JPS61137220A - 磁気記憶体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS61137220A JPS61137220A JP25816584A JP25816584A JPS61137220A JP S61137220 A JPS61137220 A JP S61137220A JP 25816584 A JP25816584 A JP 25816584A JP 25816584 A JP25816584 A JP 25816584A JP S61137220 A JPS61137220 A JP S61137220A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明の磁気記憶体の保護膜及び潤滑膜の材質構成及び
製造方法に関する。
製造方法に関する。
磁気記憶装置は、記録再生時の磁気記憶体(以下記憶体
と呼ぶ)と記録再生ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)との接
触摩擦によって金属磁性薄膜に潟を生じせしめる事がし
ばしば起こり、又湿気により金属磁性薄膜が錆たり、ハ
クリしその機能を失う事もしばしば起こる。この様な問
題を改善する種々の提案がすでになされている。
と呼ぶ)と記録再生ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)との接
触摩擦によって金属磁性薄膜に潟を生じせしめる事がし
ばしば起こり、又湿気により金属磁性薄膜が錆たり、ハ
クリしその機能を失う事もしばしば起こる。この様な問
題を改善する種々の提案がすでになされている。
従来は、保護膜として特公昭47−49603のNi
S n 1itJ e特公昭4B−14241のNi
.Rh積層膜、特公昭4B、−41881のNi−’p
I良#特公昭55−6257のAu 、Au合金膜等
、特公昭56−43532のPt、Au、Pd膜やAt
の不態体膜、特公昭57−6177のRe、Os等の2
層膜、特開昭51−43110のNi−W−r膜、特開
昭53−73108のNi− Or膜、特開昭55−7
3932のA u −S i膜、特開昭56−1694
0のF e−N i [IQ 、特開昭57−1171
28のTe膜、特開昭58−26520のT1膜等の金
凧膜は、記憶体の耐食性を確保するには1oooX厚以
上の膜厚まで被覆しなければならず又潤滑性の改善には
役立たない。又特公昭49−29445の金属磁性薄膜
の酸化処理による酸化物膜、特公昭52−17402の
クロム酸反応膜、特公昭5B−37616のリン酸含有
液反応膜r %開昭57−117126の荷電粒子衝撃
による酸化膜等は形成により磁気特性の変化をともなう
ため、作製がむずかしいばかりか、その耐食性、i11
′4滑性とも不充分である。
S n 1itJ e特公昭4B−14241のNi
.Rh積層膜、特公昭4B、−41881のNi−’p
I良#特公昭55−6257のAu 、Au合金膜等
、特公昭56−43532のPt、Au、Pd膜やAt
の不態体膜、特公昭57−6177のRe、Os等の2
層膜、特開昭51−43110のNi−W−r膜、特開
昭53−73108のNi− Or膜、特開昭55−7
3932のA u −S i膜、特開昭56−1694
0のF e−N i [IQ 、特開昭57−1171
28のTe膜、特開昭58−26520のT1膜等の金
凧膜は、記憶体の耐食性を確保するには1oooX厚以
上の膜厚まで被覆しなければならず又潤滑性の改善には
役立たない。又特公昭49−29445の金属磁性薄膜
の酸化処理による酸化物膜、特公昭52−17402の
クロム酸反応膜、特公昭5B−37616のリン酸含有
液反応膜r %開昭57−117126の荷電粒子衝撃
による酸化膜等は形成により磁気特性の変化をともなう
ため、作製がむずかしいばかりか、その耐食性、i11
′4滑性とも不充分である。
又特公昭49−26りS3.同50−30445、同5
1−15967、同52−18001.同54−292
42.同54−34602.同55−29500.同5
7−40565.同57−587!11 、同5B−5
17614,同5B−37615、特開昭51−474
01.同51−148406、同55−10893’O
,同57−147136、同57−189339.同5
B−133664、同5B−108030等の酸化物膜
そして、特公昭55−49047.特開昭55−739
51、同5B−179938,同5B−179939、
同5B−179940等の化合物膜は、潤滑性が劣り、
又耐食性を確保するには、やはり1000λ厚以上の膜
厚にせねばならなかった。
1−15967、同52−18001.同54−292
42.同54−34602.同55−29500.同5
7−40565.同57−587!11 、同5B−5
17614,同5B−37615、特開昭51−474
01.同51−148406、同55−10893’O
,同57−147136、同57−189339.同5
B−133664、同5B−108030等の酸化物膜
そして、特公昭55−49047.特開昭55−739
51、同5B−179938,同5B−179939、
同5B−179940等の化合物膜は、潤滑性が劣り、
又耐食性を確保するには、やはり1000λ厚以上の膜
厚にせねばならなかった。
又特開昭57−152517の二価フェノール等の防錆
剤は、初期の耐食性効果を長期に渡り維持する事が困難
であった。他方、潤滑膜として特公昭54−33521
.特開昭53−145206の炭素質膜は、優れた潤滑
性を付与するものの、金属性薄膜との密層性及び防食効
果が不充分であった。特開昭56−41524は、Ti
、 Ta 。
剤は、初期の耐食性効果を長期に渡り維持する事が困難
であった。他方、潤滑膜として特公昭54−33521
.特開昭53−145206の炭素質膜は、優れた潤滑
性を付与するものの、金属性薄膜との密層性及び防食効
果が不充分であった。特開昭56−41524は、Ti
、 Ta 。
Cr、等と炭素質被膜の積層により金属磁性薄膜との密
着性を確保したが防食効果はまだ不充分であった。これ
は、両層ともスパッタ法という同一の方法で形成せしめ
たため、被膜のピンホールを減少化が充分にはかれなか
ったためである。
着性を確保したが防食効果はまだ不充分であった。これ
は、両層ともスパッタ法という同一の方法で形成せしめ
たため、被膜のピンホールを減少化が充分にはかれなか
ったためである。
前述の従来技術では、磁気記憶体の耐食性と潤滑性を確
保するには、1oooX厚以上、望ましくは2oooX
厚以上必要となり、磁気記録密度を更に向上させるには
、いかにして、特性を低下させずに、保護膜及び潤滑膜
を薄膜化をはかるかが最大の問題となっていた。
保するには、1oooX厚以上、望ましくは2oooX
厚以上必要となり、磁気記録密度を更に向上させるには
、いかにして、特性を低下させずに、保護膜及び潤滑膜
を薄膜化をはかるかが最大の問題となっていた。
本発明は、前述の問題点を解決するもので、その目的と
するところは、薄膜の保護潤滑膜を被覆せしめた磁気記
憶体を提供するところにある。
するところは、薄膜の保護潤滑膜を被覆せしめた磁気記
憶体を提供するところにある。
本発明の磁気記憶体及びその製造方法は、鏡面研摩され
た非磁性基板上に金属磁性薄膜が被覆され、少なくとも
この金属磁性薄膜上に、少なくともNiとPを含む金属
磁性薄膜が湿式メッキ法により50〜5oock厚、そ
して少なくともCr、Ti、W、Ta、Nbから選ばれ
る1種以上の金属元素を含む被膜が50〜200X厚で
、更に最上層として炭素質膜が100〜800^厚、乾
式メッキ法により被覆せしめられた事を特徴とする磁気
記憶体及びその製造方法である。
た非磁性基板上に金属磁性薄膜が被覆され、少なくとも
この金属磁性薄膜上に、少なくともNiとPを含む金属
磁性薄膜が湿式メッキ法により50〜5oock厚、そ
して少なくともCr、Ti、W、Ta、Nbから選ばれ
る1種以上の金属元素を含む被膜が50〜200X厚で
、更に最上層として炭素質膜が100〜800^厚、乾
式メッキ法により被覆せしめられた事を特徴とする磁気
記憶体及びその製造方法である。
本発明の上記の構成によれば、鏡面研摩された非磁性基
板上に被覆された金属磁性薄膜の上に、防食効果に優れ
る少なくともNiとPの合金被膜と少なくともCr、T
i、W、Ta、Wbから選ばれる1種以上の金属元素を
含む被膜を積層に、異なる方法で形成する事によって耐
食性を充分に確保するものである。成膜過程は公知の如
く、初期、島状であり、連続膜に成長するには、膜厚は
200^以上必斐である。従がい、同一被膜を同一方法
で形成しても、その被膜の欠陥を無くすには厚膜にせね
ばならない。そこで、本発明は、全く異なる湿式メッキ
法と乾式メッキ法で薄膜を積層化することにより、より
薄膜で被膜の欠陥を4少なくすることに成功したもので
ある。又潤滑効果に優れる炭素質膜を、少なくともCr
、Ti、W、Ta、Nbから選ばれる1種以上の金属元
素を◆ 含む被膜と同様に乾式メッキ法で、それぞれの形成間に
真空をわること蕪く形成することにより炭素質膜とその
下地との密着性を充分に確保するものであり、密着性が
確保されたことにより、耐食性を更に著るしく向上する
事が可能になった。
板上に被覆された金属磁性薄膜の上に、防食効果に優れ
る少なくともNiとPの合金被膜と少なくともCr、T
i、W、Ta、Wbから選ばれる1種以上の金属元素を
含む被膜を積層に、異なる方法で形成する事によって耐
食性を充分に確保するものである。成膜過程は公知の如
く、初期、島状であり、連続膜に成長するには、膜厚は
200^以上必斐である。従がい、同一被膜を同一方法
で形成しても、その被膜の欠陥を無くすには厚膜にせね
ばならない。そこで、本発明は、全く異なる湿式メッキ
法と乾式メッキ法で薄膜を積層化することにより、より
薄膜で被膜の欠陥を4少なくすることに成功したもので
ある。又潤滑効果に優れる炭素質膜を、少なくともCr
、Ti、W、Ta、Nbから選ばれる1種以上の金属元
素を◆ 含む被膜と同様に乾式メッキ法で、それぞれの形成間に
真空をわること蕪く形成することにより炭素質膜とその
下地との密着性を充分に確保するものであり、密着性が
確保されたことにより、耐食性を更に著るしく向上する
事が可能になった。
〔実施例1〕
鏡面仕上げ(表面粗さ、0.05μm以下、AOC、2
0m / 5ee2以下)されたディスク状アルミニウ
ム合金基板上に弁箱性合金メッキとしてNi−P合金を
約20μmの厚さにメッキし、このメッキ面を研摩し、
表面粗さ0.03μm以下、Ni−p合金メッキ厚15
μmの鏡面とした後、金属磁性薄膜としてOo −N
i −P合金を約0.07μm厚にメッキした。
0m / 5ee2以下)されたディスク状アルミニウ
ム合金基板上に弁箱性合金メッキとしてNi−P合金を
約20μmの厚さにメッキし、このメッキ面を研摩し、
表面粗さ0.03μm以下、Ni−p合金メッキ厚15
μmの鏡面とした後、金属磁性薄膜としてOo −N
i −P合金を約0.07μm厚にメッキした。
次に無電解メッキ液5K100(日本カニゼン社製)を
用い、浴温80℃で13秒間メッキし、200ÅのN
i −P合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタ
リング法(下記条件)により、CrWAC1oo7.厚
)ic膜(5ooX厚)の積層膜を形成した。
用い、浴温80℃で13秒間メッキし、200ÅのN
i −P合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタ
リング法(下記条件)により、CrWAC1oo7.厚
)ic膜(5ooX厚)の積層膜を形成した。
低温高速スパッタリング条件
1、初期到達圧力、 1X 1O−IlTorr
2、スパッタ圧力(C!r)5X10−3 Torr(
Ar4人) (C) I Xi 0−2Torr (Ar導入) 6、スパッタレート(Or) 50^/−(C)
200λ/鴫 4、スパッタ電源方式 T)c方式&スパッタFj
i+加熱 100°C,2分保持6、ターゲラ)Or
(東洋曹達製+ 3 Nグレード)C(フルウチ化学製
、5Nグレ ード) 〔実施例2〕 実施例1と同じ方法で、金属磁性薄膜を被覆したディス
クを作製する。
2、スパッタ圧力(C!r)5X10−3 Torr(
Ar4人) (C) I Xi 0−2Torr (Ar導入) 6、スパッタレート(Or) 50^/−(C)
200λ/鴫 4、スパッタ電源方式 T)c方式&スパッタFj
i+加熱 100°C,2分保持6、ターゲラ)Or
(東洋曹達製+ 3 Nグレード)C(フルウチ化学製
、5Nグレ ード) 〔実施例2〕 実施例1と同じ方法で、金属磁性薄膜を被覆したディス
クを作製する。
次に、無電解メッキ液エンプレー)422(エンリン社
製)を用い80℃で9秒間メッキし150^のN i
−P合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタリン
グ法(下記条件)により、Ti膜(100又厚)、C膜
(!100R厚)の積層膜を形成した。
製)を用い80℃で9秒間メッキし150^のN i
−P合金膜を形成した。しかる後低温高速スパッタリン
グ法(下記条件)により、Ti膜(100又厚)、C膜
(!100R厚)の積層膜を形成した。
O低温高速スパッタリング条件
1、初期到達圧力 I X 10= Torr2
、スパッタ圧力(Ti)3X10−3 Torr(Ar
導入) (0) lX1O−2Torr (Ar導入) 3、スパッタレート(T1) !5oX、/馴(c)
1oo久/馴 4、スパッタ電源方式 T)O方式5、スパッタ前
加熱 60℃、2分保持6、ターゲット T1(フルウ
チ化学% 3Nグレード) C(フルウチ化学製 5Nグ レード) 〔実施例3〕 実施例1と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
、スパッタ圧力(Ti)3X10−3 Torr(Ar
導入) (0) lX1O−2Torr (Ar導入) 3、スパッタレート(T1) !5oX、/馴(c)
1oo久/馴 4、スパッタ電源方式 T)O方式5、スパッタ前
加熱 60℃、2分保持6、ターゲット T1(フルウ
チ化学% 3Nグレード) C(フルウチ化学製 5Nグ レード) 〔実施例3〕 実施例1と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
次に、無電解Ni−W−Pメッキ液(ワールドメタル社
製)を用い75°Cで20秒間メッキし2ooXのNi
−W−P合金膜を形成した。
製)を用い75°Cで20秒間メッキし2ooXのNi
−W−P合金膜を形成した。
しかる後、低温高速スパッタリング法(下記条件)によ
り、Ta膜(50X厚)、C膜(400又厚)の積層膜
を形成した。
り、Ta膜(50X厚)、C膜(400又厚)の積層膜
を形成した。
低温スパッタリング条件
1、初期到達圧力 I X 10−1ITorr2
、スパッタ圧力(Ta)3X10=Torr(Ar導入
) (0) lX1O−2Torr (Ar導入) 五スパッタレート(Ta)25又/ mn(C)200
X/馴 4、スパッタ電源方式 T)C方法 5、スパッタ前加熱 60℃ 2分保持6、ターゲッ
ト Ta(フルウチ化学製 4Nグレード) C(フルウチ化学製 5Nグ レード) 〔実施例4〕 ターゲットをOrから、W(フルウチ化学製。
、スパッタ圧力(Ta)3X10=Torr(Ar導入
) (0) lX1O−2Torr (Ar導入) 五スパッタレート(Ta)25又/ mn(C)200
X/馴 4、スパッタ電源方式 T)C方法 5、スパッタ前加熱 60℃ 2分保持6、ターゲッ
ト Ta(フルウチ化学製 4Nグレード) C(フルウチ化学製 5Nグ レード) 〔実施例4〕 ターゲットをOrから、W(フルウチ化学製。
4Nグレード)に変え、他は実・施例1に準じてディス
クを作製した。
クを作製した。
〔実施例5〕
ターゲットをOrから、Nb(フルウチイb学製、4N
グレード)に変え、他は実施例1に準じてディスクを作
製した。
グレード)に変え、他は実施例1に準じてディスクを作
製した。
〔比較例1〕
実施例1と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
を作製する。
次に無電解メッキ液5K100を用い、浴温80℃で2
0秒間メッキし、300AのNi−P合金膜を形成した
。しかる後、低温高速スパッタリング法(方法は実施例
1に準じる)によりC膜を500又厚形成した。
0秒間メッキし、300AのNi−P合金膜を形成した
。しかる後、低温高速スパッタリング法(方法は実施例
1に準じる)によりC膜を500又厚形成した。
〔比較例2〕
実施例1と同じ方法で金属磁性薄膜を被覆したディスク
を作製する。
を作製する。
次に低温高速スパッタIJ yグ法(方法は実施例1に
準じる)によりOr膜を500λ厚、C膜を500X厚
形成した。
準じる)によりOr膜を500λ厚、C膜を500X厚
形成した。
実施例及び比較例のディスクなaSS試験したところ、
いずれも50.000回後も、出力の低下が10%以内
であった。
いずれも50.000回後も、出力の低下が10%以内
であった。
次に、80℃、80%R,H,の恒温恒湿下にディスク
を放置し耐食性を確認した。(検査方法は、メディアサ
ーテイファイを用い、スライスレベル75%でミイッス
イングビット数を確認する。下表にミイッスイングビッ
トが増加した時点を耐食時間としまとめた。) 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、耐食性に優れた、材
質の異なる被膜を異なる方法で形成したことにより、よ
り薄膜で耐食性が確保できる効果を有し、更に炭素質被
膜を形成することにより、耐久性も充分に確保された高
密度記録対応のディスクの提供が可能になった。
を放置し耐食性を確認した。(検査方法は、メディアサ
ーテイファイを用い、スライスレベル75%でミイッス
イングビット数を確認する。下表にミイッスイングビッ
トが増加した時点を耐食時間としまとめた。) 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、耐食性に優れた、材
質の異なる被膜を異なる方法で形成したことにより、よ
り薄膜で耐食性が確保できる効果を有し、更に炭素質被
膜を形成することにより、耐久性も充分に確保された高
密度記録対応のディスクの提供が可能になった。
尚、本発明は、基板がグラスチックであるフロッピーデ
ィスクや磁気テープ類そして光磁気ディスクにも適用可
能である。
ィスクや磁気テープ類そして光磁気ディスクにも適用可
能である。
以 上
Claims (3)
- (1)鏡面研摩された非磁性基板上に金属磁性薄膜が被
覆され、この金属磁性薄膜上に、金属非磁性薄膜が少な
くとも2層被覆され、更に金属非磁性薄膜上に、炭素質
膜が被覆された事を特徴とする磁気記憶体。 - (2)金属磁性薄膜上に、金属非磁性薄膜の第1層とし
て、少なくともNiとPを含む被膜が、50〜300Å
厚、第2層として、少なくともCr、Ti、W、Ta、
Nbから選ばれる1種以上の金属元素を含む被膜が、5
0〜200Å厚被覆され、更に最上層として炭素質膜が
100〜800Å厚被覆された事を特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の磁気記憶体。 - (3)鏡面研摩された非磁性基板上に金属磁性薄膜が被
覆された磁気記憶体の製造方法に於いて、金属磁性薄膜
上に被覆する第1層金属非磁性薄膜が湿式メッキ法によ
り行なわれ、第2層金属非磁性薄膜及び最上層炭素質膜
が乾式メッキ法により行なわれる事を特徴とする磁気記
憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25816584A JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25816584A JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61137220A true JPS61137220A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17316431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25816584A Pending JPS61137220A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61137220A (ja) |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25816584A patent/JPS61137220A/ja active Pending
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