JPH09183835A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学用材料に適した芳香族ポリカーボネート
樹脂の優れた透明性、機械物性を保持しつつ、成形性お
よび熱安定性の改善された芳香族ポリカーボネート樹脂
ならびに低複屈折で、反りの少ないそれからの成形品を
提供する。 【解決手段】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールの特定割合で構成された芳香族ポリカ
ーボネート樹脂であって、その樹脂の全末端基に対する
フェノール性ＯＨ基末端の割合が特定量以下である芳香
族ポリカーボネート樹脂およびそれからの成形品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂に関する。さらに詳しくは成形性および熱安
定性の改善された芳香族ポリカーボネート樹脂ならびに
低複屈折で、反りの少ないそれからの成形品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（以下ビスフェノールＡという）にカ
ーボネート前駆物質を反応させて得られるポリカーボネ
ート樹脂は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が
優れているがゆえにエンジニアリングプラスチックとし
て多くの分野に広く使用されている。更に近年その透明
性を生かして光ディスク、光ファイバー、レンズ等の分
野への光学用材料としての利用が展開されており、特に
光ディスクの分野で情報記録媒体用基板の素材としても
広く使用されている。しかしながら、かかるポリカーボ
ネート樹脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が
大きく、従って成形品の複屈折が大きい欠点があり、こ
の改善が求められている。また基板の高密度化の傾向の
ため、吸水による反りがより一層少ないポリカーボネー
ト樹脂の基板が求められている。さらに、より溶融流動
性に優れ、より熱安定性の良い樹脂が求められている。

【０００３】特開平２−８８６３４号公報には、特定構
造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれからの
新規な芳香族ポリカーボネートについて記載されてい
る。この公報に開示されている代表的例は、１,１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチル
シクロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル
％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的に
は、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の
割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネートが示
され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビスフ
ェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使用さ
れている。

【０００４】上記公報には、得られた前記芳香族ポリカ
ーボネートは、従来のポリカーボネートの用途、例えば
電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用
され、高い耐熱性において優れていることが開示されて
いる。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネート
は、溶融流動性が悪く良好な成形品が得られ難い。ま
た、他の種々の共重合体に関する記載はあるが、その具
体的事例は示されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適した芳香族ポリカーボネート樹脂の優れた透
明性、機械物性を保持しつつ、成形性および熱安定性を
向上した芳香族ポリカーボネート樹脂ならびに低複屈折
で反りの少ないそれからの成形品を提供することにあ
る。本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意研究を重
ねた結果、特定の２種の二価フェノールを使用すること
により得られた芳香族ポリカーボネート樹脂であって、
その樹脂の全末端基に対するフェノール性ＯＨ基末端の
割合が特定量以下である芳香族ポリカーボネート樹脂が
光学用材料として好適であることを見出し、本発明に到
達した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％
が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および
（ｂ）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール（成分ｂ）であり、且つ成分ａと成分
ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲で構成
された芳香族ポリカーボネート樹脂であって、その樹脂
の全末端基に対するフェノール性ＯＨ基末端の割合がＴ
ｉＣｌ₄法で測定したときのＯＨ価で該芳香族ポリカー
ボネート樹脂当り１０ｅｑ／Ｔｏｎ以下、である芳香族
ポリカーボネート樹脂が提供される。

【０００７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
それを構成する芳香族ジヒドロキシ成分として、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサン（成分ａ）および４,４’−（ｍ−
フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（成分
ｂ）が全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル
％、好ましくは少なくとも９０モル％であるのが有利で
あり、典型的には、成分ａおよび成分ｂによって実質的
に形成された芳香族ポリカーボネート樹脂であるのが望
ましい。この成分ａおよび成分ｂの割合が８０モル％未
満の場合、本発明の目的である光学用材料として不満足
な性質となり好ましくない。

【０００８】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂にお
いて、成分ａと成分ｂとの割合がモル比で９９：１〜２
０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：８０の範囲
が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲がさらに好
ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、成分ｂの
割合が１モル％より少なくなると、得られた樹脂の溶融
流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が
得られ難くなる。また成分ａの割合が２０モル％より少
なく、成分ｂの割合が８０モル％より多くなると、得ら
れた樹脂の光弾性定数が大きくなり、またガラス転移温
度も低下する傾向にあるので好ましくない。

【０００９】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂にお
いて、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分
の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モ
ル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（成分ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％
以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差
支えない。

【００１０】かかる成分ｃとしては、通常芳香族ポリカ
ーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、
成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハ
イドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノー
ル、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フ
ェニルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ペンタン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソ
プロピリデン）ジフェノール、９,９−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレン、１,１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンな
どが挙げられ、なかでも２,２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２,２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンおよび９,９−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレンが好ましい。

【００１１】芳香族ポリカーボネート樹脂はそのポリマ
ー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０
℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のものが好ましく、
０.２５〜０.４の範囲のものがより好ましい。比粘度が
０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなると
溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成
形品が得られ難くなる。

【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
ＡSＴM Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.２重
量％以下であることが好ましく、０.１８重量％以下で
あることがより好ましい。吸水率が０.２重量％を超え
ると、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に用
いられる光ディスク基板の表面上に金属膜を形成させた
光ディスクがその基板の表裏の吸水量の差によって反り
を生じ易くなり、トラッキングエラーを起こし易くなる
ので好ましくない。特に好ましい吸水率は０.１５重量
％以下である。

【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
オリゴマー含量が１０％以下であることが好ましく、７
％以下がより好ましく、特に５％以下が好ましい。この
オリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを使用して
測定された値である。すなわち、東ソー（株）製、ＴＳ
ＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各
１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用
い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該芳香族ポリ
カーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法で
測定したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分
以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対
する割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以下
であることが好ましく、７％以下であることがより好ま
しい。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、
成形時に金型表面を汚染することがあるので望ましくな
く、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる
傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポリカーボネー
ト樹脂の製造過程で生じるものであり、完全に零（０）
にすることはできない。

【００１４】オリゴマーは、前記した含量以下であれば
よく、その値を満足する限り、少割合含有されていても
差支えない。０.１％以上、より好ましくは０.１５％以
上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下
のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に
好ましくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲であ
る。

【００１５】芳香族ポリカーボネート樹脂中のオリゴマ
ー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴマーが
樹脂中に含まれないように重合を充分に完結することが
必要であり、また触媒および重合条件を適宣選択するこ
とが要求される。もしオリゴマー含量が前記範囲を越え
ている場合には、例えばオリゴマーを抽出などの手段に
より除去する処置が採用される。この抽出は芳香族ポリ
カーボネート樹脂の溶液（例えば塩化メチレン溶液）
を、その樹脂の貧溶剤または非溶剤（例えばアセトンま
たはメタノール）中に滴下する方法、或いはその樹脂を
貧溶媒または非溶媒に浸漬して、オリゴマーを抽出する
方法などの手段によって実施することができる。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
光学的材料、殊に光ディスク基板として好適に使用され
るため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しな
いことが望ましい。

【００１７】すなわち、かかる芳香族ポリカーボネート
樹脂は、その２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液
をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモ
デル４１００を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径
０.５μｍ以上の未溶解粒子が、該芳香族ポリカーボネ
ート樹脂１ｇ当り２５,０００個以下、且つ１μｍ以上
の未溶解粒子が５００個以下であることが好ましい。
０.５μｍ以上の未溶解粒子が２５,０００個を超える
か、または１μｍ以上の未溶解粒子が５００個を超える
と光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響を及ぼ
しエラーレートが大きくなるので好ましくない。さらに
好ましくは、０.５μｍ以上の未溶解粒子が２０,０００
個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が２００個以下で
ある。また、１０μｍ以上の未溶解粒子は実質的に存在
すべきでない。

【００１８】芳香族ポリカーボネート樹脂中における未
溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過程およ
び造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか或いは
除去し得る手段を採用すべきである。そのような手段と
しては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶
解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること（具
体的例としては、軸受け部に異物取り出し口を有する隔
離室を設けたニーダーなど）或いは摺動部分に樹脂粒子
が触れない構造の装置（例えばスプレードライヤー形式
の造粒機）で造粒することなどがある。また、未溶解粒
子を除去する他の手段として、樹脂の溶液を目開きの小
さいフィルター（０.５〜１μｍ）によりろ過する方法
或いは樹脂を溶融して後、金属フィルター（１０〜４０
μｍ）により固体粒子を除去する方法などが採用され
る。

【００１９】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体
公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホス
ゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質を反
応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法
について基本的な手段を簡単に説明する。

【００２０】カーボネート前駆物質として、例えばホス
ゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存
在下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物
またはピリジンなどのアミン化合物が用いられる。溶媒
としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼンなどの
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のため
に、例えばトリエチルアミンのような第三級アミンまた
は第四級アンモニウム塩などの触媒を用いることもでき
る。さらに必要に応じハイドロサルファイトのような酸
化防止剤を加えることもできる。反応温度は通常０〜４
０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。

【００２１】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら攪拌して、生成するアルコールまたはフェノ
ール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生
成するアルコールまたはフェノール類の沸点などにより
異なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応は
その初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェ
ノール類を留出させながら反応を完結させる。また反応
を促進するために通常エステル交換反応に使用される触
媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使
用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカ
ーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニ
ル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられる。
これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２２】本発明において、前記した芳香族ポリカー
ボネート樹脂の全末端基に対するフェノール性ＯＨ基末
端の割合が特定量以下を満足するには以下の方法が好ま
しく採用される。その一つはホスゲンを使用する反応に
おいて、酸結合剤として水酸化カリウムを用いる方法で
ある。本発明で使用される芳香族ヒドロキシ成分の４,
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールは、水酸化ナトリウム水溶液に比べ水酸化カリウム
水溶液への溶解性が高いため、水酸化カリウムを使用す
ることにより反応効率が高まり、上記目的の達成が容易
となる。

【００２３】具体的な反応方法としては、水酸化カリウ
ムの水溶液に１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンと４,４’−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールを
溶解し、これに溶媒を加えて３０℃以下、好ましくは１
５〜２５℃に保持しつつホスゲンを反応させた後重縮合
反応に供する。あるいは、４,４’−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノールの水酸化カリウム水
溶液と１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンの水酸化カリウム水
溶液を別々に調整し、それぞれに溶媒を加えてホスゲン
化反応させ、得られたそれぞれのオリゴマーを混合して
重縮合反応してもよい。

【００２４】ここで使用する水酸化カリウムの使用量
は、あまりに少ないとホスゲン化反応が進行し難く、分
子量が伸び難くなり、またあまりに多いとホスゲンの分
解が多くなるので、ホスゲンに対するモル比で２.５〜
４.５が適当であり、特に３.０〜４.０が好ましい。ま
た、水酸化カリウム水溶液中の水酸化カリウム濃度があ
まりに低いと芳香族ジヒドロキシ成分の溶解度が低下し
反応効率が悪化するようになり、またあまりに高いとホ
スゲン化反応時や重縮合反応時においてクロロホーメー
ト末端の分解が多くなり、分子量が伸び難くなるため３
〜１５重量％が適当であり、特に５〜１０重量％が好ま
しい。水酸化カリウム水溶液に使用する水は５μΩ^-1以
下のイオン交換水が好ましく、水酸化カリウム水溶液は
窒素ガス等を通じて脱酸素して使用するのが好ましい。
次いで行う重縮合反応は通常０〜４０℃、好ましくは２
０〜４０℃、より好ましくは２５〜３５℃の温度で行わ
れる。反応時間は通常数分〜５時間、好ましくは３０分
〜１時間である。反応中は水溶液のｐＨを１２以上に保
持することが好ましい。

【００２５】また、上記目的を達成するための他の方法
として、ホスゲンを使用する反応において、触媒を使用
する方法、特に４級アンモニウム塩を使用する方法が好
ましく採用される。この４級アンモニウム塩としては、
例えば次式のものがある。 ［ＣＨ₃（ＣＨ₂）₃］₄ＮＸ、 ［ＣＨ₃（ＣＨ₂）₅］₄ＮＸ、 ［ＣＨ₃（ＣＨ₂）₆］₄ＮＸ、 ＣＨ₃［ＣＨ₃（ＣＨ₂）₃］₃ＮＸ、 ［式中、ＸはＣｌ^-、Ｂｒ^-または−ＯＲ⁴基である、こ
こでＲ⁴は水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基また
は炭素数６〜１８のアリール基を示す。］ これらの使用量は芳香族ジヒドロキシ成分に対するモル
比で通常０.０００１〜０.０１、好ましくは０.００１
〜０.００５である。

【００２６】さらに、上記目的を達成するための別の方
法として、前記の通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を
製造する方法により得られた芳香族ポリカーボネート樹
脂を再び塩化メチレンなどの有機溶媒に溶かし、次いで
一価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメート誘導
体または一価のカルボン酸の酸クロリド誘導体等を添加
し反応させる方法が好ましく採用される。一価のヒドロ
キシ芳香族化合物のクロロホーメート誘導体または一価
のカルボン酸の酸クロリド誘導体の使用量は、得られた
芳香族ポリカーボネート樹脂のフェノール性ＯＨ基末端
のＯＨ価の１.０〜１.５倍ｅｑ／Ｔｏｎの範囲で使用す
ることが好ましく、１.０〜１.２倍ｅｑ／Ｔｏｎがより
好ましい。なお、上記に示した方法は、それぞれ単独で
使用しても、また併用して使用してもよい。

【００２７】本発明において、前記芳香族ポリカーボネ
ート樹脂は、その樹脂の全末端基に対するフェノール性
ＯＨ基末端の割合が、ＴｉＣｌ₄法で測定したときのＯ
Ｈ価で該芳香族ポリカーボネート樹脂当り１０ｅｑ／Ｔ
ｏｎ以下であり、８ｅｑ／Ｔｏｎ以下が好ましく、４ｅ
ｑ／Ｔｏｎ以下が特に好ましい。このフェノール性ＯＨ
基の割合が、ＯＨ価で該芳香族ポリカーボネート樹脂当
り１０ｅｑ／Ｔｏｎを超えると、芳香族ポリカーボネー
ト樹脂の熱安定性が十分でないため好ましくない。ここ
で云うＯＨ価は、芳香族ポリカーボネート樹脂約０.２
ｇを約１０ｍｌの塩化メチレンに溶解し、これにＴｉＣ
ｌ₄溶液１０ｍｌと酢酸溶液４ｍｌを加え、水をブラン
クとして５００ｎｍの吸光度により算出した値である。

【００２８】また、前記重合反応において、末端停止剤
として通常使用される単官能フェノール類を使用するこ
とができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲン
を使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止
剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得
られた芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フ
ェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そ
うでないものと比べて熱安定性に優れている。

【００２９】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アル
キル置換フェノールであって、下記一般式で表される単
官能フェノール類を示すことができる。

【００３０】

【化１】

【００３１】［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜
９、好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは
１〜５、好ましくは１〜３の整数を示す。］ 前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェ
ノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミル
フェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられ
る。

【００３２】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基
として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤ま
たは分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶
融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかりでな
く、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸水率
を低くする効果があり、好ましく使用される。これらは
下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される。

【００３３】

【化２】

【００３４】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合
または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪
族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の
結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロゲ
ン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価
の脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、
Ｙは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族
炭化水素基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−Ｒ²またはＲ³である、ここでＲ¹、Ｒ²およびＲ
³は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一
価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜
６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好
ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。ｌ
は４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１
〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５
０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１０、好
ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ²
は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価
の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６
の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ま
しくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。］

【００３５】これらのうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］お
よび［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−
ａ］の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特
に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては、
例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトラ
デシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデ
シルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェ
ノールおよびトリアコンチルフェノールなどを挙げるこ
とができる。

【００３６】また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類とし
てはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化
合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６の
ものが好適であって、その具体例としては、例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。

【００３７】前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示さ
れる置換フェノール類または置換安息香酸クロライドに
おいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ま
しく、その両者の混合物が好ましい。

【００３８】前記単官能フェノール類は、得られた芳香
族ポリカーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５
モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入さ
れることが望ましく、また単官能フェノール類は単独で
もしくは２種以上混合して使用してもよい。

【００３９】また、本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂において、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンが、全芳香族ジ
ヒドロキシ成分の８０モル％以上である場合は、樹脂の
流動性が低下することがあり、そのため前記一般式［Ｉ
−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類または
置換安息香酸クロライド類を末端停止剤として使用する
ことが好ましい。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
その光弾性定数の値が６０×１０^{-1 3}ｃｍ²／ｄｙｎ以
下、好ましくは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下のもの
が有利に利用される。光弾性定数の値が前記値よりも大
きい場合、光学用材料、殊に光ディスクとして適さなく
なる。芳香族ポリカーボネート樹脂は、そのガラス転移
点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がより好ま
しく、１４５℃以上がさらに好ましい。ガラス転移点が
低くなると光学用材料、殊にディスク基板としての耐熱
性が不足する。

【００４１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
全光線透過率が少なくとも８５％、好ましくは少なくと
も９０％であることが望ましい。全光線透過率が８５％
よりも低くなると、光学用材料、殊に光ディスク基板と
して不適当であり好ましくない。また、芳香族ポリカー
ボネート樹脂の斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍ以
下、好ましくは４０ｎｍ以下であるのが適当である。こ
の斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍを越えると、光
ディスク基板として使用した場合記録の読み取りに支障
を来すことになり不適当である。また芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の流動性はＭＦＲの値で２５ｇ／１０分以上
が好ましく、３０ｇ／１０分以上がより好ましく、４５
ｇ／１０分以上がさらに好ましい。溶融流動性が低くな
ると成形性に劣り光学的に良好な成形品が得られ難くな
る。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、必要に応じて燐系熱安定剤を加えることができる。
燐系熱安定剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸エス
テルが好ましく使用される。亜燐酸エステルとしては、
例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニ
ルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、
トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファ
イト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチル
モノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニ
ルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、
モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフ
ェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホ
スファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノ
ニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、
ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタ
エリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエ
リスリトールジホスファイト、テトラキス（２,４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレン
ホスホナイトなどの亜燐酸のトリエステル、ジエステ
ル、モノエステルが挙げられる。これらのうち、トリス
ノニルフェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジステアリル
ペンタエリスリトールジホスファイトが好ましい。

【００４３】一方、熱安定剤として使用される燐酸エス
テルとしては、例えばトリブチルホスフェート、トリメ
チルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフ
ェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェ
ニルクレジルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセ
ニルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、
ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイ
ソプロピルホスフェートなどが挙げられ、なかでもトリ
メチルホスフェート、トリフェニルホスフェートが好ま
しい。

【００４４】前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよ
く、また二種以上を組合せて使用してもよい。燐系熱安
定剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂に基づいて０.０
００１〜０.０５重量％の範囲で使用するのが適当であ
る。

【００４５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加す
ることができる。その例としてはフェノール系酸化防止
剤を示すことができ、具体的には、例えばトリエチレン
グリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ
ート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシン
ナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、ト
リス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジ
メチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エ
チル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）
ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の好ま
しい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂に対し
て、０.０００１〜０.０５重量％である。

【００４６】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級
脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価または
多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することに
より、前記芳香族ポリカーボネート樹脂の成形時の金型
からの離型性が改良され、ディスク基板の成形において
は、離型荷重が少なく離型不良によるディスク基板の変
形、ピットずれを防止できる。また、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の熱安定性が向上し、さらに溶融流動性が改
善される利点もある。かかる高級脂肪酸エステルとして
は、炭素原子数１〜２０の一価または多価アルコールと
炭素原子数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルま
たは全エステルであるのが好ましい。

【００４７】また、かかる一価または多価アルコールと
飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとして
は、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソ
ルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリス
リトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテト
ラステアレート、プロピレングリコールモノステアレー
ト、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテー
ト、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロ
ピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートな
どが挙げられ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、
ペンタエリスリトールテトラステアレートが好ましく用
いられる。

【００４８】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂に対して
０.０１〜２重量％であり、０.０１５〜０.５重量％が
好ましく、０.０２〜０.２重量％がより好ましい。配合
量が０.０１重量％未満では上記効果が得られず、２重
量％を越えると金型表面の汚れの原因となるので好まし
くない。

【００４９】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂に
は、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの
添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができ
る。また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂を
本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加することも
できる。

【００５０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂を製
造するには、任意の方法で行うことができる。例えばタ
ンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、バンバ
リーミキサー、混練ロール、押出機などで混合する方法
が適宜用いられる。この芳香族ポリカーボネート樹脂
は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶液
キャスティング法など任意の方法により成形される。

【００５１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
成形性および熱安定性に優れているので種々の成形品と
して利用することができる。殊に光学ディスク、光学レ
ンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィルム、光フ
ァイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射鏡、ディ
スプレーなどの光学部品の構造材料または機能材料用途
に適した光学用成形品として有利に使用することができ
る。これらのうち、光ディスク基板として特に有利に使
用することができる。

【００５２】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度： ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）： デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）： ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。オリゴマー含量： 東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ
２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用
い、溶離液としてクロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で
流しながら試料５０ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解し
た溶液を２０μｌ注入する方法で求めたＧＰＣチャート
のリテンションタイムが１９分以降のオリゴマー成分の
ピーク面積の全ピーク面積に対する割合を％で示した。吸水率： ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０によって測定した。

【００５３】塩化メチレン未溶解粒子：該芳香族ポリカ
ーボネート樹脂２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶
液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンター
モデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。全光線透過率： ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数： 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。重量減少温度： デュポン社製９５１型ＴＧＡを用いて５
％重量減少温度と１０％重量減少温度を測定した。末端ＯＨ量： 約０.２ｇのポリカーボネート樹脂を２５
ｍｌのメスフラスコに取り正確に秤量した後、約１０ｍ
ｌの塩化メチレンを加えて溶解する。溶解後、ＴｉＣｌ
₄溶液１０ｍｌと酢酸溶液４ｍｌを加え、塩化メチレン
で標線まで満たす。この溶液をよく振り混ぜた後、水を
ブランクとして５００ｎｍの吸光度を測定し、ＯＨ価を
算出した。斜め入射複屈折位相差： オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り： ８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に、反面にア
ルミニウム製膜処理した光ディスクを１,０００時間放
置した後、小野測器製ＬＭ−１２００光ディスク検査装
置を用いて基板の反りを測定した。ΔＹＩ： 縦７０ｃｍ、横５０ｍｍ、厚み２ｍｍの試験片
を作成し、１３０℃×７２０ｈｒの条件下で乾熱処理を
行い、処理前後のＹＩ値をＪＩＳ Ｋ７１０３に従って
日本電色工業色差計Ｚ−１００１ＤＰを用いて測定し、
処理前後のＹＩ値の差を算出した。

【００５４】実施例１ 温度計、攪拌機、還流冷却器およびホスゲン吹き込み管
を備えた反応器にイオン交換水７７９.３部、水酸化カ
リウム３６.７部を入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（以
下“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）２
５.４部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール（以下“ビスフェノールＭ”と略称す
ることがある）２８.４部およびハイドロサルファイト
０.１１部を溶解した後、塩化メチレン３６３.９部を加
え、攪拌下１８〜２１℃でホスゲン２１.０部を４０分
を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１.１１部と水酸化カリウム
４.５９部を加え、さらにトリエチルアミン０.０４部を
加えて２７〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。
反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した
のち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換
水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出
し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレン
を蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭ
の比がモル比で５０：５０である無色のポリマー５５.
７部を得た（収率９６％）。このポリマーの比粘度は
０.２８６、オリゴマー含量は２.１％、Ｔｇは１４４
℃、ＭＦＲは７０ｇ／１０分、吸水率は０.１５重量
％、５％重量減少温度は４９３℃、１０％重量減少温度
は５０７℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は８.０ｅｑ
／Ｔｏｎであった。

【００５５】このポリマーにトリス（ノニルフェニル）
ホスファイトを０.００３％、トリメチルホスフェート
を０.００５％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０４
５％加えてペレット化し、住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌ
ｌを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスクに
射出成形した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は
０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９
０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性
定数は４５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は２０ｎｍ、反りは０.１９ｍｍ、ΔＹＩは０.９４
であった。

【００５６】実施例２ 実施例１のイオン交換水を３９８.６部とした以外は実
施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェ
ノールＭの比がモル比で５０：５０である無色のポリマ
ー５６.３部を得た（収率９７％）。このポリマーの比
粘度は０.２８７、オリゴマー含量は２.０％、Ｔｇは１
４５℃、ＭＦＲは６８ｇ／１０分、吸水率は０.１５重
量％、５％重量減少温度は４９６℃、１０％重量減少温
度は５１０℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は２.９ｅ
ｑ／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施例１と同様の
添加剤を加え、実施例１と同様に成形し、同様に評価し
た。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以
上が１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１８０個／ｇで
あった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４５
×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２０
ｎｍ、反りは０.１９ｍｍ、ΔＹＩは０.８７であった。

【００５７】実施例３ 実施例１と同様の反応器にイオン交換水５２８.３部と
４８.５％水酸化ナトリウム水溶液５４.０部を仕込み、
これに１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン２５.４部、４,４'−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール２
８.４部およびハイドロサルファイト０.１１部を溶解し
た後、塩化メチレン３６３.９部を加え、攪拌下１８〜
２１℃でホスゲン２１.０部を約４０分を要して吹き込
んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール１.１１部と４８.５％水酸化ナトリウム水溶
液６.１５部を加え、さらにテトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムブロマイド０.０４部を加えて２７〜３３℃で１
時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を実
施例１と同様に精製し、ビスフェノールＴＭＣとビスフ
ェノールＭの比がモル比で５０：５０の無色のポリマー
５５.７部（収率９６％）を得た。このポリマーの比粘
度は０.２８６、オリゴマー含量は２.６％、Ｔｇは１４
４℃、ＭＦＲは７０ｇ／１０分、吸水率は０.１５重量
％、５％重量減少温度は４９２℃、１０％重量減少温度
は５０６℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は７.４ｅｑ
／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施例１と同様の添
加剤を加え、実施例１と同様に成形し、同様に評価し
た。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以
上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／ｇで
あった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４５
×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２０
ｎｍ、反りは０.１９ｍｍ、ΔＹＩは０.９５であった。

【００５８】実施例４ 実施例３のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
に代えてトリエチルアミン０.０４部を加えた以外は実
施例３と同様に反応し、精製して無色のポリマー５５.
７部（収率９６％）を得た。このポリマーのフェノール
性ＯＨ基のＯＨ価は５８.８ｅｑ／Ｔｏｎであった。次
いで、かかるポリマー全量を塩化メチレン３６３.９部
に溶解した。この溶液に、カプロン酸クロライド０.４
４部およびトリエチルアミン０.０４部を添加し、２７
〜３３℃で１時間攪拌して反応を行った。反応終了後、
実施例１と同様に精製して、ビスフェノールＴＭＣとビ
スフェノールＭの比がモル比で５０：５０の無色のポリ
マーを得た。このポリマーの比粘度は０.２８６、オリ
ゴマー含量は２.９％、Ｔｇは１４４℃、ＭＦＲは７０
ｇ／１０分、吸水率は０.１５重量％、５％重量減少温
度は４９６℃、１０％重量減少温度は５０８℃、フェノ
ール性ＯＨ基のＯＨ価は４.４ｅｑ／Ｔｏｎであった。
このポリマーに実施例１と同様の添加剤を加え、実施
例１と同様に成形し、同様に評価した。このものの塩化
メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１４,０００個／
ｇ、１μｍ以上が１８０個／ｇであった。また全光線透
過率は８９％、光弾性定数は４５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、反りは０.１９
ｍｍ、ΔＹＩは０.９５であった。

【００５９】実施例５ 実施例１のイオン交換水を３９８.６部、トリエチルア
ミンに代えてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイ
ド０.０４部とした以外は実施例１と同様にして、フェ
ノール性ＯＨ基のＯＨ価が２.６ｅｑ／Ｔｏｎの無色の
ポリマーを得た。次いで、かかるポリマー全量を実施例
４と同様にカプロン酸クロライドと反応させ、その後精
製して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比
がモル比で５０：５０の無色のポリマーを得た。このポ
リマーの比粘度は０.２８７、オリゴマー含量は２.０
％、Ｔｇは１４５℃、ＭＦＲは６８ｇ／１０分、吸水率
は０.１５重量％、５％重量減少温度は４９９℃、１０
％重量減少温度は５１５℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ
価は１.５ｅｑ／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施
例１と同様の添加剤を加え、実施例１と同様に成形し、
同様に評価した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は
０.５μｍ以上が１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１８
０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性
定数は４５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は２０ｎｍ、反りは０.１９ｍｍ、ΔＹＩは０.８２
であった。

【００６０】実施例６ 実施例１のイオン交換水を３９８.６部、１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシ
クロヘキサンを３５.６部、４,４’−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノールを１７.０部とした
以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣと
ビスフェノールＭの比がモル比で７０：３０の無色のポ
リマー５５.２部（収率９７％）を得た。このポリマー
の比粘度は０.２８７、オリゴマー含量は２.１％、Ｔｇ
は１６２℃、ＭＦＲは３８ｇ／１０分、吸水率は０.１
８重量％、５％重量減少温度は４９４℃、１０％重量減
少温度は５０９℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は３.
２ｅｑ／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施例１と同
様の添加剤を加え、実施例１と同様に成形し、同様に評
価した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μ
ｍ以上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／
ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は
４２×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は
１７ｎｍ、反りは０.２２ｍｍ、ΔＹＩは０.８７であっ
た。

【００６１】実施例７ 実施例１のイオン交換水を３９８.６部、１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシ
クロヘキサンを２０.３部、４,４’−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノールを３４.１部とした
以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣと
ビスフェノールＭの比がモル比で４０：６０の無色のポ
リマー５６.９部（収率９７％）を得た。このポリマー
の比粘度は０.２８７、オリゴマー含量は２.０％、Ｔｇ
は１３５℃、ＭＦＲは８６ｇ／１０分、吸水率は０.１
４重量％、５％重量減少温度は４９５℃、１０％重量減
少温度は５１０℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は３.
４ｅｑ／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施例１と同
様の添加剤を加え、実施例１と同様に成形し、同様に評
価した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μ
ｍ以上が１３,０００個／ｇ、１μｍ以上が１４０個／
ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は
４６×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は
２０ｎｍ、反りは０.１５ｍｍ、ΔＹＩは０.８７であっ
た。

【００６２】比較例１ 実施例１と同様の反応器にイオン交換水５２８.３部と
４８.５％水酸化ナトリウム水溶液５４.０部を入れ、こ
れに１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサン２５.４部、４,４'−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール２
８.４部およびハイドロサルファイト０.１１部を溶解し
た後、塩化メチレン３６３.９部を加え、攪拌下１８〜
２１℃でホスゲン２１.０部を約４０分を要して吹き込
んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール１.１１部と４８.５％水酸化ナトリウム水溶
液６.１５部を加え、さらにトリエチルアミン０.０４部
を加えて２７〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了し
た。反応終了後、生成物を実施例１と同様に精製し、ビ
スフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で
５０：５０の無色のポリマー５５.１部（収率９５％）
を得た。このポリマーの比粘度は０.２８６、オリゴマ
ー含量は３.０％、Ｔｇは１４５℃、ＭＦＲは７１ｇ／
１０分、吸水率は０.１５重量％、５％重量減少温度は
４９０℃、１０％重量減少温度は５０５℃、フェノール
性ＯＨ基のＯＨ価は５８.８ｅｑ／Ｔｏｎであった。こ
のポリマーに実施例１と同様の添加剤を加え、実施例１
と同様に成形し、同様に評価した。このものの塩化メチ
レン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１４,５００ 個／
ｇ、１μｍ以上が２００個／ｇであった。また全光線透
過率は８９％、光弾性定数は４５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、反りは０.１９
ｍｍ、ΔＹＩは２.３６であり、熱安定性が不足してい
た。

【００６３】比較例２ 比較例１のイオン交換水を２５８.０部とした以外は比
較例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェ
ノールＭの比がモル比で５０：５０である無色のポリマ
ー５３.４部を得た（収率９２％）。このポリマーの比
粘度は０.２７８、オリゴマー含量は３.５％、Ｔｇは１
４３℃、ＭＦＲは７３ｇ／１０分、吸水率は０.１５重
量％、５％重量減少温度は４８３℃、１０％重量減少温
度は４９８℃、フェノール性ＯＨ基のＯＨ価は７３.５
ｅｑ／Ｔｏｎであった。このポリマーに実施例１と同様
の添加剤を加え、実施例１と同様に成形し、同様に評価
した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ
以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が２１０個／ｇ
であった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４
５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２
０ｎｍ、反りは０.２０ｍｍ、ΔＹＩは２.６４であり、
熱安定性が不足していた。

【００６４】表１に、実施例１〜７と比較例１〜２の合
成条件および評価結果を示した。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
は、成形性および熱安定性に優れ、かつ低複屈折で、反
りの少ない、長期信頼性に優れた成形品を与えるので、
光学ディスク、光学レンズ、光カードなどの各種光学用
成形品として好適に用いられる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
   ８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
   ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）および（ｂ）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプ
   ロピリデン）ジフェノール（成分ｂ）であり、且つ成分
   ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範
   囲で構成された芳香族ポリカーボネート樹脂であって、
   その樹脂の全末端基に対するフェノール性ＯＨ基末端の
   割合がＴｉＣｌ₄法で測定したときのＯＨ価で該芳香族
   ポリカーボネート樹脂当り１０ｅｑ／Ｔｏｎ以下である
   芳香族ポリカーボネート樹脂。
2. 【請求項２】 成分ａと成分ｂの割合がモル比で８０：
   ２０〜２０：８０である請求項１記載の芳香族ポリカー
   ボネート樹脂。
3. 【請求項３】 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、その
   ０.７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２
   ０℃において測定された比粘度が０.２〜０.５の範囲で
   ある請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。
4. 【請求項４】 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、本文
   に定義された吸水率が０.２重量％以下である請求項１
   記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。
5. 【請求項５】 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、本文
   に定義された方法によって測定されたオリゴマー含量が
   １０％以下である請求項１記載の芳香族ポリカーボネー
   ト樹脂。
6. 【請求項６】 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、その
   塩化メチレン溶液中で測定された未溶解粒子がポリカー
   ボネート共重合体１ｇ当り粒子換算直径０.５μｍ以上
   のものが２５,０００個以下、且つ１μｍ以上のものが
   ５００個以下である請求項１記載の芳香族ポリカーボネ
   ート樹脂。
7. 【請求項７】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂より形成された光学用材料。
8. 【請求項８】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂より形成された光ディスク基板。