JP2002117580A

JP2002117580A - 光ディスク基板および光ディスク

Info

Publication number: JP2002117580A
Application number: JP2000303448A
Authority: JP
Inventors: Manabu Matsui; 学松井
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 2000-10-03
Filing date: 2000-10-03
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】耐吸水性、曲げ弾性率、流動性、耐熱性に優
れ、光弾性定数が小さい特定のポリカーボネート樹脂に
より形成される反りおよび面振れの小さい光ディスク基
板を提供する。【解決手段】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート
樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂
は、（Ａ）そのガラス転移温度が１２０℃〜１８０℃で
あり、（Ｂ）２３℃、２４時間水浸漬後の吸水率が０．
１重量％以下であり、および（Ｃ）曲げ弾性率が２８０
０ＭＰａ〜４０００ＭＰａであることを満足する樹脂に
より形成されていることを特徴とする光ディスク基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板お
よびこれからなる光ディスクに関する。更に詳しくは、
耐吸水性、曲げ弾性率、流動性、耐熱性に優れ、光弾性
定数が小さい特定の芳香族ポリカーボネート樹脂より形
成された反りが少なく、面振れの小さい光ディスク基板
および光ディスクに関する。特に本発明は、記憶容量が
極めて多い高密度の光ディスクに適した光ディスク基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）に
カーボネート前駆物質を反応させて得られるポリカーボ
ネート樹脂は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性
が優れているがゆえにエンジニアリングプラスチックと
して多くの分野に広く使用されている。更に近年その透
明性を生かして光ディスク、光ファイバー、レンズ等の
分野への光学用材料としての利用が展開されており、特
に光ディスクの分野で情報記録媒体用基板の素材として
広く使用されている。

【０００３】しかしながら、記録情報の大容量化に伴
い、光ディスクを記録再生する際の光ディスクの回転速
度は増大する傾向にあり、ディスク基板の剛性すなわち
曲げ弾性率が低いと高速回転時のディスクの面振れが大
きくなり、この事が高密度の情報記録媒体にとっては大
きな問題になってくる。

【０００４】また、光ディスクの吸水による寸法安定性
に関する要求はますます厳しくなってきており、特に吸
水により生じる光ディスクの反りによってエラーが起こ
り易く、この改善もあわせて求められている。

【０００５】また、ビスフェノールＡから得られるポリ
カーボネート樹脂は、ベンゼン環の光学異方性から光弾
性定数が大きく、成形品の複屈折が大きい欠点があり、
この改善も当然あわせて求められている。

【０００６】そこで、ポリカーボネート樹脂の構造を変
化させ光弾性定数を小さくして、光ディスクの複屈折を
小さくするという提案が多数開示されており、その中で
例えば、特開平２−３０４７４１号公報にはビス（ヒド
ロキシフェニル）フルオレン化合物から得られるポリカ
ーボネート共重合体を基材とした光ディスクが開示さ
れ、このものはビスフェノールＡより得られるポリカー
ボネート樹脂より複屈折が小さくなることが具体的に示
されている。また、特開平８−３４８４５号公報および
特開平８−３４８４６号公報にビス（ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン化合物から得られるポリカーボネート共
重合体は光ディスクとして優れたものであることが示さ
れている。しかしながら、いずれも具体的に示されてい
る共重合体は、記録密度の高い光ディスク基板用材料と
して良好な特性を有するものの、近年のより高密度の記
憶容量を要する光ディスク基板用材料としては、必ずし
も十分とはいえず、より吸水率の低い、より剛性が高
く、より光弾性定数の小さい光ディスク基板用材料が求
められている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐吸
水性、曲げ弾性率、流動性、耐熱性に優れ、光弾性定数
が小さい特定のポリカーボネート樹脂により形成される
反りおよび面振れの小さい光ディスク基板を提供する事
にある。

【０００８】本発明者は、上記目的を達成せんとして、
鋭意研究を重ねた結果、９，９−ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）フルオレンを必須成分として使
用するポリカーボネート樹脂を選択し、特定のガラス転
移温度で、吸水率が低い特性とし、さらに特定の曲げ弾
性率とすることによって、反りが少なく、高剛性で面振
れの小さい光ディスク基板が得られることを見出し、本
発明に到達した。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％
が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート樹脂より
実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）
そのガラス転移温度が１２０℃〜１８０℃であり、
（Ｂ）２３℃、２４時間水浸漬後の吸水率が０．１重量
％以下であり、および（Ｃ）曲げ弾性率が２８００ＭＰ
ａ〜４０００ＭＰａであることを満足する樹脂により形
成されていることを特徴とする光ディスク基板が提供さ
れる。

【００１０】以下本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
について説明する。本発明の光ディスク基板の素材とし
て使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、９，９−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ン（以下、ビスクレゾールＦと略称することがある）が
全芳香族ジヒドロキシ成分当り、少なくとも２０モル％
の割合で構成されたポリカーボネート樹脂である。

【００１１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記ビスクレゾールＦを全芳香族ジヒドロキシ成分の少
なくとも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モル％
使用している。このビスクレゾールＦの割合が２０モル
％未満の場合、得られた光ディスク基板または光ディス
クは、透明性、耐熱性、機械的物性、斜め入射複屈折、
吸水率、剛性、転写性あるいは反りのいずれかの性質が
不満足となり、これら特性を全て満足する光ディスク基
板または光ディスクは得られない。ビスクレゾールＦ
は、１００モル％でもよいが流動性が悪くなる傾向にな
るので、ビスクレゾールＦの割合がこのように高い場合
には、後述するように特定の末端基改質剤で末端を変性
することが望ましい。

【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
芳香族ジヒドロキシ成分として前記ビスクレゾールＦを
一定割合使用することが必要であり、流動性、剛性、耐
吸水性等を所望の特性とするために、前記ビスクレゾー
ルＦに対して特定のジヒドロキシ成分を組合わせて共重
合ポリカーボネート樹脂とすることがその手段として採
用される。

【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
それを構成する全芳香族ジヒドロキシ成分中のビスクレ
ゾールＦの割合が２５〜７０モル％の範囲であるのが好
ましく、３０〜６０モル％の範囲であるのが特に好まし
い。

【００１４】本発明者の研究によれば、前記ビスクレゾ
ールＦに対して、或る特定のジヒドロキシ成分を組合わ
せて得られた共重合ポリカーボネート樹脂は、光ディス
ク基板として特に適していることが見出された。すなわ
ち、共重合ポリカーボネート樹脂は、（ａ）ビスクレゾ
ールＦ（これを成分ａという）および（ｂ）４,４’−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール
（以下“ビスフェノールＭ”と略称することがある）お
よび／または２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（以下“ビスフェノールＣ”と略
称することがある）［これらを成分ｂという］を全芳香
族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ
成分ａと成分ｂとの割合がモル比で、２０：８０〜７
０：３０であるポリカーボネート樹脂は光ディスク基板
として特に好ましい。これらのビスフェノールはその合
成時に副生する不純物を極力除去した９９．０％以上の
高純度のものが好ましい。

【００１５】前記共重合ポリカーボネート樹脂の好まし
い態様の１つは、成分ａがビスクレゾールＦであり、且
つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、その
場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、２０：８０〜７
０：３０の範囲、特に３０：７０〜６０：４０の範囲で
あるのが一層好ましい。

【００１６】また好ましい他の態様は、成分ａがビスク
レゾールＦであり、且つ成分ｂがビスフェノールＣの組
合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比
で、２０：８０〜７０：３０の範囲、特に３０：７０〜
６０：４０の範囲であるのがより好ましい。これら好ま
しい態様において、成分ａと成分ｂの合計は、全芳香族
ジヒドロキシ成分中、少なくとも８０モル％、好ましく
は少なくとも９０モル％であるのが有利であり、典型的
には、成分ａおよび成分ｂによって実質的に形成された
共重合ポリカーボネート樹脂であるのが望ましい。

【００１７】前記好ましい態様において、ビスクレゾー
ルＦの割合が２０モル％より少なくなると、樹脂のガラ
ス転移温度が低下する傾向になるので好ましくない。

【００１８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂にお
いて、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分
の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モ
ル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（成分Ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％
以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差
支えない。

【００１９】かかる成分Ｃとしては、通常芳香族ポリカ
ーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、
成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハ
イドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノー
ル、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペン
タン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンが挙げられ
る。

【００２０】また、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂は、三官能以上のフェノール性化合物（成分ｄ）を共
重合した分岐ポリカーボネート樹脂であってもよい。

【００２１】かかる三官能以上のフェノール性化合物と
しては、例えばフロログルシン、フロログルシド、４，
６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプテン−２、４，６−ジメチル−２，４，６
−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，
３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシル）プロパン、２，６−ビス（２−
ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノ
ール、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−イソプロピ
ルベンジル）−４−イソプロピルフェノール、ビス（２
−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベン
ジル）−５−メチルフェニル）メタン、テトラキス（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）フェニルメタン、トリスフェノール、２，
２−ビス（２，４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビ
ス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ケトン、１，４−
ビス（４，４−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベン
ゼン等が挙げられ、なかでも１，１，１−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）エタンが好ましい。これらは単独
で用いても、二種以上併用してもよい。かかる三官能以
上のフェノール性化合物は、全芳香族ジヒドロキシ成分
に対して、好ましくは０．０１〜５モル％、より好まし
くは０．１〜３モル％使用され、得られる分岐ポリカー
ボネート樹脂は、光学的特性や剛性に優れ、光ディスク
基板として好適となる。

【００２２】本発明の光ディスク基板として用いられる
芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例え
ば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステル
等のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造
される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を
簡単に説明する。

【００２３】カーボネート前駆物質として例えばホスゲ
ンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在
下に反応を行う。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物または
ピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒としては
例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭
化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三
級アミンまたは第四級アンモニウム塩等の触媒を用いる
こともできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であ
り、反応時間は数分〜５時間である。

【００２４】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら撹拌して、生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生
成するアルコールまたはフェノール類の沸点等により異
なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応はそ
の初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させながら反応を完結させる。また反応を
促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒
を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用
される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカー
ボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニ
ル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。こ
れらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２５】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の
水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、四級アンモニウム塩
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、
亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲル
マニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、ア
ンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物
類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応やエ
ステル交換反応に使用される触媒を使用することができ
る。触媒は一種だけ用いても、二種以上を組合わせて用
いてもよい。これら触媒の使用量は原料の二価フェノー
ル１モルに対して好ましくは１×１０ ^-9〜１×１０^-3当
量、より好ましくは１×１０^-8〜１×１０^-4当量の範囲
で選ばれる。

【００２６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、ビスク
レゾールＦあるいはビスクレゾールＦと他の芳香族ジヒ
ドロキシ成分との混合物を使用し、それ自体公知のポリ
カーボネート形成の反応に従って製造することができ
る。

【００２７】その重合反応において、末端停止剤として
通常使用される単官能フェノール類を使用することがで
きる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤とし
て分子量調節のために一般的に使用され、また得られた
芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノー
ル類に基づく基によって封鎖されているので、そうでな
いものと比べて熱安定性に優れている。

【００２８】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノールあるいは低級ア
ルキル置換フェノールであって、下記一般式で表される
単官能フェノール類を示すことができる。

【００２９】

【化１】

【００３０】［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直
鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキル基
であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数であ
る。］

【００３１】前記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。

【００３２】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、殊に光学ディスク基板としての物性、特に樹脂の吸
水率を低くする効果があり、また、基板の複屈折が低減
される効果もあり好ましく使用される。なかでも、下記
式（２）および（３）で表される長鎖のアルキル基を置
換基として有するフェノール類が好ましく使用される。

【００３３】

【化２】

【００３４】

【化３】

【００３５】［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ
−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合ま
たは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族
炭化水素基を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］

【００３６】かかる式（２）の置換フェノール類として
はｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、
その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシル
フェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフ
ェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノ
ール、ドコシルフェノール及びトリアコンチルフェノー
ル等を挙げることができる。

【００３７】また、式（３）の置換フェノール類として
はＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合
物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のも
のが好適であって、その具体例としては例えばヒドロキ
シ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒド
ロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキ
サデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ
安息香酸ドコシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチ
ルが挙げられる。

【００３８】これらの末端停止剤は、得られたポリカー
ボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ま
しくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ま
しく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合し
て使用してもよい。

【００３９】芳香族ポリカーボネート樹脂はその樹脂の
０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃
で測定した比粘度が０.１〜０.５の範囲のものが好まし
く、０.１５〜０.４の範囲のものがより好ましい。かか
る範囲の比粘度を有する芳香族ポリカーボネート樹脂
は、溶融流動性が良好で成形性に優れ、光学的に良好な
強度も十分な成形品が得られ好ましい。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
そのガラス転移温度が１２０〜１８０℃、好ましくは１
２５〜１６５℃、より好ましくは１３０〜１６０℃であ
る。ガラス転移温度が１２０℃より低くなると、光ディ
スク基板としての耐熱性が不足し好ましくなく、１８０
℃より高くなると、溶融流動性が悪く成形不良を生じ、
光学的に良好な成形品が得られなくなり好ましくない。
また、芳香族ポリカーボネート樹脂の流動性はＭＦＲの
値で３０ｇ／１０分以上が好ましく、４０ｇ／１０分以
上がより好ましく、５０ｇ／１０分以上がさらに好まし
い。

【００４１】本発明のポリカーボネート樹脂は、ＡＳＴ
ＭＤ−０５７０によって、２３℃、２４時間水に浸漬
した後に測定した吸水率が０.１重量％以下、好ましく
は０.０９重量％以下であることが必要である。吸水率
が０.１重量％を超えると、光ディスク基板表面上に金
属膜を形成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ
易くなり、トラッキングエラーを起こし易くなるので好
ましくない。特に好ましい吸水率は０.０８５重量％以
下である。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
ＡＳＴＭＤ−０７９０に従って測定した曲げ弾性率
が、２８００ＭＰａ〜４０００ＭＰａであり、より好ま
しくは２９００ＭＰａ〜３９００ＭＰａ、さらに好まし
くは３１００ＭＰａ〜３９００ＭＰａである。曲げ弾性
率が２８００ＭＰａより小さいと、成形された光ディス
クが高速回転する際に起こる面振れが大きくなり、高密
度の記憶容量を要する光ディスクとして好ましくない。
また、曲げ弾性率が４０００ＭＰａより大きいと、成形
された光ディスクが脆くなり、成形が困難である。

【００４３】また、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂は、その光弾性定数の値が、好ましくは４５×１０
^-12ｍ²／Ｎ以下、より好ましくは４３×１０^-12ｍ²／Ｎ
以下であることが望ましい。かかる範囲内の光弾性定数
の値を有すると、複屈折が小さくなり、殊に高密度の光
ディスクにおいて有利に利用される。

【００４４】本発明の光ディスク基板は、前記芳香族ポ
リカ−ボネ−ト樹脂を、例えば射出成形法、圧縮成形
法、押出成形法等任意の方法で成形することにより得る
ことができるが、本発明の光ディスク基板は、射出成形
法により得られたものが好適である。

【００４５】本発明の光ディスク基板は、一般的にはポ
リカーボネート樹脂を樹脂温度３３０〜３８０℃、金型
温度６０〜１３０℃にて射出成形して得られ、またはそ
れらを貼りあわせて得られる。

【００４６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、必要に応じて燐系熱安定剤を加えることができる。
燐系熱安定剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸エス
テルが好ましく使用される。亜燐酸エステルとしては、
例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニ
ルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、
トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファ
イト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチル
モノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニ
ルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、
モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフ
ェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホ
スファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノ
ニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、
ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスファイト、テトラキス（２,４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレ
ンホスホナイト等の亜燐酸のトリエステル、ジエステ
ル、モノエステルが挙げられる。これらのうち、トリス
ノニルフェニルホスファイト、ジステアリルペンタエリ
スリトールジホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトが好ましい。

【００４７】一方、熱安定剤として使用される燐酸エス
テルとしては、例えばトリブチルホスフェート、トリメ
チルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフ
ェニルホスフェート、トリクロルフェニルホスフェー
ト、トリエチルホスフェート、ジフェニルクレジルホス
フェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェー
ト、トリブトキシエチルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェート等が挙げられ、なかでもトリフェニルホスフェ
ート、トリメチルホスフェートが好ましい。

【００４８】前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよ
く、また二種以上を組合せて使用してもよい。燐系熱安
定剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂に基づいて０.０
００１〜０.０５重量％の範囲で使用するのが適当であ
る。

【００４９】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加す
ることができる。その例としてはフェノール系酸化防止
剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレング
リコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナ
マイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメ
チル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチ
ル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウ
ンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい
添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、
０.０００１〜０.０５重量％である。

【００５０】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂には、必要に応じて多価アルコールの高級脂肪酸エス
テルを加えることもできる。この高級脂肪酸エステルを
加えることによって、芳香族ポリカーボネート樹脂の熱
安定性が向上し、成形時の樹脂の流動性が良くなり、さ
らに成形後の金型からの基板の離型性が改良されて離型
不良によるディスク基板の変形が防止できる。かかる高
級脂肪酸エステルとしては、炭素数２〜５の多価アルコ
ールと炭素数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステ
ル、または全エステルであるのが好ましい。この多価ア
ルコールとしては、グリコール類、グリセロールまたは
ペンタエリスリトールが挙げられる。

【００５１】前記高級脂肪族酸エステルは、芳香族ポリ
カーボネート樹脂に対して、０.００５〜２重量％の範
囲、好ましくは０.０２〜０.１重量％の範囲で添加され
るのが適当である。かかる範囲の添加量であると、上記
効果が得られ、また金型表面の汚れの原因となり難く好
ましい。

【００５２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添
加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。
また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂を本発
明の目的を損なわない範囲で少割合添加することもでき
る。また、さらに曲げ弾性率を上げる目的で、ガラス繊
維、カーボン繊維、タルク、マイカ、クレー、チタン酸
カリウムウィスカー、酸化亜鉛カリウムウィスカー等の
強化材料を加える事もできる。

【００５３】本発明の光ディスクとしては、オーディオ
用のコンパクトディスク（直径１２ｃｍのディスク当り
約６５０ＭＢの記録密度）から高密度のディスクまでを
対象とする。例えば、最近再生専用では容量４.７ＧＢ
のＤＶＤ−ＲＯＭ、記録再生可能なＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭにおいても容量４.７ＧＢが実
現されつつある。また、ＭＯディスクでは５.２５”サ
イズでは両面で５.２ＧＢ、３.５”では片面で１.３Ｇ
Ｂの光学情報記録媒体が上市されているが、デジタル高
画質放送などに対応する直径１２ｃｍのディスクに換算
して片面約６.５ＧＢ以上、殊に１０ＧＢ以上の高密度
光学記録媒体が要望され、本発明の光ディスク基板はこ
れらのものにも十分に適応できる特性を有する。また、
最近これら射出成形によって得られたディスク基板と溶
液キャスティング法または押出法により得られたフィル
ム状基板とを貼りあわせ、この透明カバー層を介して記
録再生を行う光ディスクが高密度光ディスクとして提案
されており、本発明のポリカーボネート樹脂はこのよう
な新しい構造の高密度情報記録媒体の材料としても好適
に用いることができる。

【００５４】本発明の光ディスク基板は、その片面に金
属薄膜を形成させることにより光ディスクが得られる。
この金属としては、アルミニウム、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｇｄ、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＧｅＳｂＴｅ、Ｚｎ
Ｓおよびアルミニウム合金等があり、アルミニウムが適
している。また薄膜は、スパッタリング、蒸着等の手段
で形成させることができる。これらの金属薄膜の形成手
段は、それ自体知られた方法で行うことができる。

【００５５】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、各項目の測定は下記の方法で行なった。

【００５６】比粘度：ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの
塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。

【００５７】ガラス転移点（Ｔｇ）：ティー・エイ・イ
ンスツルメント・ジャパン（株）社製２９１０型ＤＳＣ
により昇温速度１０℃／分で測定した。

【００５８】流動性（ＭＦＲ）：ペレットを用いて、Ｊ
ＩＳＫ−７２１０に従って、東洋精機製セミオートメ
ルトインデクサーにより温度２８０℃、荷重２．１６ｋ
ｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示した。

【００５９】吸水率：ＡＳＴＭＤ−０５７０に従い２
３℃、２４時間水浸漬後の吸水率を測定した。

【００６０】曲げ弾性率：ペレットを１２０℃で５時間
乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ−１５
０］により、シリンダー温度３４０℃で射出成形した試
験片を用い、ＡＳＴＭＤ−０７９０に従って測定し
た。

【００６１】光弾性定数：ディスク基板を用いて、理研
計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０により測定
した。

【００６２】斜め入射複屈折位相差：ディスク基板を用
いてオーク製エリプソメータＡＤＲ−２００Ｂ自動複屈
折測定装置により、入射角３０度で測定した。

【００６３】吸水によるディスク反り量：片側にアルミ
膜を蒸着した０．６ｍｍ厚みのディスクを２３℃、５０
％の湿度の条件下で放置し、吸水による反り量の経時変
化を求めた。反り量の測定はジャパン・イーエム（株）
製ＤＬＤ−３０００を用いて、ディスク半径５５ｍｍの
ところでの反射光の最大の角度ずれ（オプティカルチル
ト）を測定した。

【００６４】［実施例１］温度計、撹拌機、還流冷却器
およびホスゲン吹き込み管を備えた反応器にイオン交換
水３２１６５部、水酸化ナトリウム１７５７部を入れ、
９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
フルオレン（以下“ＢＣＦ”と略すことがある）２２１
３部および４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリ
デン）ジフェノール（以下“ＢＰＭ”と略すことがあ
る）３０３９部およびハイドロサルファイト１１部を溶
解した後、塩化メチレン１０９５０部を加え、撹拌下１
６〜１８℃でホスゲン１６６７部を６０分を要して吹き
込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール９２部と水酸化ナトリウム２９３部を加
え、さらにトリエチルアミン４部を加えて３０℃で１時
間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化
メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗
し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったと
ころで、ニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ＢＣＦ
とＢＰＭの比がモル比で４０：６０である無色のパウダ
ー５５５４部を得た（収率９６％）。このパウダーの比
粘度は０．２４５、Ｔｇは１４３℃であった。

【００６５】このパウダーに、該パウダー１００部に対
して、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）ホスファイトを０．００３部、トリメチルホスフェ
ートを０．００５部、およびステアリン酸モノグリセリ
ドを０．０４５部加えた。次に、かかるパウダーをベン
ト式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によ
りシリンダー温度２４０℃で脱気しながら溶融混錬し、
ペレット化した。そして、このペレットを住友重機
（株）製ＤＩＳＫ５Ｍ１１１を用いて樹脂温度３８０
℃、金型温度１１５℃、冷却時間７秒、射出速度２００
ｍｍ／秒で１２０ｍｍφ、０．６ｍｍ厚みのディスク基
板を射出成形した。さらに、このディスク基板にアルミ
ニウムを蒸着し、ディスクを得た。このディスクの吸水
による最大反り量は０．４ｄｅｇであった。また、ＭＦ
Ｒは６５ｇ／１０分、吸水率は０．０８３重量％、曲げ
弾性率は３１２０ＭＰａ、光弾性定数は４０×１０^-12
ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位相差は１７ｎｍであった。

【００６６】［実施例２］実施例１のＢＣＦを１９３６
部、ＢＰＭを３２９２部使用した以外は実施例１と同様
の方法で、ＢＣＦとＢＰＭの比がモル比で３５：６５で
ある無色のパウダー５２００部を得た（収率９６％）。
このパウダーの比粘度は０．２５０、Ｔｇは１３７℃で
あった。

【００６７】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．４
ｄｅｇであった。また、ＭＦＲは７５ｇ／１０分、吸水
率は０．０８４重量％、曲げ弾性率は３１１０ＭＰａ、
光弾性定数は４１×１０ ^-12ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位
相差は１７ｎｍであった。

【００６８】［実施例３］実施例１のＢＣＦを２５９６
部、ＢＰＭを２３７７部使用した以外は実施例１と同様
の方法で、ＢＣＦとＢＰＭの比がモル比で５０：５０で
ある無色のパウダー５２２４部を得た（収率９６％）。
このパウダーの比粘度は０．２００、Ｔｇは１５５℃で
あった。

【００６９】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．４
ｄｅｇであった。また、ＭＦＲは７３ｇ／１０分、吸水
率は０．０８０重量％、曲げ弾性率は３１７０ＭＰａ、
光弾性定数は３８×１０ ^-12ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位
相差は１６ｎｍであった。

【００７０】［実施例４］実施例１において、さらに
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン
（以下“ＴＨＰＥ”と略すことがある）２１部をホスゲ
ン吹込み後に加え、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１
１３部とした以外は、実施例１と同様の方法で、ＢＣＦ
とＢＰＭとＴＨＰＥの比がモル比で４０：６０：０．５
である無色のパウダー５２４５部を得た（収率９６
％）。このパウダーの比粘度は０．２５３、Ｔｇは１４
３℃であった。

【００７１】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．４
ｄｅｇであった。また、ＭＦＲは６９ｇ／１０分、吸水
率は０．０８３重量％、曲げ弾性率は３１４０ＭＰａ、
光弾性定数は３９×１０ ^-12ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位
相差は１７ｎｍであった。

【００７２】［実施例５］実施例３において、さらにＴ
ＨＰＥ４２部をホスゲン吹込み後に加え、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール１２８部とした以外は、実施例２と
同様の方法で、ＢＣＦとＢＰＭとＴＨＰＥの比がモル比
で５０：５０：０．５である無色のパウダー５２６６部
を得た（収率９６％）。このパウダーの比粘度は０．２
０１、Ｔｇは１５５℃であった。

【００７３】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．４
ｄｅｇであった。また、ＭＦＲは６９ｇ／１０分、吸水
率は０．０８０重量％、曲げ弾性率は３１９０ＭＰａ、
光弾性定数は３７×１０ ^-12ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位
相差は１６ｎｍであった。

【００７４】［実施例６］実施例１において、ＢＰＭの
代わりに、２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン（以下“ＢＰＣ”と略すことがあ
る）を２１９８部使用した以外は実施例１と同様の方法
でＢＣＦとＢＰＣの比がモル比で４０：６０である無色
のパウダー４７４７部得た（収率９６％）。このパウダ
ーの比粘度は０．２４０、Ｔｇは１５５℃であった。

【００７５】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．４
ｄｅｇであった。また、ＭＦＲは５０ｇ／１０分、吸水
率は０．０７９重量％、曲げ弾性率は２９１０ＭＰａ、
光弾性定数は４５×１０ ^-12ｍ²／Ｎ、斜め入射複屈折位
相差は１９ｎｍであった。

【００７６】［比較例１］実施例１において、ジヒドロ
キシ成分として、ビスフェノールＡのみを４３２０部使
用した以外は実施例１と同様の方法で無色のポリマー４
７５０部を得た（収率９６％）。このパウダーの比粘度
は０．２８９、Ｔｇは１４２℃であった。

【００７７】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は１．４
ｄｅｇと大きかった。また、ＭＦＲは６９ｇ／１０分、
吸水率は０．２１重量％と高く、曲げ弾性率は２３５０
ＭＰａと低く、光弾性定数は８２×１０^-12ｍ²／Ｎと高
かった。斜め入射複屈折位相差も６８ｎｍと大きかっ
た。

【００７８】［比較例２］実施例１において、ＢＣＦの
代わりに９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン（以下「ビスフェノールフルオレン」と略すこと
がある）を１６８３部使用し、ＢＰＭを３２９２部使用
した以外は実施例１と同様の方法で、ビスフェノールフ
ルオレンとＢＰＭの比がモル比で３５：６５である無色
のパウダー５０４５部を得た（収率９６％）。このパウ
ダーの比粘度は０．２５０、Ｔｇは１４０℃であった。

【００７９】このパウダーに実施例１と同様の添加剤を
同量加え、実施例１と同様に溶融混錬しペレット化し
た。そして、このペレットを実施例１と同様に射出成形
しディスク基板を得た。このディスク基板にアルミニウ
ムを蒸着したディスクの吸水による最大反り量は０．８
ｄｅｇと大きかった。また、ＭＦＲは６０ｇ／１０分、
吸水率は０．１６重量％と高く、曲げ弾性率は３０８０
ＭＰａ、光弾性定数は４３×１０^-12ｍ²／Ｎであり、斜
め入射複屈折位相差は１８ｎｍであった。

【００８０】これらの実施例および比較例の結果を表１
にまとめて示した。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
は、吸水性や曲げ弾性率に優れ、光弾性定数が小さいこ
とから、光学的特性、面振れ、反り等に優れた光ディス
ク基板、殊に高密度光ディスク基板用の材料として好適
に用いられ、その奏する工業的効果は格別である。

フロントページの続きＦターム(参考） 4F071 AA50 AA86 AF10 AF10Y AF20 AF20Y AH14 BC01 BC03 BC10 4J029 AA09 AB01 AC03 AD07 AD10 AE05 BB12A BB12B BB15A BB16A BB16B BC09 HC01 HC03 HC04A HC05A 5D029 KA16 KC09 KC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネート
樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂
は、（Ａ）そのガラス転移温度が１２０℃〜１８０℃で
あり、（Ｂ）２３℃、２４時間水浸漬後の吸水率が０．
１重量％以下であり、および（Ｃ）曲げ弾性率が２８０
０ＭＰａ〜４０００ＭＰａであることを満足する樹脂に
より形成されていることを特徴とする光ディスク基板。
【請求項２】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳
香族ジヒドロキシ成分の２５〜７０モル％が９，９−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項３】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳
香族ジヒドロキシ成分の３０〜６０モル％が９，９−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項４】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、
（ａ）９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールお
よび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（成分ｂ）を全芳香族ジヒドロキ
シ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ成分ａと成分
ｂの割合がモル比で２０：８０〜７０：３０である請求
項１記載の光ディスク基板。
【請求項５】該成分ｂが、４，４′−（ｍ−フェニレ
ンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項４記
載の光ディスク基板。
【請求項６】成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：
７０〜６０：４０である請求項５記載の光ディスク基
板。
【請求項７】該成分ｂが、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項４記
載の光ディスク基板。
【請求項８】成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：
７０〜６０：４０である請求項７記載の光ディスク基
板。
【請求項９】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳
香族ジヒドロキシ成分に対して、さらに三官能以上のフ
ェノール性化合物０．０１〜５モル％を使用して得られ
る芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載の光
ディスク基板。
【請求項１０】該三官能以上のフェノール性化合物
は、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エ
タンである請求項９記載の光ディスク基板。
【請求項１１】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、そ
の０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解した溶液
の２０℃において測定された比粘度が０．１〜０．５で
ある請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１２】請求項１記載の光ディスク基板の片面
に金属薄膜を形成させた光ディスク。
【請求項１３】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくと
も２０モル％が９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）フルオレンである芳香族ポリカーボネー
ト樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂
は、（Ａ）そのガラス転移温度が１２０℃〜１８０℃で
あり、（Ｂ）２３℃、２４時間水浸漬後の吸水率が０．
１重量％以下であり、および（Ｃ）曲げ弾性率が２８０
０ＭＰａ〜４０００ＭＰａである光ディスク基板用ポリ
カーボネート樹脂成形材料。