ)

폴리카보네이트 공중합체는 ISO6721-4 에 준하여 40℃, 18㎐ 로 측정한 tanδ이 0.020 이상이고, 보다 바람직하게는 0.025 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.027 이상이다. tanδ가 0.020 보다 작으면 이 수지의 제진성이 작아져, 성형된 광디스크가 고속회전할 때에 일어나는 면 흔들림이 커지기 때문에 바람직하자 않다.

(하중 변형 온도)

폴리카보네이트 공중합체는, ISO75-1, -2 에 따라 1.81㎫ 로 측정한 하중 변형 온도가 110℃ 이상이다. 바람직하게는 115℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이다. 하중 변형 온도가 낮아지면, 디스크로서의 내열성이 부족하다. 하중 변형 온도는 통상의 사출성형에 적용하는 경우, 일반적으로는 150℃ 이하, 바람직하게는 140℃ 이하이다.

(비점도)

폴리카보네이트 공중합체는, 그 공중합체의 0.7g 을 100㎖ 염화메틸렌에 용해하고, 20℃ 에서 측정한 비점도가 0.1∼0.5 의 범위의 것이 바람직하고, 0.15∼0.4 의 범위의 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위의 비점도를 갖는 폴리카보네이트 공중합체는, 용융유동성이 양호하여 성형성이 우수하다.

(휨 변형)

광디스크의 흡습 및 탈습과정에서의 휨 변형에 관해서는 이하의 측정법을 이 용하였다. 즉, 디스크를 온도 30℃, 습도 90%RH 의 환경하 (A 환경) 에 포화 흡수율에 도달할 때까지 노출시킨 후, 온도 23℃, 습도 50%RH 환경 (B 환경) 으로 옮겼을 때에 발생하는 중심으로부터 58㎜ 부의 틸트 (Tilt) 변화를 경시적으로 측정하여, 틸트 (Tilt) 변화의 최대값과 정상에 도달했을 때의 값의 차 (ΔTilt) 를 비교한 것이다. 이 때의 디스크의 ΔTilt 는 1.00 도 이내, 바람직하게는 0.75도 이내, 보다 바람직하게는 0.60도 이내이다.

또 본 발명의 광디스크는, 투명보호층 (5) 측으로부터 광을 입사시켜 정보신호의 기록 및/재생이 행해지기 때문에, 기판 (2) 은 광학적인 기록 및/재생특성에 영향을 주지 않고, 투명성을 필요로 하지 않는다. 크게 굴절률이 상이한 2 종 이상의 수지의 블렌드 재료는 광산란에 의해 헤이즈 (Haze) 가 발생되기 때문에, 종래의 광학특성을 필요로 하는 CD, DVD 등의 기판재료로 사용하는 것은 용이하지 않았으나, 전술한 바와 같이 본 발명의 기판 (2) 은, 크게 굴절률이 다른 2 종 이상의 수지의 블렌드 재료로도 사용할 수 있다.

본 발명의 광디스크 기판에는, 추가로 다른 열가소성 수지, 광안정제, 착색제, 대전방지제, 활제 등의 첨가제를, 전사성, 그리고 성형한 디스크의 흡습 및 탈습과정에서의 휨의 저감효과를 손상시키지 않는 범위에서 첨가할 수 있다.

혼합 방법에 대해서는, 폴리머 용액의 단계에서는, 예컨대 교반기가 부착된 용기를 주로 생각할 수 있고, 또 분립체, 펠릿 등의 성형품의 단계에서는 예컨대 탬블러, V형 블렌더, 나우터 믹서, 벤버리 믹서, 혼련 롤 또는 압출기 등으로 혼합하는 방법이 이용된다. 어느 경우도 임의의 방법을 채용할 수 있고, 특별히 제 한되지 않지만, 혼합 조작 중의 이물 혼입에 대한 제거방법의 간편함으로부터 폴리머 용액 상태에서의 혼합 후, 적절한 그물 눈의 필터를 통과시키는 방법이 바람직하다.

또한 사출성형에 제공하기 위한 펠릿 형상 수지 조성물을 얻는 압출공정 (펠릿화 공정) 에서는 용융상태일 때에 여과정밀도 50㎛ 이하의 소결 금속 필터 등을 통과시키거나 하여 이물을 제거하는 것이 바람직하다. 필요에 따라 예컨대 인계 등의 산화방지제 등의 첨가제를 추가하는 것도 바람직하다. 어느 것을 해도 사출성형 전의 원료수지는 이물, 불순물, 용매 등의 함유량을 최대한 낮게 해 두는 것이 필요하다.

(광디스크의 제조방법)

다음에 광디스크의 제조방법을 나타낸다.

상기 폴리카보네이트 공중합체로 광디스크 기판을 제조하는 경우에는, 광디스크에 필요한 스펙을 채우는 피치 및 그루브, 그리고 표면 편차를 실현한 스탬퍼가 장착된 사출성형기 (사출압축성형기를 포함) 를 사용하여, 사출성형법으로 작성한다. 이 때 디스크 기판의 두께는 0.3∼1.2㎜ 로 한다.

이 사출성형기로는 일반적으로 사용되고 있는 것이면 상관없지만, 탄화물의 발생을 억제하여 디스크 기판의 신뢰성을 높이는 관점에서 실린더나 스크류와 수지의 부착성이 낮고, 또한 내식성, 내마모성을 갖는 재료를 사용하여 이루어지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 성형공정에서의 환경은, 본 발명의 목적으로부터 생각하여, 가능한 한 청결한 것이 바람직하다. 또 성형에 제공하는 재료를 충분히 건조시켜 수분을 제거하는 것이나, 용융수지의 분해를 초래하는 체류를 일으키지 않도록 배려하는 것도 중요하다.

게속해서 광디스크 기판의 편면에 적어도 반사막을 형성시킴으로써 광디스크가 된다. 이 재료로는 금속원소를 단독으로 혹은 복합시켜 사용할 수 있다. 이 중 Al 및 Au 를 단독으로 사용하거나, 혹은 0.5 중량% 이상 10 중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.3 중량% 이상 10 중량% 이하의 Ti 를 함유하는 Al 합금, 0.5 중량% 이상 10 중량% 이하의 Cr 을 함유하는 Al 을 사용하는 것이 바람직하다. 또 이 반사막은, 이온빔 스퍼터법, DC 스퍼터법 또는 RF 스퍼터법 등의 수단으로 형성시킬 수 있다.

통상 이 금속박막 (반사층) 외에, 기본적으로는 기록층 (4) (DVD-RAM, DVD-R 의 경우는 상변화막, 염료를 들 수 있고, 광자기 디스크의 경우는 광자기 기록막을 들 수 있음) 및 투명보호층 (5) 이 형성되어 본 발명의 광디스크가 된다.

이와 같은 상변화막으로는 예컨대 단체의 칼코겐이나 칼코겐 화합물이 사용된다. 구체적으로는 Te, Se 의 각 단체, Ge-Sb-Te, Ge-Te, In-Sb-Te, In-Se-Te-Ag, IN-Se, In-Se-Tl-Co, In-Sb-Se, Bi₂Te₃, BiSe, Sb₂Se₃, Sb₂Te₃ 등의 칼코게나이트계 재료가 사용된다.

또 광자기 기록막에는 Tb-Fe-Co 등의 비정질 합금박막 등의, 커 효과나 페러데이 효과 등의 자기광학특성을 갖는 수직자화막 등이 사용된다.

이어서 투명보호층 (5) 은 기록층 (4) 상에 형성된다. 이 투명보호층 (5) 은 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지고, 이러한 재료로는 예컨대 폴리카보네이트나 비정성 폴리올레핀계 수지 등의 열가소성 수지나, 각종 열경화성 수지 등을 들 수 있으나, 특히 비스크레졸 F 가 전체 방향족 디히드록시 성분 당, 적어도 20 몰% 의 비율로 구성된 폴리카보네이트 수지가 적합하게 사용된다.

투명보호층을 형성하는 수단은, 예컨대 기록층 (4) 상에 폴리카보네이트나 비정성 폴리올레핀계 수지 등의 열가소성 수지로 이루어지는 시트나 유리판 등의 투명판을 접착하는 방법, 또 자외선 경화수지를 스핀코트 등의 수법에 의해 도포하여, 자외선 조사함으로써 형성하는 방법을 들 수 있다. 또한 이 투명보호층은 코머수차를 상당히 작게 억제하기 위해 3∼200㎛ 두께로 제한된다.

이상이 본 발명의 광디스크의 기본적 구성인데, 이 구성에 추가하여 유전체층을 형성하여, 광학적 특성이나 열적 특성을 제어하여도 된다. 이 경우, 기판 (2) 상에 광반사층 (3), 제 1 유전체층, 기록층 (4), 제 2 유전체층, 투명보호층 (5) 을 순차적으로 형성한다.

본 발명의 광디스크는 강성, 제진성, 내열성, 흡수성이 우수하고, 고밀도의 기록용량을 갖는 기록매체로서 사용하기에 적합하다.

<제 4 태양 : 플라스틱 미러>

본 발명의 제 4 태양은 플라스틱 미러에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 굽힘 탄성률, 유동성, 내흡수, 내열성이 우수하고, 금형 표면을 매우 정밀하게 전사할 수 있는 폴리카보네이트 공중합체에 의해 형성된 플라스틱 미러에 관한 것이다.

폴리카보네이트 수지는 투명성, 내열성, 기계적 특성, 치수안정성이 우수하여, 많은 분야에 널리 사용되고 있다. 최근 그 투명성을 살려 플라스틱 미러에 대한 이용이 활발해지고 있다.

여기에서 최근의 경박단소화 혹은 회전식 미러의 고속회전화에 대응하기 위해 용융유동성이나 금형전사성, 치수안정성 나아가서는 강성을 높인 수지가 요망되고 있다.

또 플라스틱 미러에 있어서는, 흡수에 의한 치수안정성에 관한 요구는 앞으로 점점 심해지고 있다.

본 발명의 제 4 태양은, 강성, 내흡수성, 굽힘 탄성률, 금형의 정밀전사성을 만족하는 용융유동성, 내열성이 우수한 플라스틱 미러를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제 4 태양의 플라스틱 미러는 폴리카보네이트 기판 및 금형반사막으로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰%, 바람직하게는 30∼60 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 로 이루어지고, 80∼30 몰%, 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II-1) 및/또는 일반식 (II-2) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 120℃∼230℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.2 중량% 이하, 및 (C) 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼4,000㎫ 를 만족한다.

이와 같은 플라스틱 미러 중에서도, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰%, 바람직하게는 30∼60 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 80∼30 몰%, 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II-1) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 160℃∼230℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.2 중량% 이하, 및

(C) 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼3,500㎫

를 만족하는 플라스틱 미러가 바람직하다.

또 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰%, 바람직하게는 30∼60 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 80∼30 몰%, 바람직하게는 70∼40 몰% 의 일반식 (II-1) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 120℃∼180℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.1 중량% 이하, 및

(C) 굽힘 탄성률이 2,800㎫∼4,000㎫

를 만족하는 플라스틱 미러가 바람직하다.

(유리전이온도)

폴리카보네이트 공중합체는 그 유리전이온도가 120∼230℃ 이다.

(흡수율)

폴리카보네이트 공중합체는 ISO62 에 의해 23℃, 24 시간 물에 침지한 후에 측정한 흡수율이 0.2 중량% 이하, 바람직하게는 0.1 중량% 이하이다. 흡수율이 0.2 중량% 를 초과하면, 플라스틱 미러용 기체에 반사막을 형성시킨 플라스틱 미러가 흡수에 의해 휨을 쉽게 일으키게 되므로 바람직하지 않다. 특히 바람직한 흡수율은 0.085 중량% 이하이다.

(굽힘 탄성률)

폴리카보네이트 공중합체는, ISO178 에 따라 측정한 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼4,000㎫ 이고, 보다 바람직하게는 2,800㎫∼4,000㎫, 더욱 바람직하게는 2,500㎫∼3,500㎫ 이다. 굽힘 탄성률이 2,500㎫ 보다 작으면, 강성 부족에 의해 성형체 두께를 얇게 하는 것이 곤란하고, 또 굽힘 탄성률이 4,000㎫ 보다 크면, 성형된 플라스틱 미러용 기체가 약해져, 성형이 곤란해지는 경우가 있다.

(비점도)

폴리카보네이트 공중합체는 그 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하고, 20℃ 에서 측정한 비점도가 0.1∼0.5 범위의 것이 바람직하고, 0.15∼0.4 의 범위인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위의 비점도를 갖는 폴리카보네이트 공중합체는, 용융유동성이 양호하고 성형성이 우수하며, 광학적으로 양호한 강도도 충분한 성형품이 얻어져 바람직하다.

(유동성)

폴리카보네이트 공중합체의 유동성은, 300℃, 1.2kgf 의 측정조건에서의 MVR 의 값으로 5㎤/10분 이상이 바람직하고, 20㎤/10분 이상이 보다 바람직하며, 30㎤/10분 이상이 더욱 바람직하다.

(기타 공중합성분)

폴리카보네이트 공중합체에 있어서, 성분 a 및 성분 b 가 전체 방향족 디히드록시 성분의 적어도 80 몰%, 바람직하게는 적어도 90 몰% 를 차지하는 것이 바람직하지만, 다른 히드록시 성분을 전체 방향족 디히드록시 성분 당 20 몰% 이하, 바람직하게는 10 몰% 이하 함유하여도 상관없다.

이와 같은 다른 공중합 성분으로는, 통상 방향족 폴리카보네이트의 디히드록시 성분으로서 사용되고 있는, 성분 a 및 성분 b 이외의 성분이면 상관없고, 예컨대 하이드로퀴논, 레졸시놀, 4,4'-비페놀, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 2,2-비스(4-히드록시페닐)펜탄, 4,4'-(p-페닐렌디이소프로필리덴)디페놀, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-4-이소프로필시클로헥산을 들 수 있다.

(금속 반사막)

금속 반사막으로서 알루미늄 등의 박막이 사용된다.

본 발명의 플라스틱 미러용 성형재료는, 일반적으로는 폴리카보네이트 수지를 수지 온도 260∼340℃, 금형 온도 60∼130℃ 에서 사출성형하여 얻어지거나, 또는 이들을 접착하여 얻어진다.

(형상)

본 발명의 플라스틱 미러는, 주로 OA 기기 등에서 사용되는, 구면, 비구면, 중공, 평면, 다면체의 미러이다. 특히 폴리곤 미러, 프로젝터미러, 또한 필름 형상 미러를 대상으로 하는데, 이것에 한정되지 않는다.

본 발명의 플라스틱 미러는 특정 유리전이온도에서 흡수율이 낮고, 또한 특정 굽힘 탄성률을 갖는 폴리카보네이트 공중합체에 의해 형성되기 때문에, 고강성이고, 치수안정성, 성형시의 금형전사성이 우수하다.

<제 5 태양 : 도전성 수지 조성물, 반송 트레이>

본 발명의 제 5 태양은, 도전성 수지 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 내열성이 양호하고, 또한 도전성이 우수하고, 피부에 대한 자극성이 없고, 또한 흡수율이 낮은, 도전성 수지 조성물에 관한 것이다. 또 이러한 수지 조성물로 이루어지는, 반도체, 광학정보기록매체, 하드디스크 등의 전자부품의 반송 트레이에 관한 것이다.

폴리카보네이트 수지는 투명성, 내열성, 기계적 특성, 치수안정성이 우수하기 때문에 엔지니어링 플라스틱으로서, 단독 혹은 다른 열가소성 수지, 유리섬유, 탄소섬유 등을 배합한 수지 조성물로서 많은 분야에 널리 사용되고 있다. 그러나 최근 내열성 및 도전성이 우수한 재료가 요망된다.

내열성을 개량한 것으로서 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌의 구조를 포함하는 폴리카보네이트 공중합체와, 무기 충전재와의 수지 조성물이 알려져 있다 (일본 공개특허공보 평7-268197호).

그러나 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌은 중합시의 반응성이 낮아, 폴리카보네이트 공중합체를 얻기가 곤란하다는 결점이 있다.

또 용융압출이나 성형시에 분해 등에 의해 발행되는 9,9-비스(4-히드록시페 닐)플루오렌 유래의 증기에는 강한 자극성이 있고, 피부를 해치는 것이 문제가 되었다.

또한 9,9-비스(4-히드록히페닐)플루오렌으로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체는 흡수율이 높아, 기계적 물성이 떨어진다는 결점이 있다.

본 발명의 제 5 태양은, 내열성과 도전성을 갖고, 또한 피부에 대한 자극성이 없고, 나아가 흡수율이 낮은 도전성 수지 조성물 및 이 수지 조성물로 이루어지는 전자부품의 반송용 트레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도전성 수지 조성물은 폴리카보네이트 공중합체 및 탄소계 충전재로 이루어진다. 이 폴리카보네이트 공중합체는, 5∼95 몰%, 바람직하게는 7∼90 몰%, 더욱 바람직하게는 10∼85 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 95∼5 몰%, 바람직하게는 93∼10 몰%, 더욱 바람직하게는 90∼15 몰% 의 일반식 (II) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어진다.

일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위가 5 몰% 미만인 경우, 내열성을 충분히 개선하기가 어렵다. 한편 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위의 함유량이 95 몰% 보다 많은 경우, 수지 조성물의 용융유동성이 저하되고, 성형이 곤란해진다.

폴리카보네이트 공중합체로서, 5∼95 몰%, 바람직하게는 7∼90 몰%, 더욱 바람직하게는 10∼85 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위, 및 95∼5 몰%, 바람직하게는 93∼10 몰%, 더욱 바람직하게는 90∼15 몰% 의 일반식 (II-1) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 공중합체가 바람직하다.

(비점도)

(유리전이온도)

폴리카보네이트 공중합체는 승온속도 20℃/min 으로 측정한 유리전이온도 (Tg) 가 150℃ 이상인 것이 바람직하다. 155℃ 인 것이 더욱 바람직하다.

(탄소계 충전재)

한편, 본 발명의 도전성 수지 조성물을 구성하는 탄소계 충전재로서는 예컨대 탄소섬유, 카본블랙, 그라파이트, 카본나노튜브, 플러린 등을 들 수 있다. 도전성 개량의 효과 및 비용 면에서, 특히 탄소섬유, 카본블랙이 바람직하다.

먼저 탄소섬유로는 특별히 제한이 없고 공지된 각종 탄소섬유, 예컨대 폴리아크릴로니트릴, 셀룰로오스, 피치, 레이욘, 리그닌, 탄화수소가스 등을 사용하여 제조되는 탄소질섬유나 흑연질섬유이고, 특히 섬유강도가 우수한 폴리아크릴로니트릴계의 탄소섬유가 바람직하다. 또 탄소섬유는 섬유 표면을 오존, 플라즈마, 질산, 전해 등으로 대표되는 현재 공지된 방법에 의해 산화처리하는 것도 가능하고, 수지성분과의 밀착성을 증가시키기 위해 바람직하게 사용된다. 탄소섬유는 통상 절단된 스트랜드, 로빙 스트랜드, 밀드 파이버 등의 형상이다.

이러한 탄소섬유에 도전성 등을 부여하기 위해, 섬유 표면에 금속 코트를 실시할 수 있다. 금속 코트 탄소섬유의 직경은 6∼20㎛ 가 특히 바람직하다. 금속 코트 탄소섬유는, 탄소섬유에 공지된 도금법 및 증착법 등으로 니켈, 구리, 코발트, 은, 알루미늄, 철 등 및 이들의 합금 등의 금속을 코팅한 것이다. 이와 같은 금속은 도전성, 내식성, 생산성, 또한 경제성의 관점에서 니켈, 구리 및 코발트로부터 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속이 바람직하고, 특히 바람직하게는 니켈 코트 탄소섬유이다.

또 이들의 탄소섬유는, 에폭시수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지 등의 각종 사이징제로 집속된 것을 바람직하게 사용할 수 있고, 바람직하게는 에폭시 수지 및/또는 우레탄 수지를 들 수 있다.

카본블랙으로는 종래 공지된 케첸 블랙, 아세틸렌 블랙, 파네스 블랙, 램프 블랙, 서멀 블랙, 채널 블랙, 롤 블랙, 디스크 블랙 등을 들 수 있다. 이들 카본 블랙 중에서, 특히 케첸 블랙, 아세틸렌 블랙, 파네스 블랙이 바람직하다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은, 상기 폴리카보네이트 공중합체 및 탄소계 충전재로 이루어지는 것으로, 이들 각 성분의 배합비율은 상황에 따라 다르고 각양각색이지만, 일반적으로는 폴리카보네이트 공중합체가 40∼99 중량%, 바람직하게는 50∼90 중량% 및 탄소계 충전제가 60∼1 중량%, 바람직하게는 50∼10 중량% 로 이루어지는 것이다. 여기에서 탄소계 충전재가 1 중량% 미만에서는, 도전성의 향상효과가 작아지기 쉽다. 또 60 중량% 를 초과하면, 유동성이 저하되어 수지의 혼련 및 성형이 곤란해질 우려가 있어 바람직하지 않다.

<무기 충전재>

본 발명에 있어서, 상기 탄소계 충전재 이외에도 다른 성분으로서, 수지의 강성 혹은 도전성을 개선하기 위해 각동 무기 충전재를 첨가할 수 있다. 이들 무기 충전재로는 예컨대 유리재, 금속계 충전재, 무기질의 각종 충전재를 들 수 있다.

무기 충전재로서 사용되는 유리재로는 예컨대 유리섬유, 유리 밀드 파이버, 유리 비드, 유리 플레이크, 유리 파우더 등을 사용할 수 있다.

여기에서 사용되는 유리재로는 A 유리, C 유리, E 유리 등의 유리 조성을 특별히 한정하지 않고, 경우에 따라 TiO₂, Zr₂O, BeO, CeO₂, SO₃, P₂O₅ 등의 성분를 함유하는 것이어도 된다. 단, 보다 바람직하게는 E 유리 (무알칼리 유리) 가 폴리카보네이트 공중합체에 악영향을 주지 않는 점에서 바람직하다.

유리섬유는 용융유리를 각종 방법으로 연신하면서 급냉시켜 소정의 섬유형상으로 한 것이다. 이와 같은 경우의 급냉 및 연신조건에 대해서도 특별히 한정되지 않는다. 또 단면 형상은 일반적인 진원형상 외에, 진원형상의 섬유를 평행하게 중첩한 것으로 대표되는 각종 이형 단면 형상의 것을 사용할 수도 있다. 또한 진원형상과 이형 단면 형상이 혼합된 유리섬유이어도 된다.

이와 같은 유리섬유는, 평균 섬유 직경이 1∼25㎛, 바람직하게는 5∼17㎛ 이다. 평균 섬유 직경이 1㎛ 미만의 유리섬유를 사용한 것에서는 성형가공성이 손상되고, 평균 섬유 직경이 25㎛ 보다 큰 유리섬유를 사용한 것에서는 외관이 손상되고, 보강효과도 충분하지 않다.

이와 같은 섬유에 도전성 등을 부여하기 위해, 섬유표면에 금속 코트를 실시할 수 있다. 이 금속 코트 유리섬유의 직경은 6∼20㎛ 가 특히 바람직하다. 금속 코트 유리섬유는 유리섬유에 공지된 도금법 및 증착법 등으로 니켈, 구리, 코발트, 은, 알루미늄, 철 등 및 이들의 합금 등의 금속을 코팅한 것이다. 이와 같은 금속은 도전성, 내식성, 생산성 또한 경제성의 관점에서 니켈, 구리 및 코발트에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 금속이 바람직하다.

본 발명에서 사용하는 금속계 충전재는, 특별히 제한할 필요는 없고, 금속 섬유나 금속 코트 섬유, 금속 플레이크를 말하고, 재질로는 예컨대 스테인리스, 알루미늄, 구리, 황동 등의 금속 등을 들 수 있다. 이들은 2 종 이상을 병용할 수도 있다. 금속섬유의 직경은 4∼80㎛ 가 바람직하고, 6∼60㎛ 가 특히 바람직하다.

본 발명에 사용되는 유리 플레이크 및 금속 킬레이트로서는 평균입경이 10∼1,000 미크론의 것이 바람직하고, 또한 그 평균입경을 (a), 두께를 (c) 로 했을 때, (a)/(c) 비가 5∼500 인 것이 바람직하고, 6∼450 인 것이 보다 바람직하고, 7∼400 인 것이 더욱 바람직하다. 평균입경이 10 미크론 미만 혹은 (a)/(c) 비가 5 미만이면 강성이 충분하지 않고, 평균입경이 1000 미크론을 초과하거나 혹은 (a)/(c) 비가 500 을 초과하면 성형품의 외관 및 웰드 강도가 나빠져 바람직하지 않다. 여기에서 말하는 유리 플레이크 및 금속 플레이크의 평균입경이란 표준 체법에 의해 구해지는 입도의 중량분포의 메디안 직경으로서 산출되는 것이다.

그 외에, 무기질의 각종 충전재로서는 예컨대 티탄산칼륨위스커, 붕산알루미위스커, 탄화규소위스커, 질화규소위스커 등의 위스커, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 돌로마이트, 실리카, 규조토, 알루미나, 산화철, 산화아연, 산화마그네슘, 황산칼 슘, 황산마그네슘, 아황산칼슘, 탤크, 클레이, 마이카, 카올린, 어스베스트, 규산칼슘, 몬모릴로나이트, 벤토나이트, 왈라스토나이트, 그라파이트, 철분, 납분, 알루미늄분 등을 사용할 수도 있다.

이러한 무기 충전재는 실란 커플링제, 티타네이트 커플링제, 알루미네이트 커플링제 등으로 표면처리되어 있는 것이 바람직하다. 특히 실란 커플링제가 바람직하다. 이 표면처리에 의해 폴리카보네이트 공중합체의 분해가 억제됨과 동시에, 밀착성을 보다 향상시킴으로써, 본 발명의 목적인 기계적 특성을 보다 양호한 것으로 할 수 있다.

여기에서 말하는 실란 커플링제란 하기 식

[여기에서 Y 는 아미노기, 에폭시기, 카르복실산기, 비닐기, 메르캅토기, 할로겐원자 등의 수지 매트릭스와 반응성 또는 친화성을 갖는 기, Z¹, Z², Z³, Z⁴ 는 각각 단결합 또는 탄소수 1∼7 의 알킬렌기를 나타내고, 그 알킬렌 분자쇄 중에, 아미드 결합, 에스테르 결합, 에테르 결합 혹은 이미노 결합이 개재되어도 좋고, X¹, X², X³ 은 각각 알콕시기 바람직하게는 탄소수 1∼4 의 알콕시기 또는 할로겐원자]

로 표시되는 실란 화합물을 말한다.

구체적으로는 비닐트리크롤실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 및 γ-클로로프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.

또 이들 금속계 충전재는 올레핀계 수지, 스티렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 등으로 집속처리될 수도 있다. 이들의 섬유상 충전재는 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

(난연제)

본 발명의 도전성 수지 조성물에는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 양의 난연제를 배합할 수 있다.

난연제로는 할로겐화 비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제, 유기 염계 난연제, 방향족 인산에스테르계 난연제, 혹은 할로겐화 방향족 인산에스테르형 난연제, 불소계 난연제, 실록산계 난연제 등을 들 수 있고, 이들을 1 종 이상 배합할 수 있다.

구체적으로 할로겐화 비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제는, 테트라클로로비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제, 테트라클로로비스페놀 A 와 비스페놀 A 의 공중합 폴리카보네이트형 난연제, 테트라브로모비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제, 테트라브로모비스페놀 A 와 비스페놀 A 의 공중합 폴리카보네이트형 난연제 등이다.

유기 염계 난연제는 디페닐술폰-3,3'-디술폰산디칼륨, 디페닐술폰-3-술폰산칼륨, 2,4,5-트리클로로벤젠술폰산나트륨, 2,4,5-트리클로로벤젠술폰산칼륨, 비스(2,6-디브로모-4-쿠밀페닐)인산칼륨, 비스(4-쿠밀페닐)인산나트륨, 비스(p-톨루엔술폰)이미드칼륨, 비스(디페닐인산)이미드칼륨, 비스(2,4,6-트리브로모페닐)인산칼륨, 비스(2,4-디브로모페닐)인산칼륨, 비스(4-브로모페닐)인산칼륨, 디페닐인산칼륨, 디페닐인산나트륨, 퍼플루오로부탄술폰산칼륨, 라우릴황산나트륨 혹은 칼륨, 헥사데실황산나트륨 혹은 칼륨 등이다.

할로겐화 방향족 인산에스테르형 난연제는, 트리스(2,4,6-트리브로모페닐)포스페이트, 트리스(2,4-디브로모페닐)포스페이트, 트리스(4-브로모페닐)포스페이트 등이다.

방향족 인산에스테르계 난연제는, 트리페닐포스페이트, 트리스(2,6-자일릴)포스페이트, 테트라키스(2,6-자일릴)레졸신디포스페이트, 테트라키스(2,6-자일릴)히드로퀴논디포스페이트, 테트라키스(2,6-자일릴)-4,4'-비스페놀디포스페이트, 테트라페닐레졸신디포스페이트, 테트라페닐히드로퀴논디포스페이트, 테트라페닐-4,4'-비페놀포스페이트, 방향환 소스가 레졸신과 페놀이고 페놀성 OH 기를 함유하지 않은 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 레졸신과 페놀이고 페놀성 OH 기를 함유하는 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 히드로퀴논과 페놀이고 페놀성 OH 기를 함유하지 않은 방향족 폴리포스페이트, 동일한 페놀성 OH 기를 함유하는 방향 족 폴리포스페이트, (이하에 나타내는 「방향족 폴리포스페이트」는, 페놀성 OH 기를 함유하는 방향족 폴리포스페이트와 함유하지 않은 방향족 폴리포스페이트의 양방을 의미하는 것으로 함) 방향환 소스가 비스페놀 A 와 페놀인 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 테트라브로모비스페놀 A 와 페놀인 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 레졸신과 2,6-자일레놀인 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 히드로퀴논과 2,6-자일레놀인 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 비스페놀 A 와 2,6-자일레놀인 방향족 폴리포스페이트, 방향환 소스가 테트라브로모비스페놀 A 와 2,6-자일레놀인 방향족 폴리포스페이트 등이다.

이들 난연제 중에서, 할로겐화 비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제로서 테트라브로모비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제, 테트라브로모비스페놀 A 와 비스페놀 A 의 공중합 폴리카보네이트가 바람직하고, 테트라브로모비스페놀 A 의 폴리카보네이트형 난연제가 더욱 바람직하다.

유기 염계 난연제로서는 디페닐술폰-3,3'-디술폰산디칼륨, 디페닐술폰-3-술폰산칼륨, 2,4,5-트리클로로벤젠술폰산나트륨이 바람직하다.

방향족 인산에스테르계 난연제로서는 트리페닐포스페이트, 트리크레질포스페이트, 크레질디페닐포스페이트, 레졸시놀비스(디자일레닐포스페이트), 비스(2,3디브로모프로필)포스페이트, 트리스(2,3디브로모프로필)포스페이트가 바람직하다. 이들 중에서도, 오존층을 파괴하지 않은 방향족 인산에스테르계 난연제인 트리페닐포스페이트, 트리크레질포스페이트, 레졸시놀비스(디자일레닐포스페이트) 가 가장 바람직하다. 불소계 난연제로서는, 불소화 폴리올레핀류, 예컨대 PTFE 등의 불 소 수지, 그 중에서도 피브릴을 형성하는 것이 바람직하다. 실록산계의 난연제로는 방향환을 포함하는 폴리실록산이 바람직하다.

(기타 수지)

본 발명의 도전성 수지 조성물에는, 다른 수지를 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위이면 배합할 수도 있다.

이와 같은 다른 수지로는, 에컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴/스티렌 공중합체 (AS 수지), 아크릴로니트릴/부타디엔/스티렌 공중합체 (ABS 수지), 폴리메타크릴레이트 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지 등의 수지를 들 수 있다.

또 엘라스토머로는 예컨대 이소부틸렌/이소프렌 고무, 스티렌/부타디엔 고무, 에틸렌/프로필렌 고무, 아크릴계 엘라스토머, 규소 고무, 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, MBS 고무, MAS 고무 등을 들 수 있다.

(도전성 수지 조성물의 제조)

본 발명의 도전성 수지 조성물을 제조하는 데에는, 임의의 방법이 채용된다. 예컨대 탬블러, V형 블렌더, 슈퍼 믹서, 나우터 믹서, 벤버리 믹서, 혼련 롤, 압출기 등으로 혼합하는 방법이 적절하게 사용된다. 이렇게 하여 얻어지는 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물은, 그대로 또는 용융압출기로 일단 펠릿형상으로 한 후, 사출성형법, 압출성형법, 압축성형법 등의 통상 알려져 있는 방법으로 성형품으로 할 수 있다. 또한 본 발명의 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물의 혼화성을 높여 안정된 이형성이나 각 물성을 얻기 위해서는, 용융압출에 있어서 이축압출기를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 무기 층전재를 배합하는 경우에는 직접 압출기 호퍼구 혹은 압출기 도중에서 투입하는 방법, 폴리카보네이트 공중합체와 미리 혼합하는 방법, 일부의 폴리카보네이트 공중합체와 미리 혼합하고 마스터를 제조하여 투입하는 방법, 이와 같은 마스터를 압출기 도중에서 투입하는 방법 중 어느 방법도 취할 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은, ASTM D257 에 준거하여 측정한 표면 고유 저항값이 1×10¹² 이하인 것이 바람직하고, 1×10¹⁰ 이하가 보다 바람직하고, 1×10 ⁸ 이하인 것이 가장 바람직하다. 표면 고유 저항값이 1×10¹² 보다 커지면, 도전성이 충분하지 않게 되고, 이 수지 조성물을 전자기기의 반송 트레이 등에 사용한 경우, 전자기기를 쇼트시킬 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은 용융압출이나 성형시에 발생되는 폴리카보네이트 공중합체의 증기에 자극성이 없고, 따라서 피부를 손상시키는 일도 없기 때문에, 안전하게 취급할 수 있다.

이렇게 하여 얻어진 본 발명의 도전성 수지 조성물은 퍼스널 컴퓨터, 워드 프로세서, 팩시밀리, 복사기, 프린터 등의 OA 기기의 하우징 및 섀시, 반도체나 메모리, 하드디스크 등의 생산시에 이들을 반송할 때에 사용되는 반송 트레이, CD 나 CD-ROM, CD-R, CD-RW, MO, DVD, DVD-ROM, DVD-R 등, 광디스크나 광자기 디스크 등의 트레이, 섀시, 턴테이블, 픽업 섀시, 각종 기어 등의 OA 내부 부품, 텔레비젼, 비디오, DVD 플레이어, 게임기, 전기세탁기, 전기건조기, 전기청소기 등의 가정 전기제품의 하우징이나 부품, 전기톱, 전동 드릴 등의 전동공구, 망원경 경통, 현미경 경통, 카메라 몸체, 카메라 하우징, 카메라 경통 등의 광학기기부품, 자동차의 계기 패널 등에 유용하다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은, 내열성이 양호하고, 도전성이 우수하며, 피부에 대한 자극성이 없고, 또한 흡수율이 낮은 이점을 갖는다. 따라서 반도체, 광학정보 기록매체, 하드디스크 등의 전자부품의 반송 트레이에 적합하다.

(폴리카보네이트 공중합체의 제조방법)

본 발명 (제 1∼제 5 태양을 포함함) 에 사용하는 폴리카보네이트 공중합체는, 각각 통상의 폴리카보네이트 공중합체를 제조하는 그 자체 공지된 반응수단, 예컨대 방향족 디히드록시 성분에 포스겐이나 탄산디에스테르 등의 카보네이트 전구물질을 반응시키는 방법에 의해 제조된다. 다음에 이들의 제조방법에 대해 기본적인 수단을 간단하게 설명한다.

카보네이트 전구체로는 카르보닐할라이드, 카보네이트에스테르 또는 할로포르메이트 등이 사용되고, 구체적으로는 포스겐, 디페닐카보네이트 또는 방향족 디히드록시 성분의 디할로포르메이트 등을 들 수 있다.

상기 방향족 디히드록시 성분과 카보네이트 전구체를 계면중합법 또는 용융법에 의해 반응시켜 폴리카보네이트 수지를 제조하는 데에 있어서는, 필요에 따라 촉매, 말단정지제, 2가 페놀의 산화방지제 등을 사용할 수도 있다.

계면중합법에 의한 반응은, 통상 2가 페놀과 포스겐의 반응으로, 산결합제 및 유기 용매의 존재하에 반응시킨다. 산결합제로는 예컨대 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물 또는 피리딘 등의 아민 화합물이 사용된다. 유기 용매로는 예컨대 염화메틸렌, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소가 사용된다. 또 반응촉진을 위해 예컨대 트리에틸아민, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드, 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드 등의 제 3 급 아민, 제 4 급 암모늄 화합물, 제 4 급 포스포늄 화합물 등의 촉매를 사용할 수도 있다. 이 때, 반응온도는 통상 0∼40℃, 반응시간은 10분∼5시간 정도, 반응중의 pH 는 9 이상으로 유지하는 것이 바람직하다.

용융법에 의한 반응은, 통상 2가 페놀과 카보네이트에스테르와의 에스테르 교환반응으로, 불활성 가스의 존재하에 2가 페놀과 카보네이트에스테르를 가열하면서 혼합하여, 생성되는 알코올 또는 페놀을 유출 (留出) 시키는 방법에 의해 행해진다. 반응온도는 생성되는 알코올 또는 페놀의 비등점 등에 따라 상이하지만, 통상 120∼350℃ 의 범위이다. 반응 후기에는 계를 1.3×10³∼1.3×10㎩ 정도로 감압하여 생성되는 알코올 또는 페놀의 유출을 용이하게 시킨다. 반응시간은 통상 1∼4 시간 정도이다.

카보네이트에스테르로는 치환될 수도 있는 탄소수 6∼10 의 아릴기, 아랄킬기 혹은 탄소수 1∼4 의 알킬기 등의 에스테르를 들 수 있다. 구체적으로는 디 페닐카보네이트, 디톨릴카보네이트, 비스(클로로페닐)카보네이트, m-크레질카보네이트, 디나프틸카보네이트, 비스(디페닐)카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디부틸카보네이트 등을 들 수 있고, 그 중에서도 디페닐카보네이트가 바람직하다.

(중합촉매)

또, 용융법에서 중합속도를 빠르게 하기 위해 중합촉매를 사용할 수 있고, 이러한 중합촉매로는 예컨대 수산화나트륨, 수산화칼륨, 이가 페놀의 나트륨염, 칼륨염 등의 알칼리 금속 화합물, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화마그네슘 등의 알칼리 토금속 화합물, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 트리메틸아민, 트리에틸아민 등의 함질소 염기성 화합물, 알칼리 금속이나 알칼리 토금속 알콕시드류, 알칼리 금속이나 알칼리 토금속의 유기산염류, 아연 화합물류, 붕소 화합물류, 알루미늄 화합물류, 규소 화합물류, 게르마늄 화합물류, 유기 주석 화합물류, 납 화합물류, 오스뮴 화합물류, 안티몬 화합물류, 망간 화합물류, 티탄 화합물류, 지르코늄 화합물류 등의 통상 에스테르화 반응, 에스테르 교환반응에 사용되는 촉매를 사용할 수 있다. 촉매는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. 이들의 중합촉매의 사용량은, 원료의 2 가 페놀 1 몰에 대해 1×10^-8∼1×10^-3당량, 바람직하게는 1×10^-7∼1×10^-3당량, 보다 바람직하게는 1×10^-6∼5×10^-4당량의 범위에서 선택된다.

(말단정지제)

폴리카보네이트 공중합체는, 그 중합반응에서 말단정지제로서 통상 사용되는 단관능 페놀류를 사용할 수 있다. 특히 카보네이트 전구물질로서 포스겐을 사용하는 반응의 경우, 단관능 페놀류는 말단정지제로서 분자량 조절을 위해 일반적으로 사용되고, 또 얻어진 폴리머는 말단이 단관능 페놀류에 의거하는 기에 의해 봉쇄되어 있으므로, 그렇지 않은 것에 비하여 열안정성이 우수하다.

이와 같은 단관능 페놀류로서는 폴리카보네이트 중합체의 말단정지제로서 사용되는 것이면 관계없고, 일반적으로 페놀 혹은 저급 알킬 치환 페놀로서, 하기 일반식으로 표시되는 단관능 페놀류를 표시할 수 있다.

(식 중, A 는 수소원자 또는 탄소수 1∼9 의 직쇄 또는 분기의 알킬기 혹은 아릴알킬기를 나타내고, r 은 1∼5, 바람직하게는 1∼3 의 정수를 나타냄)

상기 단관능 페놀류의 구체예로는 예컨대 페놀, p-tert-부틸페놀, p-쿠밀페놀 및 이소옥틸페놀을 들 수 있다.

또 다른 단관능 페놀류로는 장쇄의 알킬기 혹은 지방족 에스테르기를 치환기로서 갖는 페놀류 또는 벤조산 클로라이드류, 혹은 장쇄의 알킬카르복실산클로라이드류를 사용할 수 있고, 이들을 사용하여 폴리카보네이트 공중합체의 말단을 봉쇄하면, 이들은 말단정지제 또는 분자량조절제로서 기능할 뿐만 아니라, 수지의 용융유동성이 개량되어, 성형가공이 용이해질 뿐만 아니라, 기판으로서의 물성도 개량된다. 특히 수지의 흡수율을 낮게 하는 효과가 있어 바람직하게 사용된다. 이들은 하기 일반식 (III-1)∼(III-8) 로 표시된다.

[각 식 중, X 는 -R-O-, -R-CO-O- 또는 -R-O-CO- 인, 여기에서 R 은 단결합 또는 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, T 는 단결합 또는 상기 X 와 동일한 결합을 나타내고, n 은 10∼50 의 정수를 나타낸다.

Q 는 할로겐원자 또는 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 1가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, p 은 0∼4 의 정수를 나타내고, Y 는 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, W¹ 은 수소원자, -CO-R¹³, -CO-O-R¹⁴ 또는 R¹⁵ 인, 여기에서 R¹³, R¹⁴ 및 R¹⁵ 는 각각 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 4∼8, 바람직하게는 5∼6 의 1가의 지환족 탄화수소기 또는 탄소수 6∼15, 바람직하게는 6∼12 의 1가의 방향족 탄화 수소기를 나타낸다.

l 은 4∼20, 바람직하게는 5∼10 의 정수를 나타내고, m 은 1∼100, 바람직하게는 3∼60, 특히 바람직하게는4∼50 의 정수를 나타내고, Z 는 단결합 또는 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 2 가의 지방족 탄화수소기를 나타내고, W² 는 수소원자, 탄소수 1∼10, 바람직하게는 1∼5 의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 4∼8, 바람직하게는 5∼6 의 1가의 지환족 탄화수소기 또는 탄소수 6∼15, 바람직하게는 6∼12 의 1가의 방향족 탄화수소기를 나타낸다.

이들 중 바람직한 것은 (III-1) 및 (III-2) 의 치환 페놀류이다. 이 (III-1) 의 치환 페놀류로는 n 이 10∼30, 특히 10∼26 인 것이 바람직하고, 그 구체예로는 예컨대 데실페놀, 도데실페놀, 테트라데실페놀, 헥사데실페놀, 옥타데실페놀, 에이코실페놀, 도코실페놀 및 트리아콘틸페놀 등을 들 수 있다.

또 일반식 (III-2) 의 치환 페놀류로는 X 가 -R-CO-O- 이고, R 이 단결합인 화합물이 적당하고, n 이 10∼30, 특히 10∼26 인 것이 적합하고, 그 구체예로서는 예컨대 히드록시벤조산데실, 히드록시벤조산도데실, 히드록시벤조산테트라데실, 히드록시벤조산헥사데실, 히드록시벤조산에이코실, 히드록시벤조산도코실 및 히드록시벤조산트리아콘틸을 들 수 있다.

상기 일반식 (III-1)∼(III-7) 로 표시되는 치환 페놀류 또는 치환 벤조산 클로라이드에 있어서 치환기의 위치는, p 의 또는 o 위가 일반적으로 바람직하고, 그 양자의 혼합물이 바람직하다.

상기 단광능 페놀류는, 얻어진 폴리카보네이트 공중합체의 전체 말단에 대해 적어도 5 몰%, 바람직하게는 10 몰% 말단에 도입되는 것이 바람직하고, 또 단관능 페놀류는 단독으로 혹은 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.

또 본 발명의 폴리카보네이트 공중합체에 있어서, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌이, 전체 2가 페놀성분의 80 몰% 이상인 경우는, 수지의 유동성이 저하되는 경우가 있고, 이 때문에 상기 일반식 (III-1)∼(III-7) 로 표시되는 치환 페놀류 또는 치환 벤조산클로라이드류를 말단정지제로서 사용하는 것이 바람직하다.

(열안정제)

본 발명에 있어서, 상기 폴리카보네이트 공중합체에, 인산, 아인산, 포스폰산, 아포스폰산 및 이들의 에스테르로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 인화합물을, 그 공중합체에 대해 0.0001∼0.05 중량% 의 비율로 배합할 수 있다. 이 인 화합물을 배합함으로써, 이와 같은 폴리카보네이트 공중합체의 열안정성이 향상되고, 성형시에 있어서의 분자량의 저하나 색상의 악화가 방지된다.

이와 같은 인 화합물로서는, 인산, 아인산, 포스폰산, 아포스폰산 및 이들의 에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 인 화합물이고, 바람직하게는 일반식 (IV-1)∼(IV-4) 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종의 인 화합물 이다.

여기에서 R¹∼R¹² 는 각각 독립하여 수소원자, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실 등의 탄소수 1∼20 의 알킬기, 페닐, 톨릴, 나프틸 등의 탄소수 6∼15 의 아릴기 또는 벤질, 페네틸 등의 탄소수 7∼18 의 아랄킬기를 나타내고 있다. 또 1개의 화합물 중에 2개의 알킬기가 존재하는 경우는, 그 2개의 알킬기는 서로 결합되어 환을 형성할 수도 있다.

상기 (IV-1) 식으로 표시되는 인 화합물로는 예컨대 트리페닐포스파이트, 트리스노닐페닐포스파이트, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트, 트리데실포스 파이트, 트리옥틸포스파이트, 트리옥타데실포스파이트, 디데실모노페닐포스파이트, 디옥틸모노페닐포스파이트, 디이소프로필모노페닐포스파이트, 모노부틸디페닐포스파이트, 모노데실디페닐포스파이트, 모노옥틸디페닐포스파이트, 비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 2,2-메틸렌비스(4,6-디-tert-부틸페닐)옥틸포스파이트, 비스(노닐페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트 등을 들 수 있다.

상기 (IV-2) 식으로 표시되는 인 화합물로는 예컨대 트리부틸포스페이트, 트리메틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리에틸포스페이트, 디페닐모노오르토크세닐포스페이트, 디부틸포스페이트, 디옥틸포스페이트, 이디소프로필포스페이트 등을 들 수 있다.

상기 (IV-3) 식으로 표시되는 인 화합물로서는, 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)-4,4-디페닐렌포스포나이트 등을 들 수 있다.

또 상기 (IV-4) 식으로 표시되는 화합물로는 벤젠포스폰산디메틸, 벤젠포스폰산디에틸, 벤젠포스폰산디프로필 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 디스테아릴펜타에리스리톨디포스파이트, 트리에틸포스페이트, 벤젠술폰산디메틸, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트가 바람직하게 사용된다.

이와 같은 인 화합물의 배합량은, 이 폴리카보네이트 공중합체에 대해 0.0001∼0.05 중량% 이고, 0.0005∼0.02 중량% 가 바람직하고, 0.001∼0.01 중량% 가 특히 바람직하다. 배합량이 0.0001 중량% 미만에서는 상기 효과가 얻어지기 어렵고, 0.05 중량% 를 초과하면, 반대로 이 폴리카보네이트 공중합체의 열안정성에 악영향을 주고, 또 내가수분해성도 저하되므로 바람직하지 않다.

(산화방지제)

본 발명의 폴리카보네이트 공중합체는, 산화방지의 목적에서 통상 알려진 산화방지제를 첨가할 수 있다. 그 예로서 페놀계 산화방지제나 락톤계 산화방지제를 나타낼 수 있다. 페놀계 산화방지제로는 구체적으로는 예컨대 트리에틸렌글리콜-비스(3-(3-tert-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트), 1,6-헥산디올-비스(3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트), 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, N,N-헥사메틸렌비스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시-히드로신나마이드), 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시-벤질포스포네이트-디에틸에스테르, 트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)이소시아누레이트, 3,9-비스{1,1-디메틸-2-[β-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시]에틸}-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸 등을 들 수 있다.

또 락톤계 산화방지제로는 구체적으로 예컨대 5,7-디-t-부틸-3-(3,4-디메틸페닐)-3H-벤조푸란-2-온, 5,7-디-t-부틸-3-(2,3-디메틸페닐)-3H-벤조푸란-2-온 등을 들 수 있다. 이들 산화방지제의 바람직한 첨가량의 범위는 폴리카보네이트 공중합체에 대해 0.0001∼0.05 중량% 이다.

(이형제)

추가로 본 발명의 폴리카보네이트 공중합체에는, 필요에 따라 1가 또는 다가 알코올의 고급 지방산 에스테르를 첨가할 수도 있다. 이 1 가 또는 다가 알코올의 고급 지방산 에스테르를 배합함으로써, 상기 폴리카보네이트 공중합체의 성형시의 금형으로부터의 이형성이 개량되고, 광학부품의 성형에 있어서는, 이형 하중이 적고 이형 불량에 의한 성형품의 변형을 방지할 수 있다. 또 폴리카보네이트 공중합체의 용융 유동성이 개선되는 이점도 있다.

이와 같은 고급 지방산 에스테르로는 탄소원자수 1∼20 의 1가 또는 다가 알코올과 탄소원자수 10∼30 의 포화 지방산과의 부분 에스테르 또는 전체 에스테르인 것이 바람직하다.

또 이와 같은 1가 또는 다가 알코올과 포화 지방산의 부분 에스테르 또는 전체 에스테르로는, 스테아르산모노글리세리드, 스테아르산모노소르비테이트, 베헤닌산모노글리세리드, 펜타에리스리톨모노스테아레이트, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트, 프로필렌글리콜모노스테아레이트, 스테아릴스테아레이트, 팔미틸팔미테이트, 부틸스테아레이트, 메틸라우레이트, 이소프로필팔미테이트, 2-에틸헥실스테아레이트 등을 들 수 있고, 그 중에서도 스테아르산모노글리세리드, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트가 바람직하게 사용된다.

이와 같은 알코올과 고급 지방산의 에스테르의 배합량은, 이 폴리카보네이트 공중합체에 대해 0.01∼2 중량% 이고, 0.015∼0.5 중량% 가 바람직하고, 0.02∼0.2 중량% 가 보다 바람직하다. 배합량이 0.01 중량% 미만에서는 상기 효과가 얻어 지지 않고, 2 중량% 를 초과하면 금형 표면의 오염 원인이 되기도 한다.

(기타 첨가제)

본 발명의 폴리카보네이트 공중합체에는, 추가로 광안정제, 착색제, 대전방지제, 활제 등의 첨가제를, 내열성이나 투명성을 저해하지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 본 발명의 폴리카보네이트 공중합체에 상기 첨가제를 혼합하는 데에는, 임의의 방법으로 실행할 수 있다. 예컨대 탬블러, V형 블렌더, 나우터 믹서, 벤버리 믹서, 혼련 롤, 압출기 등으로 혼합하는 방법이 적절하게 이용된다.

실시예

이하 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 실시예 중, 「부」는 「중량부」를 의미한다.

<실시예 1∼3, 비교예 1> 리플로우 납땜 부품

각 물성의 평가는 하기의 방법으로 실시하였다.

(1) 비점도

폴리머 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하여 20℃ 의 온도에서 측정하였다.

(2) 유리전이점 (Tg)

티 에이 인스트루먼트 재팬(주) 사 제조의 2910형 DSC 를 사용하여, 승온속도 20℃/min 으로 측정하였다.

(3) 멜트 볼륨 레이트 (MVR)

JIS K-7210 에 따라 테크노세븐(주) 제조의 L251-11형 MFR 측정기를 사용하 여, 320℃, 하중 1.2㎏ 으로 10분간 유출한 폴리머량 (㎤) 으로 나타내었다.

(4) 투과율

사출성형에 의해 작성한 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 시험편의 400㎚, 500㎚, 600㎚, 700㎚, 1,300㎚, 1,400㎚, 1,500㎚, 1,600㎚ 의 각 파장에서의 투과율을 히따찌 제작소(주) 제조의 U-4001 형 분광광도계에 의해 측정하였다.

(5) 리플로우 내열성

a. 시험편

사출성형에 의해 작성한 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 시험편을 120℃ 에서 10시간, 감압으로 건조시켰다. 이 시험편을 적외선-열풍 병용 타입의 리플로우 로 (아사히엔지니어링(주) 제조, TPF-20L) 에 의해 처리하였다. 가열의 온도 패턴은 150℃ 에서 60초간 가열한 후에 피크온도가 250℃ 에서 5초간이 되도록 설정하고, 리플로우 처리 후의 성형편에 변형이 발생하지 않은 것을 「○」, 변형이 발생한 것을 「×」로 하였다.

b. 렌즈

사출성형에 의해 작성한 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 120℃ 에서 10시간, 감압으로 건조시켰다. 이 시험편을 적외선-열풍 병용 타입의 리플로우 로 (아사히엔지니어링(주) 제조, TPF-20L) 에 의해 처리하였다. 가열의 온도 패턴은 150℃ 에서 60초간 가열한 후에 피크온도가 250℃ 에서 5초간이 되도록 설정하고, 리플로우 처리 후의 평볼록렌즈의 초점거리의 변화량이 0.10㎜ 미만인 것을 「○」, 0.10 이상의 것 혹은 변형이 발생한 것을 「 ×」로 하였다.

<실시예 1>

(중합)

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 2270부, 48% 수산화나트륨 수용액 444부를 넣고, 비스페놀A 76.8부, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌 (이하, 비스크레졸플루오렌이라 약칭하는 경우가 있음) 509.1부 및 하이드로술파이트 1.2부를 용해한 후, 염화메틸렌 1,430부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼23℃ 에서 포스겐 225부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 11.4부와 48% 수산화나트륨 수용액 6.9부를 첨가하고, 25∼30℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 20:80 의 비점도가 0.244, Tg 가 223℃ 인 황백색의 폴리머 600부를 얻었다 (수율 95%).

(성형)

이 폴리카보네이트 수지 분립체에, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 이축압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW(주) N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 340℃, 금형온도 150℃ 에서 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 성형편을 사출성 형하였다. 이 성형편을 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(렌즈)

또 이 펠릿으로부터 JSW(주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 340℃, 금형온도 150℃로 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 사출성형하였다. 이 렌즈를 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

<실시예 2>

(중합)

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 2,060부, 48% 수산화나트륨 수용액 404부를 넣고, 비스페놀A 111.6부, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌 (이하, 비스크레졸플루오렌이라 약칭하는 경우가 있음) 431.7부 및 하이드로술파이트 1.1부를 용해한 후, 염화메틸렌 1,390부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼23℃ 에서 포스겐 210부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 11.0부와 48% 수산화나트륨 수용액 6.7부를 첨가하고, 25∼30℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 30:70 의 비점도가 0.258, Tg 가 216℃ 인 황백색의 폴리머 560부를 얻었다 (수율 94%).

(성형)

이 폴리카보네이트 수지 분립체에, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 이축압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW(주) N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 330℃, 금형온도 140℃ 로 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 성형편을 사출성형하였다. 이 성형편을 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(렌즈)

또 이 펠릿으로부터 JSW(주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 330℃, 금형온도 140℃로 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 사출성형하였다. 이 렌즈를 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

<실시예 3>

(중합)

실시예 1 의 비스페놀 A 의 사용량을 57.6부, 비스크레졸플루오렌의 사용량을 540.9부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 비스페놀 A 와 비스페놀플루오렌의 비가 몰비로 15:85 의 비점도가 0.240, Tg 가 232℃ 인 황백색의 폴리머 621부를 얻었다 (수율 95%).

(성형)

이 폴리카보네이트 수지 분립체에, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 이축압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW(주) N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 350℃, 금형온도 165℃ 로 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 성형편을 사출성형하였다. 이 성형편을 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(렌즈)

또 이 펠릿으로부터 JSW(주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 350℃, 금형온도 165℃로 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 사출성형하였다. 이 렌즈를 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

<비교예 1>

(중합)

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 2,270부, 48% 수산화나트륨 수용액 444부를 넣고, 비스페놀A 7.68부, 비스크레졸플루오렌 623.6부 및 하이드로술파이트 1.2부를 용해한 후, 클로로포름 2,000부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼23℃ 에서 포스겐 225부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 10.1부와 48% 수산화나트륨 수용액 6.9부를 첨가하고, 25∼30℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 2:98 의 비점도가 0.245, Tg 가 238℃ 인 황백색의 폴리머 637부를 얻었다 (수율 93%).

(성형)

이 폴리카보네이트 수지 분립체에, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 이축압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW(주) N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 360℃, 금형온도 170℃ 로 두께 1.0㎜, 폭 10㎜, 길이 20㎜ 의 성형편을 사출성형하였다. 이 성형편을 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(렌즈)

또 이 펠릿으로부터 JSW(주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 360℃, 금형온도 170℃로 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 사출성형하였다. 이 렌즈를 사용하여 투과율의 측정, 및 리플로우 내열성의 테스트를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

<실시예 4∼18, 비교예 2∼7> 광로변환부품

각 물성의 평가는 하기의 방법으로 실시하였다.

(1) 비점도

폴리머 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하여 20℃ 의 온도에서 측정하였 다.

(2) 유리전이점 (Tg)

(3) 5% 중량감소온도 (Td)

티 에이 인스트루먼트 재팬(주) 사 제조의 2950형 TGA 를 사용하여, 승온속도 20℃/min 으로 측정하였다.

(4) 광탄성 상수

리켄기기(주) 제조의 광탄성 측정장치 PA-150 에 의해 측정하였다.

(5) 투과율 (T₅₅₀)

제작한 성형판의 550㎚ 에서의 투과율을, 히따찌 제작소(주) 제조의 U-4001 형 분광광도계에 의해 측정하였다.

(6) 리타데이션 (Re₅₅₀)

제작한 성형판의 550㎚ 에서의 리타데이션을, 닛폰분광(주) 제조의 M-220형 엘립소미터로 측정하였다.

(중합)

EX-PC1

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 2,050부, 48% 수산화나트륨 수용액 434부를 넣고, 비스페놀A (이하, BPA 라 약칭하는 경우가 있음) 111.6 부, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌 (이하, BCF 라 약칭하는 경우가 있음) 431.7부 및 하이드로술파이트 1.1부를 용해한 후, 염화메틸렌 1,360부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼23℃ 에서 포스겐 215부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 11.0부와 48% 수산화나트륨 수용액 67부를 첨가하고, 25∼30℃ 에서 45분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, BPA 와 BCF의 비가 몰비로 30:70 인 비점도가 0.260, Tg 가 215℃ 인 황백색의 폴리머 분립체 550부를 얻었다 (수율 92%).

EC-PC2

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 3,608부, 48% 수산화나트륨 수용액 482부를 넣고, 1,3-비스{2-(4-히드록시페닐)프로필}벤젠 (이하, BPM 이라 약칭하는 경우가 있음) 156.1 부, BCF 461.0부 및 하이드로술파이트 1.3부를 용해한 후, 염화메틸렌 1,704부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼23℃ 에서 포스겐 215부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 12.5부와 48% 수산화나트륨 수용액 69부를 첨가하고, 25∼30℃ 에서 45분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, BPM 과 BCF의 비가 몰비로 27:73 인 비점도가 0.260, Tg 가 212℃ 인 황백색의 폴리머 619부를 얻었다 (수율 92%).

EX-PC3

EX-PC1 의 제조에 있어서, BPA 의 사용량을 124.4부, BCF 의 사용량을 418.9부로 하는 것 이외에는 EX-PC1 의 제조와 동일하게 하여, BPA 와 BCF 의 비가 몰비로 33:67 인 비점도가 0.262, Tg 가 212℃ 인 황백색의 폴리머 560부를 얻었다 (수율 94%).

EX-PC4

EX-PC2 의 제조에 있어서, BPM 의 사용량을 260.1부, BCF 의 사용량을 347.3부로 하는 것 이외에는 EX-PC2 의 제조와 동일하게 하여, BPM 과 BCF 의 비가 몰비로 45:55 인 비점도가 0.280, Tg 가 190℃ 인 황백색의 폴리머 630부를 얻었다 (수율 95%).

EX-PC5

EX-PC1 의 제조에 있어서, BPA 의 사용량을 79.3부, BCF 의 사용량을 504.6부로 하는 것 이외에는 EX-PC1 의 제조와 동일하게 하여, BPA 와 BCF 의 비가 몰비로 20:80 의 비점도가 0.250, Tg 가 220℃ 인 황백색의 폴리머 595부를 얻었다 (수율 94%).

CEX-PC1

EX-PC1 의 제조에 있어서, BPA 의 사용량을 605.3부, BCF 를 첨가하지 않고, p-tert-부틸페놀의 사용량을 13.0부로 하는 것 이외에는 EX-PC1 의 제조와 동일하게 하여, 비점도가 0.280, Tg 가 144℃ 인 황백색의 BPA 의 호모폴리머 584부를 얻 었다 (수율 95%).

CEX-PC2

비점도 0.550 의 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판을 방향족 디히드록시 성분으로 하는 폴리카보네이트 수지 40부와, 중량평균분자량 100,000 을 갖고, 10% 의 아크릴로니트릴 성분을 공중합한 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 60부를 탬블러를 사용하여 드라이 블렌드하였다.

<실시예 4∼8, 비교예 2 및 3>

(성형편)

제저한 각종 수지에, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트 0.050%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.10% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 단축 압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW (주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 표 2 에 나타내는 성형조건으로 두께 1.0㎜, 폭 1.0㎜, 길이 2.0㎜ 의 성형판을 사출성형하였다. 이 성형판을 사용하여 투과율 및 리타데이션을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

<비교예 9∼13, 비교예 4 및 5>

(렌즈)

제조한 각종 수지에, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트 0.050%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.10% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 단축 압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW (주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 표 3 에 나타내는 성형조건으로 외경 2.0㎜, 중심두께 0.80㎜, 초점거리 2.0㎜ 의 평볼록렌즈를 사출성형하였다.

성형된 것에 대해서는, 평볼록렌즈의 전후에 위상차를 90°어긋나게 한 편광판을 배치하고, 한쪽의 편광판측으로부터 백색광을 입사하여, 평볼록렌즈에 나타나는 간섭색을 육안으로 관찰함으로써, 복굴절의 정도를 평가하였다. 평가는 ◎…간섭무늬 모양 없음, ○…간섭무늬 1개, ×…간섭무늬 2개 이상으로 하였다. 성형결과 및 평가결과를 표 3 에 나타낸다.

<실시예 14∼18, 비교예 6 및 7>

(프리즘)

제조한 각종 수지에, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리스리톨디포스파이트 0.030%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.15% 첨가하여, 벤트 부착 Φ30㎜ 단축 압출기를 사용하여, 펠릿화한 후, JSW (주) 제조의 N-20C 사출성형기를 사용하여 표 4 에 나타내는 성형조건으로 20.0×28.3×20.0㎜ 의 직각 프리즘을 사출성형하였다.

성형된 것에 대해서는, 프리즘의 전후에 위상차를 90°어긋나게 한 편광판을 배치하고, 한쪽의 편광판측으로부터 백색광을 입사하여, 프리즘에 나타나는 간섭색을 육안으로 관찰함으로써, 복굴절의 정도를 평가하였다. 평가는 ◎…간섭무늬 모양 없음, ○…간섭무늬 1개, ×…간섭무늬 2개 이상으로 하여 행하였다.

<실시예 19∼23, 비교예 8 및 9> 광디스크

각 물성의 평가는 하기의 방법에 따른다.

(1) 하중 변형 온도

ISO75-1, -2 에 따라 하중 1.81㎫ 로 측정하였다.

(2) 포화 흡수율

측정조건, 방법은 ISO62 에 준하여, 23℃의 순수에 침지하여, 1일간의 변화량이 0.01% 이하로 된 것을 포화 흡수율로 측정하였다.

(3) 굽힘 탄성률

펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조시킨 후, 사출성형기 [스미토모중기(주) 제조 SG-150] 에 의해 실린더 온도 290℃ 에서 사출성형한 시험편을 사용하여, ISO178 에 따라 측정하였다.

(4) 초기 기계 특성

메이끼 제작소(주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 각 펠릿으로부터 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 디스크 기판을 사출성형하였다. 표 5 에 각 기판의 성형조건을 나타내었다. 그 후, 사출성형에 의해 얻어진 디스크 기판에 순서대로 반사막, 유전체층 (1), 상변화 기록막, 유전체막 (2) 을 스퍼터 증착시키고, 그 위에 폴리카보네이트제 박막 커버층을 접착함으로써 목적하는 광디스크 기판을 얻었다.

계속해서 디스크가 서로 접촉하지 않도록 스페이서를 두어, 온도 23℃, 습도 50% RH 환경에 2일간 이상 방치하였다. 열수축 및 환경변화에 대한 Tilt 의 변화가 안정된 시점에서 재팬 이 엠(주) 제조의 3차원 형상 측정기 DLD-3000U 에 의해 Tilt (초기 기판 형상) 를 평가하여, 초기 기계 특성으로 하였다.

(5) ΔTilt

초기 기계 특성을 평가한 디스크 기판을 온도 30℃, 습도 90% RH 의 환경하 (A 환경) 에 포화 흡수율에 도달할 때까지노출시킨 후, 온도 23℃, 습도 50% RH 환경 (B 환경) 에 옮겼다.

이동 후, 환경 변화에 의해 발생되는 중심으로부터 58㎜부의 Tilt 변화를 재팬 이 엠(주) 제조의 3차원 형상 측정기 DLD-3000U 에 의해 경시적으로 측정하여, Tilt 변화가 최대에 도달한 값 및 정상에 도달한 값의 차를 ΔTilt 로 하였다.

(6) 제진성 (tanδ)

ISO 6721-4 에 준하여, 레오메트릭스사 제조의 RDAII 를 사용하여 40℃, 18㎐ 로 측정하였다.

<실시예 19>

(중합)

온도계, 교반기, 환류냉각기 및 포스겐 불어 넣기관을 구비한 반응기에 이온교환수 31,500부, 수산화나트륨 1,730부를 넣고, 9,9-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)플루오렌 (이하 "BCF" 라고 약칭하는 경우가 있음) 2,040부 및 4,4'-(m-페닐렌디이소프로필리덴)디페닐 (이하 "BPM" 이라 약칭하는 경우가 있음) 2,802부 및 하이드로술파이트 10부를 용해한 후, 염화메틸렌 13,770부를 첨가하여, 교반하 16∼18℃ 에서 포스겐 1,670부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 81부와 수산화나트륨 178부를 첨가하고, 다시 트리에틸아민 4부를 첨가하여 30℃ 에서 1시간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하 여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 40:60 인 백색 파우더를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.283 이었다.

이 파우더에, 이 파우더 100부에 대해, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트를 0.003부, 트리메틸포스페이트를 0.005부, 및 스테아르산모노글리세리드를 0.045부 첨가하였다. 다음에 이와 같은 파우더를 벤트식 이축압출기 [고베제강(주) 제조의 KTX-46] 에 의해 실린더 온도 260℃ 에서 탈기하면서 용융 혼련하여, 펠릿화한 후, 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 디스크 기판으로 사출성형하였다.

(광디스크)

이 디스크 기판에 순서대로 반사막, 제 1 유전체층, 상변화 기록막, 제 2 유전체층을 스퍼터 증착시켜, 그 위에 폴리카보네이트제 박막 커버층을 접착함으로써 목적하는 광디스크를 얻었다. 이 디스크 기판의 초기 기계 특성 및 ΔTilt 그리고 제진성을 평가하였다. 평가결과를 표 5 에 나타낸다.

<실시예 20>

(중합)

실시예 19 의 BCF 를 1,814부, BPM 을 3,084부를 사용하여 포스겐 불어 넣기를 행하고, 다시 p-tert-부틸페놀 86부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가한 것 이외에는, 실시예 19 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 35:65 인 백색 파우더를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.283 이었다.

이 파우더에 실시예 19 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 19 와 동일하게 용융 혼련 펠릿으로 하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 19 와 동일하게 사출성형하여 디스크 기판을 얻었다.

(광디스크)

<실시예 21>

(중합)

실시예 19 의 BCF 를 2,277부, BPM 을 2,084부를 사용하여 포스겐 불어 넣기를 행하고, 다시 p-tert-부틸페놀 74부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가한 것 이외에는, 실시예 19 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 50:50 인 백색 파우더를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.263 이었다.

(광디스크)

<실시예 22>

(중합)

실시예 19 에 있어서, THPE 23부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가하고, p-tert-부틸페놀 81부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가한 것 이외에는, 실시예 19 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 과 THPE 의 비가 몰비로 40:60:0.5 인 백색 파우더를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.283 이었다.

(광디스크)

<실시예 23>

(중합)

실시예 19 의 BCF 를 2,277부, BPM 대신에 2,2-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)프로판 (이하 "BPC" 라고 약칭하는 경우가 있음) 을 2313부 사용하여 포스겐 불어 넣기를 행하고, 다시 p-tert-부틸페놀 72부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가한 것 이외에는, 실시예 19 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPC 의 비가 몰비로 40:60 인 백색 파우더를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.279 이었다.

(광디스크)

<비교예 8>

실시예 19 에 있어서, 디히드록시 성분으로서 비스페놀 A (BPA) 만을 4,320부 사용한 것 이외에는 실시예 19 와 동일한 방법으로 무색의 폴리머 4750부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.289 이었다.

이 파우더에 실시예 19 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 19 와 동일하게 용융 혼련 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 19 와 동일하게 사출성형하여 디스크 기판을 얻었다.

(광디스크)

이 디스크 기판에 순서대로 반사막, 제 1 유전체층, 상변화 기록막, 제 2 유 전체층을 스퍼터 증착시켜, 그 위에 폴리카보네이트제 박막 커버층을 접착함으로써 목적하는 광디스크를 얻었다. 이 디스크 기판의 초기 기계 특성 및 ΔTilt 그리고 제진성을 평가하였다. 평가결과를 표 5 에 나타낸다.

<비교예 9>

롬 앤드 하스 재펜제의 폴리메틸메타크릴레이트 (VLD-100) 를 메이끼 제작소(주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 디스크 기판을 사출성형하였다. 이 디스크 기판에 순서대로 반사막, 제 1 유전체층, 상변화 기록막, 제 2 유전체층을 스퍼터 증착시켜, 그 위에 폴리카보네이트제 박막 커버층을 접착함으로써 목적하는 광디스크를 얻었다. 이 디스크 기판의 초기 기계 특성 및 ΔTilt 그리고 제진성을 평가하였다. 평가결과를 표 5 에 나타낸다.

표 5 에 나타낸 바와 같이 실시예 19∼23 에 나타낸 수지는 포화 흡수율을 0.3% 이하로 억제할 수 있고, ΔTilt 를 0.5 이하로 억제할 수 있게 되었다. 또 굽힘 탄성률 및 tanδ도 충분히 크기 때문에, 성형된 광디스크가 고속회전할 때에 일어나는 면 흔들림은 작게 억제할 수 있었다.

비교예 8 의 PC-A 는 강성 및 tanδ이 작기 때문에 광디스크가 고속회전할 때에 일어나는 면 흔들림이 크다. 또 포화 흡수율도 실시예와 비교하여 높기 때문에, ΔTilt 가 큰 것으로 되었다.

비교예 9 의 PMMA 는 포화 흡수율이 2.0% 이상으로 높기 때문에, ΔTilt 는 5.0 이상으로 매우 커져 실용상 적합하지 않은 것을 알 수 있었다.

<실시예 24∼31, 비교예 10∼13> 플라스틱 미러

각 물성의 측정은 하기의 방법으로 실행하였다.

(1) 비점도 : 폴리머 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해하여 20℃ 의 온도에서 측정하였다.

(2) 유리전이점 (Tg) : 티 에이 인스트루먼트 재팬(주) 사 제조의 2910형 DSC 에 의해 승온속도 10℃/분으로 측정하였다.

(3) 흡수율 : ISO62 에 따라 23℃, 24시간 침지 후의 흡수율을 측정하였다.

(4) 굽힘 탄성률 : 펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조시킨 후, 사출성형기 [스미토모 중기계 공업(주) 제조의 SG-150] 에 의해 실린더 온도 300℃ 에서 사출성형한 시험편을 사용하여, ISO178 에 따라 측정하였다.

(5) 변형량 : 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께 원반형의 기체를 사출성형하였다. 그 후, 편면에 알루미늄막을 증착한 것에 대해, 온도 30℃, 습도 90% RH 의 환경하 (A 환경) 에 포화 흡수율에 도달할 때까지 노출시킨 후, 온도 23℃, 습도 50% RH 환경하 (B 환경) 로 옮겼다. 이동 후, 환경 변화에 의해 발생되는 중심으로부터 58㎜ 부의 Tilt 변화를 재팬 이 엠(주) 제조의 3차원 형상 측정기 DLD-3000U 에 의해 경시적으로 측정하여, Tilt 변화가 최대에 도달한 값 및 정상에 도달한 값의 차를 ΔTilt 로 하였다.

(6) 금형잔사성 : 코자까 연구소 제조 서프코더 SE1100 을 사용하여, 성형한 기체의 표면 조도를 측정하였다.

<실시예 24>

(중합)

온도계 및 교반기가 부착된 반응기에 이온교환수 19,580부 및 48.5% 수산화 나트륨 수용액 3,850부를 넣고, 이것에 BCF 1175부 및 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 (이하 "BPA" 라고 약칭하는 경우가 있음) 2,835부, 및 하이드로술파이트 9부를 용해한 후, 염화메틸렌 13,210부를 첨가하여 격렬하게 교반하면서 15℃ 에서 포스겐 2,000부를 약 14분에 걸쳐 불어 넣어 반응시켰다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, 28℃ 로 올려 p-tert-부틸페놀 94부와 수산화나트륨 640부를 첨가하고, 유화시킨 후, 트리에틸아민 6부를 첨가하여 1시간 교반을 계속하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후 유기상을 분리하여, 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, BCF 와 PCA 의 비가 몰비로 20:80 인 무색 파우더 4,080부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.285, Tg 는 172℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에, 이 파우더 100부에 대해, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트를 0.003부, 트리메틸포스페이트를 0.005부, 및 스테아르산모노글리세리드를 0.045부 첨가하였다. 다음에 이와 같은 파우더를 벤트식 이축압출기 [고베제강(주) 제조의 KTX-46] 에 의해 실린더 온도 280℃ 에서 탈기하면서 용융 혼련하여, 펠릿화하였다. 그리고 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 원반형의 기체를 사출성형하였다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다.

또한 이 기체에 스미토모 중기계 공업(주) 제조의 EKC-1 Ion Plating 장치를 사용하여, 알루미늄을 막두께 50㎚ 이 되도록 증착하였다. 이 알루미늄을 증착 한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.9deg 이었다. 또 흡수율은 0.170 중량%, 굽힘 탄성률은 2,700㎫ 이었다.

<실시예 25>

(중합)

실시예 24 의 BCF 를 2,937부, BPA 를 1,772부, p-tert-부틸페놀 84부를 사용한 것 이외에는 실시예 24 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPA 의 비가 몰비로 50:50인 무색의 파우더 4,830부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.278, Tg 는 195℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 24 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실린더 온도 300℃ 로 한 것 이외에는 실시예 24 와 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 24 와 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다.

이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.9deg 이었다. 또 흡수율은 0.160 중량%, 굽힘 탄성률은 2,950㎫ 이었다.

<실시예 26>

(중합)

실시예 24 에 있어서, 추가로 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄 (이하 "THPE" 라고 약칭하는 경우가 있음) 24부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가하고, p-tert-부틸페놀 104부를 사용한 것 이외에는 실시예 24 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPA 와 THPE 의 비가 몰비로 20:80:0.5 인 무색의 파우더 4,050부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.285, Tg 는 173℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 24 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 24 와 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 24 와 동일하게 사출성형하여 기판을 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다.

이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.9deg 이었다. 또 흡수율은 0.160 중량%, 굽힘 탄성률은 2,720㎫ 이었다.

<실시예 27>

(중합)

실시예 24 의 BCF 를 4,112부, BPA 를 1,063부, p-tert-부틸페놀 84부를 사용한 것 이외에는 실시예 24 와 동일한 방법으로, BCF 와 BPA 의 비가 몰비로 70:30 인 무색의 파우더 5,300부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.261, Tg 는 210℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 24 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실린더 온도 320℃ 로 한 것 이외에는 실시예 24 와 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 24 와 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다.

이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.9deg 이었다. 또 흡수율은 0.150 중량%, 굽힘 탄성률은 3,200㎫ 이었다.

<비교예 10>

(중합)

실시예 24 에 있어서, 디히드록시 성분으로서 BPA 만을 3,543부, p-tert-부틸페놀 140부를 사용한 것 이외에는 실시예 24 와 동일한 방법으로 무색의 폴리머 3,670부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.290, Tg 는 142℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 24 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 24 와 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 24 와 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다. 이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 1.4deg 로 컸다. 또 흡수율은 0.21 중량% 로 높고, 굽힘 탄성률은 2,350㎫ 로 낮았다.

<비교예 11>

(중합)

실시예 24 에 있어서, 디히드록시 성분으로서 BPA 만을 3,542부, p-tert-부틸페놀 140부를 사용한 것 이외에는 실시예 24 와 동일한 방법으로 무색의 폴리머 3,650부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.289, Tg 는 142℃ 이었다.

이 파우더에 실시예 24 와 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 24 와 동 일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 또한 이 수지에 닛폰전기가라스(주) 제조의 섬유직경 13 미크론의 유리섬유 1,188부를 첨가하고, 탬블러로 균일하게 혼합 후, 벤트식 이축압출기 [고베제강(주) 제조의 KTX-46] 에 의해 240℃ 에서 탈기하면서 용융 혼합하여 펠릿을 얻었다. 그리고 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 원반형의 기체를 사출성형하였다. 또한 이 기체에 스미토모 중기계 공업(주) 제조의 EKC-1 Ion Plating 장치를 사용하여, 알루미늄을 막두께 50㎚ 가 되도록 증착하였다. 강성은 6,330㎫ 로 매우 개선되었지만, 유리섬유가 일부 기체 표면으로 돌출되어 있어, 미러로서는 사용불가능한 것이었다. 또한 흡수율은 0.13 중량%, 흡수에 의한 최대 변형량은 0.1deg 이었다.

이들의 실시예 및 비교예의 결과를 표 6 에 정리하여 나타내었다.

(폴리곤 미러)

또 상기 실시예 24∼27 및 비교예 10∼11 에서 얻어진 각각의 펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조 후, 사출성형기 (스미토모 중기계 공업 (주) 제조의 SG150U형) 를 사용하여, 실린더 온도 340℃, 금형온도 115℃ 의 조건에서, 중심으로부터의 각 미러면으로의 거리 25㎜, 각 미러부의 최소 판두께 5㎜, 미러부의 높이 15㎜ 육면경 타입의 폴리곤 미러 기체를 성형하였다. 이 폴리곤 미러의 금형 전사성의 평가결과를 표 6 에 나타낸다.

다음에 이 기체에 두께 80㎚ 이 되도록 Al 막을 증착하여 폴리곤 미러를 작성하였다. 비교예 11 에 대해서는 표면성이 나쁘기 때문에, 미러로서의 사용은 불가능하였다. 또 비교예 10 에 대해서는 굽힘 탄성률이 충분하지 않아, 회전에 의한 미러부의 변형이 크다. 실시예 24∼27 에 대해서는 표면성도 양호하고, 또 굽힘 탄성률이 높기 때문에 미러부의 변형도 작고, 실사용에 충분히 견딜 수 있는 것이었다.

<실시예 28>

(중합)

온도계, 교반기, 환류냉각기 및 포스겐 불어 넣기관을 구비한 반응기에 이온교환수 32,165부, 수산화나트륨 1,757부를 넣고, 9,9-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)플루오렌 (이하 "BCF" 라고 약칭하는 경우가 있음) 2,213부 및 4,4'-(m-페닐렌디이소프로필리덴)디페닐 (이하 "BPM" 이라 약칭하는 경우가 있음) 3,039부 및 하이드로술파이트 11부를 용해한 후, 염화메틸렌 10,950부를 첨가하여, 교반하 16∼18℃ 에서 포스겐 1,667부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐을 불어 넣은 후, p-tert-부틸페놀 92부와 수산화나트륨 293부를 첨가하고, 다시 트리에틸아민 4부를 첨가하여 30℃ 에서 1시간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 40:60 인 무색 파우더 5,554부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.285, Tg 는 144℃이었다.

(성형)

이 파우더에, 이 파우더 100부에 대해, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트를 0.003부, 트리메틸포스페이트를 0.005부, 및 스테아르산모노글리세리드를 0.045부 첨가하였다.

다음에 이와 같은 파우더를 벤트식 이축압출기 [고베제강(주) 제조의 KTX-46] 에 의해 실린더 온도 240℃ 에서 탈기하면서 용융 혼련하여, 펠릿화하였다. 그리고 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 원반형의 기체를 사출성형하였다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충 분히 평활하였다.

또한 이 기체에 스미토모 중기계 공업(주) 제조의 EKC-1 Ion Plating 장치를 사용하여, 알루미늄을 막두께 50㎚ 이 되도록 증착하였다. 이 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.4deg 이었다. 또, MVR 은 34g/10분, 흡수율은 0.083 중량%, 굽힘 탄성률은 3,260㎫ 이었다.

<실시예 29>

(중합)

실시예 28 의 BCF 를 2,596부, BPM 을 2,377부 사용한 것 이외에는 실시예 28 과 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 50:50인 무색의 파우더 5,224부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.269, Tg 는 155℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 28 과 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 28 과 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 28 과 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다. 이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.4deg 이었다. 또 MVR 은 26g/10분, 흡수율은 0.080 중량%, 굽힘 탄성률은 3,330㎫ 이었다.

<실시예 30>

(중합)

실시예 28 에 있어서, 추가로 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄 (이하 "THPE" 라고 약칭하는 경우가 있음) 21부를 포스겐을 불어 넣은 후에 첨가하고, p-tert-부틸페놀 113부를 사용한 것 이외에는 실시예 28 과 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 과 THPE 의 비가 몰비로 40:60:0.5 인 무색의 파우더 5,245부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.288, Tg 는 143℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 28 과 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 28 과 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 28 과 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다. 이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.4deg 이었다. 또 MVR 은 36g/10분, 흡수율은 0.083 중량%, 굽힘 탄성률은 3,280㎫ 이었다.

<실시예 31>

(중합)

실시예 28 의 BCF 를 3,598부, BPM 을 1,773부 사용한 것 이외에는 실시예 28 과 동일한 방법으로, BCF 와 BPM 의 비가 몰비로 65:35 인 무색의 파우더 5,460부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.264, Tg 는 175℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 28 과 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실린더 온도가 280℃ 인 것 이외에는 실시예 28 과 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 28 과 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체 의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다. 이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 0.5deg 이었다. 또 MVR 은 26g/10분, 흡수율은 0.080 중량%, 굽힘 탄성률은 3,330㎫ 이었다.

<비교예 12>

(중합)

실시예 28 에 있어서, 디히드록시 성분으로서 비스페놀 A 만을 4,320부 사용한 것 이외에는 실시예 28 과 동일한 방법으로 무색의 폴리머 4,750부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.289, Tg 는 142℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 28 과 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 28 과 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 그리고 이 펠릿을 실시예 28 과 동일하게 사출성형하여 기체를 얻었다. 이 기체의 표면은 플라스틱 미러용으로서 충분히 평활하였다. 이 기체에 알루미늄을 증착한 것의 흡수에 의한 최대 변형량은 1.4deg 로 컸다. 또 MVR 은 69g/10분, 흡수율은 0.21 중량% 로 높고, 굽힘 탄성률은 2,350㎫ 로 낮았다.

<비교예 13>

(중합)

실시예 28 에 있어서, 디히드록시 성분으로서 비스페놀 A 만을 4,320부 사용한 것 이외에는 실시예 28 과 동일한 방법으로 무색의 폴리머 4,750부를 얻었다. 이 파우더의 비점도는 0.286, Tg 는 142℃ 이었다.

(성형)

이 파우더에 실시예 28 과 동일한 첨가제를 동량 첨가하고, 실시예 28 과 동일하게 용융혼련하여 펠릿화하였다. 추가로 이 수지에 닛폰전기유리(주) 제조의 섬유직경 13 미크론의 유리섬유 1,188부를 첨가하고, 탬블러로 균일하게 혼합 후, 벤트식 이축압출기 [고베제강(주) 제조의 KTX-46] 에 의해 240℃ 에서 탈기하면서 용융 혼합하여 펠릿을 얻었다. 그리고 메이끼 제작소 (주) 제조의 M35B-D-DM 을 사용하여 120㎜Φ, 1.2㎜ 두께의 원반형의 기체를 사출성형하였다.

또한 이 기체에 스미토모 중기계 공업(주) 제조의 EKC-1 Ion Plating 장치를 사용하여, 알루미늄을 막두께 50㎚ 가 되도록 증착하였다. 강성은 6,330㎫ 로 매우 개선되었지만, 유리섬유가 일부 기체 표면으로 돌출되어 있어, 미러로서는 사용불가능한 것이었다. 또한 MVR 은 64g/10분, 흡수율은 0.13 중량%, 흡수에 의한 최대 변형량은 0.1deg 이었다.

이들의 실시예 및 비교예의 결과를 표 7 에 정리하여 나타내었다.

(폴리곤 미러)

또 상기 실시예 28∼31 및 비교예 12∼13 에서 얻어진 각각의 펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조 후, 사출성형기 (스미토모 중기계 공업 (주) 제조의 SG150U형) 를 사용하여, 실린더 온도 300℃, 금형온도 100℃ 의 조건에서, 중심으로부터의 각 미러면으로의 거리 25㎜, 각 미러부의 최소 판두께 5㎜, 미러부의 높이 15㎜ 육면경 타입의 폴리곤 미러 기체를 성형하였다. 이 폴리곤 미러의 금형 전사성의 평가결과를 표 7 에 나타낸다.

다음에 이 기체에 두께 80㎚ 이 되도록 Al 막을 증착하여 폴리곤 미러를 작성하였다. 비교예 12 에 대해서는 표면성이 나쁘기 때문에, 미러로서의 사용은 불가능하였다. 또 비교예 12 에 대해서는 굽힘 탄성률이 충분하지 않아, 회전에 의한 미러부의 변형이 크다. 실시예 28∼31 에 대해서는 표면성도 양호하고, 또 굽힘 탄성률이 높기 때문에 미러부의 변형도 작고, 실제사용에 충분히 견딜 수 있는 것이었다.

<실시예 32∼36, 비교예 14 및 15> 도전성 수지 조성물

각 물성의 평가는 하기의 방법에 의해 실시하였다.

(1) 비점도

(2) 유리전이점 (Tg)

(3) 내열성

ASTM D648 에 준거하여 하중 18.5㎏ 으로 하중 변형 온도를 측정하였다.

(도전성)

ASTM D257 에 준거하여 표면 고유 저항값을 측정하였다.

(5) 흡수율

ASTM D-0570 에 준거하여 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율을 측정하였다.

(6) 자극성

하기 수법에 의해 측정용의 성형편을 성형할 때에, 자극성을 느끼거나 또는 피부에 염증이 생기는 것에 대해 "×", 자극성이 없거나 또는 피부병이 생기지 않는 것에 대해 "○" 로 하였다.

(7) 히트 사이클 테스트

사출성형에 의해 적성한 크기 153㎜×142㎜×165㎜, 홈 피치 4.76㎜, 수납 수 25 장의 5 인치 디스크용 반송 트레이를 150℃ 에서 20 시간, 23℃ 에서 4시간 을 1 사이클로 하여 10 사이클을 행하여 성형품의 변형 유무를 관찰하였다.

(중합)

PC1

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 21,538부, 48% 수산화나트륨 수용액 4,229부를 넣고, 비스페놀A 1949부, 비스크레졸플루오렌 3,231부 및 하이드로술파이트 10.9부를 용해한 후, 염화메틸렌 14,530부를 첨가한 후, 교반하면서 16∼20℃ 에서 포스겐 2,200부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 115.4부와 48% 수산화나트륨 수용액 705부를 첨가하고, 추가로 트리에틸아민 2.6부를 첨가하여 20∼27℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀 A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 50:50 의 비점도가 0.272, Tg 가 197℃ 인 황백색의 폴리머 5,520부를 얻었다 (수율 96%).

이 폴리카보네이트 공중합체에 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하고, 압출기로 실린더 온도 300℃ 에서 압출하여 폴리카보네이트 공중합체 펠릿 (PC1) 을 얻었다.

PC2

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 19,580부, 48% 수산화나트륨 수용액 3,845부를 넣고, 비스페놀 A 2,835부, 비스크레졸플루오렌 1,175부 및 하이드로술파이트 8.4부를 용해한 후, 염화메틸렌 13,209부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼20℃ 에서 포스겐 2,000부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 93.2부와 48% 수산화나트륨 수용액 641부를 첨가하고, 추가로 트리에틸아민 2.0부를 첨가하여 20∼27℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀 A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 80:20 의 비점도가 0.374, Tg 가 173℃ 인 황백색의 폴리머 4,230부를 얻었다 (수율 94%).

이 폴리카보네이트 공중합체에 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하고, 압출기로 실린더 온도 280℃ 에서 압출하여 폴리카보네이트 공중합체 펠릿 (PC2) 을 얻었다.

C-PC1

온도계, 교반기, 환류냉각기가 부착된 반응기에 이온교환수 20,980부, 수산화칼륨 1,523부를 넣고, 비스페놀A 886부, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 (이하, "비스페놀플루오렌") 1,360부 및 하이드로술파이트 4.7부를 용해한 후, 염화메 틸렌 13,210부를 첨가한 후, 교반하면서 18∼20℃ 에서 포스겐 1,000부를 60분에 걸쳐 불어 넣었다. 포스겐 불어 넣기 종료 후, p-tert-부틸페놀 52.4부와 수산화칼륨 218부를 첨가하고, 추가로 트리에틸아민 2.7부를 첨가하여 20∼27℃ 에서 40분간 교반하여 반응을 종료하였다.

반응종료 후, 생성물을 염화메틸렌으로 희석하여 수세한 후 염화산성으로 하여 수세하고, 수상의 도전율이 이온교환수와 대략 동일하게 된 시점에서, 니더로 염화메틸렌을 증발시켜, 비스페놀 A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 50:50 의 비점도가 0.272, Tg 가 205℃ 인 황백색의 폴리머 2,250부를 얻었다 (수율 90%).

이 폴리카보네이트 공중합체에 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트 0.050%, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트를 0.010%, 펜타에리스리톨테트라스테아레이트를 0.030% 첨가하고, 압출기로 실린더 온도 300℃ 에서 압출하여 폴리카보네이트 공중합체 펠릿 (C-PC1) 을 얻었다.

C-PC2

상기 PC1 제조시, 비스페놀 A 3,907부, 비스크레졸플루오렌 59부를 사용한 것 이외에는 PC1 제조시와 동일하게 하여 비스페놀 A 와 비스크레졸플루오렌의 비가 몰비로 99:1 의 비점도가 0.390, Tg 가 148℃ 인 황백색의 폴리머 3,870부를 얻었다 (수율 95%). 이것을 PC1 제조시와 동일하게 하여 방향족 폴리카보네이트 수지 펠릿 (C-PC2) 을 얻었다.

(탄소계 충전재)

탄소섬유 : 베스파이트HTA-C6-U ; 토호레이욘(주) 제조, PAN계, 에폭시 수속처리, 섬유직경 7 미크론

카본블랙 : 케첸블랙 EC600JD ; 라이온(주) 제조 ("CB" 라고 함)

<실시예 32∼36, 비교예 14 및 15>

(성형)

상기에서 얻어진 PC1 및 PC2, C-PC1 또는 C-PC2, 그리고 표 8 및 표 9 에 기재된 각 성분을 탬블러를 사용하여 균일하게 혼합한 후, 30㎜Φ벤트 부착 이축압출기 (고베제강(주) 제조의 KTX-30) 에 의해 실린더 온도 300℃, 10 mmHg 의 진공도로 탈기하면서 펠릿화하고, 얻어진 펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조시킨 후, 사출성형기 (스미토모 중기계 공업(주) 제조의 SG150U형) 를 사용하여, 실린더 온도 330℃, 금형온도 100℃ 의 조건에서 측정용의 성형편을 작성하였다. 각 평가결과를 표 8 및 표 9 에 나타낸다.

(반송 트레이)

또 동일하게 하여 작성한 펠릿을 120℃ 에서 5시간 건조 후, 실린더 온도 350℃, 금형온도 100℃ 의 조건에서 크기 153㎜×142㎜×165㎜, 홈 피치 4.76㎜, 수납 수 25 장의 5 인치 디스크용 반송 트레이를 사출성형하였다. 히트 사이클 테스트의 결과를 표 8 및 표 9 에 나타낸다.

각각의 비교에서 명확한 바와 같이 본 발명의 폴리카보네이트 공중합체와 탄소섬유로 이루어지는 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물은, 비교예의 방향족 폴리카보네이트 수지를 사용한 것에 비교하여 내열성ㆍ도전성이 우수하고, 자극성도 없 는 것을 알 수 있다.

본 발명 의하면 내열성, 치수안정성이 우수하고, 피부에 대한 자극성이 없으며, 또한 흡수율이 낮은 폴리카보네이트 공중합체가 제공된다. 또 본 발명에 의하면, 이러한 공중합체로 이루어지고, 각종 용도에 적합한 내열부품이 제공된다.

본 발명의 리플로우 납땜 부품은, 투명성, 내열성이 우수하고, 피크 온도가 250℃ 가 되는 리플로우 로에서 처리한 후도, 변형을 일으키지 않는다. 따라서 카메라가 부착된 휴대전화의 카메라 렌즈 등의 리플로우 납땜에 의해 기판에 장착되는 부품으로서 사용할 수 있다.

본 발명의 광로변환부품은, 내열성 및 열안정성이 양호하며, 복굴절이 매우 작고, 또한 투명성이 우수하다. 따라서 픽업 렌즈, 카메라 렌즈, 마이크로어레이 렌즈, 프로젝터 렌즈 또는 프리즘으로서 사용하기에 적합하다.

본 발명의 광디스크는,강성, 제진성, 내열성, 흡수성이 우수하고, 고밀도의 기록용량을 갖는 기로매체로서 사용하기에 적합하다.

본 발명의 플라스틱 미러는, 고강성이고, 치수안정성, 성형시의 금형전사성이 우수하다. 따라서 폴리곤 미러, 프로젝터 미러 등으로서 사용하기에 적합하다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은 내열성이 양호하고, 도전성이 우수하며, 피부에 대한 자극성이 없고, 또한 흡수율이 낮은 이점을 갖는다. 따라서 반도체, 광학정보기록매체, 하드디스크 등의 전자부품의 반송 트레이에 바람직하다.

본 발명의 폴리카보네이트 공중합체는, 내열성, 투명성, 치수안정성이 요구되는 광학부품, 예컨대 렌즈, 프리즘, 광디스크, 플라스틱 미러에 적용할 수 있다. 또 전자부품의 반송 트레이 등의 전자부품의 제조공정에서도 이용할 수 있다.

Claims

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폴리카보네이트 공중합체로 이루어지는 리플로우 납땜 부품으로, 이 폴리카 보네이트 공중합체는, 60∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 40∼5 몰% 의 하기 일반식 (II-1)

[화학식 II-1]

로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 리플로우 납땜 부품.
제 3 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 70∼85 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 및 30∼15 몰% 의 일반식 (II-1) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 리플로우 납땜 부품.
제 3 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 그 0.7g 을 100㎖ 염화메 틸렌에 용해하고, 20℃ 에서 측정한 비점도가 0.17∼0.55인 리플로우 납땜 부품.
제 3 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 승온속도 20℃/min 으로 측정한 유리전이온도 (Tg) 가 200℃∼250℃ 인 리플로우 납땜 부품.
제 3 항에 있어서, 리플로우 납땜 부품이 렌즈, 렌즈바렐 또는 프리즘인 부품.
폴리카보네이트 공중합체로 이루어지는, 광로변환부품으로서, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 50∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 50∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

(식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 광로변환부품.
제 8 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 65∼75 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복단위 및 35∼25 몰%의 일반식 (II) 로 표시되는 반복 단위로 이루어지는 광로변환부품.
제 8 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 50∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 50∼5 몰% 의 하기 일반식 (II-1), (II-2), 또는 (II-1) 및 (II-2)

[화학식 II-1]

[화학식 II-2]

로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 광로변환부품.
제 8 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체가, 성형판으로 했을 때의 550㎚ 에서의 투과율이 80% 이상이고, 또한 550㎚ 에서의 리타데이션을 Re₅₅₀(㎚), 투과율 및 리타데이션의 측정 부위의 두께를 d(㎜) 로 했을 때,

Re₅₅₀/d≤10(㎚)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 광로변환부품.
제 8 항에 있어서, 광로변환부품이 픽업 렌즈, 카메라렌즈, 마이크로어레이 렌즈, 프로젝터 렌즈 또는 프리즘인 광로변환부품.
엠보스 피트 또는 안내홈이 형성된 0.3∼1.2㎜ 두께의 기판과, 이 기판 상에 형성된 반사층과, 그 위에 형성된 두께 3∼200㎛ 의 투명보호층을 구비하고, 이 투명보호층측으로부터 광빔을 조사하여 그 반사광의 광강도변화에 의거하여 기록정보를 재생하는 광디스크로서,

이 기판은 실질적으로 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 80∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

( 식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 기판은,

(A) 굽힘 탄성률이 2,800㎫∼4,000㎫,

(B) 포화에 도달했을 때의 흡수율이 0.3 중량% 이하,

(C) ISO 6721-4 에 준하여 40℃, 18㎐ 로 측정한 tanδ가 0.020 이상, 및

(D) ISO75-1, -2 에 따라 하중 1.81㎫ 로 측정한 하중 변형 온도가 110℃ 이상,

을 만족하는 것을 특징으로 하는, 상기 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 25∼70 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 75∼30 몰% 의 일반식 (II) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는, 20∼95 몰% 의 일반식 (I)

[화학식 I]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 80∼5 몰% 의 하기 일반식 (II-2), (II-3), 또는 (II-2) 및 (II-3)

[화학식 II-2]

[화학식 II-3]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 반사층과 이 투명보호층 사이에 기록막을 갖는 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 엠보스 피트 또는 이 안내 홈이 기판의 양면에 형성되고, 이 반사층 및 이 투명보호층도 함께 양면에 형성되어 있는 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 기록막 혹은 이 반사층이 복수 적층되는, 다층구조인 것을 특징으로 하는 광디스크.
제 13 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 그 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해한 용액의 20℃ 에서 측정된 비점도가 0.1∼0.5 인 광디스크.
제 13 항에 있어서, 투명보호층이 기판을 구성하는 폴리카보네이트 공중합체와 동일한 폴리카보네이트 공중합체로 구성되어 있는 광디스크.
폴리카보네이트 기판 및 금속 반사막으로 이루어지는 플라스틱 미러로서, 이 폴리카보네이트 기판은 폴리카보네이트 공중합체로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 80∼30 몰% 의 하기 일반식 (II-1), (II-2), 또는 (II-1) 및 (II-2)

[화학식 II-1]

[화학식 II-2]

로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고, 이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 120℃∼230℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.2 중량% 이하, 그리고

(C) 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼4,000㎫,

를 만족하는 것을 특징으로 하는, 상기 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 성분 a : 성분 b 의 몰비가 30:70∼60:40 인 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 80∼30 몰% 의 일반식 (II-1) 로 표시되 는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고,

이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 160℃∼230℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.2 중량% 이하, 그리고

(C) 굽힘 탄성률이 2,500㎫∼3,500㎫,

를 만족하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 20∼70 몰% 의 일반식 (I) 로 표시되는 반복 단위 (성분 a), 및 80∼30 몰% 의 일반식 (II-2) 로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지고,

이 폴리카보네이트 기판은,

(A) 유리전이온도가 120℃∼180℃,

(B) 23℃, 24 시간 물에 침지한 후의 흡수율이 0.1 중량% 이하, 그리고

(C) 굽힘 탄성률이 2,800㎫∼4,000㎫,

를 만족하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 그 0.7g 을 100㎖ 의 염화메틸렌에 용해한 용액의 20℃ 에서 측정된 비점도가 0.1∼0.5 인 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체는, MVR 측정에 있어서, 300 ℃, 1.2kgf 이고, 10분간에 유출된 폴리머량이 5㎤ 이상인 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 플라스틱 미러의 형상이 구면, 비구면, 평면 또는 다면체인 플라스틱 미러.
제 21 항에 있어서, 플라스틱 미러가 플리곤 미러 또는 프로젝터 미러인 플라스틱 미러.
폴리카보네이트 공중합체 및 탄소계 충전재로 이루어지는 도전성 수지 조성물로서, 이 폴리카보네이트 공중합체는 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 95∼5 몰% 의 하기 일반식 (II)

[화학식 II]

(식 중, R^a∼R^d 은 각각 독립하여 수소원자, 탄소원자수 1∼9 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기 또는 할로겐 원자이고, W 는 단결합, 탄소원자수 1∼20 의 방향족기를 함유할 수도 있는 탄화수소기, O, S, SO, SO₂, CO 또는 COO 기임)

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 상기 도전성 수지 조성물.
제 29 항에 있어서, 40∼99 중량% 의 이 폴리카보네이트 공중합체 및 60∼1 중량% 의 이 탄소계 충전재로 이루어지는 도전성 수지 조성물.
제 29 항에 있어서, 이 폴리카보네이트 공중합체가 5∼95 몰% 의 하기 일반식 (I)

[화학식 I]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 a) 및 95∼5 몰% 의 하기 일반식 (II-1)

[화학식 II-1]

으로 표시되는 반복 단위 (성분 b) 로 이루어지는, 도전성 수지 조성물.
제 29 항에 기재된 도전성 수지 조성물로 이루어지는 전자부품의 반송 트레이.
제 32 항에 있어서, 전자부품이 반도체, 광학정보기록매체 또는 하드 디스크인 반송 트레이.
제 16 항에 있어서, 이 엠보스 피트 또는 이 안내 홈이 기판의 양면에 형성되고, 이 반사층, 이 기록막 및 이 투명보호층도 함께 양면에 형성되어 있는 광디스크.