JPH0873584A - 芳香族ポリカーボネート共重合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 芳香族ポリカーボネート樹脂本来の優れた透
明性、機械物性を保持し、複屈折、成形性の改善された
芳香族ポリカーボネート共重合体を提供する。 【構成】 二価フェノールとして、２,２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび１,
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリ
メチルシクロヘキサンを（必要に応じさらに９,９−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンを）特定割合
で使用することにより得られた芳香族ポリカーボネート
共重合体およびそれからの成形品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
ト共重合体に関する。さらに詳しくは複屈折および成形
性の改善された芳香族ポリカーボネート共重合体および
それからの成形品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂
はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従
って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求
められている。またより溶融流動性に優れた転写性の良
い、成形サイクルの短い樹脂が求められている。

【０００３】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族ポリカー
ボネート樹脂が開示されており、このポリマーが低複屈
折性で耐熱性が良好なことも知られているが、溶融流動
性が悪く、良好な成形品が得られ難い。また種々の共重
合体に関する記載はあるが、具体的事例は示されていな
い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
物性を保持しつつ斜め入射複屈折、成形性、反りなどを
向上した芳香族ポリカーボネート共重合体を提供するこ
とにある。本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意研
究を重ねた結果、特定の２種または３種の二価フェノー
ルを使用することにより得られた芳香族ポリカーボネー
ト共重合体が光学用材料として好適であることを見出
し、本発明に到達した。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば下記一般式［Ｉ］

【０００６】

【化６】

【０００７】で表わされる繰返し単位［Ｉ］および下記
一般式［ＩＩ−ａ］

【０００８】

【化７】

【０００９】で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ａ］より
なり、単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］との割合がモル比
で９０：１０〜１：９９の範囲である芳香族ポリカーボ
ネート共重合体［Ａ］が提供される。

【００１０】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］の製造に用いる２種の二価フェノールは２,２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンであり、これらはそ
の合成時に副生する不純物を極力除去した９９.０％以
上の高純度のものが好ましい。本発明の芳香族ポリカー
ボネート共重合体［Ａ］において全繰返し単位当り、繰
返し単位［Ｉ］の割合が９０〜１モル％、繰返し単位
［ＩＩ−ａ］の割合が１０〜９９モル％であり、繰返し
単位［Ｉ］の割合が８０〜５モル％、繰返し単位［ＩＩ
−ａ］の割合が２０〜９５モル％が好ましい。繰返し単
位［Ｉ］の割合が９０モル％より多く、繰返し単位［Ｉ
Ｉ−ａ］の割合が１０モル％より少なくなると得られた
樹脂の光弾性定数が大きくなりかつガラス転移点も低く
なるので好ましくない。また、繰返し単位［Ｉ］の割合
が１モル％より少なく、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割合
が９９モル％より多くなると得られた樹脂の溶融流動性
が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ
難くなる。

【００１１】また本発明によれば、下記一般式［Ｉ］

【００１２】

【化８】

【００１３】で表わされる繰返し単位［Ｉ］、下記一般
式［ＩＩ−ａ］

【００１４】

【化９】

【００１５】で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ａ］およ
び下記一般式［ＩＩ−ｂ］

【００１６】

【化１０】

【００１７】で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ｂ］より
なり、単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ
−ｂ］との合計量の割合がモル比で９０：１０〜１：９
９の範囲であり、単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−
ｂ］の合計量に基いて単位［ＩＩ−ａ］の割合が５０モ
ル％以上である芳香族ポリカーボネート共重合体［Ｂ］
が提供される。

【００１８】この芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ｂ］の製造には前記共重合体［Ａ］に使用される２種
の二価フェノールに加えて９,９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンが使用される。これら３種の二
価フェノールはそれぞれ前記と同様その合成時に副生す
る不純物を極力除去した９９.０％以上の高純度のもの
が好ましい。

【００１９】芳香族ポリカーボネート共重合体［Ｂ］に
おいて全繰返し単位当り、繰返し単位［Ｉ］の割合が９
０〜１モル％でありかつ繰返し単位［ＩＩ−ａ］および
繰返し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量の割合は１０〜９９モ
ル％である。繰返し単位［Ｉ］の割合が８０〜５モル
％、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位［ＩＩ−
ｂ］の合計量の割合が２０〜９５モル％が好ましい。ま
た、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位［ＩＩ−
ｂ］の合計量に基づいて、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割
合は５０モル％以上であり、５５〜９５モル％の範囲が
好ましい。繰返し単位［Ｉ］の割合が９０モル％より多
く、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位［ＩＩ−
ｂ］の合計量の割合が１０モル％より少なくなると得ら
れた樹脂の光弾性定数が大きくなりかつガラス転移点も
低くなるので好ましくない。また、繰返し単位［Ｉ］の
割合が１モル％より少なく、繰返し単位［ＩＩ−ａ］お
よび繰返し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量の割合が９９モル
％より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が悪く成形
不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。

【００２０】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］および［Ｂ］はいずれも通常の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二
価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボ
ネート前駆物質を反応させる方法により製造される。

【００２１】カーボネート前駆物質として、例えばホス
ゲンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に上記
二価フェノールを溶解し、有機溶媒の存在下に反応させ
る。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物が用いられ、有
機溶媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼンな
どのハロゲン化炭化水素が用いられる。反応温度は通常
０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。

【００２２】また、反応を促進させるために触媒を用い
てもよく、触媒としては、例えばトリエチルアミン、テ
トラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ
−ブチルホスホニウムブロマイドのような三級アミン、
四級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物など
があげられる。更に、必要に応じハイドロサルファイト
のような酸化防止剤を加えることもできる。

【００２３】さらに末端停止剤としては、例えばフェノ
ール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフ
ェノール、イソオクチルフェノールなどの単官能フェノ
ール類を用いる。また溶融流動性をさらに向上するため
には炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールを全末
端停止剤の少なくとも５モル％以上用いると良い。本発
明の芳香族ポリカーボネート共重合体［Ａ］において全
繰返し単位当り、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割合が６０
モル％以上、特に６５モル％以上の場合または本発明の
芳香族ポリカーボネート共重合体［Ｂ］において全繰返
し単位当り、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位
［ＩＩ−ｂ］の合計量の割合が６０モル％以上、特に６
５モル％以上の場合は、樹脂の溶融流動性がやや低下す
ることがあり、そのため上述の長鎖アルキルフェノール
（好ましくは炭素原子数１０〜５０）を末端停止剤とし
て使用することが好ましい。その際用いられる該長鎖ア
ルキルフェノールのアルキル基の置換位置は通常水酸基
のオルソ位またはパラ位のものが用いられ、中でもオル
ソ位とパラ位の混合物が好ましく用いられる。

【００２４】上述した長鎖アルキルフェノールが末端停
止剤として本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］および［Ｂ］の溶融流動性をさらに向上させるた
めに好ましく用いられるが、他に下記一般式（Ｉ）〜
（ＶＩＩ）で示す化合物を末端停止剤として用いること
も可能である。

【００２５】

【化１１】

【００２６】［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ
−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合ま
たは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族
炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の結
合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロゲン
原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の
脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、Ｙ
は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭
化水素基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹−、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−Ｒ²−またはＲ³である、ここでＲ¹、Ｒ²および
Ｒ³は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の
一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５
〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、
好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。
ｌは４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは
１〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜
５０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１０、
好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ
²は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一
価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜
６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好
ましくは１〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。］

【００２７】上述した式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）の化合物
は、前述の長鎖アルキルフェノールと同様に、溶融流動
性をさらに向上させるために全末端停止剤の少なくとも
５モル％以上用いられることが好ましい。

【００２８】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応では、不活性ガス雰囲気下
所定割合の上記二価フェノールを炭酸ジエステルと加熱
しながら攪拌して生成するアルコールまたはフェノール
を留出させることで行われる。反応温度は生成するアル
コールまたはフェノールの沸点などにより異なるが、通
常１２０〜３００℃の範囲である。反応後期には系を減
圧にして生成するアルコールまたはフェノールの留出を
容易にさせて反応を完結させる。炭酸ジエステルとして
は、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボ
ネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカ
ーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネ
ートなどが挙げられる。これらのうち特にジフェニルカ
ーボネートが好ましい。

【００２９】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウムなどのアルカリ金属およびアルカリ土類金
属の水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第４級アンモニウ
ム塩類、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の有機
酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物
類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合
物類、アンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン
化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化
反応、エステル交換反応に使用される触媒を使用するこ
とができる。触媒は１種だけを用いても２種以上を組合
わせて用いてもよい。これらの触媒の使用量は原料の二
価フェノールに対し０.０００１〜１重量％、好ましく
は０.０００５〜０.５重量％の範囲で選ばれる。

【００３０】かくして得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体［Ａ］および［Ｂ］はいずれもポリマー０.７
ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定
した比粘度が０.２〜０.４の範囲のものが好ましく、
０.２５〜０.３５の範囲のものがさらに好ましい。比粘
度が０.２未満では成形品が脆くなり、一方、０.４より
高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的
に良好な成形品が得られ難くなる。

【００３１】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］および［Ｂ］はいずれも、例えば射出成形法、圧
縮成形法、押出成形法、溶融キャスティング法など任意
の方法で成形することができる。

【００３２】なお、本発明の芳香族ポリカーボネート共
重合体［Ａ］および［Ｂ］には、必要に応じてりん系の
熱安定剤、フェノール系の酸化防止剤などを加えること
ができる。りん系の安定剤としては、例えばトリフェニ
ルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、
トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホス
ファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモ
ノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホス
ファィト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、
モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェ
ニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイ
ト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチル
フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２,
２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）
ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２,４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイト
などの亜りん酸のトリエステル、ジエステル、モノエス
テルであり、これらは単独で使用してもまたは２種以上
を併用してもよい。添加量としては０.０００１〜０.０
５重量％が好ましい。

【００３３】フェノール系酸化防止剤としては、例えば
トリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−
ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキ
ス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,
６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス
｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニ
ルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサス
ピロ（５,５）ウンデカンなどが挙げられる。好ましい
添加量の範囲は０.０００１〜０.０５％である。

【００３４】また必要に応じて多価アルコールの高級脂
肪酸エステルを加えることもできる。好ましい脂肪酸エ
ステルとしては炭素原子数８〜２２の飽和脂肪族モノカ
ルボン酸とグリコール類、グリセロール、ペンタエリス
リトールなどとの全エステル、部分エステルで、好まし
い添加量は０.００１〜０.５重量％である。また光安定
剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を透明性を
損なわない範囲で加えることができる。また他のポリカ
ーボネート樹脂、あるいは熱可塑性樹脂をブレンドして
用いることもできる。

【００３５】また本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
に含まれる塩素（Ｃｌ）は１.０ｐｐｍ以下が好まし
い。また平均径０.５μｍ以上の異物は１００００個／
ｇ以下が好ましい。

【００３６】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、複屈折性および成形性に特に優れているので種々の
成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィ
ルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反
射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機
能材料用途に適した光学用成形品として有利に使用する
ことができる。これらのうち、光ディスク用基板として
特に有利に使用することができる。

【００３７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度 ；ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ） ；デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ） ；ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。全光線透過率 ；ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数 ；理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差 ；オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り ；８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に光ディスク
を１０００時間放置した後、小野測器製ＬＭ−１２００
光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。

【００３８】実施例１ 温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
９６５.１部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６３.６部
を入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン２４.３部、２,２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
４６.９部およびハイドロサルファイト０.１８部を溶解
した後、塩化メチレン６６２.５部を加え、攪拌下１５
〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込
んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール２部と４８％水酸化ナトリウム水溶液１６.
２部を加え乳化後、トリエチルアミン０.０９部を加え
て２８〜３３℃で約１時間攪拌して反応を終了した。反
応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したの
ち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水
と殆ど同じになったところで塩化メチレンを蒸発して、
繰返し単位［Ｉ］：繰返し単位［ＩＩ−ａ］の比がモル
比で７０：３０の無色のポリマー７５.７部を得た（収
率９７％）。

【００３９】このポリマーの比粘度は０.３０４、Ｔｇ
は１５３℃、ＭＦＲは５０ｇ／１０分であった。このポ
リマーを住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌｌを用いて１２０
ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形し
た。このものの全光線透過率は８９％、光弾性定数は４
９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２
５ｎｍ、反りは０.２ｍｍであった。

【００４０】実施例２ 実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４８.７部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを２６.８部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ルの代わりに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアル
キルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０
％の混合物）を５部用いた以外は実施例１と同様にし
て、繰返し単位［Ｉ］：繰返し単位［ＩＩ−ａ］の比が
モル比で４０：６０のポリマー８３.８部を得た（収率
９６％）。このポリマーの比粘度は０.２９３、Ｔｇは
１４８℃、ＭＦＲは４５ｇ／１０分であった。

【００４１】このポリマーを実施例１と同様にディスク
基板を成形し実施例１と同様に評価したところ全光線透
過率は８９％、光弾性定数は４２×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎｍ、反りは０.３ｍ
ｍであった。

【００４２】実施例３ 実施例１と同様の装置にイオン交換水９４５部と４８.
５％水酸化ナトリウム水溶液６２.５部を仕込み、１,１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメ
チルシクロヘキサン８部、９,９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン９部、２,２−ビス（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン５２.５部を溶
解させた後塩化メチレン６４９部を加え、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール１.１５部とトリエチルアミン０.０
９部を加えて激しく攪拌しながら２０℃でホスゲン３３
部を約４０分を要して吹き込み反応せしめた。次いで内
温を３０℃に上げ４８.５％水酸化ナトリウム水溶液１
５.８部を加えて１時間攪拌を続けて反応を終了した。

【００４３】反応終了後、有機相を分離し、塩化メチレ
ンで希釈して水洗後、塩酸で中和し、水洗を繰返して水
相の導電率をイオン交換水とほぼ等しくせしめたところ
で有機相を分離し、塩化メチレンを蒸発しながら粉砕し
て、繰返し単位［Ｉ］：繰返し単位［ＩＩ−ａ］：繰返
し単位［ＩＩ−ｂ］の比がモル比で８０：１０：１０の
パウダーを得た。このパウダーの比粘度は０.２９３、
ＭＦＲは６２ｇ／１０分、Ｔｇは１４８℃であった。こ
のパウダーに、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト
を０.０３％、トリメチルホスフェートを０.００５％、
ステアリン酸モノグリセリドを０.０２％加えて、押し
出し温度２８０℃で押し出しを行いペレットを得た。こ
のペレットを射出成形温度３２０℃、金型温度１００℃
で成形し、１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基
板を得た。このものの光弾性定数は５０×１０^-13ｃｍ²
／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は４６ｎｍ、反りは
０.１５ｍｍであった。

【００４４】実施例４ １,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン１６部、９,９−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン１３.５部、２,２−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン４
２.７部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わ
りに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアルキルフェ
ノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０％の混合
物）を３.４部とした以外は実施例３と同様にして、繰
返し単位［Ｉ］：繰返し単位［ＩＩ−ａ］：繰返し単位
［ＩＩ−ｂ］の比がモル比で６５：２０：１５のパウダ
ー、ペレットおよびディスク基板を得た。このものの比
粘度は０.２７７、ＭＦＲは７５ｇ／１０分、Ｔｇは１
３４℃、光弾性定数４２×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め
入射屈折位相差は４１ｎｍ、反りは０.１５ｍｍであっ
た。

【００４５】実施例５ 実施例１と同様の装置に、イオン交換水６９１.９部と
４８％水酸化ナトリウム水溶液１００.９部を仕込み、
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン１６.３部、２,２−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン７６部お
よびハイドロサルファイト０.１９部を溶解した後、塩
化メチレン４７５.２部を加え、攪拌下１５〜２５℃で
ホスゲン４５部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン
吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２.
６２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液２８部および
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン０.１部と２,２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン０.８部を
４８％水酸化ナトリウム水溶液０.８部とイオン交換水
８部の混合液に溶解した溶液を加え、乳化後トリエチル
アミン０.２４部を加えて、２８〜３３℃で約１時間攪
拌して反応を終了した。反応終了後生成物を実施例１と
同様にして精製し、繰返し単位［Ｉ］：繰返し単位［Ｉ
Ｉ−ａ］の比がモル比で８５：１５の無色のポリマー１
００.３部を得た（収率９８％）。

【００４６】このポリマーの比粘度は０.２７７、Ｔｇ
は１３４℃、ＭＦＲは７０ｇ／１０分であった。このポ
リマーを実施例１と同様にディスク基板を成形し実施例
１と同様に評価したところ全光線透過率は８９％、光弾
性定数は５２×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折
位相差は３０ｎｍ、反りは０.１５ｍｍであった。

【００４７】実施例６ 実施例５の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを１０３部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを４部とし、ホスゲン吹き込み終了後の１,１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチル
シクロヘキサンを０.９部、２,２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパンを０.５部とし、ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代りに炭素原子数１７
〜２９（平均２３）のアルキルフェノール（オルソ置換
体７０％とパラ置換体３０％の混合物）を６.５３部と
した以外は実施例５と同様にして、繰返し単位［Ｉ］：
繰返し単位［ＩＩ−ａ］の比がモル比で５：９５のポリ
マーを得た。このポリマーの比粘度は０.２８５、Ｔｇ
は１７５℃、ＭＦＲは３０ｇ／１０分であった。このポ
リマーを実施例１と同様にディスク基板を成形し実施例
１と同様に評価したところ光弾性定数は３４×１０^-13
ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎｍ、反
りは０.１３ｍｍであった。

【００４８】比較例１ ビスフェノールＡからのポリカーボネート（帝人化成
（株）製 パンライト ＡＤ−５５０３）を実施例３と同
様にディスク基板を成形し、実施例３と同様に評価し
た。このものの比粘度は０.２８９、ＭＦＲは６０ｇ／
１０分、Ｔｇは１４３℃、光弾性定数は８３×１０^-13
ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は８１ｎｍ、反
りは０.２ｍｍであった。

【００４９】比較例２ １,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン１.６部、９,９−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン１.８部、２,２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン６３
部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを１.１５部
とした以外は実施例３と同様にして、繰返し単位
［Ｉ］：繰返し単位［ＩＩ−ａ］：繰返し単位［ＩＩ−
ｂ］の比がモル比で９６：２：２のパウダー、ペレット
およびディスク基板を得た。このものの比粘度は０.２
８０、ＭＦＲは９１ｇ／１０分であったが、Ｔｇは１２
４℃と低かった。

【００５０】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合
体は低複屈折で溶融流動性が良くかつ透明性にも優れる
ので、光学ディスク、光学レンズ、光カードなどの各種
光学用成形品として好適に用いられる。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式［Ｉ］ 【化１】 で表わされる繰返し単位［Ｉ］および下記一般式［ＩＩ
   −ａ］ 【化２】 で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ａ］よりなり、単位
   ［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］との割合がモル比で９０：１
   ０〜１：９９の範囲である芳香族ポリカーボネート共重
   合体。
2. 【請求項２】 下記一般式［Ｉ］ 【化３】 で表わされる繰返し単位［Ｉ］ 下記一般式［ＩＩ−ａ］ 【化４】 で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ａ］および下記一般式
   ［ＩＩ−ｂ］ 【化５】 で表わされる繰返し単位［ＩＩ−ｂ］よりなり、単位
   ［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−ｂ］との
   合計量の割合がモル比で９０：１０〜１：９９の範囲で
   あり、単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−ｂ］の合計
   量に基いて単位［ＩＩ−ａ］の割合が５０モル％以上で
   ある芳香族ポリカーボネート共重合体。
3. 【請求項３】 単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−
   ｂ］の合計量に基いて単位［ＩＩ−ａ］の割合が５５〜
   ９５モル％の範囲である請求項２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体。
4. 【請求項４】 単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］の割合が
   モル比で８０：２０〜５：９５の範囲である請求項１記
   載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
5. 【請求項５】 単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単
   位［ＩＩ−ｂ］との合計量の割合がモル比で８０：２０
   〜５：９５の範囲である請求項２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体。
6. 【請求項６】 ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メ
   チレンに溶解した２０℃における溶液の比粘度が０.２
   〜０.４である請求項１または２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体。
7. 【請求項７】 りん系の熱安定剤０.０００１〜０.０５
   重量％および／またはフェノール系酸化防止剤０.００
   ０１〜０.０５重量％を含有する請求項１または２記載
   の芳香族ポリカーボネート共重合体。
8. 【請求項８】 末端基として炭素数１０〜５０のアルキ
   ルフェニルオキシ基を全末端当り少なくとも５モル％以
   上有する請求項１または２記載の芳香族ポリカーボネー
   ト共重合体。
9. 【請求項９】 請求項１または２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体より形成された光学用材料。
10. 【請求項１０】 請求項１または２記載の芳香族ポリカ
    ーボネート共重合体より形成された光ディスク用基板。