JP3100862B2

JP3100862B2 - 光ディスク基板および光ディスク

Info

Publication number: JP3100862B2
Application number: JP07097085A
Authority: JP
Inventors: 俊正徳田; 邦維林; 辰見堀江
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Chemicals Ltd
Priority date: 1995-04-21
Filing date: 1995-04-21
Publication date: 2000-10-23
Anticipated expiration: 2015-10-23
Also published as: JPH08293128A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク基板に関す
る。さらに詳しくはコンパクトディスク、光磁気ディス
クおよびデジタルビデオディスク等の光学記録媒体用途
に適した基板に関する。特に本発明は、記録容量が極め
て多いデジタルビデオディスクに適した光ディスク基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンパクトディスク用基板に使用
される代表的な樹脂としては、２,２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）に
ホスゲンやジフェニルカーボネートを反応させて得られ
たポリカーボネート樹脂が知られており、この樹脂は透
明性、耐熱性、寸法精度が良い等の優れた性質を有する
ことから近年光ディスク等の分野で情報記録媒体用基板
の素材としても広く用いられている。しかしながら、前
記ビスフェノールＡからのポリカーボネート樹脂はベン
ゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従って成
形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求められ
ている。また、さらに基板の薄厚化の傾向のために、そ
の反りが問題となるため、さらに反りの少ないポリカー
ボネート樹脂の基板が求められている。

【０００３】また記録密度を高めるためには、より転写
性のよい樹脂が求められている。また一方では耐久性の
よい樹脂も求められているが、要求を満足する光ディス
ク用基板はまだない。一方、最近コンパクトディスクの
ビデオ用の開発および商品化が進められている。そのた
め記録容量が従来のオーディオ用のコンパクトディスク
に比べて約１０倍またはそれ以上であることが要求さ
れ、さらにその他の特性も一層高度化することが要望さ
れている。

【０００４】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれ
からの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載され
ている。この公報に開示されている代表的例は、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２
モル％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的
には、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル
％の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネート
が示され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビ
スフェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使
用されている。

【０００５】上記公報には、得られた前記芳香族ポリカ
ーボネートは、従来のポリカーボネートの用途、例えば
電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用
され、高い耐熱性において優れていることが開示されて
いる。特にコンパクトディスクとしての用途に関して唯
一の実施例が示され、従来のビスフェノールＡからのポ
リカーボネートに比べて、ビスフェノールＡの６５モル
％および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン３５モル％からのコ
ポリカーボネートは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８５
℃と高く、また通路の差（ｎｍ／ｍｍ）が＋１３である
ことが教示されている。この記載は前記コポリカーボネ
ートは従来のビスフェノールＡからのポリカーボネート
に比べて耐熱性は改良されていることを示唆している
が、コンパクトディスクとして、それ以外の特性が優れ
ていることを何等教示してはいない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、光ディスクに適したポリカーボネート樹脂の優れた
透明性、耐熱性および機械的物性を保持しつつ、斜め入
射複屈折、吸水率、転写性、反り等を向上した芳香族ポ
リカーボネート樹脂からなる光ディスク基板を提供する
ことにある。

【０００７】本発明の第２の目的は、高密度の記録容量
を有する光ディスク基板、殊にビデオ用光ディスク基板
等に適した高機能を有し、且つ溶融成形容易な光ディス
ク基板を提供することにある。

【０００８】本発明者はこれら目的を達成せんとして鋭
意研究を重ねた結果、特定構造の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂を選択し、特定の比粘度範囲で特定割合の低分子
量オリゴマーとし、且つ該ポリカーボネート中の塩化メ
チレン未溶解粒子を特定量以下とし、また吸水率が低い
特性とすることによって良好な転写性を達成し、反りの
少ない極めて良好な光学情報記録媒体基板が得られるこ
とを見出し、本発明に到達した。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者の研究によれば
前記本発明の目的は、全芳香族ジヒドロキシ成分の少な
くとも２０モル％が１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンである芳
香族ポリカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポ
リカーボネート樹脂は（Ａ）その０.７ｇを塩化メチレ
ン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定され
た比粘度が０.２〜０.５の範囲であり、（Ｂ）本文に定
義された吸水率が０.２重量％以下であり、（Ｃ）本文
に定義された方法によって測定されたオリゴマー含量が
１０％以下であり、および（Ｄ）その塩化メチレン溶液
中で測定された未溶解粒子がポリカーボネート樹脂１ｇ
当り粒子換算直径０.５μｍ以上のものが２５,０００個
以下、且つ１μｍ以上のものが５００個以下である、こ
とを満足する樹脂により形成されていることを特徴とす
る光ディスク基板によって達成される。

【００１０】本発明の光ディスク基板を形成する芳香族
ポリカーボネート樹脂は、それを構成する芳香族ジヒド
ロキシ成分として、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（以下
“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）が全
ヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％であることが必
要である。前述したとおり、特開平２−８８６３４号公
報には、ビスフェノールＴＭＣ単独からの芳香族ポリカ
ーボネート樹脂或いはビスフェノールＴＭＣと他のジヒ
ドロキシ化合物からの共重合芳香族ポリカーボネート樹
脂について記載されている。

【００１１】しかしながら、本発明者の研究によればビ
スフェノールＴＭＣ単独からの芳香族ポリカーボネート
樹脂は、本発明の前記（Ａ）〜（Ｄ）の要件を全て満足
するものではなく、光ディスク基板としては不適当であ
ることが判った。また、前記公報に記載された具体的な
共重合体、つまりビスフェノールＴＭＣとビスフェノー
ルＡとからの共重合ポリカーボネート樹脂も、共重合割
合に関係なく同様に光ディスク基板としては、ビスフェ
ノールＡからの従来のポリカーボネート樹脂基板に比べ
て、耐熱性が改良されていること以外、特に優れている
ものとは云えないことが判った。

【００１２】ところが本発明者の研究によれば、ビスフ
ェノールＴＭＣに対して特定の末端改質剤を使用する
か、或いは特定構造のジヒドロキシ化合物を一定割合共
重合することによって得られた芳香族ポリカーボネート
樹脂は、吸水率が極めて小さく、光ディスクとして反り
が少ない基板が得られることが見出された。

【００１３】以下本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
について説明する。本発明の光ディスク基板の素材とし
て使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記式で
表される１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴ
ＭＣ）が全芳香族ジヒドロキシ成分当り、少なくとも２
０モル％の割合で構成されたポリカーボネート樹脂であ
る。

【００１４】

【化２】

【００１５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記ビスフェノールＴＭＣを全芳香族ジヒドロキシ成分
の少なくとも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モ
ル％使用している。このビスフェノールＴＭＣの割合が
２０モル％未満の場合、得られた光ディスク基板または
光ディスクは、透明性、耐熱性、機械的物性、斜め入射
複屈折、吸水率、転写性或いは反りのいずれかの性質が
不満足となり、これら特性を全て満足する光ディスク基
板または光ディスクは得られない。ビスフェノールＴＭ
Ｃは、１００モル％でもよいが吸水率が高くなるまたは
流動性が悪くなる傾向になるので、ビスフェノールＴＭ
Ｃの割合がこのように高い場合には、後述するように特
定の末端基改質剤で末端を変性することが望ましい。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
芳香族ジヒドロキシ成分として前記ビスフェノールＴＭ
Ｃを一定割合使用することが必要であり、所望の特性、
殊に吸水率を０.２重量％以下、好ましくは０.１７重量
％以下とするために、大別して２つの手段が採用され
る。その１つは、前記ビスフェノールＴＭＣに対して特
定のジヒドロキシ成分を組合わせて共重合ポリカーボネ
ート樹脂とすることであり、他の手段は末端基に或る特
定構造の末端改質剤を導入することである。これら２つ
の手段はそれぞれ単独でもよく、また組合わせてもよ
い。

【００１７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
それを構成する全芳香族ジヒドロキシ成分中のビスフェ
ノールＴＭＣの割合が３０〜９０モル％の範囲であるの
が好ましく、４０〜８０モル％の範囲であるのが特に好
ましい。

【００１８】本発明者の研究によれば、前記ビスフェノ
ールＴＭＣに対して、或る特定のジヒドロキシ成分を組
合わせて得られた共重合ポリカーボネート樹脂は、光デ
ィスク基板として特に適していることが見出された。す
なわち、共重合ポリカーボネート樹脂は、（ａ）ビスフ
ェノールＴＭＣ（これを成分ａという）および（ｂ）
４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフ
ェノール（以下“ビスフェノールＭ”と略称することが
ある）および／または２,２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン（以下“ビスフェノール
Ｃ”と略称することがある）［これらを成分ｂという］
を全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％と
し、且つ成分ａと成分ｂとの割合がモル比で、２０：８
０〜８０：２０であるポリカーボネート樹脂は光ディス
ク基板として特に好ましい。

【００１９】前記共重合ポリカーボネート樹脂の好まし
い態様の１つは、成分ａがビスフェノールＴＭＣであ
り、且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであ
り、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、３０：
７０〜８０：２０の範囲、特に４０：６０〜７０：３０
の範囲であるのが一層好ましい。

【００２０】また好ましい他の態様は、成分ａがビスフ
ェノールＴＭＣであり、且つ成分ｂがビスフェノールＣ
の組合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル
比で、３０：７０〜８０：２０の範囲、特に４０：６０
〜７０：３０の範囲であるのがより好ましい。これら好
ましい態様において、成分ａと成分ｂの合計は、全芳香
族ジヒドロキシ成分中、少なくとも８０モル％、好まし
くは少なくとも９０モル％であるのが有利であり、典型
的には、成分ａおよび成分ｂによって実質的に形成され
た共重合ポリカーボネート樹脂であるのが望ましい。

【００２１】前記好ましい態様において、ビスフェノー
ルＴＭＣの割合が２０モル％より少なくなると、樹脂の
光弾性定数が大きくなり、またガラス転移温度も低下す
る傾向になるので好ましくない。

【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂にお
いて、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分
の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モ
ル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（成分Ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％
以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差
支えない。

【００２３】かかる成分Ｃとしては、通常芳香族ポリカ
ーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、
成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハ
イドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノー
ル、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペン
タン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンが挙げられ
る。

【００２４】本発明の光ディスク基板として用いられる
芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例え
ば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステル
等のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造
される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を
簡単に説明する。

【００２５】カーボネート前駆物質として例えばホスゲ
ンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在
下に反応を行う。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物または
ピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒としては
例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭
化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三
級アミンまたは第四級アンモニウム塩等の触媒を用いる
こともできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であ
り、反応時間は数分〜５時間である。

【００２６】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら攪拌して、生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生
成するアルコールまたはフェノール類の沸点等により異
なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はそ
の初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させながら反応を完結させる。また反応を
促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒
を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用
される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカー
ボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニ
ル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。こ
れらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、ビスフ
ェノールＴＭＣ或いはビスフェノールＴＭＣと他の芳香
族ジヒドロキシ成分との混合物を使用し、それ自体公知
のポリカーボネート形成の反応に従って製造することが
できる。

【００２８】その重合反応において、末端停止剤として
通常使用される単官能フェノール類を使用することがで
きる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤とし
て分子量調節のために一般的に使用され、また得られた
芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノー
ル類に基づく基によって封鎖されているので、そうでな
いものと比べて熱安定性に優れている。

【００２９】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アル
キル置換フェノールであって、下記一般式で表される単
官能フェノール類を示すことができる。

【００３０】

【化３】

【００３１】［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜
９、好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは
１〜５、好ましくは１〜３の整数を示す。］前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェ
ノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミル
フェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられ
る。これら単官能フェノールは、得られた芳香族ポリカ
ーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５モル％、
好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入されること
が望ましい。

【００３２】本発明者の研究によれば、長鎖のアルキル
基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフ
ェノール類、または安息香酸クロライド類もしくは長鎖
のアルキルカルボン酸クロライド類を使用して芳香族ポ
リカーボネート樹脂の末端基を封鎖すると、これらは前
記単官能フェノール類と同様に末端停止剤または分子量
調節剤として機能するのみならず、さらに得られた芳香
族ポリカーボネート樹脂の改質にも役立つことが見出さ
れた。

【００３３】すなわち、長鎖のアルキル基或いは脂肪族
ポリエステル基を置換基として有するフェノール類、ま
たは安息香酸クロライド類もしくは長鎖のアルキルカル
ボン酸クロライド類（以下これらを、前記単官能フェノ
ール類と区別するために“末端改質剤”と略称すること
がある）は、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端に結合
することによって、樹脂の溶融流動性が改良され、成形
加工が容易となるばかりでなく、基板としての物性も改
良される。特に樹脂の吸水率を低くする効果がある。

【００３４】従って、ビスフェノールＴＭＣの割合が全
芳香族ジヒドロキシ成分当り８０モル％以上、殊に９０
モル％以上の場合は、得られた樹脂の吸水率が０.２重
量％を越える場合があるが、このような場合、前記末端
改質剤を使用することにより、樹脂の吸水率を０.２重
量％以下に抑えることができる。前記末端改質剤は、当
然のことながら単官能性化合物であるから、末端停止剤
或いは分子量調節剤としての機能も有している。かかる
末端改質剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂の組成によ
ってその割合は一定ではないが、全末端に対して少なく
とも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％、末端
に結合するように使用される。末端改質剤は前記単官能
性フェノール類と組合せて使用することができる。前記
末端改質剤としては下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］
で表される化合物を使用することができる。

【００３５】

【化４】

【００３６】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−をである、ここでＲは単結
合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂
肪族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様
の結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロ
ゲン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一
価の脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示
し、Ｙは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂
肪族炭化水素基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹、
−ＣＯ−Ｏ−Ｒ²またはＲ³である、ここでＲ¹、Ｒ²およ
びＲ³は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５
の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは
５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１
５、好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示
す。ｌは４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、
ｍは１〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは
４〜５０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１
０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示
し、Ｗ²は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜
５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましく
は５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１
５、好ましくは１〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示
す。］

【００３７】前記した末端改質剤［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−
ｈ］のうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］
の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］の置換フェ
ノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６の
ものが好ましく、その具体例としては、例えばデシルフ
ェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフェノー
ル、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノー
ル、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよび
トリアコンチルフェノール等を挙げることができる。

【００３８】また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類とし
てはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化
合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６の
ものが好適であって、その具体例としては、例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。

【００３９】前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示さ
れる置換フェノール類または置換安息香酸クロライドに
おいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ま
しく、その両者の混合物が好ましい。。

【００４０】前記した末端改質剤のうち［Ｉ−ａ］およ
び［Ｉ−ｂ］は特に優れている。その理由は前述したと
おり、これらは芳香族ポリカーボネート樹脂中に末端基
として導入されると、その溶融流動性が改善されるばか
りでなく、吸水率を低下させる効果もあるからである。
芳香族ポリカーボネート樹脂を構成する全芳香族ジヒド
ロキシ成分中のビスフェノールＴＭＣの割合が高く、例
えば８０モル％以上、特に９０モル％以上の場合には樹
脂の吸水性が０.２重量％を越える場合があるが、その
ような場合には前記［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］の末端
改質剤の使用により、０.２重量％以下に吸水率を低下
することが可能である。しかし本発明の芳香族ポリカー
ボネート樹脂は、ビスフェノールＴＭＣの割合が少なく
とも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モル％であ
る限り、前述した末端改質剤を使用してもよいことは云
うまでもない。

【００４１】芳香族ポリカーボネート樹脂はその樹脂の
０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃
で測定した比粘度が０.２〜０.５の範囲のものであり、
好ましくは０.２５〜０.４の範囲のものである。比粘度
が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなる
と溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な
ディスク基板が得られ難くなる。

【００４２】本発明の光ディスク基板は、前記芳香族ポ
リカ−ボネ−ト樹脂を、例えば射出成形法、圧縮成形
法、押出成形法、溶液キャスティング法等任意の方法で
成形することにより得ることができるが、本発明の光デ
ィスク基板は、射出成形法により得られたものが好適で
ある。また本発明のポリカーボネート樹脂は、ＡＳＴＭ
Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.２重量％
以下、好ましくは０.１８重量％以下であることが必要
である。吸水率が０.２重量％を超えると、光ディスク
基板表面上に金属膜を形成させた光ディスクが吸水によ
って反りを生じ易くなり、トラッキングエラーを起こし
易くなるので好ましくない。特に好ましい吸水率は０.
１５重量％以下である。

【００４３】本発明の光ディスク基板は、オリゴマー含
量が１０％以下、好ましくは７％以下、特に好ましくは
５％以下である芳香族ポリカーボネート樹脂が使用され
る。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを
使用して測定された値である。すなわち、東ソー（株）
製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬ
カラム各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホル
ムを用い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリ
カーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法で
測定したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分
以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対
する割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以
下、好ましくは７％以下であることが必要である。オリ
ゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、成形時の金
型表面を汚染することがあるので望ましくなく、その汚
染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる傾向があ
る。一方、オリゴマーは芳香族ポリカーボネート樹脂の
製造過程で生じるものであり、完全に零（０）にするこ
とはできない。

【００４４】オリゴマーは、前記した含量以下であれば
よく、その値を満足する限り、少割合含有されていても
差支えない。０.１％以上、好ましくは０.１５％以上の
少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下のも
のと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に好ま
しくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲である。

【００４５】芳香族ポリカーボネート樹脂中のオリゴマ
ー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴマーが
樹脂中に含まれないように重合を充分に完結することが
必要であり、また触媒および重合条件を適宣選択するこ
とが要求される。もしオリゴマー含量が前記範囲を越え
ている場合には、例えばオリゴマーを抽出等の手段によ
り除去する処置が採用される。この抽出は芳香族ポリカ
ーボネート樹脂の溶液（例えば塩化メチレン溶液）を、
その樹脂の貧溶剤または非溶剤（例えばアセトンまたは
メタノール）中に滴下する方法、或いはその樹脂を貧溶
媒または非溶媒に浸漬して、オリゴマーを抽出する方法
等の手段によって実施することができる。

【００４６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
光ディスク基板、殊にビデオ用光ディスク基板として使
用されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存
在すべきではない。

【００４７】すなわち、ポリカーボネート樹脂は、その
２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアック
ロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００
を用いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテックス粒
子の散乱光に換算する方法で求めた径０.５μｍ以上の
未溶解粒子が該ポリカーボネート樹脂１ｇ当り２５,０
００個以下且つ１μｍ以上の未溶解粒子が５００個以下
であることが必要である。０.５μｍ以上の未溶解粒子
が２５,０００個を超えるか、または１μｍ以上の未溶
解粒子が５００個を超えると光ディスクに書き込まれた
情報ピットに悪影響を及ぼしエラーレートが大きくなる
ので好ましくない。さらに好ましくは、０.５μｍ以上
の未溶解粒子が２０,０００個以下、且つ１μｍ以上の
未溶解粒子が２００個以下である。また、１０μｍ以上
の未溶解粒子は実質的に存在すべきでない。

【００４８】芳香族ポリカーボネート樹脂中における未
溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過程およ
び造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか或いは
除去し得る手段を採用すべきである。そのような手段と
しては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶
解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること（具
体的例としては、後述する実施例１で使用された軸受け
部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダー）
或いは摺動部分に樹脂粒子が触れない構造の装置（例え
ばスプレードライヤー形式の造粒機）で造粒すること等
がある。また、未溶解粒子を除去する他の手段として、
樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター（０.５〜１μ
ｍ）によりろ過する方法或いは樹脂を溶融して後、金属
フィルター（１０〜４０μｍ）により固体粒子を除去す
る方法等が採用される。

【００４９】本発明の光ディスク基板は、全光線透過率
が少なくとも８５％、好ましくは少なくとも９０％の芳
香族ポリカーボネート樹脂から形成される。全光線透過
率が８５％よりも低くなると、光ディスク基板として不
適当である。また、芳香族ポリカーボネート樹脂の斜め
入射複屈折位相差の値が６０ｎｍ以下、好ましくは４０
ｎｍ以下であるのが適当である。この斜め入射複屈折位
相差の値が６０ｎｍを越えると、光ディスクとして使用
した場合記録の読み取りに支障を来すことになり不適当
である。

【００５０】芳香族ポリカーボネート樹脂は、その光弾
性定数の値が６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下、好まし
くは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下のものが有利に利
用される。光弾性定数の値が前記値よりも大きい場合、
光ディスクとして適さなくなる。芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、そのガラス転移点が１２０℃以上が好まし
く、１３０℃以上がより好ましく、１４５℃以上がさら
に好ましい。ガラス転移点が低くなるとディスク基板と
しての耐熱性が不足する。また芳香族ポリカーボネート
樹脂の流動性はＭＦＲの値で２５ｇ／１０分以上が好ま
しく、３０ｇ／１０分以上がより好ましく、４５ｇ／１
０分以上がさらに好ましい。流動性が低くなると成形性
に劣り所望のディスク基板が得られなくなる。

【００５１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、また溶
媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を使用した場合、
塩素が少なからず残存している。この塩素の含有量が多
いと成形金型が腐蝕したり、芳香族ポリカーボネート樹
脂の熱安定性が低下したり、また光ディスクの金属膜の
腐蝕が起こったりするので望ましくない。従って、塩素
の含量は１０ｐｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特
に好ましくは５ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここ
で云う塩素含量とは、芳香族ポリカーボネート樹脂を三
菱化学製全有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて
燃焼法により測定された値を意味するものとする。

【００５２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、必要に応じて燐系熱安定剤を加えることができる。
燐系熱安定剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸エス
テルが好ましく使用される。亜燐酸エステルとしては、
例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニ
ルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、
トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファ
イト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチル
モノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニ
ルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、
モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフ
ェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホ
スファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノ
ニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、
ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスファイト、テトラキス（２,４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレ
ンホスホナイト等の亜燐酸のトリエステル、ジエステ
ル、モノエステルが挙げられる。これらのうち、トリス
ノニルフェニルホスファイト、ジステアリルペンタエリ
スリトールジホスファイトが好ましい。

【００５３】一方、熱安定剤として使用される燐酸エス
テルとしては、例えばトリブチルホスフェート、トリメ
チルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフ
ェニルホスフェート、トリクロルフェニルホスフェー
ト、トリエチルホスフェート、ジフェニルクレジルホス
フェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェー
ト、トリブトキシエチルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェート等が挙げられ、なかでもトリフェニルホスフェ
ート、トリメチルホスフェートが好ましい。

【００５４】前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよ
く、また二種以上を組合せて使用してもよい。燐系熱安
定剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂に基づいて０.０
００１〜０.０５重量％の範囲で使用するのが適当であ
る。

【００５５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加す
ることができる。その例としてはフェノール系酸化防止
剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレング
リコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベン
ジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナ
マイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメ
チル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチ
ル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウ
ンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい
添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、
０.０００１〜０.０５重量％である。

【００５６】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂には、必要に応じて多価アルコールの高級脂肪酸エス
テルを加えることもできる。この高級脂肪酸エステルを
加えることによって、芳香族ポリカーボネート樹脂の熱
安定性が向上し、成形時の樹脂の流動性が良くなり、さ
らに成形後の金型からの基板の離型性が改良されて離型
不良によるディスク基板の変形が防止できる。かかる高
級脂肪酸エステルとしては、炭素数２〜５の多価アルコ
ールと炭素数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステ
ル、または全エステルであるのが好ましい。この多価ア
ルコールとしては、グリコール類、グリセロールまたは
ペンタエリスリトールが挙げられる。

【００５７】前記高級脂肪族酸エステルは、芳香族ポリ
カーボネート樹脂に対して、０.００５〜２重量％の範
囲、好ましくは０.０２〜０.１重量％の範囲で添加され
るのが適当である。添加量が０.０１重量％未満では、
上記効果が得られず、一方２重量％を越えると金型表面
の汚れの原因となるので好ましくない。

【００５８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添
加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。
また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂を本発
明の目的を損なわない範囲で少割合添加することもでき
る。

【００５９】本発明の光ディスク基板は、その片面に金
属薄膜を形成させることにより光ディスクが得られる。
この金属としては、アルミニウム、Ｔｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｇｄ、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＧｅＳｂＴｅ、Ｚｎ
Ｓおよびアルミニウム合金等があり、アルミニウムが適
している。また薄膜は、スパッタリング、蒸着等の手段
で形成させることができる。これらの金属薄膜の形成手
段は、それ自体知られた方法で行うことができる。

【００６０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度：ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）：デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）：ＪＩＳＫ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。オリゴマー含量：東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ
２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用
い、溶離液としてクロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で
流しながら試料５０ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解し
た溶液を２０μｌ注入する方法で求めたＧＰＣチャート
のリテンションタイムが１９分以降のオリゴマー成分の
ピーク面積の全ピーク面積に対する割合を％で示した。吸水率：ＡＳＴＭＤ−０５７０によって測定した。塩化メチレン未溶解粒子：該ポリカーボネート樹脂２０
ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアックロイ
コ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００を用
いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテックス粒子の
散乱光に換算する方法で求めた。全光線透過率：ＡＳＴＭＤ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数：理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差：オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り：８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に、反面にア
ルミニウム製膜処理した光ディスクを１,０００時間放
置した後、小野測器製ＬＭ−１２００光ディスク検査装
置を用いて基板の反りを測定した。ＢＬＥＲ：アルミ製膜後の光ディスクのＢＬＥＲ（Ｃ１
ピーク）をＣＤＰ−３０００を用いて測定した。

【００６１】実施例１温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
９２９.２部、４８％カセイソ−ダ水溶液６１.３部を入
れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサン３９部、４,４’−（ｍ
−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール４３.
６部およびハイドロサルファイト０.１７部を溶解した
後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５１部と塩化
メチレン６３７.９部を加えトリエチルアミン０.０９部
を添加した後攪拌下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部
を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了
後、４８％カセイソーダ水溶液１５.６部を加え、２８
〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了
後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸
酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど
同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有
する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発し
て、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモ
ル比で５０：５０である無色のポリマー８６.４部を得
た（収率９７％）。

【００６２】このポリマーの比粘度は０.２８６、オリ
ゴマー含量は２.３％、Ｔｇは１４７℃、ＭＦＲは７０
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１５重量％であ
った。このポリマーにトリス（ノニルフェニル）ホスフ
ァイトを０.０３％、トリメチルホスフェートを０.００
５％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０４％加えて
ペレット化し、住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌｌを用いて
１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスクに射出成形し
た。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以
上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／ｇで
あった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は３９
×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２０
ｎｍ、反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは４５個／秒であっ
た。

【００６３】実施例２実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを３１.２部、４,
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールを５２.２部とした以外は実施例１と同様にして、
ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比
で４０：６０であるポリマー８６.４部を得た（収率９
６％）。このポリマーの比粘度は０.２９２、オリゴマ
ー含量は２.８％、Ｔｇは１３５℃、ＭＦＲは９０ｇ／
１０分であった。また吸水率は０.１２重量％であっ
た。

【００６４】このポリマーを実施例１と同様に成形し実
施例１と同様に評価したところ、このものの塩化メチレ
ン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１３,０００個／ｇ、１
μｍ以上が１４０個／ｇであった。また全光線透過率は
８９％、光弾性定数は４０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜
め入射複屈折位相差は２４ｎｍ、反りは０.１５ｍｍ、
ＢＬＥＲは３８個／秒であった。

【００６５】実施例３実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４６.８部、４,
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールを３４.９部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ルの代わりに炭素原子数２３のアルキルフェノール（オ
ルソ置換体７０％、パラ置換体３０％の混合物）を３.
８部用いる以外は実施例１と同様にしてビスフェノール
ＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で６０：４０で
あるポリマー８６.４部（収率９４％）を得た。このポ
リマーの比粘度は０.２７５、オリゴマー含量は３.１
％、Ｔｇは１３３℃、ＭＦＲは６８ｇ／１０分であっ
た。また吸水率は０.１６重量％であった。

【００６６】このポリマーを実施例１と同様に成形し実
施例１と同様に評価したところ、塩化メチレン未溶解粒
子は０.５μｍ以上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が
１７０個／ｇであった。全光線透過率は８９％、光弾性
定数は３８×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は２０ｎｍ、反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは３３個
／秒であった。

【００６７】実施例４実施例１と同様の装置にイオン交換水９４５部と４８.
５％水酸化ナトリウム水溶液６２.５部を仕込み、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサン１６部、９,９−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）フルオレン９部（以下、ビスフェノール
フルオレンと略称することがある）、４,４’−（ｍ−
フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール６２.１
部を溶解させた後塩化メチレン６４９部を加え、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１.１５部とトリエチルアミ
ン０.０９部を加えて激しく攪拌しながら２０℃でホス
ゲン３３部を約４０分を要して吹き込み反応せしめた。
次いで内温を３０℃に上げ４８.５％水酸化ナトリウム
水溶液１６部を加えて１時間攪拌を続けて反応を終了し
た。

【００６８】このものを実施例１と同様に精製してビス
フェノールＴＭＣとビスフェノールＭとビスフェノール
フルオレンの比がモル比で２０：７０：１０であるポリ
マーを得た。このポリマーの比粘度は０.３０１、オリ
ゴマー含量は３.９％、ＭＦＲは６４ｇ／１０分、Ｔｇ
は１４６℃であった。また吸水率は０.１２重量％であ
った。このポリマーを実施例１と同様にして成形し評価
したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上
が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１８０個／ｇであ
った。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４０×
１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は３７ｎ
ｍ、反りは０.１５ｍｍ、ＢＬＥＲは３５個／秒であっ
た。

【００６９】実施例５実施例１と同様の装置にイオン交換水９６５.１部、４
８％水酸化ナトリウム水溶液６３.６部を入れ、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサン２４.３部、２,２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン４６.９部および
ハイドロサルファイト０.１８部を溶解した後、塩化メ
チレン６６２.５部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホス
ゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン
吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２部
と４８％水酸化ナトリウム水溶液１６.２部を加え乳化
後、トリエチルアミン０.０９部を加えて、２８℃〜３
３℃で１時間攪拌して反応を終了した。このものを実施
例１と同様に精製して、ビスフェノールＴＭＣとビスフ
ェノールＣの比がモル比で３０：７０であるポリマー７
５.７部を得た（収率９７％）。

【００７０】このポリマーの比粘度は０.３０４、オリ
ゴマー含量は３.８％、Ｔｇは１５３℃、ＭＦＲは５０
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１６重量％であ
った。このポリマーを実施例１と同様にして成形評価し
たところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が
１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１５０個／ｇであっ
た。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４９×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎ
ｍ、反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは４０個／秒であっ
た。

【００７１】実施例６実施例５の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４８.７部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを２６.８部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ルの代わりに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアル
キルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０
％の混合物）を５部用いた以外は実施例５と同様にし
て、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモ
ル比で６０：４０であるポリマー８３.８部を得た（収
率９６％）。

【００７２】このポリマーの比粘度は０.２９３、オリ
ゴマー含量は３.７％、Ｔｇは１４８℃、ＭＦＲは４５
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１８重量％であ
った。このポリマーを実施例１と同様にして成形評価し
たところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が
１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１７０個／ｇであっ
た。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４２×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎ
ｍ、反りは０.３ｍｍ、ＢＬＥＲは４５個／秒であっ
た。

【００７３】実施例７実施例１と同様の装置にイオン交換水８０２部と４８％
水酸化ナトリウム水溶液７１.７部を仕込み、１,１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチル
シクロヘキサン６４部、４,４’−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ジフェノール３.８部およびハイド
ロサルファイト０.１４部を溶解した後、塩化メチレン
５５０.３部を加え、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２
８部を約４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み
終了後、炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアルキル
フェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０％の
混合物）４.９部、４８％水酸化ナトリウム水溶液９部
および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン０.６部を４８％水酸
化ナトリウム水溶液０.２部とイオン交換水２部の混合
液に溶解した溶液を加え乳化後、トリエチルアミン０.
０８部を加えて２８〜３３℃で約１時間攪拌して反応を
終了した。反応終了後、生成物を実施例１と同様に精製
し、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモ
ル比で９５：５のポリマーを得た。

【００７４】このポリマーの比粘度は０.２７４、オリ
ゴマー含量は２.８％、Ｔｇは１７８℃、ＭＦＲは３２
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１９重量％であ
った。このポリマーを実施例１と同様にして成形評価し
たところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が
１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１８５個／ｇであっ
た。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は３５×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎ
ｍ、反りは０.３ｍｍ、ＢＬＥＲは４８個／秒であっ
た。

【００７５】実施例８実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４３部、４,
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールを３９.２部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ルの代わりに、炭素原子数１７〜２９（平均２３）のア
ルキルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３
０％の混合物）を１.９部とｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールを０.８部用いる以外は、実施例１と同様にして
ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比
で５５：４５であるポリマー８７.７部（収率９６％）
を得た。

【００７６】このポリマーの比粘度は０.２８５、オリ
ゴマー含量は２.９％、Ｔｇは１４０℃、ＭＦＲは７０
ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１５重量％であ
った。このポリマーを実施例１と同様に成形し、実施例
１と同様に評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子
は、０.５μｍ以上が１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が
１６０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光
弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈
折位相差は２０ｎｍ、反りは０.１５ｍｍ、ＢＬＥＲは
３５個／秒であった。

【００７７】比較例１実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを７８部として、
４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフ
ェノールを用いない以外は、実施例１と同様にしてビス
フェノールＴＭＣのホモポリマー８０.３部（収率９５
％）を得た。このポリマーの比粘度は０.２９０、Ｔｇ
は２３２℃であった。また吸水率は０.３重量％であっ
た。このポリマーを実施例１と同様にして射出成形によ
りディスクを得ようとしたが、溶融流動性が悪く、成形
できなかった。

【００７８】比較例２実施例１の４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリ
デン）ジフェノールの代わりに２,２−ビス−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン２８.７部を用いた以外
は、実施例１と同様にしてビスフェノールＴＭＣとビス
フェノールＡの比がモル比で５０：５０であるポリマー
７１.７部を得た（収率９８％）。このポリマーの比粘
度は０.２９３、Ｔｇは１８９℃、ＭＦＲは４.５ｇ／１
０分であった。また吸水率は０.３重量％であった。こ
のポリマーを実施例１と同様にして成形評価したとこ
ろ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１６,０
００個／ｇ、１μｍ以上が１９５個／ｇであった。また
全光線透過率は８９％、光弾性定数は６７×１０^-13ｃ
ｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は６１ｎｍ、反り
は０.３５ｍｍ、ＢＬＥＲは５５個／秒であった。

【００７９】比較例３ビスフェノールＡより得られた比粘度が０.２８０、Ｔ
ｇが１４３℃、ＭＦＲが６５ｇ／１０分であるポリカー
ボネート樹脂（帝人化成製パンライトＡＤ−５５０３）
を実施例１と同様の成形片に成形し、実施例１と同様に
して評価したところ、吸水率は０.３１重量％、全光透
過率は８９％、光弾性定数は８２×１０^- ¹³ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は６８ｎｍ、反りは０.４ｍ
ｍであった。

【００８０】比較例４実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを７.８部、４,
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールを７８.４部とした以外は、実施例１と同様にして
ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比
で１０：９０であるポリマー８８.２部を得た（収率９
５％）。このポリマーの比粘度は０.２８６、Ｔｇは１
１５℃、ＭＦＲは１００ｇ／１０分であった。また吸水
率は０.１４重量％であった。このポリマーを実施例１
と同様にして評価したところ、全光線透過率は８９％、
光弾性定数は４６×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複
屈折位相差は４５ｎｍであった。しかしながら、このデ
ィスクは、Ｔｇが１１５℃と低く、ディスク用途として
の耐熱性が不足していた。

【００８１】比較例５実施例１のポリマー溶液を用い、軸受け部に異物取り出
し用隔離室のない通常のニーダーを使用して造粒した以
外は、実施例１と同様にしてディスク成形、評価したと
ころ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が８６,
０００個／ｇ、１.０μｍ以上が２,７００個／ｇと多く
なった。このためＢＬＥＲは４８０個／秒と大きな値と
なった。

【００８２】

【発明の効果】本発明の方法によれば、優れた光学特性
をもった光ディスク用基板が得られるので、光ディス
ク、特にビデオ用光ディスクとして好適に用いられる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−305044（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08G 64/00 - 64/42

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
２０モル％が１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンである芳香族ポ
リカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカー
ボネート樹脂は（Ａ）その０.７ｇを塩化メチレン１０
０ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘
度が０.２〜０.５の範囲であり、（Ｂ）本文に定義され
た吸水率が０.２重量％以下であり、（Ｃ）本文に定義
された方法によって測定されたオリゴマー含量が１０％
以下であり、および（Ｄ）その塩化メチレン溶液中で測
定された未溶解粒子がポリカーボネート樹脂１ｇ当り粒
子換算直径０.５μｍ以上のものが２５,０００個以下、
且つ１μｍ以上のものが５００個以下である、ことを満
足する樹脂により形成されていることを特徴とする光デ
ィスク基板。
【請求項２】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳
香族ジヒドロキシ成分の３０〜９０モル％が、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基
板。
【請求項３】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳
香族ジヒドロキシ成分の４０〜８０モル％が、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基
板。
【請求項４】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、
（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および
（ｂ）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールおよび／または２,２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）を
全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％と
し、且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で２０：８０〜
８０：２０である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項５】該成分ｂが、４,４’−（ｍ−フェニレ
ンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項４記
載の光ディスク基板。
【請求項６】成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：
７０〜８０：２０である請求項５記載の光ディスク基
板。
【請求項７】該成分ｂが、２,２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項４記
載の光ディスク基板。
【請求項８】成分ａ：成分ｂの割合が、モル比で３
０：７０〜８０：２０である請求項７記載の光ディスク
基板。
【請求項９】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、その
０.７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２
０℃において測定された比粘度が、０.２５〜０.４０の
範囲である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１０】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、本
文に定義された吸水率が０.１８重量％以下である請求
項１記載の光ディスク基板。
【請求項１１】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、本
文に定義された方法によって測定されたオリゴマー含量
が、７％以下である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１２】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、そ
の塩化メチレン溶液中で測定された未溶解粒子がポリカ
ーボネート樹脂１ｇ当り粒子換算直径０.５μｍ以上の
ものが２０,０００個以下、且つ１μｍ以上のものが２
００個以下である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１３】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全
光線透過率が少なくとも８５％である請求項１記載の光
ディスク基板。
【請求項１４】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、斜
め入射複屈折位相差の値が、６０ｎｍ以下である請求項
１記載の光ディスク基板。
【請求項１５】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、光
弾性定数の値が、６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下であ
る請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１６】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、塩
素含量が、１０ｐｐｍ以下である請求項１記載の光ディ
スク基板。
【請求項１７】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全
末端基の少なくとも５モル％が下記一般式［Ｉ−ａ］ま
たは［Ｉ−ｂ］【化１】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−
Ｒ−Ｏ−ＣＯ−を示し、ここでＲは単結合または炭素数
１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基
を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］で表される置
換フェノール類によって改質されている請求項１記載の
光ディスク基板。
【請求項１８】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、該
樹脂当り燐系安定剤を０.０００１〜０.０５重量％含有
する請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項１９】該芳香族ポリカーボネート樹脂は、該
樹脂当り炭素原子数２〜５の多価アルコールと炭素原子
数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エ
ステルを０.０１〜２重量％含有する請求項１記載の光
ディスク基板。
【請求項２０】請求項１記載の光ディスク基板の片面
に金属薄膜を形成させた光ディスク。
【請求項２１】請求項１記載の光ディスク基板の片面
に金属薄膜を形成させたビデオ用光ディスク。