JP2000248058A

JP2000248058A - 芳香族ポリカーボネート共重合体

Info

Publication number: JP2000248058A
Application number: JP11056831A
Authority: JP
Inventors: Manabu Matsui; 学松井
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1999-03-04
Filing date: 1999-03-04
Publication date: 2000-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】芳香族ポリカーボネート樹脂の優れた透明
性、成形性、耐熱性、機械物性等を保持しつつ、光弾性
定数および吸水性を向上した光学用材料、殊に光ディス
ク基板用材料に適した芳香族ポリカーボネート共重合体
を提供する。【解決手段】４，４′−｛１，３−フェニレン−ビス
（１−メチルエチリデン）｝ビス（２−メチルフェノー
ル）を必須成分とする二価フェノール成分より得られる
芳香族ポリカーボネート共重合体であり、該共重合体の
ガラス転移温度が１２０℃〜１７０℃であることを特徴
とする芳香族ポリカーボネート共重合体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート共重合体に関する。さらに詳しくは複屈折及び吸
水率の改善された光学用材料、殊に光ディスク基板用材
料に優れる芳香族ポリカーボネート共重合体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）に
カーボネート前駆物質を反応させて得られるポリカーボ
ネート樹脂は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性
が優れているがゆえにエンジニアリングプラスチックと
して多くの分野に広く使用されている。更に近年その透
明性を生かして光ディスク、光ファイバー、レンズ等の
分野への光学用材料としての利用が展開されており、特
に光ディスクの分野で情報記録媒体用基板の素材として
広く使用されている。しかしながら、かかるビスフェノ
ールＡより得られるポリカーボネート樹脂はベンゼン環
の光学異方性から光弾性定数が大きく、従って成形品の
複屈折が大きい欠点があり、この改善が求められてい
る。また、成形品の吸水による寸法安定性にも問題があ
り、特に吸水により生じる光ディスクの反りによってエ
ラーが起こり易く、この改善もあわせて求められてい
る。

【０００３】そこで、ポリカーボネート樹脂の構造を変
化させ光弾性定数を小さくして、光ディスクの複屈折を
小さくするという提案が多数開示されており、その中で
例えば、特開昭６３−８９５２５号公報、特開昭６３−
８９５２８号公報、特開昭６３−８９５３２号公報等に
は、４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）
ジフェノールと特定のジフェノールとの共重合体からな
る光学式ディスクが開示され、このものはビスフェノー
ルＡより得られるポリカーボネート樹脂より複屈折が小
さくなることが具体的に示されている。また、本出願人
においても、特開平８−８１５４９号公報、特開平８−
２９３１２８号公報等に、４，４′−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノールおよび１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサンより得られる芳香族ポリカーボネート共
重合体を提案し、この共重合体は光弾性定数が小さく、
吸水率が低く、光ディスク基板用材料として優れている
ことを開示している。

【０００４】しかしながら、上記これらの共重合体は、
記録密度の高い光ディスク基板用材料として良好な特性
を有するものの、近年のより高密度の記憶容量を要する
光ディスク基板用材料としては、必ずしも十分とは云え
ず、より吸水率の低い、より光弾性定数の小さい光学用
材料が求められている。

【０００５】また、一方、特開平６−２２２５８１号公
報において、４，４′−｛１，３−フェニレン−ビス
（１−メチルエチリデン）｝ビス（２−メチルフェノー
ル）より得られるポリカーボネート樹脂が開示されてお
り、かかるポリカーボネート樹脂は、具体的には、電子
写真感光体における電荷輸送層の結着樹脂として使用さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、芳香
族ポリカーボネート樹脂の優れた透明性、成形性、耐熱
性、機械物性等を保持しつつ、光弾性定数および吸水性
を向上した光学用材料、殊に光ディスク基板用材料に適
した芳香族ポリカーボネート共重合体を提供することに
ある。

【０００７】本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意
研究を重ねた結果、４，４′−｛１，３−フェニレン−
ビス（１−メチルエチリデン）｝ビス（２−メチルフェ
ノール）を必須成分として使用することによって、光学
用材料として好適な芳香族ポリカーボネート共重合体が
得られることを見出し本発明に到達した。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、下記式［Ｉ］

【０００９】

【化６】

【００１０】で表される構成単位および下記一般式［Ｉ
Ｉ］

【００１１】

【化７】

【００１２】［式中、Ｗは単結合、アルキリデン基、シ
クロアルキリデン基、フェニル基置換アルキリデン基、
フェニレンジアルキリデン基、フルオレニリデン基、ス
ルホン基、スルホキシド基、スルフィド基又はオキシド
基であり、Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なっていても良く、
ハロゲン原子、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基
であり、ｍ及びｎはそれぞれ０〜４の整数である。］で
表わされる構成単位よりなる芳香族ポリカーボネート共
重合体であり、該共重合体のガラス転移温度が１２０℃
〜１７０℃であることを特徴とする芳香族ポリカーボネ
ート共重合体が提供される。

【００１３】本発明において、かかる芳香族ポリカーボ
ネート共重合体は、それを構成する二価フェノール成分
として、４，４′−｛１，３−フェニレン−ビス（１−
メチルエチリデン）｝ビス（２−メチルフェノール）が
必須成分であり、前記式［Ｉ］で表される構成単位を有
する。

【００１４】また、前記一般式［ＩＩ］で表わされる構
成単位において、Ｗは単結合、アルキリデン基、シクロ
アルキリデン基、フェニル基置換アルキリデン基、フェ
ニレンジアルキリデン基（この場合、ｍおよびｎは０が
好ましい）、フルオレニリデン基、スルホン基、スルホ
キシド基、スルフィド基又はオキシド基であり、アルキ
リデン基、シクロアルキリデン基、フルオレニリデン基
が好ましく、Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なっていても良
く、ハロゲン原子、フェニル基、炭素数１〜４のアルキ
ル基であり、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、特
にメチル基が好ましく、ｍ及びｎはそれぞれ０〜４の整
数であり、０または１の整数が好ましい。

【００１５】かかる前記一般式［ＩＩ］で表わされる構
成単位を得るのに使用される二価フェノール成分として
は、具体的には４，４′−ビフェノール、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニ
ルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロ
ピリデン）ジフェノール、４，４′−（ｍ−フェニレン
ジイソプロピリデン）ジフェノール、９，９−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、２，
２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４′−ジヒドロキシジフェニルオキシドなどが挙げ
られ、これらは単独または２種以上を混合して使用でき
る。なかでも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレンおよび１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ンが好ましく、特に、９，９−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレンおよび１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサンが好ましく使用される。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
の構成単位［Ｉ］および構成単位［ＩＩ］の割合は、耐
熱性、成形性が良好となるように、その共重合体のガラ
ス転移温度が１２０〜１７０℃、好ましくは１３０〜１
６５℃、より好ましくは１３５〜１６０℃となる範囲に
おいて自由に設定できる。ガラス転移温度が１２０℃よ
り低くなると、光学用成形品、殊に光ディスク基板とし
ての耐熱性が不足し、高温環境下で使用した場合や、光
ディスクの再生、記録用レーザー光の熱により、光ディ
スクが変形するなど好ましくなく、１７０℃より高くな
ると、溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好
な成形品が得られなくなり好ましくない。本発明の芳香
族ポリカーボネート共重合体において、好ましくは構成
単位［Ｉ］の割合が１〜８０モル％、構成単位［ＩＩ］
の割合が９９〜２０モル％であり、より好ましくは構成
単位［Ｉ］の割合が１０〜７５モル％、構成単位［Ｉ
Ｉ］の割合が９０〜２５モル％であり、さらに好ましく
は構成単位［Ｉ］の割合が３０〜７０モル％、構成単位
［ＩＩ］の割合が７０〜３０モル％であり、特に好まし
くは構成単位［Ｉ］の割合が４０〜６０モル％、構成単
位［ＩＩ］の割合が６０〜４０モル％である。

【００１７】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、所定割合の上記二価フェノールとカーボネート前駆
体物質の反応によって製造される。ホスゲンを使用する
界面重縮合法によって容易に製造されるが、炭酸ジエス
テルを使用するエステル交換反応によって製造すること
もできる。

【００１８】ホスゲンを使用する界面重縮合反応では、
通常酸結合剤の水溶液に所定割合の上記二価フェノール
を溶解し、有機溶媒の存在下にホスゲンを反応させる。
酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属の水酸化物が使用され、有機溶媒
としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素が使用される。反応温度は通常０〜４０
℃、好ましくは２０〜３０℃であり、反応時間は数分〜
５時間程度である。反応の進行に伴い反応系のｐＨを１
０以上に保持することが好ましい。

【００１９】また、分子量調節剤として例えばフェノー
ル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等の単官能フェノ
ール類を用いることが望ましい。さらに、反応を促進さ
せるために触媒を用いてもよく、触媒としては例えばト
リエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロ
マイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイドの
ような三級アミン、四級アンモニウム化合物、四級ホス
ホニウム化合物等が挙げられる。また、必要に応じてハ
イドロサルファイトのような酸化防止剤を加えることも
できる。

【００２０】炭酸ジエステルを使用するエステル交換反
応では、不活性ガス雰囲気下、所定割合の上記二価フェ
ノールを炭酸ジエステルと加熱しながら攪拌して生成す
るアルコール又はフェノールを留出させることで行われ
る。反応温度は生成するアルコール又はフェノールの沸
点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲であ
る。反応後期には系を減圧にして生成するアルコール又
はフェノールの留出を容易にさせて反応を完結させる。
炭酸ジエステルとしては例えばジフェニルカーボネー
ト、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カー
ボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネー
ト、ジブチルカーボネート等が挙げられ、なかでもジフ
ェニルカーボネートが好ましい。

【００２１】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の
水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、四級アンモニウム塩
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、
亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲル
マニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、ア
ンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物
類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応やエ
ステル交換反応に使用される触媒を使用することができ
る。触媒は一種だけ用いても、二種以上を組合わせて用
いてもよい。これら触媒の使用量は原料の二価フェノー
ル１モルに対して好ましくは１×１０^-9〜１×１０^-3当
量、より好ましくは１×１０^-8〜１×１０^-4当量の範囲
で選ばれる。

【００２２】このようにして得られる芳香族ポリカーボ
ネート共重合体は、濃度０．７ｇ／ｄｌの塩化メチレン
溶媒を２０℃で測定した比粘度が０．２〜０．４の範囲
のものが好ましい。かかる範囲の比粘度を有する芳香族
ポリカーボネート共重合体は、溶融流動性が良好で成形
性に優れ、光学的に良好な強度も十分な成形品が得られ
好ましい。

【００２３】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、ＡＳＴＭＤ−０５７０に従って測定した２３℃、
２４時間後の吸水率が、好ましくは０．１０重量％以
下、より好ましくは０．０９５重量％以下、さらに好ま
しくは０．０９０重量％以下であることが望ましい。か
かる範囲内の吸水率であると、成形された光学用成形
品、殊に光ディスク基板表面上に金属膜を形成させた光
ディスクが吸水により反りを生じず、高密度の光ディス
クにおいてエラーを防止でき好ましい。

【００２４】また、本発明の芳香族ポリカーボネート共
重合体は、その光弾性定数の値が、好ましくは３８×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下、より好ましくは３７×１０
^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下、さらに好ましくは３６×１０
^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下であることが望ましい。かかる範
囲内の光弾性定数の値を有すると、複屈折が小さくな
り、殊に高密度の光ディスクにおいて有利に利用され
る。

【００２５】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、通常のポリカーボネート樹脂の成形に用いられる方
法、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶液
キャスティング法等任意の方法により成形することがで
きる。

【００２６】なお、本発明の芳香族ポリカーボネート共
重合体には、必要に応じて燐系の熱安定剤、フェノール
系の酸化防止剤などを加えることができる。燐系熱安定
剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸エステルが好ま
しく使用される。亜燐酸エステルとしては、例えばトリ
フェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファ
イト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオク
チルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジ
デシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェ
ニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスフ
ァイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシ
ルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホ
スファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホス
ファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフ
ェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス
（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホ
スホナイト等の亜燐酸のトリエステル、ジエステル、モ
ノエステルが挙げられる。これらのうちトリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイト、ジステアリルペンタエ
リスリトールジホスファイトが好ましい。

【００２７】熱安定剤として使用される燐酸エステルと
しては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホ
スフェート、トリクレジルホスフェート、トリフェニル
ホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルク
レジルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、
ジイソプロピルホスフェート等が挙げられ、なかでもト
リフェニルホスフェート、トリメチルホスフェートが好
ましい。

【００２８】前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよ
く、また二種以上を組み合わせて使用してもよい。燐系
熱安定剤は芳香族ポリカーボネート共重合体に対して
０．０００１〜０．０５重量％の範囲で使用するのが適
当である。

【００２９】フェノール系の酸化防止剤としては、例え
ばトリエチレングリコール−ビス｛３−（３−ｔｅｒｔ
−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネート｝、１，６−ヘキサンジオール−ビス｛３−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート｝、ペンタエリスリトール−テト
ラキス｛３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート｝、オクタデシル−
３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−
２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメ
チレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジ
エチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，
９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プ
ロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テト
ラオキサスピロ（５，５）ウンデカン等が挙げられる。
これら酸化防止剤の好ましい配合量の範囲は芳香族ポリ
カーボネート共重合体に対して、０．０００１〜０．０
５重量％である。

【００３０】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
共重合体には、必要に応じて多価アルコールの高級脂肪
酸エステルを加えることもできる。この高級脂肪酸エス
テルを加えることによって、成形時の金型からの成形品
の離型性が改善される。好ましい脂肪酸エステルとして
は炭素原子８〜２２の飽和脂肪族モノカルボン酸とグリ
コール類、グリセロール、ペンタエリスリトールなどと
の全エステル、部分エステルで、好ましい配合量は０．
００１〜０．５重量％である。また、本発明の芳香族ポ
リカーボネート共重合体には、光安定剤、着色剤、帯電
防止剤、滑剤などの添加剤を透明性を損なわない範囲で
加えることができる。また他のポリカーボネート樹脂、
あるいはその他の熱可塑性樹脂と混合して用いることも
できる。

【００３１】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、光弾性定数が小さく、さらに低吸水率であり、種々
の成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク用基板、光学レンズ、光ファイバーまたは光カード、
液晶ディスプレイ用基板等の光学材料用フィルムやシー
トなどの光学部品の構造材料または機能材料用途に適し
た光学用成形品の材料として有利に使用することができ
る。これらのうち、光ディスク基板用の材料として特に
有利に使用することができる。

【００３２】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、各項目の測定は下記の方法で行なった。比粘度：ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）：デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より昇温速度１０℃／分で測定した。吸水率：ＡＳＴＭＤ−０５７０に従い２３℃、２４時
間後の吸水率を測定した。光弾性定数：キャストフィルムを作成し、理研計器
（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０により測定し
た。

【００３３】［実施例１］温度計、撹拌機、還流冷却器
およびホスゲン吹き込み管を備えた反応器にイオン交換
水１９７．９部、水酸化ナトリウム１５．０部を入れ、
４，４′−｛１，３−フェニレン−ビス（１−メチルエ
チリデン）｝ビス（２−メチルフェノール）（以下“ビ
スクレゾールＭ”と略称することがある）１５．６部、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノールＴ
ＭＣ”と略称することがある）１２．９部およびハイド
ロサルファイト０.０９部を溶解した後、塩化メチレン
１２７．５部を加え、撹拌下１６〜１８℃でホスゲン１
３．２部を５０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込
み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．５６部
と水酸化ナトリウム３．３部を加え、さらにトリエチル
アミン０.０３部を加えて３０℃で１時間撹拌して反応
を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈
して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率
がイオン交換水と殆ど同じになったところで、塩化メチ
レンを蒸発して、ビスクレゾールＭとビスフェノールＴ
ＭＣの比がモル比で５０：５０である無色のポリマー２
７．６部を得た（収率９６％）。このポリマーの比粘度
は０．２７５、Ｔｇは１４０℃、吸水率は０．０８９重
量％、光弾性定数は３５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎであっ
た。

【００３４】［実施例２］実施例１のビスクレゾールＭ
を１８．１部、ビスフェノールＴＭＣの代わりに９,９
−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
（以下“ビスクレゾールフルオレン”と略称することが
ある）を１８．３部使用した以外は実施例１と同様の方
法で、ビスクレゾールＭとビスクレゾールフルオレンの
比がモル比で５０：５０である無色のポリマー３７．９
部を得た（収率９６％）。このポリマーの比粘度は０．
２６９、Ｔｇは１５５℃、吸水率は０．０８７重量％、
光弾性定数は３５×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎであった。

【００３５】［実施例３］二価フェノールとして、ビス
クレゾールＭを１７．８部、ビスフェノールＴＭＣを
７．４部およびビスクレゾールフルオレンを９．０部使
用した以外は実施例１と同様の方法で、ビスクレゾール
Ｍ、ビスフェノールＴＭＣおよびビスクレゾールフルオ
レンそれぞれの比がモル比で５０：２５：２５である無
色のポリマー３５．０部を得た（収率９５％）。このポ
リマーの比粘度は０．２７２、Ｔｇは１４７℃、吸水率
は０．０８８重量％、光弾性定数は３５×１０^-13ｃｍ²
／ｄｙｎであった。

【００３６】［実施例４］二価フェノールとして、ビス
クレゾールＭを１８．９部、ビスフェノールＴＭＣを１
４．１部および２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下“ビスフェノールＡ”と略称するこ
とがある）を１．２部使用した以外は実施例１と同様の
方法で、ビスクレゾールＭ、ビスフェノールＴＭＣおよ
びビスフェノールＡそれぞれの比がモル比で５０：４
５：５である無色のポリマー３４．５部を得た（収率９
６％）。このポリマーの比粘度は０．２７０、Ｔｇは１
４０℃、吸水率は０．０９５重量％、光弾性定数は３７
×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎであった。

【００３７】［比較例１］二価フェノールとして、ビス
フェノールＡのみを３６．４部使用した以外は実施例１
と同様の方法で無色のポリマー３７．２部を得た（収率
９６％）。このポリマーの比粘度は０．２８９、Ｔｇは
１５０℃で、吸水率は０．２１重量％と高く、光弾性定
数も７９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎと高かった。

【００３８】［比較例２］二価フェノールとして、ビス
クレゾールＭのみを３２．０部使用した以外は実施例１
と同様の方法で無色のポリマー３２．６部を得た（収率
９４％）。このポリマーの比粘度は０．２９０で、Ｔｇ
は８０℃と低かった。

【００３９】［比較例３］実施例１において、ビスクレ
ゾールＭの代わりに４，４′−（ｍ−フェニレンジイソ
プロピリデン）ジフェノール（以下“ビスフェノール
Ｍ”と略称することがある）を１４．４部とし、また、
イオン交換水を２２８．３部、水酸化ナトリウムを１
３．６部に代えた以外は実施例１と同様の方法で、ビス
フェノールＭとビスフェノールＴＭＣの比がモル比で５
０：５０である無色のポリマーを得た。得られたポリマ
ーの比粘度は０．２８６、Ｔｇは１４７℃、吸水率は
０.１１重量％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／ｄ
ｙｎと不十分な値であった。これらの実施例および比較
例の結果を表１にまとめて示した。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合
体は光弾性定数が低く、吸水率も低いので、光ディスク
基板、光学レンズ、光カードなどの各種光学用材料とし
て、殊に光ディスク基板用の材料として好適に用いら
れ、その奏する工業的効果は格別である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4J029 AA09 AB01 AC02 AD01 AD07 AD10 AE04 AE05 BB10A BB10B BB12A BB12B BB16B BC07A BC07B BD09B BF14A BF14B BH02 DB07 DB10 DB13 HC01 HC03 5D029 KA07 KC07 KC09 KC11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式［Ｉ］【化１】で表される構成単位および下記一般式［ＩＩ］【化２】［式中、Ｗは単結合、アルキリデン基、シクロアルキリ
デン基、フェニル基置換アルキリデン基、フェニレンジ
アルキリデン基、フルオレニリデン基、スルホン基、ス
ルホキシド基、スルフィド基又はオキシド基であり、Ｒ
₁及びＲ₂は同一又は異なっていても良く、ハロゲン原
子、フェニル基、炭素数１〜４のアルキル基であり、ｍ
及びｎはそれぞれ０〜４の整数である。］で表わされる
構成単位よりなる芳香族ポリカーボネート共重合体であ
り、該共重合体のガラス転移温度が１２０℃〜１７０℃
であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート共重合
体。
【請求項２】前記一般式［ＩＩ］が、下記式［ＩＩ−
ａ］で表わされる構成単位、下記式［ＩＩ−ｂ］で表わ
される構成単位および下記式［ＩＩ−ｃ］で表わされる
構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成
単位である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート共重
合体。【化３】【化４】［式中、Ｒ₃及びＲ₄はハロゲン原子、フェニル基または
炭素数１〜４のアルキル基である。］【化５】
【請求項３】ポリマー０．７ｇを１００ｍｌの塩化メ
チレンに溶解した２０℃における溶液の比粘度が０．２
〜０．４である請求項１または２記載の芳香族ポリカー
ボネート共重合体。
【請求項４】請求項１〜３記載の芳香族ポリカーボネ
ート共重合体より形成された光学用材料。
【請求項５】請求項１〜３記載の芳香族ポリカーボネ
ート共重合体より形成された光ディスク基板用材料。