JP3404166B2 - 芳香族ポリカーボネート共重合体 - Google Patents

芳香族ポリカーボネート共重合体

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JP3404166B2 JP04878095A JP4878095A JP3404166B2 JP 3404166 B2 JP3404166 B2 JP 3404166B2 JP 04878095 A JP04878095 A JP 04878095A JP 4878095 A JP4878095 A JP 4878095A JP 3404166 B2 JP3404166 B2 JP 3404166B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
ト共重合体に関する。さらに詳しくは複屈折および成形
性の改善された芳香族ポリカーボネート共重合体および
それからの成形品に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂
はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従
って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求
められている。またより溶融流動性に優れた転写性の良
い、成形サイクルの短い樹脂が求められている。
【0003】一方、特開平2−88634号公報には、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−
トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族ポリカー
ボネート樹脂が開示されており、このポリマーが低複屈
折性で耐熱性が良好なことも知られているが、溶融流動
性が悪く、良好な成形品が得られ難い。また種々の共重
合体に関する記載はあるが、具体的事例は示されていな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
物性を保持しつつ斜め入射複屈折、成形性、反りなどを
向上した芳香族ポリカーボネート共重合体を提供するこ
とにある。本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意研
究を重ねた結果、特定の2種または3種の二価フェノー
ルを使用することにより得られた芳香族ポリカーボネー
ト共重合体が光学用材料として好適であることを見出
し、本発明に到達した。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば下記一般式[I]
【0006】
【化6】
【0007】で表わされる繰返し単位[I]および下記
一般式[II−a]
【0008】
【化7】
【0009】で表わされる繰返し単位[II−a]より
なり、単位[I]と単位[II−a]との割合がモル比
で80:20〜1:99の範囲である芳香族ポリカーボ
ネート共重合体[A]が提供される。
【0010】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
[A]の製造に用いる2種の二価フェノールは4,4'−
(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノールお
よび1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,
5−トリメチルシクロヘキサンであり、これらはその合
成時に副生する不純物を極力除去した99.0%以上の
高純度のものが好ましい。本発明の芳香族ポリカーボネ
ート共重合体[A]において全繰返し単位当り、繰返し
単位[I]の割合が80〜1モル%、繰返し単位[II
−a]の割合が20〜99モル%であり、繰返し単位
[I]の割合が70〜5モル%、繰返し単位[II−
a]の割合が30〜95モル%が好ましい。繰返し単位
[I]の割合が80モル%より多く、繰返し単位[II
−a]の割合が20モル%より少なくなると得られた樹
脂の光弾性定数が大きくなりかつガラス転移点も低くな
るので好ましくない。また、繰返し単位[I]の割合が
1モル%より少なく、繰返し単位[II−a]の割合が
99モル%より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が
悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難
くなる。
【0011】また本発明によれば、下記一般式[I]
【0012】
【化8】
【0013】で表わされる繰返し単位[I]、下記一般
式[II−a]
【0014】
【化9】
【0015】で表わされる繰返し単位[II−a]およ
び下記一般式[II−b]
【0016】
【化10】
【0017】で表わされる繰返し単位[II−b]より
なり、単位[I]と単位[II−a]および単位[II
−b]との合計量の割合がモル比で80:20〜1:9
9の範囲であり、単位[II−a]および単位[II−
b]の合計量に基いて単位[II−a]の割合が50モ
ル%以上である芳香族ポリカーボネート共重合体[B]
が提供される。
【0018】この芳香族ポリカーボネート共重合体
[B]の製造には前記共重合体[A]に使用される2種
の二価フェノールに加えて9,9−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)フルオレンが使用される。これら3種の二
価フェノールはそれぞれ前記と同様その合成時に副生す
る不純物を極力除去した99.0%以上の高純度のもの
が好ましい。
【0019】芳香族ポリカーボネート共重合体[B]に
おいて全繰返し単位当り、繰返し単位[I]の割合が8
0〜1モル%でありかつ繰返し単位[II−a]および
繰返し単位[II−b]の合計量の割合は20〜99モ
ル%である。繰返し単位[I]の割合が70〜5モル
%、繰返し単位[II−a]および繰返し単位[II−
b]の合計量の割合が30〜95モル%が好ましい。ま
た、繰返し単位[II−a]および繰返し単位[II−
b]の合計量に基いて、繰返し単位[II−a]の割合
は50モル%以上であり、55〜95モル%の範囲が好
ましい。繰返し単位[I]の割合が80モル%より多
く、繰返し単位[II−a]および繰返し単位[II−
b]の合計量の割合が20モル%より少なくなると得ら
れた樹脂の光弾性定数が大きくなりかつガラス転移点も
低くなるので好ましくない。また、繰返し単位[I]の
割合が1モル%より少なく、繰返し単位[II−a]お
よび繰返し単位[II−b]の合計量の割合が99モル
%より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が悪く成形
不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。
【0020】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
[A]および[B]はいずれも通常の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二
価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボ
ネート前駆物質を反応させる方法により製造される。
【0021】カーボネート前駆物質として例えばホスゲ
ンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に上記二
価フェノールを溶解し、有機溶媒の存在下に反応させ
る。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムなどのアルカリ金属水酸化物が用いられ、有機
溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼンな
どのハロゲン化炭化水素が用いられる。反応温度は通常
0〜40℃であり、反応時間は数分〜5時間である。
【0022】また、反応を促進させるために触媒を用い
てもよく、触媒としては、例えばトリエチルアミン、テ
トラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−n
−ブチルホスホニウムブロマイドのような三級アミン、
四級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物など
があげられる。更に、必要に応じハイドロサルファイト
のような酸化防止剤を加えることもできる。
【0023】さらに末端停止剤としては、例えばフェノ
ール、p−tert−ブチルフェノール、p−クミルフ
ェノール、イソオクチルフェノールなどの単官能フェノ
ール類を用いる。また溶融流動性をさらに向上するため
には炭素原子数10〜50のアルキルフェノールを全末
端停止剤の少なくとも5モル%以上用いると良い。本発
明の芳香族ポリカーボネート共重合体[A]において全
繰返し単位当り、繰返し単位[II−a]の割合が60
モル%以上、特に65モル%以上の場合または本発明の
芳香族ポリカーボネート共重合体[B]において全繰返
し単位当り、繰返し単位[II−a]および繰返し単位
[II−b]の合計量の割合が60モル%以上、特に6
5モル%以上の場合は、樹脂の溶融流動性がやや低下す
ることがあり、そのため上述の長鎖アルキルフェノール
(好ましくは炭素原子数10〜50)を末端停止剤とし
て使用することが好ましい。その際用いられる該長鎖ア
ルキルフェノールのアルキル基の置換位置は通常水酸基
のオルソ位またはパラ位のものが用いられ、中でもオル
ソ位とパラ位の混合物が好ましく用いられる。
【0024】上述した長鎖アルキルフェノールが末端停
止剤として本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
[A]および[B]の溶融流動性をさらに向上させるた
めに好ましく用いられるが、他に下記一般式(I)〜
(VII)で示す化合物を末端停止剤として用いること
も可能である。
【0025】
【化11】
【0026】[式中、Xは−R−O−、−R−CO−O
−または−R−O−CO−である、ここでRは単結合ま
たは炭素数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族
炭化水素基を示し、Tは単結合または上記Xと同様の結
合を示し、nは10〜50の整数を示す。Qはハロゲン
原子または炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の
脂肪族炭化水素基を示し、pは0〜4の整数を示し、Y
は炭素数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭
化水素基を示し、W1は水素原子、−CO−R1−、−C
O−O−R2−またはR3である、ここでR1、R2および
3は、それぞれ炭素数1〜10、好ましくは1〜5の
一価の脂肪族炭化水素基、炭素数4〜8、好ましくは5
〜6の一価の脂環族炭化水素基または炭素数6〜15、
好ましくは6〜12の一価の芳香族炭化水素基を示す。
lは4〜20、好ましくは5〜10の整数を示し、mは
1〜100、好ましくは3〜60、特に好ましくは4〜
50の整数を示し、Zは単結合または炭素数1〜10、
好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭化水素基を示し、W
2は水素原子、炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一
価の脂肪族炭化水素基、炭素数4〜8、好ましくは5〜
6の一価の脂環族炭化水素基または炭素数6〜15、好
ましくは1〜12の一価の芳香族炭化水素基を示す。]
【0027】上述した式(I)〜(VII)の化合物
は、前述の長鎖アルキルフェノールと同様に溶融流動性
をさらに向上させるために全末端停止剤の少なくとも5
モル%以上用いられることが好ましい。
【0028】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応では、不活性ガス雰囲気下
所定割合の上記二価フェノールを炭酸ジエステルと加熱
しながら攪拌して生成するアルコールまたはフェノール
を留出させることで行われる。反応温度は生成するアル
コールまたはフェノールの沸点などにより異なるが、通
常120〜300℃の範囲である。反応後期には系を減
圧にして生成するアルコールまたはフェノールの留出を
容易にさせて反応を完結させる。炭酸ジエステルとして
は、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネート、ビス(ジフェニル)カーボネート、ジメチルカ
ーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネ
ートなどが挙げられる。これらのうち特にジフェニルカ
ーボネートが好ましい。
【0029】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウムなどのアルカリ金属およびアルカリ土類金
属の水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第4級アンモニウ
ム塩類、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の有機
酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物
類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合
物類、アンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン
化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化
反応、エステル交換反応に使用される触媒を使用するこ
とができる。触媒は1種だけを用いても2種以上を組合
わせて用いてもよい。これらの触媒の使用量は原料の二
価フェノールに対し0.0001〜1重量%、好ましく
は0.0005〜0.5重量%の範囲で選ばれる。
【0030】かくして得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体[A]および[B]はいずれもポリマー0.7
gを100mlの塩化メチレンに溶解し、20℃で測定
した比粘度が0.2〜0.4の範囲のものが好ましく、
0.25〜0.35の範囲のものがさらに好ましい。比粘
度が0.2未満では成形品が脆くなり、一方、0.4より
高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的
に良好な成形品が得られ難くなる。
【0031】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
[A]および[B]はいずれも、例えば射出成形法、圧
縮成形法、押出成形法、溶融キャスティング法など任意
の方法で成形することができる。
【0032】なお、本発明の芳香族ポリカーボネート共
重合体[A]および[B]には、必要に応じてりん系の
熱安定剤、フェノール系の酸化防止剤などを加えること
ができる。りん系の安定剤としては、例えばトリフェニ
ルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、
トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホス
ファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモ
ノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホス
ファィト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、
モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェ
ニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイ
ト、ビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチル
フェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、2,
2−メチレンビス(4,6−ジ−tert−ブチルフェ
ニル)オクチルホスファイト、ビス(ノニルフェニル)
ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス(2,4−
ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール
ジホスファイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−
ブチルフェニル)−4,4−ジフェニレンホスホナイト
などの亜りん酸のトリエステル、ジエステル、モノエス
テルであり、これらは単独で使用してもまたは2種以上
を併用してもよい。添加量としては0.0001〜0.0
5重量%が好ましい。
【0033】フェノール系酸化防止剤としては、例えば
トリエチレングリコール−ビス(3−(3−tert−
ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピ
オネート)、1,6−ヘキサンジオール−ビス(3−
(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキ
ス(3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオネート)、オクタデシル−3−
(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,4,
6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒド
ロキシベンジル)ベンゼン、N,N−ヘキサメチレンビ
ス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド)、3,5−ジ−tert−ブチル
−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、3,9−ビス
{1,1−ジメチル−2−[β−(3−tert−ブチ
ル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニ
ルオキシ]エチル}−2,4,8,10−テトラオキサス
ピロ(5,5)ウンデカンなどが挙げられる。好ましい
添加量の範囲は0.0001〜0.05%である。
【0034】また必要に応じて多価アルコールの高級脂
肪酸エステルを加えることもできる。好ましい脂肪酸エ
ステルとしては炭素原子数8〜22の飽和脂肪族モノカ
ルボン酸とグリコール類、グリセロール、ペンタエリス
リトールなどとの全エステル、部分エステルで、好まし
い添加量は0.001〜0.5重量%である。また光安定
剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を透明性を
損なわない範囲で加えることができる。また他のポリカ
ーボネート樹脂、あるいは熱可塑性樹脂をブレンドして
用いることもできる。
【0035】また本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
に含まれる塩素(Cl)は1.0ppm以下が好まし
い。また平均径0.5μm以上の異物は10000個/
g以下が好ましい。
【0036】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、複屈折性および成形性に特に優れているので種々の
成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィ
ルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反
射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機
能材料用途に適した光学用成形品として有利に使用する
ことができる。これらのうち、光ディスク用基板として
特に有利に使用することができる。
【0037】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり%は重量%であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度 ;ポリマー0.7gを100mlの塩化メチレン
に溶解し20℃の温度で測定した。ガラス転移点(Tg) ;デュポン社製910型DSCに
より測定した。流動性(MFR) ;JIS K−7210に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、2
80℃、荷重2.16kgで10分間に流出したポリマ
ー量(g)で示した。全光線透過率 ;ASTM D−1003に準拠して日本
電色シグマ80を用いて測定した。光弾性定数 ;理研計器(株)製の光弾性測定装置PA−
150により測定した。斜め入射複屈折位相差 ;オーク製エリプソメータADR
−200B自動複屈折測定装置を用い、入射角30度で
測定した。反り ;80℃、85%RHの恒温恒湿機中に光ディスク
を1000時間放置した後、小野測器製LM−1200
光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。
【0038】実施例1 温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
929.2部、48%水酸化ナトリウム水溶液61.3部
を入れ、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサン39部、4,4'−
(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノール4
3.6部およびハイドロサルファイト0.17部を溶解し
た後、p−tert−ブチルフェノール1.51部と塩
化メチレン637.9部を加えトリエチルアミン0.09
部を添加した後攪拌下15〜25℃でホスゲン32.4
部を40分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了
後、48%水酸化ナトリウム水溶液15.6部を加え、
28〜33℃で約1時間攪拌して反応を終了した。反応
終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち
塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と
殆ど同じになったところで塩化メチレンを蒸発して繰返
し単位[I]:繰返し単位[II−a]の比がモル比で
50:50の無色のポリマー86.4部を得た(収率9
7%)。
【0039】このポリマーの比粘度は0.286、Tg
は147℃、MFRは70g/10分であった。このポ
リマーを住友重機製DISK5Mlllを用いて120
mmφ、1.2mm厚みのディスク基板に射出成形し
た。このものの全光線透過率は89%、光弾性定数は3
9×10-13cm2/dyn、斜め入射複屈折位相差は2
0nm、反りは0.2mmであった。
【0040】実施例2 実施例1の1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを31.2部、4,
4'−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノ
ールを52.2部とした以外は実施例1と同様にして繰
返し単位[I]:繰返し単位[II−a]の比がモル比
で60:40のポリマー86.4部を得た(収率96
%)。このポリマーの比粘度は0.292、Tgは13
5℃、MFRは90g/10分であった。
【0041】このポリマーを実施例1と同様にディスク
基板を成形し実施例1と同様に評価したところ全光線透
過率は89%、光弾性定数は40×10-13cm2/dy
n、斜め入射複屈折位相差は24nm、反りは0.3m
mであった。
【0042】実施例3 実施例1の1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを46.8部、4,
4'−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノ
ールを34.9部とし、p−tert−ブチルフェノー
ルの代わりに炭素原子数17〜29(平均23)のアル
キルフェノール(オルソ置換体70%とパラ置換体30
%の混合物)を3.8部用いた以外は実施例1と同様に
して繰返し単位[I]:繰返し単位[II−a]の比が
モル比で40:60のポリマー86.4部(収率94
%)を得た。このポリマーの比粘度は0.275、Tg
は133℃、MFRは68g/10分であった。
【0043】このポリマーを実施例1と同様にディスク
基板を成形し実施例1と同様に評価したところ全光線透
過率は89%、光弾性定数は38×10-13cm2/dy
n、斜め入射複屈折位相差は20nm、反りは0.2m
mであった。
【0044】実施例4 実施例1と同様の装置にイオン交換水945部と48.
5%水酸化ナトリウム水溶液62.5部を仕込み、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメ
チルシクロヘキサン16部、9,9−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)フルオレン9部、4,4'−(m−フェニ
レンジイソプロピリデン)ジフェノール62.1部を溶
解させた後塩化メチレン649部を加え、p−tert
−ブチルフェノール1.15部とトリエチルアミン0.0
9部を加えて激しく攪拌しながら20℃でホスゲン33
部を約40分を要して吹き込み反応せしめた。次いで内
温を30℃に上げ48.5%水酸化ナトリウム水溶液1
6部を加えて1時間攪拌を続けて反応を終了した。
【0045】反応終了後、有機相を分離し、塩化メチレ
ンで希釈して水洗後、塩酸で中和し、水洗を繰返して水
相の導電率をイオン交換水とほぼ等しくせしめたところ
で有機相を分離し、塩化メチレンを蒸発しながら粉砕し
て繰返し単位[I]:繰返し単位[II−a]:繰返し
単位[II−b]の比がモル比で70:20:10のパ
ウダーを得た。このパウダーの比粘度は0.301、M
FRは64g/10分、Tgは146℃であった。この
パウダーに、トリス(ノニルフェニル)ホスファイトを
0.03%、トリメチルホスフェートを0.005%、ス
テアリン酸モノグリセリドを0.02%加えて、押し出
し温度280℃で押し出しを行いペレットを得た。この
ペレットを射出成形温度320℃、金型温度100℃で
成形し、120mmφ、1.2mm厚みのディスク基板
を得た。このものの光弾性定数は40×10-13cm2
dyn、斜め入射複屈折位相差は37nm、反りは0.
15mmであった。
【0046】実施例5 1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−
トリメチルシクロヘキサン23.8部、9,9−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)フルオレン9部、4,4'−(m
−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノール53.
2部およびp−tert−ブチルフェノールの代わりに
炭素原子数17〜29(平均23)のアルキルフェノー
ル(オルソ置換体70%とパラ置換体30%の混合物)
を3.4部とした以外は実施例4と同様にして繰返し単
位[I]:繰返し単位[II−a]:繰返し単位[II
−b]の比がモル比で60:30:10のパウダー、ペ
レットおよびディスク基板を得た。このものの比粘度は
0.277、MFRは76g/10分、Tgは135
℃、光弾性定数は37×10-13cm2/dyn、斜め入
射複屈折位相差は34nm、反りは0.15mmであっ
た。
【0047】実施例6 実施例1と同様の装置にイオン交換水802部と48%
水酸化ナトリウム水溶液、71.7部を仕込み、1,1−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサン64部、4,4'−(m−フェニレンジ
イソプロピリデン)ジフェノール3.8部およびハイド
ロサルファイト0.14部を溶解した後、塩化メチレン
550.3部を加え、攪拌下15〜25℃でホスゲン2
8部を約40分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み
終了後、炭素原子数17〜29(平均23)のアルキル
フェノール(オルソ置換体70%とパラ置換体30%の
混合物)4.9部、48%水酸化ナトリウム水溶液9部
および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサン0.6部を48%水酸
化ナトリウム水溶液0.2部とイオン交換水2部の混合
液に溶解した溶液を加え乳化後、トリエチルアミン0.
08部を加えて28〜33℃で約1時間攪拌して反応を
終了した。反応終了後、生成物を実施例4と同様にして
精製し、繰返し単位[I]:繰返し単位[II−a]の
比がモル比で5:95のパウダーを得た。このパウダー
の比粘度は0.274、Tgは178℃、MFRは32
g/10分であった。このパウダーを実施例4と同様に
してディスク基板を成形し評価したところ光弾性定数は
35×10-13cm2/dyn、斜め入射複屈折位相差は
25nm、反りは0.15mmであった。
【0048】比較例1 ビスフェノールAからのポリカーボネート(帝人化成
(株)製 パンライト AD−5503)を実施例4と同
様にディスク基板を成形し、実施例4と同様に評価し
た。このものの比粘度は0.289、MFRは60g/
10分、Tgは143℃、光弾性定数は83×10-13
cm2/dyn、斜め入射複屈折位相差は81nm、反
りは0.2mmてあった。
【0049】比較例2 実施例1の1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを7.8部、4,
4'−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノ
ールを78.4部とした以外は、実施例1と同様にして
繰返し単位[I]:繰返し単位[II−a]の比がモル
比で90:10のポリマー88.2部を得た(収率95
%)。このものの比粘度は0.286、Tgは115℃
と低かった。
【0050】比較例3 1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−
トリメチルシクロヘキサン4部、9,9−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)フルオレン4.5部、4,4'−(m
−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノール79.
8部およびp−tert−ブチルフェノールを1.15
部とした以外は実施例4と同様にして繰返し単位
[I]:繰返し単位[II−a]:繰返し単位[II−
b]の比がモル比で90:5:5のパウダー、ペレット
およびディスク基板を得た。このものの比粘度は0.2
88、MFRは102g/10分であったが、Tgは1
18℃と低かった。
【0051】
【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合
体は低複屈折で溶融流動性が良くかつ透明性にも優れる
ので、光学ディスク、光学レンズ、光カードなどの各種
光学用成形品として好適に用いられる。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 64/00 - 64/42 WPI/L(QUESTEL)

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式[I] 【化1】 で表わされる繰返し単位[I]および下記一般式[II
    −a] 【化2】 で表わされる繰返し単位[II−a]よりなり、単位
    [I]と単位[II−a]との割合がモル比で80:2
    0〜1:99の範囲である芳香族ポリカーボネート共重
    合体。
  2. 【請求項2】 下記一般式[I] 【化3】 で表わされる繰返し単位[I]下記一般式[II−a] 【化4】 で表わされる繰返し単位[II−a]および下記一般式
    [II−b] 【化5】 で表わされる繰返し単位[II−b]よりなり、単位
    [I]と単位[II−a]および単位[II−b]との
    合計量の割合がモル比で80:20〜1:99の範囲で
    あり、単位[II−a]および単位[II−b]の合計
    量に基いて単位[II−a]の割合が50モル%以上で
    ある芳香族ポリカーボネート共重合体。
  3. 【請求項3】 単位[II−a]および単位[II−
    b]の合計量に基いて単位[II−a]の割合が55〜
    95モル%の範囲である請求項2記載の芳香族ポリカー
    ボネート共重合体。
  4. 【請求項4】 単位[I]と単位[II−a]の割合が
    モル比で70:30〜5:95の範囲である請求項1記
    載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
  5. 【請求項5】 単位[I]と単位[II−a]および単
    位[II−b]との合計量の割合がモル比で70:30
    〜5:95の範囲である請求項2記載の芳香族ポリカー
    ボネート共重合体。
  6. 【請求項6】 ポリマー0.7gを100mlの塩化メ
    チレンに溶解した20℃における溶液の比粘度が0.2
    〜0.4である請求項1または2記載の芳香族ポリカー
    ボネート共重合体。
  7. 【請求項7】 フェノール系酸化防止剤0.0001〜
    0.05重量%を含有する請求項1または2記載の芳香
    族ポリカーボネート共重合体。
  8. 【請求項8】 末端基として炭素数10〜50のアルキ
    ルフェニルオキシ基を、全末端当り少なくとも5モル%
    以上有する請求項1または2記載の芳香族ポリカーボネ
    ート共重合体。
  9. 【請求項9】 請求項1または2記載の芳香族ポリカー
    ボネート共重合体より形成された光学用材料。
  10. 【請求項10】 請求項1または2記載の芳香族ポリカ
    ーボネート共重合体より形成された光ディスク用基板。
  11. 【請求項11】 りん系の熱安定剤0.0001〜0.0
    5重量%を含有する請求項2記載の芳香族ポリカーボネ
    ート共重合体。
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