JPS62222420A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS62222420A JPS62222420A JP6524286A JP6524286A JPS62222420A JP S62222420 A JPS62222420 A JP S62222420A JP 6524286 A JP6524286 A JP 6524286A JP 6524286 A JP6524286 A JP 6524286A JP S62222420 A JPS62222420 A JP S62222420A
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- film
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- plating
- thin film
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Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気的記録装置（磁気ディスク、磁気テープ
等）に用いられる磁気記憶体に関し、詳しくは、該記憶
体の金属磁性薄膜媒体上の保護膜に関する。
等）に用いられる磁気記憶体に関し、詳しくは、該記憶
体の金属磁性薄膜媒体上の保護膜に関する。
本発明は、メッキによる（磁性薄膜媒体を形成後、直ち
に非磁性無電解Ｎ１−Ｐ系メッキ薄膜を被覆した後、さ
らに、Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｎｂから選ばれる少な
くとも一種の金ＡＨＭｌ”ｔマグネトロンスパッタによ
り、被覆し、磁性薄膜媒体の保護膜を２層構成にするこ
とにより、耐食効果を飛躍的に同上させたものである。
に非磁性無電解Ｎ１−Ｐ系メッキ薄膜を被覆した後、さ
らに、Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｎｂから選ばれる少な
くとも一種の金ＡＨＭｌ”ｔマグネトロンスパッタによ
り、被覆し、磁性薄膜媒体の保護膜を２層構成にするこ
とにより、耐食効果を飛躍的に同上させたものである。
金属磁性薄膜を記録層とする磁気記憶体においては、金
属磁性薄膜の腐食を防止する目的で、耐食性を有する保
護膜を被覆形成することが必須である。
属磁性薄膜の腐食を防止する目的で、耐食性を有する保
護膜を被覆形成することが必須である。
従来、耐食性のよい無電％Ｎ１−Ｐメッキ非磁性薄膜ｔ
＊ｋｓ磁性媒体の保護膜として用いることが特公昭４８
−１４２４１や同４８−４１８８１等で提案されている
が、磁性層の耐食性上十分確保するには、保護膜として
のＮ１−Ｐの厚みｆｃ１０００Ａ以上にする必要がらり
、このことは磁性媒体の電磁変換特性″ｔ−ｉしく低下
させるという欠点會もっていた６また、Ｎ１−Ｐを１０
００Ａ以上被覆し九場合でも、メッキの特性上、ピンホ
ールを皆無にするととは不可能であり、より薄膜化全行
うと、ピンホールの発生率も激増するため、耐食効果も
著しく低下するという問題点に！していた。
＊ｋｓ磁性媒体の保護膜として用いることが特公昭４８
−１４２４１や同４８−４１８８１等で提案されている
が、磁性層の耐食性上十分確保するには、保護膜として
のＮ１−Ｐの厚みｆｃ１０００Ａ以上にする必要がらり
、このことは磁性媒体の電磁変換特性″ｔ−ｉしく低下
させるという欠点會もっていた６また、Ｎ１−Ｐを１０
００Ａ以上被覆し九場合でも、メッキの特性上、ピンホ
ールを皆無にするととは不可能であり、より薄膜化全行
うと、ピンホールの発生率も激増するため、耐食効果も
著しく低下するという問題点に！していた。
そこで本発明は上述のような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、金属磁性薄膜媒体の耐食性を
向上させ、長期的信頼性に優れた磁気記憶体を提供する
ことにある。
その目的とするところは、金属磁性薄膜媒体の耐食性を
向上させ、長期的信頼性に優れた磁気記憶体を提供する
ことにある。
本発明の磁気記憶体は、基体上にメッキにより金属磁性
薄膜媒体全形成した後、密着性金確保するため、直ちに
該薄膜上に無電解Ｎ１−Ｐ系メッキ非磁性薄膜を形成す
る。次にとのＮ１−Ｐ系膜上に、（！ｒ、 Ｔｉ、 Ｔ
ａ、 Ｎｂから選ばれる少なくとも一種の金属薄膜全マ
グネトロンスパッタにより形成し、保獲膜層を２層構成
にしたこと全特徴とする。
薄膜媒体全形成した後、密着性金確保するため、直ちに
該薄膜上に無電解Ｎ１−Ｐ系メッキ非磁性薄膜を形成す
る。次にとのＮ１−Ｐ系膜上に、（！ｒ、 Ｔｉ、 Ｔ
ａ、 Ｎｂから選ばれる少なくとも一種の金属薄膜全マ
グネトロンスパッタにより形成し、保獲膜層を２層構成
にしたこと全特徴とする。
無電解Ｎ１−Ｐ系メッキ薄膜とはＮ１−ＰおよびＮ１−
Ｐと同等以上に耐食性に優れるＮ１−ＩＦ−Ｐ。
Ｐと同等以上に耐食性に優れるＮ１−ＩＦ−Ｐ。
Ｎ１−Ｍｌ）−Ｐなどで、これらはメッキよりの状態お
よび１５０℃糧度の温度に加熱されても非磁性を保つも
のなら何でもよく、膜厚は２００〜５００Ａで十分であ
る。
よび１５０℃糧度の温度に加熱されても非磁性を保つも
のなら何でもよく、膜厚は２００〜５００Ａで十分であ
る。
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂはマグネトロンスパッタ装置に
より被覆するもので、膜厚は、５０〜２００Ａで十分で
ある。
より被覆するもので、膜厚は、５０〜２００Ａで十分で
ある。
ｔＪｉ−Ｐ、 Ｎ１−Ｗ−Ｐ、 Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆなどは
耐食比に優れた被膜であるが、金属磁性媒体の耐食性全
確保するためには、１０００Ａ以上の膜厚が必要である
。
耐食比に優れた被膜であるが、金属磁性媒体の耐食性全
確保するためには、１０００Ａ以上の膜厚が必要である
。
しかし、１０００Ａ以上の膜厚にすると磁性媒体の電磁
変換特性が著しく低下するという問題点がある。したが
って、膜厚は極力薄く抑えることが必要である。ところ
が、膜厚ｔ−１０００Ａ以下にするとＩＧＯＯＡでも皆
無でなかったピンホールの発生率が増大する。これはメ
ッキの特質上辺けられない点であるが、このピンホール
は耐食効果を著しく劣化させる原因となる。そこで、さ
らに、このＮ１−Ｐ系薄膜上にマグネトロンスパッタに
よりＣｒ、Ｔｉ、τａ、Ｍｂなどの耐食性のよい金属を
被覆すれば、これらの破膜もピンホールは皆無とけ言え
ないが、Ｎ１−Ｐ系薄膜のピンホールと同一箇所に発生
する確率は著しく低くなるので、Ｎｉ−１’系薄膜のほ
とんどのピンホールはこれらのスパッタによる薄膜でカ
バーされ、したがって磁性媒体はＮ１−Ｐ系およびその
上にスパッタによシ形成される金属のうち少なくとも一
方には被覆されることになるので、耐食性は飛躍的に向
上したものとなる６ 〔実施例１〕 ディスク状アルミニウム合金版上に、非磁性Ｎ１−Ｐメ
ッキを約２０μｍの膜厚で形成した後、１５μｍの膜厚
まで研摩した後、無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキにより、
磁性薄膜を約７００Ａの膜厚で形成した。
変換特性が著しく低下するという問題点がある。したが
って、膜厚は極力薄く抑えることが必要である。ところ
が、膜厚ｔ−１０００Ａ以下にするとＩＧＯＯＡでも皆
無でなかったピンホールの発生率が増大する。これはメ
ッキの特質上辺けられない点であるが、このピンホール
は耐食効果を著しく劣化させる原因となる。そこで、さ
らに、このＮ１−Ｐ系薄膜上にマグネトロンスパッタに
よりＣｒ、Ｔｉ、τａ、Ｍｂなどの耐食性のよい金属を
被覆すれば、これらの破膜もピンホールは皆無とけ言え
ないが、Ｎ１−Ｐ系薄膜のピンホールと同一箇所に発生
する確率は著しく低くなるので、Ｎｉ−１’系薄膜のほ
とんどのピンホールはこれらのスパッタによる薄膜でカ
バーされ、したがって磁性媒体はＮ１−Ｐ系およびその
上にスパッタによシ形成される金属のうち少なくとも一
方には被覆されることになるので、耐食性は飛躍的に向
上したものとなる６ 〔実施例１〕 ディスク状アルミニウム合金版上に、非磁性Ｎ１−Ｐメ
ッキを約２０μｍの膜厚で形成した後、１５μｍの膜厚
まで研摩した後、無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキにより、
磁性薄膜を約７００Ａの膜厚で形成した。
次に上記Ｏｏ −Ｎ ｉ−Ｐメッキ直後、無を解非磁性
Ｎ１−Ｐメッキ（ＪＰ、野製薬工業株製、ナイフラッド
７１９１に：使用）膜を２００人形成した。
Ｎ１−Ｐメッキ（ＪＰ、野製薬工業株製、ナイフラッド
７１９１に：使用）膜を２００人形成した。
次にマグネトロンスパッタ装置によｊ）、Ｃｒ膜を１０
０人形成した。さらに、潤滑膜として炭素質膜をやはシ
、マグネトロンスパッタにより２００人形成した。
０人形成した。さらに、潤滑膜として炭素質膜をやはシ
、マグネトロンスパッタにより２００人形成した。
〔実施例２〕
実施例１と同様にして、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ薄膜を形成し、
非磁性Ｎ１−Ｐ膜も３００Ａの膜厚で形成しｔｏさらに
、マグネトロンスパッタにより、Ｔ１膜を５０１１形成
した。
非磁性Ｎ１−Ｐ膜も３００Ａの膜厚で形成しｔｏさらに
、マグネトロンスパッタにより、Ｔ１膜を５０１１形成
した。
最後に潤滑膜として炭素質ＩＡを２０ＯＡ形成した。
〔実施例５〕
実施例１と同様にして、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ換を被覆し、さ
らンζ、非磁性Ｎｉ−ＦＭも２０ＯＡ形成した。
らンζ、非磁性Ｎｉ−ＦＭも２０ＯＡ形成した。
次にマグネトロンスパッタ装置によ！０％ Ｔａｇｔ
−１００人形成し念。さらに潤滑膜として、炭素質膜も
２００Ａの膜厚で形成した。
−１００人形成し念。さらに潤滑膜として、炭素質膜も
２００Ａの膜厚で形成した。
〔実施例４〕
実施ψ１１ど同様にして、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ膜を被覆し之
ディスクを作表した。
ディスクを作表した。
次に無′！！！解Ｎ１−Ｗ−Ｐメッキ薄膜ｆ ５００
Ａ形成した。このｔｒｉ−ｗ−ｐメッキ液のＮｉ灰は以
下に示したものである。
Ａ形成した。このｔｒｉ−ｗ−ｐメッキ液のＮｉ灰は以
下に示したものである。
つづいて、マグネトロンスパッタ装置により、Ｔ１膜金
１０ＯＡ形成した。さらに潤滑膜も実施例１と同様に被
覆した。
１０ＯＡ形成した。さらに潤滑膜も実施例１と同様に被
覆した。
Ｎ土−ｗ−ｐメッキ液組成
硫酸ニッケル α０３ｍｏｔ／Ｌタ
ングステン酸ナトリウム α０５ 〃次亜リン
酸ナトリウム α１ 〃硫咳アンモニ
ウム ０．１５ ／１クエン酸ジナト
リウム ［Ｌ１２ ／／ＰＨ９、液温８
０℃ なお、上述の実施例による作製品との比較品として、Ｃ
ｏ−Ｎ１−Ｐｆｆｌ性膜を形成後、無電解Ｎ１−Ｐ膜の
み全４０ＯＡ 被覆し、潤滑膜を実施例１と同様にし
て被覆したもの（比較品１）およびＮ１−Ｐ膜もなく潤
滑膜だけのもの（比較品２）を作成し、品質評価を行な
った。
ングステン酸ナトリウム α０５ 〃次亜リン
酸ナトリウム α１ 〃硫咳アンモニ
ウム ０．１５ ／１クエン酸ジナト
リウム ［Ｌ１２ ／／ＰＨ９、液温８
０℃ なお、上述の実施例による作製品との比較品として、Ｃ
ｏ−Ｎ１−Ｐｆｆｌ性膜を形成後、無電解Ｎ１−Ｐ膜の
み全４０ＯＡ 被覆し、潤滑膜を実施例１と同様にし
て被覆したもの（比較品１）およびＮ１−Ｐ膜もなく潤
滑膜だけのもの（比較品２）を作成し、品質評価を行な
った。
品質評価は、耐湿性試験であり、各実施例について５枚
のサンプルディスク（記録面にして１０面）’に用意し
、耐湿試験投入前にこれらの作成ディスクの記録再生試
験を行ない、面内のミッシングビット数全チェックした
後、８０℃、８０％相対湿度の環境に２０日間保持した
後、再度、面内のミッシングビット数全チェックすると
いう方法を用いた。次にその結果金示す。
のサンプルディスク（記録面にして１０面）’に用意し
、耐湿試験投入前にこれらの作成ディスクの記録再生試
験を行ない、面内のミッシングビット数全チェックした
後、８０℃、８０％相対湿度の環境に２０日間保持した
後、再度、面内のミッシングビット数全チェックすると
いう方法を用いた。次にその結果金示す。
試験結果
〔開明の効果〕
上述のように本発明によるサンプルについては８０℃、
ｓｏ、ＨＲ，Ｈ，という厳しい条件のもとに、２０日閑
保持しても、ディフェクトの増加が認められず、また、
出力の低下についてもほとんど認められず、耐食性上十
分に確保し次、長期信頼性に優れた磁気記憶体の提供が
可能になった。
ｓｏ、ＨＲ，Ｈ，という厳しい条件のもとに、２０日閑
保持しても、ディフェクトの増加が認められず、また、
出力の低下についてもほとんど認められず、耐食性上十
分に確保し次、長期信頼性に優れた磁気記憶体の提供が
可能になった。
また、耐ａＳＳ性も向上するという副次的な効果も得ら
れた。
れた。
以上
Claims (1)
- 基体上にメッキ磁性薄膜媒体を被覆した後、ニッケル・
リン系（Ｎｉ−Ｐ系と略記）非磁性メッキ薄膜を被覆し
、さらに該薄膜上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、から選
ばれる少なくとも一種の金属薄膜を被覆することにより
保護膜を２層構造とした磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6524286A JPS62222420A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6524286A JPS62222420A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222420A true JPS62222420A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13281247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6524286A Pending JPS62222420A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111020375A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-04-17 | 山东钢铁股份有限公司 | 一种v-n微合金化钢中厚板及其生产工艺 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6524286A patent/JPS62222420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111020375A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-04-17 | 山东钢铁股份有限公司 | 一种v-n微合金化钢中厚板及其生产工艺 |
| CN111020375B (zh) * | 2019-11-14 | 2021-01-08 | 山东钢铁股份有限公司 | 一种v-n微合金化钢中厚板及其生产工艺 |
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