JP2001220508A - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学用成形品 - Google Patents

芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学用成形品

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JP2001220508A
JP2001220508A JP2000322533A JP2000322533A JP2001220508A JP 2001220508 A JP2001220508 A JP 2001220508A JP 2000322533 A JP2000322533 A JP 2000322533A JP 2000322533 A JP2000322533 A JP 2000322533A JP 2001220508 A JP2001220508 A JP 2001220508A
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aromatic polycarbonate
component
polycarbonate resin
resin composition
bis
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Masato Ando
正人 安藤
Makoto Ishida
真 石田
Koichi Makita
剛一 牧田
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Chemicals Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 流動特性と光学特性に関してバランスのとれ
た芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからの
成形品を提供する。 【解決手段】 (A)二価フェノール成分が1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチル
シクロヘキサンおよび4,4’−(m−フェニレンジイ
ソプロピリデン)ジフェノールおよび/または2,2−
ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン
より実質的になりかつ双方の成分がモル比で99:1〜
20:80である二価フェノール成分より構成された芳
香族ポリカーボネート共重合体(ポリマーA)と(B)
二価フェノール成分が前記成分以外の二価フェノール成
分より構成された芳香族ポリカーボネート(ポリマー
B)より実質的になり、ポリマーAおよびポリマーBの
合計重量当り、ポリマーAの割合が40重量%より少な
く30重量%以上であることを特徴とする芳香族ポリカ
ーボネート樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物に関する。さらに詳しくは成形性、機
械物性および熱安定性の改善された芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物ならびに低リターデーション値を有する
それからの成形品に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂
はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従
って成形品のリターデーション値が大きい欠点があり、
この改善が求められている。またより溶融流動性に優
れ、より熱安定性の良い樹脂が求められている。
【0003】一方、特開平2−88634号公報には、
特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれ
からの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載され
ている。この公報に開示されている代表的例は、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメ
チルシクロヘキサンを全二価フェノール成分の100〜
2モル%使用した芳香族ポリカーボネートである。具体
的には、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサンを100〜30モル
%の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネート
が示され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビ
スフェノールAが30、50、65または70モル%使
用されている。上記公報には、得られた前記芳香族ポリ
カーボネートは、従来のビスフェノールAからのポリカ
ーボネートの用途、例えば電気分野、被覆および透明板
ガラスの分野において使用され、高い耐熱性において優
れていることが開示されている。しかしながら、かかる
芳香族ポリカーボネートは、溶融流動性が悪く良好な成
形品が得られ難い。そこで、流動性を改善した例として
は、特開平8−293128号公報で示されているよう
に、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,
5−トリメチルシクロヘキサンと4,4’−(m−フェ
ニレンジイソプロピリデン)ジフェノールを二価フェノ
ール成分とする共重合ポリカーボネートとすることが考
えられる。ところが、この共重合体では、溶融流動性は
改善されるものの、粘弾性領域における伸長粘度変化の
温度依存性が厳しいことに由来すると考えられる成形不
良が起こり易くそのため成形条件の大幅な制限が求めら
れ、また熱安定性、機械特性については充分満足すべき
値を示さない傾向がみられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、
(1)1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサンと(2)4,4’−
(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノールお
よび/または2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロパンとを二価フェノール成分とする共
重合ポリカーボネートにおいて、成形不良や成形条件の
大幅な制限、また熱安定性、機械特性を改善することに
よって、流動特性と光学特性に関してバランスのとれた
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからの成
形品を提供することにある。本発明の他の目的は、光学
用成形品、殊に光ディスク基板の材料として、種々の優
れた特性を具備する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らの研究によれ
ば、前記本発明の目的は、(A)二価フェノール成分が
(a−1)1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン(成分a−1)お
よび(a−2)4,4’−(m−フェニレンジイソプロ
ピリデン)ジフェノールおよび/または2,2−ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(成
分a−2)より実質的になりかつ成分a−1:成分a−
2の割合がモル比で99:1〜20:80である二価フ
ェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共
重合体(ポリマーA)と(B)二価フェノール成分が前
記成分a−1および成分a−2以外の二価フェノール成
分(成分b)より構成された芳香族ポリカーボネート
(ポリマーB)より実質的になり、ポリマーAおよびポ
リマーBの合計重量当り、ポリマーAの割合が40重量
%より少なく30重量%以上であることを特徴とする芳
香族ポリカーボネート樹脂組成物によって達成される。
【0006】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。本発明の樹脂組成物は、実質的に前記ポリマーAお
よびBより形成され、ポリマーAおよびポリマーBの合
計重量当りポリマーAの割合が40重量%より少なく3
0重量%以上、すなわち、ポリマーBの割合が60重量
%より多く70重量%以下である。
【0007】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物において、ポリマーAにおける二価フェノール成分中
の成分a−1と成分a−2との割合がモル比で99:1
〜20:80の範囲であり、80:20〜20:80の
範囲が好ましく、80:20〜30:70の範囲がさら
に好ましい。成分a−1の割合が99モル%より多く、
成分a−2の割合が1モル%より少なくなると、得られ
た共重合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的
に良好な成形品が得られ難くなる。また成分a−1の割
合が20モル%より少なく、成分a−2の割合が80モ
ル%より多くなると、得られた共重合体の光弾性定数が
大きくなり、またガラス転移温度も低下する傾向にある
ので好ましくない。ここで成分a−2の二価フェノール
成分としては、4,4’−(m−フェニレンジイソプロ
ピリデン)ジフェノールまたは2,2−ビス(3−メチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロパンまたはこれらの
混合物であるが、4,4’−(m−フェニレンジイソプ
ロピリデン)ジフェノールであるのが好ましい。
【0008】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物中のポリマーBに使用される二価フェノールの代表的
な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、4,
4’−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)メタン、ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−
ジメチル)フェニル}メタン、1,1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)プロパン(通称ビスフェノール
A)、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチ
ル)フェニル}プロパン、2,2−ビス{(3,5−ジブ
ロモ−4−ヒドロキシ)フェニル}プロパン、2,2−
ビス{(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ)フェニ
ル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−
フェニル)フェニル}プロパン、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−3−メチルブタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジメチルブタン、2,
4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−メ
チルペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−4−イソプロピルシクロヘキサン、9,9−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−
ビス{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}フル
オレン、4,4’−(o−フェニレンジイソプロピリデ
ン)ジフェノール、4,4’−(p−フェニレンジイソ
プロピリデン)ジフェノール、1,3−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−5,7−ジメチルアダマンタン、4,
4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’−ジヒド
ロキシジフェニルスルフィド、4,4’−ジヒドロキシ
ジフェニルケトン、4,4’−ジヒドロキシジフェニル
エーテルおよび4,4’−ジヒドロキシジフェニルエス
テル等があげられ、これらは単独または2種以上を混合
して使用できる。
【0009】なかでもポリマーBとしてビスフェノール
A、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル
ブタンおよび2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−3,3−ジメチルブタンからなる群より選ばれた少な
くとも1種の二価フェノールより得られる単独重合体ま
たは共重合体が好ましく、さらに、ビスフェノールAか
らの単独重合体が最も好ましく使用される。
【0010】本発明のポリマーAとしての芳香族ポリカ
ーボネート共重合体およびポリマーBとしての芳香族ポ
リカーボネート樹脂は、それぞれ通常の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例え
ば二価フェノール成分にホスゲンや炭酸ジエステルなど
のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造さ
れる。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡
単に説明する。カーボネート前駆体としてはカルボニル
ハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート
等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボ
ネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙
げられる。
【0011】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を溶液法または溶融法によって反応させてポリカーボネ
ート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末
端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用しても
よい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能
性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂
であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸
を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であっても
よく、また、得られたポリカーボネート樹脂の2種以上
を混合した混合物であってもよい。
【0012】溶液法による反応は、通常二価フェノール
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−n−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常0〜40℃、反応時間
は10分〜5時間程度、反応中のpHは9以上に保つの
が好ましい。
【0013】溶融法による反応は、通常二価フェノール
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常120〜350℃の範囲である。
反応後期には系を10〜0.1Torr程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常1〜4時間程度である。
【0014】カーボネートエステルとしては、置換され
ていてもよい炭素数6〜10のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数1〜4のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス(クロロフェニル)カーボネー
ト、m―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス(ジフェニル)カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。
【0015】また、溶融法において重合速度を速めるた
めに重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価
フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金
属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化
マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン
等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類
金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金
属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アル
ミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物
類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物
類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合
物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反
応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることが
できる。触媒は単独で使用してもよいし、2種以上組み
合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、
原料の二価フェノール1モルに対し、1×10-8〜1×
10-3当量、好ましくは1×10-7〜1×10-3当量、
より好ましくは1×10-6〜5×10-4当量の範囲で選
ばれる。
【0016】芳香族ポリカーボネート樹脂(ポリマーA
およびポリマーB)は、その重合反応において、末端停
止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用す
ることができる。殊にカーボネート前駆物質としてホス
ゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端
停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、ま
た得られたポリマーは、末端が単官能フェノール類に基
づく基によって封鎖されているので、そうでないものと
比べて熱安定性に優れている。
【0017】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アル
キル置換フェノールであって、下記一般式で表される単
官能フェノール類を示すことができる。
【0018】
【化1】
【0019】[式中、Aは水素原子または炭素数1〜
9、好ましくは1〜8の脂肪族炭化水素基を示し、rは
1〜5、好ましくは1〜3の整数を示す。]前記単官能
フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、p
−tert−ブチルフェノール、p−クミルフェノール
およびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【0020】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基
として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いて芳香族ポリカーボ
ネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止
剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂
の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかり
でなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸
水率を低くする効果があり、好ましく使用される。これ
らは下記一般式[I−a]〜[I−h]で表される。
【0021】
【化2】
【0022】[各式中、Xは−R−O−、−R−CO−
O−または−R−O−CO−である、ここでRは単結合
または炭素数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪
族炭化水素基を示し、Tは単結合または上記Xと同様の
結合を示し、nは10〜50の整数を示す。
【0023】Qはハロゲン原子または炭素数1〜10、
好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭化水素基を示し、p
は0〜4の整数を示し、Yは炭素数1〜10、好ましく
は1〜5の二価の脂肪族炭化水素基を示し、W1は水素
原子、−CO−R13、−CO−O−R14またはR15であ
る、ここでR13、R14およびR15は、それぞれ炭素数1
〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭化水素基、
炭素数4〜8、好ましくは5〜6の一価の脂環族炭化水
素基または炭素数6〜15、好ましくは6〜12の一価
の芳香族炭化水素基を示す。
【0024】lは4〜20、好ましくは5〜10の整数
を示し、mは1〜100、好ましくは3〜60、特に好
ましくは4〜50の整数を示し、Zは単結合または炭素
数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭化水素
基を示し、W2は水素原子、炭素数1〜10、好ましく
は1〜5の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数4〜8、好
ましくは5〜6の一価の脂環族炭化水素基または炭素数
6〜15、好ましくは6〜12の一価の芳香族炭化水素
基を示す。] これらのうち好ましいのは、[I−a]および[I−
b]の置換フェノール類である。この[I−a]の置換
フェノール類としては、nが10〜30、特に10〜2
6のものが好ましく、その具体例としては、例えばデシ
ルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフェノ
ール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノー
ル、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよび
トリアコンチルフェノールなどを挙げることができる。
【0025】また、[I−b]の置換フェノール類とし
てはXが−R−CO−O−であり、Rが単結合である化
合物が適当であり、nが10〜30、特に10〜26の
ものが好適であって、その具体例としては、例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。
【0026】前記一般式[I−a]〜[I−g]で示さ
れる置換フェノール類または置換安息香酸クロライドに
おいて置換基の位置は、p位またはo位が一般的に好ま
しく、その両者の混合物が好ましい。前記単官能フェノ
ール類は、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
の全末端に対して少なくとも5モル%、好ましくは少な
くとも10モル%末端に導入されることが望ましく、ま
た単官能フェノール類は単独でもしくは2種以上混合し
て使用してもよい。
【0027】また、本発明のポリマーAとしての芳香族
ポリカーボネート共重合体において、成分a−1の1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリ
メチルシクロヘキサンが、全二価フェノール成分の80
モル%以上である場合は、樹脂の流動性が低下すること
があり、そのため前記一般式[I−a]〜[I−g]で
示される置換フェノール類または置換安息香酸クロライ
ド類を末端停止剤として使用することが好ましい。
【0028】本発明の組成物の調整において、ポリマー
AとポリマーBとの混合は、ポリマー溶液、粉粒体、ペ
レット等の成形品の段階が考えられるが、特に規制する
ものではない。また混合の方法については、ポリマー溶
液の段階では、例えば、撹拌機付き容器が主として考え
られ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、
例えばタンブラー、V型ブレンダー、ナウターミキサ
ー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混
合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法で
使用され、特に規制はないが、混合操作中の異物混入に
対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合
後、任意の目開きのフィルターを通過させるという方法
が好ましい。
【0029】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物はそのポリマー0.7gを100mlの塩化メチレン
に溶解し、20℃で測定した比粘度が0.2〜0.5のも
のが好ましく、0.25〜0.4の範囲のものがより好ま
しい。比粘度が0.2未満では成形品が脆くなり、0.5
より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光
学的に良好な成形品が得られ難くなる。
【0030】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、ASTM D−0570によって測定した吸水率
が0.3重量%以下であり、0.25重量%以下であるこ
とがより好ましい。吸水率が0.3重量%を超えると、
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が好適に用
いられる光ディスク基板の表面上に金属膜を形成させた
光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラッ
キングエラーを起こし易くなるので好ましくない。
【0031】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、オリゴマー含量が10%以下であることが好まし
く、7%以下がより好ましく、特に5%以下が好まし
い。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを
使用して測定された値である。すなわち、東ソー(株)
製、TSKgelG2000HXLとG3000HXL
カラム各1本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホル
ムを用い、流量0.7ml/分で安定化した後、該芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物のクロロホルム溶液を注
入する方法で測定したGPCチャートのリテンションタ
イムが23分以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピ
ーク面積に対する割合がオリゴマー含量であり、この値
が10%以下であることが好ましく、7%以下であるこ
とがより好ましい。オリゴマー含量が7%、殊に10%
を越えると、成形時に金型表面を汚染することがあるの
で望ましくなく、その汚染はオリゴマー含量が多くなる
程顕著になる傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物の製造過程で生じるものであ
り、完全に零(0)にすることはできない。
【0032】オリゴマーは、前記した含量以下であれば
よく、その値を満足する限り、少割合含有されていても
差支えない。0.1%以上、より好ましくは0.15%以
上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下
のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に
好ましくはオリゴマー含量は0.15〜4%の範囲であ
る。
【0033】芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中のオ
リゴマー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴ
マーが共重合体中に含まれないように重合を充分に完結
することが必要であり、また触媒および重合条件を適宣
選択することが要求される。もしオリゴマー含量が前記
範囲を越えている場合には、例えばオリゴマーを抽出な
どの手段により除去する処置が採用される。この抽出は
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の溶液(例えば塩化
メチレン溶液)を、その共重合体の貧溶剤または非溶剤
(例えばアセトンまたはメタノール)中に滴下する方
法、或いはその組成物を貧溶媒または非溶媒に浸漬し
て、オリゴマーを抽出する方法などの手段によって実施
することができる。
【0034】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、光学的材料、殊に光ディスク基板として好適に使
用されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存
在しないことが望ましい。
【0035】すなわち、かかる芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物は、その20gを塩化メチレン1Lに溶解し
た溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウン
ターモデル4100を用いたレーザーセンサー法にて、
散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求め
た径0.5μm以上の未溶解粒子が、該芳香族ポリカー
ボネート樹脂組成物1g当り25,000個以下、且つ
1μm以上の未溶解粒子が500個以下であることが好
ましい。0.5μm以上の未溶解粒子が25,000個を
超えるか、または1μm以上の未溶解粒子が500個を
超えると光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響
を及ぼしエラーレートが大きくなるので好ましくない。
さらに好ましくは、0.5μm以上の未溶解粒子が20,
000個以下、且つ1μm以上の未溶解粒子が200個
以下である。また、10μm以上の未溶解粒子は実質的
に存在すべきでない。また5μm以上の未溶解粒子は3
0個/g以下であるのが好ましい。
【0036】芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中にお
ける未溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過
程および造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか
或いは除去し得る手段を採用すべきである。そのような
手段としては、例えば操作をクリーンルームで行うこ
と、未溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用する
こと(具体的例としては、軸受け部に異物取り出し口を
有する隔離室を設けたニーダーなど)或いは摺動部分に
樹脂粒子が触れない構造の装置(例えばスプレードライ
ヤー形式の造粒機)で造粒することなどがある。
【0037】また、未溶解粒子を除去する他の手段とし
て、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター(0.5〜
1μm)によりろ過する方法或いは樹脂を溶融して後、
金属フィルター(10〜40μm)により固体粒子を除
去する方法などが採用される。芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物は、そのガラス転移点が120℃以上が好ま
しく、130℃以上がより好ましく、145℃以上がさ
らに好ましい。ガラス転移点が低くなると光学用材料、
殊にディスク基板としての耐熱性が不足する。
【0038】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、
また溶媒として塩化メチレンなどの塩素系溶媒を使用し
た場合、塩素が少なからず残存している。この塩素の含
有量が多いと成形金型が腐食したり、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物の熱安定性が低下したり、また光ディ
スク基板として用いた場合、その金属膜の腐食が起こっ
たりするので望ましくない。従って、塩素の含量は10
ppm以下、好ましくは7ppm以下、特に好ましくは
5ppm以下であるのが推奨される。ここで云う塩素含
量とは、芳香族ポリカーボネート共重合体を三菱化学製
全有機ハロゲン分析装置TOX10型を用いて燃焼法に
より測定された値を意味するものとする。
【0039】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、溶融成形における流動性に優れかつ成形条件の大
幅な制限が改善されている。従って成形条件にその巾が
広くなるので成形の操作が容易となる。またディスク基
板に成形した場合、シリンダー温度を次第に低下させ、
ある温度になると基板内に成形による不良個所が発生す
るが、この時の最低シリンダー温度が高いほど、成形操
作条件の巾が小さくなり成形操作性が低くなる。本発明
の樹脂組成物は、前記最低シリンダー温度が低く、従っ
て成形操作条件の巾を大きく取ることができるメリット
がある。この最低シリンダー温度を成形操作性の目安と
して実施例に示した。本発明の樹脂組成物はポリマーA
単独の樹脂よりも10℃以上、好適条件では15℃以上
低い最低シリンダー温度を有している。
【0040】本発明において、前記芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物に、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜
ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択
された少なくとも1種のリン化合物が、その共重合体に
対して0.0001〜0.05重量%の割合で配合するこ
とができる。このリン化合物を配合することにより、か
かる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性が向
上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止
される。
【0041】かかるリン化合物としては、リン酸、亜リ
ン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステ
ルよりなる群から選択される少なくとも1種のリン化合
物であり、好ましくは下記一般式(1)〜(4)よりな
る群から選択された少なくとも1種のリン化合物であ
る。
【0042】
【化3】
【0043】ここで、R1〜R12は、それぞれ独立し
て、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素数1
〜20のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなど
の炭素数6〜15のアリール基またはベンジル、フェネ
チルなどの炭素数7〜18のアラルキル基を表してい
る。また1つの化合物中に2つのアルキル基が存在する
場合は、その2つのアルキル基は互いに結合して環を形
成していてもよい。
【0044】上記(1)式で示されるリン化合物として
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−
ブチルフェニル)ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス(2,6−ジ−tert
−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール
ジホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t
ert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビス
(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペ
ンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペン
タエリスリトールジホスファイトなどが挙げられ、上記
(2)式で示されるリン化合物としては、例えばトリブ
チルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェ
ニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニ
ルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフ
ェートなどが挙げられ、上記(3)式で示されるリン化
合物としては、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブ
チルフェニル)−4,4−ジフェニレンホスホナイトな
どが挙げられ、また上記(4)式で示される化合物とし
ては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン
酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げ
れる。なかでも、ジステアリルペンタエリスリトールジ
ホスファイト、トリエチルホスフェート、ベンゼンホス
ホン酸ジメチルが好ましく使用される。
【0045】かかるリン化合物の配合量は、該芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物に対して0.0001〜0.0
5重量%であり、0.0005〜0.02重量%が好まし
く、0.001〜0.01重量%が特に好ましい。配合量
が0.0001重量%未満では上記効果が得られ難く、
0.05重量%を超えると、逆に該芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物の熱安定性に悪影響を与え、また耐加水
分解性も低下するので好ましくない。
【0046】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添
加することができる。その例としてはフェノール系酸化
防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレ
ングリコール−ビス(3−(3−tert−ブチル−5
−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト)、1,6−ヘキサンジオール−ビス(3−(3,5−
ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオネート)、ペンタエリスリトール−テトラキス(3
−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオネート)、オクタデシル−3−(3,
5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,4,6−ト
リス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン、N,N−ヘキサメチレンビス(3,
5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナマイド)、3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒ
ドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、
トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シベンジル)イソシアヌレート、3,9−ビス{1,1−
ジメチル−2−[β−(3−tert−ブチル−4−ヒ
ドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]
エチル}−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,
5)ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の
好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物に対して、0.0001〜0.05重量%である。
【0047】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物には、必要に応じて一価または多価アルコール
の高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価
または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合する
ことにより、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の
成形時の金型からの離型性が改良され、ディスク基板の
成形においては、離型荷重が少なく離型不良によるディ
スク基板の変形、ピットずれを防止できる。また、芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物の溶融流動性が改善され
る利点もある。
【0048】かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素
原子数1〜20の一価または多価アルコールと炭素原子
数10〜30の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エ
ステルであるのが好ましい。
【0049】また、かかる一価または多価アルコールと
飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとして
は、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソ
ルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリス
リトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテト
ラステアレート、プロピレングリコールモノステアレー
ト、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテー
ト、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロ
ピルパルミテート、2−エチルヘキシルステアレートな
どが挙げられ、なかでも、ステアリン酸モノグリセリ
ド、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好まし
く用いられる。
【0050】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に
対して0.01〜2重量%であり、0.015〜0.5重
量%が好ましく、0.02〜0.2重量%がより好まし
い。配合量が0.01重量%未満では上記効果が得られ
ず、2重量%を越えると金型表面の汚れの原因ともな
る。
【0051】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤な
どの添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることがで
きる。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を上
記添加剤を混合するには、任意の方法で行うことができ
る。例えばタンブラー、V型ブレンダー、ナウターミキ
サー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで
混合する方法が適宜用いられる。この芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、
押出成形法、溶液キャスティング法など任意の方法によ
り成形される。
【0052】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、成形性および熱安定性に優れているので種々の成
形品として利用することができる。殊に光学ディスク、
光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィル
ム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射
鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機能
材料用途に適した光学用成形品として有利に使用するこ
とができる。これらのうち、光ディスク基板として特に
有利に使用することができる。
【0053】かかる光ディスク基板としては、コンパク
トディスク(CD)、CD−R、MO、MD−MO等
や、更にはデジタルバーサタイルディスク(DVD−R
OM、DVD−video、DVD−R、DVD−RA
M等)で代表される高密度光ディスクが挙げられる。
【0054】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、%は重量%であ
る。なお、評価は下記の方法によった。 (1)比粘度 ポリマー0.7gを100mlの塩化メチレンに溶解し
20℃の温度で測定した。 (2)ガラス転移点(Tg) デュポン社製910型DSCにより測定した。 (3)流動性(MFR) JIS K−7210に準拠して、東洋精機製セミオー
トメルトインデクサーを用いて、280℃、荷重2.1
6kgで10分間に流出したポリマー量(g)で示し
た。 (4)オリゴマー含量 東ソー製GPCカラムTSKgelG2000HXLと
TSKgelG3000HXLを用い、溶離液としてク
ロロホルムを流量0.7ml/分で流しながら試料50
mgをクロロホルム5mlに溶解した溶液を20μl注
入する方法で求めたGPCチャートのリテンションタイ
ムが23分以降のオリゴマー成分のピーク面積の全ピー
ク面積に対する割合を%で示した。 (5)吸水率 ASTM D−0570によって測定した。
【0055】(6)塩化メチレン未溶解粒子 該芳香族ポリカーボネート樹脂20gを塩化メチレン1
Lに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティ
クルカウンターモデル4100を用いたレーザーセンサ
ー法にて散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方
法で求めた。 (7)光線透過率 ASTM D−1003に準拠して日立製作所(株)製
分光光度計U−3400を用いて測定した。 (8)光弾性定数 理研計器(株)製の光弾性測定装置PA−150により
測定した。 (9)リターデーション値 名機製作所(株)製M35B−D−DMを用いて、直径
120mm、厚さ1.2mmのディスクを加熱筒温度3
30℃、金型温度85℃、冷却時間5秒にて成形し、オ
−ク製ADR200B自動複屈折測定装置を用い、ディ
スクの中心から半径30mm部分について測定した。 (10)熱安定性 試料のペレットを120℃で5時間乾燥した後、射出成
形機(住友重機(株)製SG−150)を用い、シリン
ダー温度340℃で10分間滞留させたものとさせない
ものの試験片(縦70mm、横50mm,厚み2mm)
をそれぞれ作成し、その比粘度の変化(△ηsp)および
色相の変化(△E)を測定した。色相の変化は、JIS
Z 8730に従い、日本電色(株)モデルZ−100
1DPを用い、それぞれのL、a、b値を測定して、次
式により算出した。
【0056】
【数1】
【0057】(L1、a1およびb1は、滞留させない組
成物の値、L2、a2およびb2は10分間滞留させた組
成物の値) (11)成形操作性 名機製作所(株)製M35B−D−DMを用いて120
mmφ、1.2mm厚みのディスク基板を100枚射出
成形する際に、ディスク基板内に不良個所(ボイド、ク
ラウド、コールド、シルバー等によって記録ミスの原因
となる不良箇所)が発生しないような最低シリンダー温
度を測定した。この温度が低い方が、同温度では溶融粘
度が低く成形温度巾が広いメリットがある。 (12)引張り試験法 ASTM D−638に準拠して、東洋ボールドウィン
社製UTM2.5Tを用いて測定した。
【0058】実施例1 [A] ポリマーAの共重合体の合成;温度計、撹拌
機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水929.2
部、48%水酸化ナトリウム水溶液61.3部を入れ、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−
トリメチルシクロヘキサン(成分a−1:以下“ビスフ
ェノールTMC”と略称することがある)39部、4,
4’−(成分a−2:m−フェニレンジイソプロピリデ
ン)ジフェノール(以下“ビスフェノールM”と略称す
ることがある)43.6部およびハイドロサルファイト
0.17部を溶解した後、p−tert−ブチルフェノ
ール1.51部と塩化メチレン637.9部を加えトリエ
チルアミン0.09部を添加した後撹拌下15〜25℃
でホスゲン32.4部を40分を要して吹き込んだ。ホ
スゲン吹き込み終了後、48%水酸化ナトリウム水溶液
15.6部を加え、28〜33℃で1時間撹拌して反応
を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈
して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率
がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部
に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて
塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールTMCとビス
フェノールMの比がモル比で50:50の比粘度が0.
271である無色のポリマー86.4部を得た(収率9
7%)。
【0059】[B] ビスフェノールAからのポリカー
ボネート単独重合体(ポリマーB)の合成;温度計、撹
拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水1105
7.0部、48%水酸化ナトリウム水溶液1559.9部
を仕込み、これにビスフェノールA2133.9部及び
ハイドロサルファイト2.12部を溶解した後、塩化メ
チレン6445.3部を加え、撹拌下15〜20℃でホ
スゲン1005.6部を60分要して吹込んだ。ホスゲ
ン吹込み終了後p−tert−ブチルフェノール92.
3部及び48%水酸化ナトリウム水溶液829.9部を
加え、攪拌して乳化させた後トリエチルアミン0.09
部を加え、28〜33℃で1時間撹拌して反応を終了し
た。反応終了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機
[(株)日立製作所製ウルトレックスEP−02]にて
イオン交換水流量1,000ml/分、反応生成物溶液
流量1,500ml/分、回転数3,500rpmの条件
で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、更
に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水相の導電率が
イオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受部に異
物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにより塩化メ
チレンを蒸発して、比粘度が0.269である粉粒状の
無色のポリカーボネート樹脂2,400部(収率92
%)を得た。
【0060】[C] 樹脂組成物の調整;[A]で合成
したポリマーAの共重合体溶液と[B]で合成したビス
フェノールAの単独重合体(ポリマーB)溶液とを溶液
中のポリマー重量比(ポリマーA:ポリマーB)が3
0:70となるようにそれぞれ撹拌機付容器に投入した
後、撹拌して混合した。混合後、目開き0.3μmのフ
ィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する
隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化
メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂
粉粒体を得た。このポリカーボネート樹脂粉粒体にジス
テアリルペンタエリスリトールジホスファイトを0.0
03%、トリエチルホスフェートを0.005%、ステ
アリン酸モノグリセリドを0.045%加えて、ベント
付きφ30mm二軸押出機を用いて、ペレット化した
後、名機製作所(株)製M35B−D−DMを用いて1
20mmφ、1.2mm厚みのディスク基板に射出成形
した。結果を表1に示す。
【0061】比較例1 実施例1において、[A]で合成した成分Aの共重合体
溶液のみを、目開き0.3μmのフィルターを通過させ
た後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニー
ダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発する
ことにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た以外は
実施例1と同様の操作をおこなった。結果を表1に示
す。
【0062】比較例2 実施例1において、[B]で合成したビスフェノールA
の単独重合体(ポリマーB)溶液のみを、目開き0.3
μmのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口
を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入
して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネ
ート樹脂粉粒体を得た以外は実施例1と同様の操作をお
こなった。結果を表1に示す。
【0063】
【表1】
【0064】実施例2 [A] 成分a−1と成分a−2からの共重合体(ポリ
マーA)の合成;温度計、撹拌機、還流冷却器付き反応
器にイオン交換水929.2部、48%水酸化ナトリウ
ム水溶液61.3部を入れ、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン
(“ビスフェノールTMC”)43.3部、2,2−ビス
(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以下
“ビスフェノールC”と略称することがある)29.5
部およびハイドロサルファイト0.17部を溶解した
後、p−tert−ブチルフェノール1.51部と塩化
メチレン637.9部を加えトリエチルアミン0.09部
を添加した後撹拌下15〜25℃でホスゲン32.4部
を40分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了
後、48%水酸化ナトリウム水溶液15.6部を加え、
28〜33℃で1時間撹拌して反応を終了した。反応終
了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩
酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆
ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を
有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発
して、ビスフェノールTMCとビスフェノールCの比が
モル比で55:45の比粘度が0.276である無色の
ポリマー79.0部を得た(収率97%)。
【0065】[B] ビスフェノールAからのポリカー
ボネート単独重合体(ポリマーB)の合成;温度計、撹
拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水1105
7.0部、48%水酸化ナトリウム水溶液1559.9部
を仕込み、これにビスフェノールA2133.9部及び
ハイドロサルファイト2.12部を溶解した後、塩化メ
チレン6445.3部を加え、撹拌下15〜20℃でホ
スゲン1005.6部を60分要して吹込んだ。ホスゲ
ン吹込み終了後p−tert−ブチルフェノール92.
3部及び48%水酸化ナトリウム水溶液829.9部を
加え、攪拌して乳化させた後トリエチルアミン0.09
部を加え、28〜33℃で1時間撹拌して反応を終了し
た。反応終了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機
[(株)日立製作所製ウルトレックスEP−02]にて
イオン交換水流量1,000ml/分、反応生成物溶液
流量1,500ml/分、回転数3,500rpmの条件
で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、更
に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水相の導電率が
イオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受部に異
物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにより塩化メ
チレンを蒸発して、比粘度が0.269である粉粒状の
無色のポリカーボネート樹脂2,400部(収率92
%)を得た。
【0066】[C]樹脂組成物の調整;[A]で合成し
たポリマーAの共重合体溶液と[B]で合成したビスフ
ェノールAの単独重合体(ポリマーB)溶液とを溶液中
のポリマー重量比(ポリマーA:ポリマーB)が30:
70となるようにそれぞれ撹拌機付容器に投入した後、
撹拌して混合した。混合後、目開き0.3μmのフィル
ターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離
室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチ
レンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒
体を得た。このポリカーボネート樹脂粉粒体にジステア
リルペンタエリスリトールジホスファイトを0.003
%、トリエチルホスフェートを0.005%、ステアリ
ン酸モノグリセリドを0.045%加えて、ベント付き
φ30mm二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名
機製作所(株)製M35B−D−DMを用いて120m
mφ、1.2mm厚みのディスク基板に射出成形した。
結果を表2に示す。
【0067】比較例3 実施例2において、[A]で合成した成分a−1と成分
a−2の共重合体(ポリマーA)溶液のみを、目開き
0.3μmのフィルターを通過させた後、軸受部に異物
取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液
を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカ
ーボネート樹脂粉粒体を得た以外は実施例2と同様の操
作をおこなった。結果を表2に示す。
【0068】
【表2】
【0069】
【発明の効果】本発明によれば、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキ
サンと4,4’−(m−フェニレンジイソプロピリデ
ン)ジフェノールおよび/または2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロパンと二価フェノ
ール成分とする芳香族ポリカーボネート共重合におい
て、成形不良や成形条件の大幅な制限、また熱安定性、
機械特性を改善することによって、本発明の芳香族ポリ
カーボネート樹脂組成物は、吸水性、光弾性定数、複屈
折、成形性および熱安定性に優れているので種々の成形
品として利用することができる。殊に光学ディスク、光
学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィルム、
光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射鏡、
ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機能材料
用途に適した光学用成形品として有利に使用することが
できる。これらのうち、光ディスク基板として特に有利
に使用することができ、その奏する工業的効果は格別な
ものである。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)二価フェノール成分が(a−1)
    1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−
    トリメチルシクロヘキサン(成分a−1)および(a−
    2)4,4’−(m−フェニレンジイソプロピリデン)
    ジフェノールおよび/または2,2−ビス(3−メチル
    −4−ヒドロキシフェニル)プロパン(成分a−2)よ
    り実質的になりかつ成分a−1:成分a−2の割合がモ
    ル比で99:1〜20:80である二価フェノール成分
    より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体(ポリ
    マーA)と(B)二価フェノール成分が前記成分a−1
    および成分a−2以外の二価フェノール成分(成分b)
    より構成された芳香族ポリカーボネート(ポリマーB)
    より実質的になり、ポリマーAおよびポリマーBの合計
    重量当り、ポリマーAの割合が40重量%より少なく3
    0重量%以上であることを特徴とする芳香族ポリカーボ
    ネート樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 成分bは、2,2−ビス(4−ヒドロキ
    シフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
    フェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
    ニル)−3−メチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
    キシフェニル)−3,3−ジメチルブタン、4,4’−ジ
    ヒドロキシジフェニルエーテルおよび4,4’−ジヒド
    ロキシジフェニルスルフィドからなる群から選ばれた少
    なくとも1種の二価フェノールである請求項1記載の芳
    香族ポリカーボネート樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 成分bは、2,2−ビス(4−ヒドロキ
    シフェニル)プロパンである請求項1記載の芳香族ポリ
    カーボネート樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 成分a−1:成分a−2の割合がモル比
    で80:20〜20:80である請求項1記載の芳香族
    ポリカーボネート樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
    は、下記特性(1)〜(4)、(1)0.7gを塩化メ
    チレン100mlに溶解した溶液の20℃において測定
    された比粘度が0.2〜0.5の範囲であり、(2)本文
    に定義された吸水率が0.3重量%以下であり、(3)
    本文に定義された方法によって測定されたオリゴマー含
    量が10%以下であり、さらに(4)その塩化メチレン
    溶液中で測定された未溶解粒子が芳香族ポリカーボネー
    ト樹脂組成物1g当り粒子換算直径0.5μm以上のも
    のが25,000個以下、且つ1μm以上のものが50
    0個以下である、を有する請求項1記載の芳香族ポリカ
    ーボネート樹脂組成物。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の芳香族ポリカーボネート
    樹脂組成物より形成された光学用成形品。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の芳香族ポリカーボネート
    樹脂組成物より形成された光ディスク基板。
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JP2000109669A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Teijin Chem Ltd 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学用成形品

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