JPH1186339A

JPH1186339A - 光ディスク基板

Info

Publication number: JPH1186339A
Application number: JP9281934A
Authority: JP
Inventors: Masato Ando; 正人安藤; Toshimasa Tokuda; 俊正徳田
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1997-07-08
Filing date: 1997-10-15
Publication date: 1999-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】熱安定性に優れ且つ低複屈折のポリカーボネ
ート共重合体より成形される光ディスク基板を提供す
る。【解決手段】全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンの特定割合か
ら構成されたポリカーボネート共重合体であって、該ポ
リカーボネート共重合体から成形された光ディスク基板
中に、リン原子として特定量のリン化合物を含有する光
ディスク基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は特定のポリカーボネ
ート共重合体より成形された光ディスク基板に関する。
更に詳しくは、熱安定性に優れ、且つ低複屈折の特定の
ポリカーボネート共重合体より成形された特定量のリン
化合物を含有する光ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）にカーボネ
ート前駆体物質を反応させて得られるポリカーボネート
樹脂は、透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が優
れているがゆえにエンジニアリングプラスチックとして
多くの分野に広く使用されている。特に透明性に優れる
ことから光学材料としての用途も多い。しかしながら、
かかるポリカーボネート樹脂はベンゼン環の光学異方性
から光弾性定数が大きく、従って成形品の複屈折が大き
い欠点があり、この改善が求められている。また、より
溶融流動性に優れ、より熱安定性の良い樹脂が求められ
ている。

【０００３】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカン及びそれか
らの新規なポリカーボネートについて記載されている。
この公報に開示されている代表例は、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル％使
用したポリカーボネートである。具体的には、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の割合で使用
したホモ又はコポリカーボネートが示され、コポリカー
ボネートの場合の共重合成分としては、ビスフェノール
Ａが３０、５０、６５又は７０モル％使用されている。

【０００４】上記公報には、得られたポリカーボネート
は、従来のビスフェノールＡからのポリカーボネートの
用途、例えば電気分野、被覆及び透明板ガラスの分野で
使用され、高い耐熱性を有する点で優れていることが開
示されている。しかしながら、このポリカーボネート
は、溶融流動性が悪く良好な成形品が得られ難いという
問題がある。また、この公報にはビスフェノールＡ以外
の種々の共重合体に関する記載はあるが、その具体的事
例は示されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、熱安
定性に優れ且つ低複屈折のポリカーボネート共重合体よ
り成形される光ディスク基板を提供するにある。本発明
者は、上記課題を達成せんとして、鋭意研究を重ねた結
果、特定の２種の二価フェノールを特定割合で使用して
得られるポリカーボネート共重合体から成形された光デ
ィスク基板中に、リン原子として特定量のリン化合物を
含有させることにより上記課題が達成し得ることを見出
し、本発明に到達した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、全芳香族ジヒ
ドロキシ成分の少くとも８０モル％が（ａ）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールお
よび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（成分ｂ）からなり、且つ成分ａ
と成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲
で構成されたポリカーボネート共重合体であって、該ポ
リカーボネート共重合体から成形された光ディスク基板
中に、該光ディスク基板１００重量部に対して、リン原
子として１×１０^-5〜９×１０^-5重量部のリン化合物を
含有する光ディスク基板に係るものである。

【０００７】本発明の光ディスク基板を形成するポリカ
ーボネート共重合体は、それを構成する芳香族ジヒドロ
キシ成分として、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）（以下ビスフェノールＴＭＣと略称することがあ
る）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール（以下ビスフェノールＭと略
称することがある）および／または２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）
が全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８０モル％、好
ましくは少くとも９０モル％であるのが有利であり、典
型的には、成分ａ及び成分ｂによって実質的に形成され
たポリカーボネート共重合体であるのが望ましい。この
成分ａ及び成分ｂの割合が８０モル％未満の場合、本発
明の目的であるディスク基板用材料として不満足な性質
になり好ましくない。

【０００８】成分ａと成分ｂとの割合は、モル比で９
９：１〜２０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：
８０の範囲が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲
が更に好ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、
成分ｂの割合が１モル％より少くなると、得られる共重
合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好
なディスク基板が得られ難くなる。また、成分ａの割合
が２０モル％より少く、成分ｂの割合が８０モル％より
多くなると、得られた共重合体の光弾性定数が大きくな
り、またガラス転移温度も低下する傾向にあるので好ま
しくない。

【０００９】前記ポリカーボネート共重合体の好ましい
態様の１つは、成分ａがビスフェノールＴＭＣであり、
且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、そ
の場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、８０：２０〜
２０：８０の範囲、特に８０：２０〜３０：７０の範囲
であるのが一層好ましい。

【００１０】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体において、成分ａ及び成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ
成分の少くとも８０モル％、好ましくは少くとも９０モ
ル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（成分ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％
以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差
支えない。かかる成分ｃとしては、通常ポリカーボネー
トのジヒドロキシ成分として使用されている、成分ａ及
び成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロキノ
ン、レゾルシノール、４，４′−ビフェノール、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、
４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフ
ェノール、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン等が挙げ
られ、なかでも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン及び９，９−ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）フルオレンが好ましい。

【００１１】ポリカーボネート共重合体はそのポリマー
０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃
で測定した比粘度が０．２〜０．５のものが好ましく、
０．２５〜０．４の範囲のものがより好ましい。比粘度
が０．２未満ではディスク基板が脆くなり、０．５より
高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的
に良好なディスク基板が得られ難くなる。

【００１２】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、ＡＳＴＭＤ−０５７０によって測定した吸水率
が０．２重量％以下であることが好ましく、０．１８量
％以下であることがより好ましい。吸水率が０．２重量
％を超えると、本発明のポリカーボネート共重合体より
成形される光ディスク基板の表面上に金属膜を形成させ
た光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラ
ッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。特
に好ましい吸水率は０．１５重量％以下である。

【００１３】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、オリゴマー含量が１０％以下であることが好まし
く、７％以下がより好ましく、特に５％以下が好まし
い。このオリゴマー含量の値は下記方法及びカラムを使
用して測定された値である。即ち、東ソー（株）製、Ｔ
ＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム
各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用
い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、ポリカーボネ
ート共重合体のクロロホルム溶液を注入する方法で測定
したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降
のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対する
割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以下であ
ることが好ましく、７％以下であることがより好まし
い。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、成
形時に金型表面を汚染することがあるので望ましくな
く、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる
傾向がある。一方、オリゴマーはポリカーボネート共重
合体の製造過程で生じるものであり、完全に零（０）に
することはできない。

【００１４】オリゴマーは、前記含量以下であればよ
く、その値を満足する限り、少割合含有されていても差
支えない。０．１％以上、より好ましくは０．１５％以
上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下
のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に
好ましいオリゴマー含量は０．１５〜４％の範囲であ
る。ポリカーボネート共重合体中のオリゴマー含量を前
記範囲に制御するには、大量のオリゴマーが共重合体中
に含まれないように重合を充分に完結することが必要で
あり、また触媒及び重合条件を適宣選択することが要求
される。オリゴマー含量が前記範囲を越えている場合に
は、例えばオリゴマーを抽出等の手段により除去する処
置が採用される。この抽出はポリカーボネート共重合体
の溶液（例えば塩化メチレン溶液）を、その共重合体の
貧溶剤又は非溶剤（例えばアセトン又はメタノール）中
に滴下する方法、又はその共重合体を貧溶媒又は非溶媒
に浸漬して、オリゴマーを抽出する方法等の手段によっ
て実施することができる。

【００１５】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、光ディスク基板として使用されるため、その中に
未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが望まし
い。即ち、かかるポリカーボネート共重合体は、その２
０ｇを塩化メチレン１リットルに溶解した溶液をハイア
ックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１
００を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光をラテッ
クス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径０．５μｍ
以上の未溶解粒子が、ポリカーボネート共重合体１ｇ当
り２５，０００個以下で、且つ１μｍ以上の未溶解粒子
が５００個以下であることが好ましい。０．５μｍ以上
の未溶解粒子が２５，０００個を超えるか、又は１μｍ
以上の未溶解粒子が５００個を超えると光ディスクに書
込まれた情報ピットに悪影響を及ぼしエラーレートが大
きくなるので好ましくない。更に好ましくは、０．５μ
ｍ以上の未溶解粒子が２０，０００個以下で、且つ１μ
ｍ以上の未溶解粒子が２００個以下である。また、１０
μｍ以上の未溶解粒子は実質的に存在すべきでない。

【００１６】ポリカーボネート共重合体中における未溶
解粒子の量を前記範囲にするためには、重合過程及び造
粒過程において、未溶解粒子が混入しないか又は除去し
得る手段を採用すべきである。そのような手段として
は、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶解粒
子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること（具体的
例としては、軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設
けたニーダー等）又は摺動部分に樹脂粒子が触れない構
造の装置（例えばスプレードライヤー形式の造粒機）で
造粒すること等がある。また、未溶解粒子を除去する他
の手段として、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター
（０．５〜１μｍ）により濾過する方法又は樹脂を溶融
して後、金属フィルター（１０〜４０μｍ）により固体
粒子を除去する方法等が採用される。

【００１７】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、通常の芳香族ポリカーボネートを製造するそれ自
体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホ
スゲンや炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反
応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法
について基本的な手段を簡単に説明する。

【００１８】カーボネート前駆物質として、例えばホス
ゲンを使用する反応では、通常酸結合剤及び溶媒の存在
下に反応を行う。酸結合剤としては、例えば水酸化ナト
リウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物又は
ピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒として
は、例えば塩化メチレンやクロロベンゼン等のハロゲン
化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例え
ば第三級アミンや第四級アンモニウム塩等の触媒を用い
ることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃で
あり、反応時間は数分〜５時間である。

【００１９】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら撹拌して、生成するアルコール又はフェノー
ル類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成
するアルコール又はフェノール類の沸点等により異なる
が、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初
期から減圧にして生成するアルコール又はフェノール類
を留出させながら反応を完結させる。また、反応を促進
するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使
用することもできる。前記エステル交換反応に使用され
る炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネ
ート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カ
ーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネ
ート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。これらの
うち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２０】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、
成分ａと成分ｂ、必要であれば成分ｃの混合物を使用
し、それ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従っ
て製造することができる。その重合反応において、末端
停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用
することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホ
スゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末
端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、
また得られたポリカーボネート共重合体は、末端が単官
能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、ポリカーボネートの
末端停止剤として使用されるものであればよく、一般に
はフェノール又は低級アルキル置換フェノールであっ
て、下記一般式で表される単官能フェノール類を示すこ
とができる。

【００２１】

【化１】

【００２２】［式中、Ａは水素原子又は炭素数１〜９、
好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは１〜
５、好ましくは１〜３の整数を示す。］

【００２３】前記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。

【００２４】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基
として有するフェノール類若しくは安息香酸クロライド
類又は長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用す
ることができ、これらを用いてポリカーボネート共重合
体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤又は分子量
調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が
改良され、成形加工が容易になるばかりでなく、基板と
しての物性も改良される。特に樹脂の吸水率を低くする
効果があり、好ましく使用される。これらは下記一般式
［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される。

【００２５】

【化２】

【００２６】

【化３】

【００２７】

【化４】

【００２８】

【化５】

【００２９】

【化６】

【００３０】

【化７】

【００３１】

【化８】

【００３２】

【化９】

【００３３】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−又は−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合又
は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭
化水素基を示し、Ｔは単結合又は上記Ｘと同様の結合を
示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。Ｑはハロゲン原子
又は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族
炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、Ｙは炭素
数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素
基を示し、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹³、−ＣＯ−Ｏ
−Ｒ¹⁴又はＲ¹⁵である、ここでＲ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は、
夫々炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族
炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の
脂環族炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６〜
１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。ａは４〜２０、
好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１〜１００、好
ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５０の整数を示
し、Ｚは単結合又は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５
の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ²は水素原子、炭
素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水
素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族
炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の
一価の芳香族炭化水素基を示す。］

【００３４】これらのうち好ましいのは［Ｉ−ａ］及び
［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］
の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１
０〜２６のものが好ましく、その具体例としては例えば
デシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフ
ェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェ
ノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール及
びトリアコンチルフェノールなどを挙げることができ
る。また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類としてはＸが
−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適
当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好
適であって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息
香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ
安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシ
ル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香
酸ドコシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙
げられる。前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示され
る置換フェノール類または置換安息香酸クロライドにお
いて置換基の位置は、ｐ位又はｏ位が一般的に好まし
く、その両者の混合物が好ましい。前記単官能フェノー
ル類は、得られるポリカーボネート共重合体の全末端に
対して少くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル
％末端に導入されることが望ましく、また単官能フェノ
ール類は単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

【００３５】また、本発明に使用するポリカーボネート
共重合体において、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンが、全
芳香族ヒドロキシ成分の８０モル％以上である場合は、
樹脂の流動性が低下することがあり、そのため前記一般
式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類
又は置換安息香酸クロライド類を末端停止剤として使用
することが好ましい。

【００３６】本発明に使用するポリカーボネート共重合
体は、その光弾性定数の値が６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ以下、好ましくは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下の
ものが有利に利用される。光弾性定数の値が前記値より
も大きい場合光学用材料、殊に光ディスクとして適さな
くなる。

【００３７】ポリカーボネート共重合体は、そのガラス
転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がより
好ましく、１４５℃以上が更に好ましい。ガラス転移点
が低くなるとディスク基板としての耐熱性が不足する。

【００３８】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、
また溶媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を使用した
場合、塩素が少からず残存している。この塩素の含有量
が多いと成形金型が腐食したり、ポリカーボネート共重
合体の熱安定性が低下したり、また光ディスク基板とし
て用いた場合、その金属膜の腐食が起こったりするので
望ましくない。従って、塩素の含量は１０ｐｐｍ以下、
好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下
であるのが推奨される。ここでいう塩素含量とは、ポリ
カーボネート共重合体を三菱化学（株）製全有機ハロゲ
ン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて燃焼法により測定され
た値を意味するものとする。

【００３９】本発明においては、前記ポリカーボネート
共重合体から成形される光ディスク基板中にリン原子と
して１×１０^-5〜９×１０^-5重量％のリン化合物を含有
する。光ディスク基板中にかかる量のリン化合物を含有
させるように、ポリカーボネート共重合体中にリン化合
物を配合することによって、ポリカーボネート共重合体
の熱安定性が向上し、溶融押出によるペレット化や溶融
成形による光ディスク基板の製造時における分子量の低
下や色相の悪化が防止される。

【００４０】かかるポリカーボネート共重合体を溶融押
出によってペレット化する際および溶融成形によって光
ディスク基板を製造する際に、配合されたリン化合物が
一部分解、揮発するために、光ディスク基板中に残存す
るリン含有量は、ポリカーボネート共重合体に配合した
リン化合物の量より減少する。従って、上記の光ディス
ク基板中にリン原子として１×１０^-5〜９×１０^-5重量
％のリン化合物が含有されるように、配合するリン化合
物の量が決定される。

【００４１】かかるポリカーボネート共重合体に配合す
るリン化合物としては、例えば、亜リン酸、リン酸、亜
ホスホン酸、ホスホン酸及びこれらのエステル等が挙げ
られ、好ましくは下記一般式［１］〜［４］

【００４２】

【化１０】

【００４３】

【化１１】

【００４４】

【化１２】

【００４５】

【化１３】

【００４６】で示されるリン化合物である。ここで、Ｒ
¹〜Ｒ¹²は夫々独立して水素原子、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、
ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシ
ル等の炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリ
ル、ナフチル等の炭素数６〜１５のアリール基又はベン
ジル、フェネチル等の炭素数７〜１８のアラルキル基を
表している。また１つの化合物中に２つのアルキル基が
存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合し
て環を形成していてもよい。

【００４７】上記（１）式で示されるリン化合物として
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビ
ス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペ
ンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられ、上
記（２）式で示されるリン化合物としては、例えばトリ
ブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフ
ェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェ
ニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェート等が挙げられ、上記（３）式で示されるリン化
合物としては、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイト等
が挙げられ、また上記（４）式で示される化合物として
は、例えばベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホス
ホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル等が挙
げれる。なかでも、ジステアリルペンタエリスリトール
ジホスファイト、トリエチルホスフェート、ベンゼンホ
スホン酸ジメチルが好ましく使用される。

【００４８】本発明で使用するポリカーボネート共重合
体には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を配
合することができる。その例としてはフェノール系酸化
防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレ
ングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス
［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，
４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレ
ンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチ
ルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，９−
ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピ
オニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオ
キサスピロ（５，５）ウンデカン等が挙げられる。これ
ら酸化防止剤の好ましい配合量の範囲はポリカーボネー
ト共重合体１００重量部に対して０．０００１〜０．０
５重量部である。

【００４９】更に本発明で使用するポリカーボネート共
重合体には、必要に応じて一価又は多価アルコールの高
級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価又は
多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することに
より、ポリカーボネート共重合体の溶融成形時の金型か
らの離型性が改良され、光ディスク基板の成形において
は、離型荷重が少く離型不良による光ディスク基板の変
形、ピットずれを防止できる。また、ポリカーボネート
共重合体の溶融流動性が改善される利点もある。

【００５０】かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素
原子数１〜２０の一価又は多価アルコールと炭素原子数
１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステル又は全エステ
ルであるのが好ましい。

【００５１】また、かかる一価又は多価アルコールと飽
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルとしては、ス
テアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテ
ート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトー
ルモノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステ
アレート、プロピレングリコールモノステアレート、ス
テアリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチ
ルステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパル
ミテート、２−エチルヘキシルステアレート等が挙げら
れ、なかでも、ステアリン酸モノグリセリド、ペンタエ
リスリトールテトラステアレートが好ましく用いられ
る。かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合
量は、ポリカーボネート共重合体１００重量部に対して
０．０１〜２重量部であり、０．０１５〜０．５重量部
が好ましく、０．０２〜０．２重量部がより好ましい。
配合量が０．０１重量部未満では上記効果が得られず、
２重量部を越えると金型表面の汚れの原因となるので好
ましくない。

【００５２】本発明に使用されるポリカーボネート共重
合体には、更に光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等
の添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができ
る。また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂を
本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加することも
できる。

【００５３】本発明に使用されるポリカーボネート共重
合体に上記添加剤を配合するには、任意の方法で行うこ
とができる。例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウ
ターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出
機等で混合する方法が適宜用いられる。こうして得られ
るポリカーボネート樹脂組成物から光ディスク基板を成
形するには格別な方法を採用する必要はなく、射出成形
法、押出成形法等通常知られている方法が任意に採用さ
れる。

【００５４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に説明す
る。なお、実施例中の部は重量部であり、評価は下記の
方法によった。

【００５５】（１）比粘度：パウダー０．７ｇを１００
ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した。

【００５６】（２）ガラス転移点（Ｔｇ）：パウダーを
用いて、デュポン社製９１０型ＤＳＣにより測定した。

【００５７】（３）流動性（ＭＦＲ）：ペレットを用い
て、ＪＩＳＫ−７２１０に従って、東洋精機製セミオ
ートメルトインデクサーにより２８０℃、荷重２．１６
ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示した。

【００５８】（４）オリゴマー含量：東ソー製ＧＰＣカ
ラムＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３
０００ＨＸＬを用い、溶離液としてクロロホルムを流量
０．７ｍｌ／分で流しながらパウダー５０ｍｇをクロロ
ホルム５ｍｌに溶解した溶液を２０μｌ注入する方法で
求めたＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以
降のオリゴマー成分のピーク面積の全ピーク面積に対す
る割合を％で示した。

【００５９】（５）吸水率：ペレットを１２０℃で５時
間乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ−１
５０］を用い、シリンダー温度３４０℃で射出成形した
試験片を用い、ＡＳＴＭＤ−０５７０に従って測定し
た。

【００６０】（６）塩化メチレン未溶解粒子：ディスク
基板２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイア
ックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１
００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテック
ス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。

【００６１】（７）全光線透過率：ディスク基板を用い
て、ＡＳＴＭＤ−１００３に従って、日本電色シグマ
８０により測定した。

【００６２】（８）光弾性定数：ディスク基板を用い
て、理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０に
より測定した。

【００６３】（９）斜め入射複屈折位相差：ディスク基
板を用いて、オーク製エリプソメータＡＤＲ−２００Ｂ
自動複屈折測定装置により、入射角３０度で測定した。

【００６４】（１０）熱安定性：ペレットを１２０℃で
５時間乾燥した後、射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ
−１５０］を用い、シリンダー温度３４０℃で１０分間
滞留させたものとさせないものの試験片（縦７０ｍｍ、
横５０ｍｍ，厚み２ｍｍ）を夫々作成し、その比粘度の
変化（△ηsp）及び色相の変化（△Ｅ）を測定した。色
相の変化は、ＪＩＳＺ−８７３０に従い、日本電色
（株）モデルＺ−１００１ＤＰを用い、それぞれのＬ、
ａ、ｂ値を測定して、次式により算出した。

【００６５】

【数１】

【００６６】［式中、Ｌ、ａ、ｂは滞留させないもの、
Ｌ′、ａ′、ｂ′は１０分間滞留させたものの値を示
す。］

【００６７】［実施例１］温度計、撹拌機及び還流冷却
器付き反応器にイオン交換水９２９．２部、４８％水酸
化ナトリウム水溶液６１．３部を仕込み、これに１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノールＴＭＣ”
と略称することがある）３９部、４，４′−（ｍ−フェ
ニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ビス
フェノールＭ”と略称することがある）４３．６部及び
ハイドロサルファイト０．１７部を溶解した後ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール１．５１部と塩化メチレン６３
７．９部を加え、更にトリエチルアミン０．０９部を加
えた後、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン３２．４部を４
０分を要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８
％水酸化ナトリウム水溶液１５．６部を加え、２８〜３
３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成
物を塩化メチレンで希釈して水洗した後塩酸酸性にして
水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになっ
たところで、軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設
けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノ
ールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５
０である無色のパウダー８６．４部を得た（収率９７
％）。このパウダーの比粘度は０．２８６、オリゴマー
含量は２．３％、Ｔｇは１４７℃であった。

【００６８】このパウダーにジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイトを０．０００３部、トリエチル
ホスフェートを０．０００１部、ステアリン酸モノグリ
セリドを０．０４５部加えた。次に、かかるパウダーを
ベント式二軸押出機[神戸製鋼（株)製ＫＴＸ−４６]に
よりシリンダー温度２４０℃で脱気しながら溶融混練
し、ペレット化した。そして、このペレットを住友重機
（株）製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌｌを用いて１２０ｍｍφ、
１．２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このデ
ィスク基板中のリン原子含有量は、ディスク基板１００
重量部に対して３．５×１０^-5重量部であった。また、
このディスク基板中の塩化メチレン未溶解粒子は０．５
μｍ以上が１４，５００個／ｇ、１μｍ以上が１７０個
／ｇであった。また、前記測定方法によるＭＦＲは７０
ｇ／１０分、吸水率は０．１５重量％、全光線透過率は
８９％、光弾性定数は４０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜
め入射複屈折位相差は２１ｎｍ、△ηspは０．００３、
△Ｅは０．３で良好な熱安定性を示した。

【００６９】［実施例２］実施例１の１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンの使用量を３１．２部、４，４′−（ｍ−フ
ェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールの使用量を
５２．２部とする以外は実施例１と同様にして、ビスフ
ェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で４
０：６０であるパウダー８６．４部を得た（収率９６
％）。このパウダーの比粘度は０．２９２、オリゴマー
含量は２．８％、Ｔｇは１３５℃であった。

【００７０】このパウダーにベンゼンホスホン酸ジメチ
ルを０．０００１部、ステアリン酸モノグリセリドを
０．０４５部加えた。次に、かかるパウダーを実施例１
と同様の押出機を用いて溶融混練し、ペレット化した。
そして、このペレットを実施例１と同様の成形機を用い
て、ディスク基板を射出成形した。このディスク基板中
のリン原子含有量は、ディスク基板１００重量部に対し
て１．５×１０^-5重量部であった。また、このディスク
基板中の塩化メチレン未溶解粒子は０．５μｍ以上が１
３，５００個／ｇ、１μｍ以上が１５０個／ｇであっ
た。また、前記測定方法によるＭＦＲは９０ｇ／１０
分、吸水率は０．１２重量％、全光線透過率は８９％、
光弾性定数は３８×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複
屈折位相差は２０ｎｍ、△ηspは０．００４、△Ｅは
０．４で良好な熱安定性を示した。

【００７１】［実施例３］実施例１の１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンの使用量を４６．８部、４，４′−（ｍ−フ
ェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールの使用量を
３４．９部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代
わりに炭素原子数２３のアルキルフェノール（オルソ置
換体７０％、パラ置換体３０％の混合物）を３．８部用
いる以外は実施例１と同様にしてビスフェノールＴＭＣ
とビスフェノールＭの比がモル比で６０：４０であるパ
ウダー８６．４部（収率９４％）を得た。このパウダー
の比粘度は０．２７５、オリゴマー含量は３．１％、Ｔ
ｇは１３３℃であった。このパウダーにジステアリルペ
ンタエリスリトールジホスファイトを０．０００３部、
トリエチルホスフェートを０．０００１部、ステアリン
酸モノグリセリドを０．０４５％加えた。次に、かかる
パウダーを実施例１と同様の押出機を用いて溶融混練
し、ペレット化した。そして、このペレットを実施例１
と同様の成形機を用いて、ディスク基板を射出成形し
た。このディスク基板中のリン原子含有量は、ディスク
基板１００重量部に対して３．７×１０^-5重量部であっ
た。また、このディスク基板中の塩化メチレン未溶解粒
子は０．５μｍ以上が１５，８００個／ｇ、１μｍ以上
が１８０個／ｇであった。また、前記測定方法によるＭ
ＦＲは６８ｇ／１０分、吸水率は０．１６重量％、全光
線透過率は８９％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／
ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は１９ｎｍ、△ηspは
０．００３、△Ｅは０．３で良好な熱安定性を示した。

【００７２】［実施例４］実施例１と同様の装置にイオ
ン交換水９４５部と４８．５％水酸化ナトリウム水溶液
６２．５部を仕込み、これに１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン１６部、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレン９部（以下、“ビスフェノールフルオレン”と
略称することがある）、４，４′−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ジフェノール６２．１部を溶解させ
た後塩化メチレン６４９部を加え、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール１．１５部とトリエチルアミン０．０９部
を加えて激しく撹拌しながら２０℃でホスゲン３３部を
約４０分を要して吹き込み反応させた。次いで内温を３
０℃に上げ４８．５％水酸化ナトリウム水溶液１６部を
加えて１時間撹拌を続けて反応を終了した。このものを
実施例１と同様に精製してビスフェノールＴＭＣとビス
フェノールＭとビスフェノールフルオレンの比がモル比
で２０：７０：１０であるパウダーを得た。このパウダ
ーの比粘度は０．３０１、オリゴマー含量は３．９％、
Ｔｇは１４６℃であった。

【００７３】このパウダーに、トリス（２，４−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．００１
部、トリエチルホスフェートを０．０００１部、ステア
リン酸モノグリセリドを０．０５部加えた。次に、かか
るパウダーを実施例１と同様の押出機を用いて溶融混練
し、ペレット化した。そして、このペレットを実施例１
と同様の成形機を用いて、ディスク基板を射出成形し
た。このディスク基板中のリン原子含有量は、ディスク
基板１００重量部に対して６．０×１０^-5重量部であっ
た。また、このディスク基板中の塩化メチレン未溶解粒
子は０．５μｍ以上が１６，５００個／ｇ、１μｍ以上
が１７０個／ｇであった。また、前記測定方法によるＭ
ＦＲは６４ｇ／１０分、吸水率は０．１２重量％、全光
線透過率は８９％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／
ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は３５ｎｍ、△ηspは
０．００４、△Ｅは０．４で良好な熱安定性を示した。

【００７４】［比較例１］実施例１において、ジステア
リルペンタエリスリトールジホスファイト及びトリエチ
ルホスフェートを加えない以外は、実施例１と同様にし
て、ディスク基板を得た。前記測定方法による全光線透
過率は８９％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍであったが、△η
spは０．００８、△Ｅは１．５と大きく、熱安定性が不
足していた。

【００７５】［比較例２］ビスフェノールＡより得た比
粘度が０．２８３、Ｔｇが１４３℃、ＭＦＲが６５ｇ／
１０分、吸水率が０．３１重量％であるポリカーボネー
トパウダーにジステアリルペンタエリスリトールジホス
ファイト及びトリエチルホスフェートを加えない以外は
実施例１と同様にして、ディスク基板を得た。前記測定
方法による全光線透過率は８９％、光弾性定数は８３×
１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は８１ｎ
ｍと大きく、△ηspは０．００５、△Ｅは０．６と熱安
定性も不足していた。

【００７６】

【発明の効果】本発明のポリカーボネート共重合体より
成形される光ディスク基板は、熱安定性に優れ且つ低複
屈折の極めて優れた光ディスク基板であり、その奏する
工業的効果は格別なものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成
分ｂ）からなり、且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で
９９：１〜２０：８０の範囲で構成されたポリカーボネ
ート共重合体であって、該ポリカーボネート共重合体か
ら成形された光ディスク基板中に、該光ディスク基板１
００重量部に対して、リン原子として１×１０^-5〜９×
１０^-5重量部のリン化合物を含有することを特徴とする
光ディスク基板。
【請求項２】該成分ｂが、４，４′−（ｍ−フェニレ
ンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項１記
載の光ディスク基板。
【請求項３】成分ａと成分ｂの割合が、モル比で８
０：２０〜２０：８０である請求項１記載の光ディスク
基板。
【請求項４】該ポリカーボネート共重合体が、その
０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２
０℃において測定された比粘度が０．２〜０．５の範囲
である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項５】該ポリカーボネート共重合体が、本文に
定義された吸水率が０．２重量％以下である請求項１記
載の光ディスク基板。
【請求項６】該ポリカーボネート共重合体が、本文に
定義された方法によって測定されたオリゴマー含量が１
０％以下である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項７】該ポリカーボネート共重合体が、その塩
化メチレン溶液中で測定された未溶解粒子がポリカーボ
ネート共重合体１ｇ当り、粒子換算直径０．５μｍ以上
のものが２５，０００個以下で、且つ１μｍ以上のもの
が５００個以下である請求項１記載の光ディスク基板。