JPS61137220A - 磁気記憶体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及びその製造方法Info
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- JPS61137220A JPS61137220A JP25816584A JP25816584A JPS61137220A JP S61137220 A JPS61137220 A JP S61137220A JP 25816584 A JP25816584 A JP 25816584A JP 25816584 A JP25816584 A JP 25816584A JP S61137220 A JPS61137220 A JP S61137220A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明の磁気記憶体の保護膜及び潤滑膜の材質構成及び
製造方法に関する。
製造方法に関する。
磁気記憶装置は、記録再生時の磁気記憶体（以下記憶体
と呼ぶ）と記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）との接
触摩擦によって金属磁性薄膜に潟を生じせしめる事がし
ばしば起こり、又湿気により金属磁性薄膜が錆たり、ハ
クリしその機能を失う事もしばしば起こる。この様な問
題を改善する種々の提案がすでになされている。
と呼ぶ）と記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）との接
触摩擦によって金属磁性薄膜に潟を生じせしめる事がし
ばしば起こり、又湿気により金属磁性薄膜が錆たり、ハ
クリしその機能を失う事もしばしば起こる。この様な問
題を改善する種々の提案がすでになされている。
従来は、保護膜として特公昭４７−４９６０３のＮｉ
Ｓ ｎ １ｉｔＪ ｅ特公昭４Ｂ−１４２４１のＮｉ
．Ｒｈ積層膜、特公昭４Ｂ、−４１８８１のＮｉ−’ｐ
Ｉ良＃特公昭５５−６２５７のＡｕ 、Ａｕ合金膜等
、特公昭５６−４３５３２のＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ膜やＡｔ
の不態体膜、特公昭５７−６１７７のＲｅ、Ｏｓ等の２
層膜、特開昭５１−４３１１０のＮｉ−Ｗ−ｒ膜、特開
昭５３−７３１０８のＮｉ− Ｏｒ膜、特開昭５５−７
３９３２のＡ ｕ −Ｓ ｉ膜、特開昭５６−１６９４
０のＦ ｅ−Ｎ ｉ ［ＩＱ 、特開昭５７−１１７１
２８のＴｅ膜、特開昭５８−２６５２０のＴ１膜等の金
凧膜は、記憶体の耐食性を確保するには１ｏｏｏＸ厚以
上の膜厚まで被覆しなければならず又潤滑性の改善には
役立たない。又特公昭４９−２９４４５の金属磁性薄膜
の酸化処理による酸化物膜、特公昭５２−１７４０２の
クロム酸反応膜、特公昭５Ｂ−３７６１６のリン酸含有
液反応膜ｒ ％開昭５７−１１７１２６の荷電粒子衝撃
による酸化膜等は形成により磁気特性の変化をともなう
ため、作製がむずかしいばかりか、その耐食性、ｉ１１
′４滑性とも不充分である。
Ｓ ｎ １ｉｔＪ ｅ特公昭４Ｂ−１４２４１のＮｉ
．Ｒｈ積層膜、特公昭４Ｂ、−４１８８１のＮｉ−’ｐ
Ｉ良＃特公昭５５−６２５７のＡｕ 、Ａｕ合金膜等
、特公昭５６−４３５３２のＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ膜やＡｔ
の不態体膜、特公昭５７−６１７７のＲｅ、Ｏｓ等の２
層膜、特開昭５１−４３１１０のＮｉ−Ｗ−ｒ膜、特開
昭５３−７３１０８のＮｉ− Ｏｒ膜、特開昭５５−７
３９３２のＡ ｕ −Ｓ ｉ膜、特開昭５６−１６９４
０のＦ ｅ−Ｎ ｉ ［ＩＱ 、特開昭５７−１１７１
２８のＴｅ膜、特開昭５８−２６５２０のＴ１膜等の金
凧膜は、記憶体の耐食性を確保するには１ｏｏｏＸ厚以
上の膜厚まで被覆しなければならず又潤滑性の改善には
役立たない。又特公昭４９−２９４４５の金属磁性薄膜
の酸化処理による酸化物膜、特公昭５２−１７４０２の
クロム酸反応膜、特公昭５Ｂ−３７６１６のリン酸含有
液反応膜ｒ ％開昭５７−１１７１２６の荷電粒子衝撃
による酸化膜等は形成により磁気特性の変化をともなう
ため、作製がむずかしいばかりか、その耐食性、ｉ１１
′４滑性とも不充分である。
又特公昭４９−２６りＳ３．同５０−３０４４５、同５
１−１５９６７、同５２−１８００１．同５４−２９２
４２．同５４−３４６０２．同５５−２９５００．同５
７−４０５６５．同５７−５８７！１１ 、同５Ｂ−５
１７６１４，同５Ｂ−３７６１５、特開昭５１−４７４
０１．同５１−１４８４０６、同５５−１０８９３’Ｏ
，同５７−１４７１３６、同５７−１８９３３９．同５
Ｂ−１３３６６４、同５Ｂ−１０８０３０等の酸化物膜
そして、特公昭５５−４９０４７．特開昭５５−７３９
５１、同５Ｂ−１７９９３８，同５Ｂ−１７９９３９、
同５Ｂ−１７９９４０等の化合物膜は、潤滑性が劣り、
又耐食性を確保するには、やはり１０００λ厚以上の膜
厚にせねばならなかった。
１−１５９６７、同５２−１８００１．同５４−２９２
４２．同５４−３４６０２．同５５−２９５００．同５
７−４０５６５．同５７−５８７！１１ 、同５Ｂ−５
１７６１４，同５Ｂ−３７６１５、特開昭５１−４７４
０１．同５１−１４８４０６、同５５−１０８９３’Ｏ
，同５７−１４７１３６、同５７−１８９３３９．同５
Ｂ−１３３６６４、同５Ｂ−１０８０３０等の酸化物膜
そして、特公昭５５−４９０４７．特開昭５５−７３９
５１、同５Ｂ−１７９９３８，同５Ｂ−１７９９３９、
同５Ｂ−１７９９４０等の化合物膜は、潤滑性が劣り、
又耐食性を確保するには、やはり１０００λ厚以上の膜
厚にせねばならなかった。
又特開昭５７−１５２５１７の二価フェノール等の防錆
剤は、初期の耐食性効果を長期に渡り維持する事が困難
であった。他方、潤滑膜として特公昭５４−３３５２１
．特開昭５３−１４５２０６の炭素質膜は、優れた潤滑
性を付与するものの、金属性薄膜との密層性及び防食効
果が不充分であった。特開昭５６−４１５２４は、Ｔｉ
、 Ｔａ 。
剤は、初期の耐食性効果を長期に渡り維持する事が困難
であった。他方、潤滑膜として特公昭５４−３３５２１
．特開昭５３−１４５２０６の炭素質膜は、優れた潤滑
性を付与するものの、金属性薄膜との密層性及び防食効
果が不充分であった。特開昭５６−４１５２４は、Ｔｉ
、 Ｔａ 。
Ｃｒ、等と炭素質被膜の積層により金属磁性薄膜との密
着性を確保したが防食効果はまだ不充分であった。これ
は、両層ともスパッタ法という同一の方法で形成せしめ
たため、被膜のピンホールを減少化が充分にはかれなか
ったためである。
着性を確保したが防食効果はまだ不充分であった。これ
は、両層ともスパッタ法という同一の方法で形成せしめ
たため、被膜のピンホールを減少化が充分にはかれなか
ったためである。
前述の従来技術では、磁気記憶体の耐食性と潤滑性を確
保するには、１ｏｏｏＸ厚以上、望ましくは２ｏｏｏＸ
厚以上必要となり、磁気記録密度を更に向上させるには
、いかにして、特性を低下させずに、保護膜及び潤滑膜
を薄膜化をはかるかが最大の問題となっていた。
保するには、１ｏｏｏＸ厚以上、望ましくは２ｏｏｏＸ
厚以上必要となり、磁気記録密度を更に向上させるには
、いかにして、特性を低下させずに、保護膜及び潤滑膜
を薄膜化をはかるかが最大の問題となっていた。
本発明は、前述の問題点を解決するもので、その目的と
するところは、薄膜の保護潤滑膜を被覆せしめた磁気記
憶体を提供するところにある。
するところは、薄膜の保護潤滑膜を被覆せしめた磁気記
憶体を提供するところにある。
本発明の磁気記憶体及びその製造方法は、鏡面研摩され
た非磁性基板上に金属磁性薄膜が被覆され、少なくとも
この金属磁性薄膜上に、少なくともＮｉとＰを含む金属
磁性薄膜が湿式メッキ法により５０〜５ｏｏｃｋ厚、そ
して少なくともＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれ
る１種以上の金属元素を含む被膜が５０〜２００Ｘ厚で
、更に最上層として炭素質膜が１００〜８００＾厚、乾
式メッキ法により被覆せしめられた事を特徴とする磁気
記憶体及びその製造方法である。
た非磁性基板上に金属磁性薄膜が被覆され、少なくとも
この金属磁性薄膜上に、少なくともＮｉとＰを含む金属
磁性薄膜が湿式メッキ法により５０〜５ｏｏｃｋ厚、そ
して少なくともＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれ
る１種以上の金属元素を含む被膜が５０〜２００Ｘ厚で
、更に最上層として炭素質膜が１００〜８００＾厚、乾
式メッキ法により被覆せしめられた事を特徴とする磁気
記憶体及びその製造方法である。
本発明の上記の構成によれば、鏡面研摩された非磁性基
板上に被覆された金属磁性薄膜の上に、防食効果に優れ
る少なくともＮｉとＰの合金被膜と少なくともＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｗｂから選ばれる１種以上の金属元素を
含む被膜を積層に、異なる方法で形成する事によって耐
食性を充分に確保するものである。成膜過程は公知の如
く、初期、島状であり、連続膜に成長するには、膜厚は
２００＾以上必斐である。従がい、同一被膜を同一方法
で形成しても、その被膜の欠陥を無くすには厚膜にせね
ばならない。そこで、本発明は、全く異なる湿式メッキ
法と乾式メッキ法で薄膜を積層化することにより、より
薄膜で被膜の欠陥を４少なくすることに成功したもので
ある。又潤滑効果に優れる炭素質膜を、少なくともＣｒ
、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる１種以上の金属元
素を◆ 含む被膜と同様に乾式メッキ法で、それぞれの形成間に
真空をわること蕪く形成することにより炭素質膜とその
下地との密着性を充分に確保するものであり、密着性が
確保されたことにより、耐食性を更に著るしく向上する
事が可能になった。
板上に被覆された金属磁性薄膜の上に、防食効果に優れ
る少なくともＮｉとＰの合金被膜と少なくともＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｗｂから選ばれる１種以上の金属元素を
含む被膜を積層に、異なる方法で形成する事によって耐
食性を充分に確保するものである。成膜過程は公知の如
く、初期、島状であり、連続膜に成長するには、膜厚は
２００＾以上必斐である。従がい、同一被膜を同一方法
で形成しても、その被膜の欠陥を無くすには厚膜にせね
ばならない。そこで、本発明は、全く異なる湿式メッキ
法と乾式メッキ法で薄膜を積層化することにより、より
薄膜で被膜の欠陥を４少なくすることに成功したもので
ある。又潤滑効果に優れる炭素質膜を、少なくともＣｒ
、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる１種以上の金属元
素を◆ 含む被膜と同様に乾式メッキ法で、それぞれの形成間に
真空をわること蕪く形成することにより炭素質膜とその
下地との密着性を充分に確保するものであり、密着性が
確保されたことにより、耐食性を更に著るしく向上する
事が可能になった。
〔実施例１〕
鏡面仕上げ（表面粗さ、０．０５μｍ以下、ＡＯＣ、２
０ｍ ／ ５ｅｅ２以下）されたディスク状アルミニウ
ム合金基板上に弁箱性合金メッキとしてＮｉ−Ｐ合金を
約２０μｍの厚さにメッキし、このメッキ面を研摩し、
表面粗さ０．０３μｍ以下、Ｎｉ−ｐ合金メッキ厚１５
μｍの鏡面とした後、金属磁性薄膜としてＯｏ −Ｎ
ｉ −Ｐ合金を約０．０７μｍ厚にメッキした。
０ｍ ／ ５ｅｅ２以下）されたディスク状アルミニウ
ム合金基板上に弁箱性合金メッキとしてＮｉ−Ｐ合金を
約２０μｍの厚さにメッキし、このメッキ面を研摩し、
表面粗さ０．０３μｍ以下、Ｎｉ−ｐ合金メッキ厚１５
μｍの鏡面とした後、金属磁性薄膜としてＯｏ −Ｎ
ｉ −Ｐ合金を約０．０７μｍ厚にメッキした。
次に無電解メッキ液５Ｋ１００（日本カニゼン社製）を
用い、浴温８０℃で１３秒間メッキし、２００ÅのＮ
ｉ −Ｐ合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタ
リング法（下記条件）により、ＣｒＷＡＣ１ｏｏ７．厚
）ｉｃ膜（５ｏｏＸ厚）の積層膜を形成した。
用い、浴温８０℃で１３秒間メッキし、２００ÅのＮ
ｉ −Ｐ合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタ
リング法（下記条件）により、ＣｒＷＡＣ１ｏｏ７．厚
）ｉｃ膜（５ｏｏＸ厚）の積層膜を形成した。
低温高速スパッタリング条件
１、初期到達圧力、 １Ｘ １Ｏ−ＩｌＴｏｒｒ
２、スパッタ圧力（Ｃ！ｒ）５Ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ（
Ａｒ４人） （Ｃ） Ｉ Ｘｉ ０−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） ６、スパッタレート（Ｏｒ） ５０＾／−（Ｃ）
２００λ／鴫 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）ｃ方式＆スパッタＦｊ
ｉ＋加熱 １００°Ｃ，２分保持６、ターゲラ）Ｏｒ
（東洋曹達製＋ ３ Ｎグレード）Ｃ（フルウチ化学製
、５Ｎグレ ード） 〔実施例２〕 実施例１と同じ方法で、金属磁性薄膜を被覆したディス
クを作製する。
２、スパッタ圧力（Ｃ！ｒ）５Ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ（
Ａｒ４人） （Ｃ） Ｉ Ｘｉ ０−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） ６、スパッタレート（Ｏｒ） ５０＾／−（Ｃ）
２００λ／鴫 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）ｃ方式＆スパッタＦｊ
ｉ＋加熱 １００°Ｃ，２分保持６、ターゲラ）Ｏｒ
（東洋曹達製＋ ３ Ｎグレード）Ｃ（フルウチ化学製
、５Ｎグレ ード） 〔実施例２〕 実施例１と同じ方法で、金属磁性薄膜を被覆したディス
クを作製する。
次に、無電解メッキ液エンプレー）４２２（エンリン社
製）を用い８０℃で９秒間メッキし１５０＾のＮ ｉ
−Ｐ合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタリン
グ法（下記条件）により、Ｔｉ膜（１００又厚）、Ｃ膜
（！１００Ｒ厚）の積層膜を形成した。
製）を用い８０℃で９秒間メッキし１５０＾のＮ ｉ
−Ｐ合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタリン
グ法（下記条件）により、Ｔｉ膜（１００又厚）、Ｃ膜
（！１００Ｒ厚）の積層膜を形成した。
Ｏ低温高速スパッタリング条件
１、初期到達圧力 Ｉ Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒ２
、スパッタ圧力（Ｔｉ）３Ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ（Ａｒ
導入） （０） ｌＸ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） ３、スパッタレート（Ｔ１） ！５ｏＸ、／馴（ｃ）
１ｏｏ久／馴 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）Ｏ方式５、スパッタ前
加熱 ６０℃、２分保持６、ターゲット Ｔ１（フルウ
チ化学％ ３Ｎグレード） Ｃ（フルウチ化学製 ５Ｎグ レード） 〔実施例３〕 実施例１と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
、スパッタ圧力（Ｔｉ）３Ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ（Ａｒ
導入） （０） ｌＸ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） ３、スパッタレート（Ｔ１） ！５ｏＸ、／馴（ｃ）
１ｏｏ久／馴 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）Ｏ方式５、スパッタ前
加熱 ６０℃、２分保持６、ターゲット Ｔ１（フルウ
チ化学％ ３Ｎグレード） Ｃ（フルウチ化学製 ５Ｎグ レード） 〔実施例３〕 実施例１と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
次に、無電解Ｎｉ−Ｗ−Ｐメッキ液（ワールドメタル社
製）を用い７５°Ｃで２０秒間メッキし２ｏｏＸのＮｉ
−Ｗ−Ｐ合金膜を形成した。
製）を用い７５°Ｃで２０秒間メッキし２ｏｏＸのＮｉ
−Ｗ−Ｐ合金膜を形成した。
しかる後、低温高速スパッタリング法（下記条件）によ
り、Ｔａ膜（５０Ｘ厚）、Ｃ膜（４００又厚）の積層膜
を形成した。
り、Ｔａ膜（５０Ｘ厚）、Ｃ膜（４００又厚）の積層膜
を形成した。
低温スパッタリング条件
１、初期到達圧力 Ｉ Ｘ １０−１ＩＴｏｒｒ２
、スパッタ圧力（Ｔａ）３Ｘ１０＝Ｔｏｒｒ（Ａｒ導入
） （０） ｌＸ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） 五スパッタレート（Ｔａ）２５又／ ｍｎ（Ｃ）２００
Ｘ／馴 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）Ｃ方法 ５、スパッタ前加熱 ６０℃ ２分保持６、ターゲッ
ト Ｔａ（フルウチ化学製 ４Ｎグレード） Ｃ（フルウチ化学製 ５Ｎグ レード） 〔実施例４〕 ターゲットをＯｒから、Ｗ（フルウチ化学製。
、スパッタ圧力（Ｔａ）３Ｘ１０＝Ｔｏｒｒ（Ａｒ導入
） （０） ｌＸ１Ｏ−２Ｔｏｒｒ （Ａｒ導入） 五スパッタレート（Ｔａ）２５又／ ｍｎ（Ｃ）２００
Ｘ／馴 ４、スパッタ電源方式 Ｔ）Ｃ方法 ５、スパッタ前加熱 ６０℃ ２分保持６、ターゲッ
ト Ｔａ（フルウチ化学製 ４Ｎグレード） Ｃ（フルウチ化学製 ５Ｎグ レード） 〔実施例４〕 ターゲットをＯｒから、Ｗ（フルウチ化学製。
４Ｎグレード）に変え、他は実・施例１に準じてディス
クを作製した。
クを作製した。
〔実施例５〕
ターゲットをＯｒから、Ｎｂ（フルウチイｂ学製、４Ｎ
グレード）に変え、他は実施例１に準じてディスクを作
製した。
グレード）に変え、他は実施例１に準じてディスクを作
製した。
〔比較例１〕
実施例１と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
を作製する。
次に無電解メッキ液５Ｋ１００を用い、浴温８０℃で２
０秒間メッキし、３００ＡのＮｉ−Ｐ合金膜を形成した
。しかる後、低温高速スパッタリング法（方法は実施例
１に準じる）によりＣ膜を５００又厚形成した。
０秒間メッキし、３００ＡのＮｉ−Ｐ合金膜を形成した
。しかる後、低温高速スパッタリング法（方法は実施例
１に準じる）によりＣ膜を５００又厚形成した。
〔比較例２〕
実施例１と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
を作製する。
次に低温高速スパッタＩＪ ｙグ法（方法は実施例１に
準じる）によりＯｒ膜を５００λ厚、Ｃ膜を５００Ｘ厚
形成した。
準じる）によりＯｒ膜を５００λ厚、Ｃ膜を５００Ｘ厚
形成した。
実施例及び比較例のディスクなａＳＳ試験したところ、
いずれも５０．０００回後も、出力の低下が１０％以内
であった。
いずれも５０．０００回後も、出力の低下が１０％以内
であった。
次に、８０℃、８０％Ｒ，Ｈ，の恒温恒湿下にディスク
を放置し耐食性を確認した。（検査方法は、メディアサ
ーテイファイを用い、スライスレベル７５％でミイッス
イングビット数を確認する。下表にミイッスイングビッ
トが増加した時点を耐食時間としまとめた。） 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、耐食性に優れた、材
質の異なる被膜を異なる方法で形成したことにより、よ
り薄膜で耐食性が確保できる効果を有し、更に炭素質被
膜を形成することにより、耐久性も充分に確保された高
密度記録対応のディスクの提供が可能になった。
を放置し耐食性を確認した。（検査方法は、メディアサ
ーテイファイを用い、スライスレベル７５％でミイッス
イングビット数を確認する。下表にミイッスイングビッ
トが増加した時点を耐食時間としまとめた。） 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、耐食性に優れた、材
質の異なる被膜を異なる方法で形成したことにより、よ
り薄膜で耐食性が確保できる効果を有し、更に炭素質被
膜を形成することにより、耐久性も充分に確保された高
密度記録対応のディスクの提供が可能になった。
尚、本発明は、基板がグラスチックであるフロッピーデ
ィスクや磁気テープ類そして光磁気ディスクにも適用可
能である。
ィスクや磁気テープ類そして光磁気ディスクにも適用可
能である。
以 上
Claims (3)
- （１）鏡面研摩された非磁性基板上に金属磁性薄膜が被
覆され、この金属磁性薄膜上に、金属非磁性薄膜が少な
くとも２層被覆され、更に金属非磁性薄膜上に、炭素質
膜が被覆された事を特徴とする磁気記憶体。 - （２）金属磁性薄膜上に、金属非磁性薄膜の第１層とし
て、少なくともＮｉとＰを含む被膜が、５０〜３００Å
厚、第２層として、少なくともＣｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、
Ｎｂから選ばれる１種以上の金属元素を含む被膜が、５
０〜２００Å厚被覆され、更に最上層として炭素質膜が
１００〜８００Å厚被覆された事を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気記憶体。 - （３）鏡面研摩された非磁性基板上に金属磁性薄膜が被
覆された磁気記憶体の製造方法に於いて、金属磁性薄膜
上に被覆する第１層金属非磁性薄膜が湿式メッキ法によ
り行なわれ、第２層金属非磁性薄膜及び最上層炭素質膜
が乾式メッキ法により行なわれる事を特徴とする磁気記
憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25816584A JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25816584A JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137220A true JPS61137220A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17316431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25816584A Pending JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137220A (ja) |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25816584A patent/JPS61137220A/ja active Pending
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