JPS60145602A - 複合基板 - Google Patents
複合基板Info
- Publication number
- JPS60145602A JPS60145602A JP235184A JP235184A JPS60145602A JP S60145602 A JPS60145602 A JP S60145602A JP 235184 A JP235184 A JP 235184A JP 235184 A JP235184 A JP 235184A JP S60145602 A JPS60145602 A JP S60145602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- less
- protective film
- magnetic material
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、すぐれた表面粗度でかつ無歪層を有する非
磁性材料基板上に、極薄の絶縁性酸化物保護被膜を介し
て膜厚み１０加以下の磁性材料被膜を設けた複合基板に
関する。
磁性材料基板上に、極薄の絶縁性酸化物保護被膜を介し
て膜厚み１０加以下の磁性材料被膜を設けた複合基板に
関する。
今日、コンピューター用を始めオーディオ用、ＶＴＲ用
等の磁気ヘッドは、記録密度の高密度化ならびに耐摩耗
特性の改善が強くめられており、このためＩ−Ｃデクノ
ロジーを用いて製造する薄膜磁気ヘッドが最適と考えら
れている。
等の磁気ヘッドは、記録密度の高密度化ならびに耐摩耗
特性の改善が強くめられており、このためＩ−Ｃデクノ
ロジーを用いて製造する薄膜磁気ヘッドが最適と考えら
れている。
この薄膜磁気ヘッド基板材料として−−Ｚｎフェライト
、ｈｆ Ｚηフェライト、センダスト等の軟質磁性材料
、あるいは、ＡＲ２０３ＴｉＣ系、Ｍ２Ｏ５−ＴＬ Ｏ
２系、Ｍ２Ｏ３Ｆｅ２Ｏ３ＴｉＣ系等のＭ２Ｏ３系ある
いはＳＬＣ系セクセラミック材料うなな耐摩耗性、精密
加工性等にすぐれた非磁性材料が基板として用いられる
。
、ｈｆ Ｚηフェライト、センダスト等の軟質磁性材料
、あるいは、ＡＲ２０３ＴｉＣ系、Ｍ２Ｏ５−ＴＬ Ｏ
２系、Ｍ２Ｏ３Ｆｅ２Ｏ３ＴｉＣ系等のＭ２Ｏ３系ある
いはＳＬＣ系セクセラミック材料うなな耐摩耗性、精密
加工性等にすぐれた非磁性材料が基板として用いられる
。
しかし、前記軟質磁性材料のＭｎ −Ｚｎｎフシイ１〜
あるいはＮＬ −Ｚｎフェライトを基板としてその表面
に、必要により絶縁膜を被着して磁気回路を形成した場
合、前記基板の透磁率（μ）は、山−ＺＴＩフェライト
の場合周波数ＩＭＨｚ以上、ＮＬ−７Ｔｌフエライトの
場合周波数２Ｍ、８２以上になると、急激に劣化し、薄
膜ヘッドの実用領域である高周波領域での特性が悪化し
、また、記録媒体のテープやディスクとの摺動に対する
耐摩耗強度の点でもかかるソフトフェライト系では不十
分であった。
あるいはＮＬ −Ｚｎフェライトを基板としてその表面
に、必要により絶縁膜を被着して磁気回路を形成した場
合、前記基板の透磁率（μ）は、山−ＺＴＩフェライト
の場合周波数ＩＭＨｚ以上、ＮＬ−７Ｔｌフエライトの
場合周波数２Ｍ、８２以上になると、急激に劣化し、薄
膜ヘッドの実用領域である高周波領域での特性が悪化し
、また、記録媒体のテープやディスクとの摺動に対する
耐摩耗強度の点でもかかるソフトフェライト系では不十
分であった。
この発明は上述の問題点を解決乃るもので、記録媒体に
対するすぐれた耐摩耗性、精密加工性等にすぐれたセラ
ミック材料のごとき非磁性材料を基板とし、薄膜ヘッド
の実用域の高周波領域での特性にすぐれた複合基板を目
的としている。
対するすぐれた耐摩耗性、精密加工性等にすぐれたセラ
ミック材料のごとき非磁性材料を基板とし、薄膜ヘッド
の実用域の高周波領域での特性にすぐれた複合基板を目
的としている。
すなわち、この発明は、表面粗度１００Å以下でかつ無
歪層表面を有する非磁性材料の基板上に膜厚３０．以下
の非導電性絶縁性保護被膜を形成し、さらに前記保護被
膜上に膜厚１０摩以下の磁性材料薄膜を被着したことを
特徴とする複合基板である。
歪層表面を有する非磁性材料の基板上に膜厚３０．以下
の非導電性絶縁性保護被膜を形成し、さらに前記保護被
膜上に膜厚１０摩以下の磁性材料薄膜を被着したことを
特徴とする複合基板である。
詳述すれば、Ｍ ２０ ｓ ＴＬ Ｃ系、Ｍ２０ａ Ｔ
ｉＯ２系、＃ ２０３Ｆｅ２０３ ＴｊＣ系等のＡｆ’
２０３系あるいはＳｊＣ系セラミックス材料のごとき耐
摩耗性、精密加工性等にすぐれた非磁性材料の表面を無
歪加工して表面粗度１００Å以下の精密平面とし、この
非磁性材料表面に非導電性で機械的強度及び硬度のすぐ
れた／Ｖ２Ｏ３、５Ｌ０２等の膜厚３０７ｆｆｉ以下の
絶縁性保護被膜を被着し、さらに、この絶縁性保護被膜
の上に、膜厚１０庫以下のパーマロイ、センダスト等の
磁性材料薄膜を被着した構成の複合基板である。
ｉＯ２系、＃ ２０３Ｆｅ２０３ ＴｊＣ系等のＡｆ’
２０３系あるいはＳｊＣ系セラミックス材料のごとき耐
摩耗性、精密加工性等にすぐれた非磁性材料の表面を無
歪加工して表面粗度１００Å以下の精密平面とし、この
非磁性材料表面に非導電性で機械的強度及び硬度のすぐ
れた／Ｖ２Ｏ３、５Ｌ０２等の膜厚３０７ｆｆｉ以下の
絶縁性保護被膜を被着し、さらに、この絶縁性保護被膜
の上に、膜厚１０庫以下のパーマロイ、センダスト等の
磁性材料薄膜を被着した構成の複合基板である。
この絶縁性保護被膜及び磁性材料薄膜の形成方法として
は、真空蒸着法、ＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ） 、スパッタリング法
等の薄膜形成技術が適用される。
は、真空蒸着法、ＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ） 、スパッタリング法
等の薄膜形成技術が適用される。
この発明において、非磁性材料基板の表面粗度を１００
Å以下に限定した理由は、表面粗度が１００人を越える
と同基板表面に被着される絶縁性保護被膜の凹凸が激し
くなって、この上に被着する軟質磁性膜の磁気特性を劣
化させる凹凸が激しくなり、好ましくないためである。
Å以下に限定した理由は、表面粗度が１００人を越える
と同基板表面に被着される絶縁性保護被膜の凹凸が激し
くなって、この上に被着する軟質磁性膜の磁気特性を劣
化させる凹凸が激しくなり、好ましくないためである。
また、非磁性材料基板の表面を無歪層にする理由は、上
層面に歪層があると表面歪が軟質磁性膜に悪影響を及ぼ
覆ためである。
層面に歪層があると表面歪が軟質磁性膜に悪影響を及ぼ
覆ためである。
また、絶縁性保護被膜の膜厚を３０ρ以下とする理由は
、磁気ヘッドとして実用化する場合の記録媒体との耐摩
耗性を有しており、この上に被着される磁性材料薄膜の
摩耗を防ぐ上で必要な厚みであるためである。また、通
常は、磁気ヘッドとしての磁気回路を構成した後に再び
同材料あるいは類似材料の被膜によって上層が保護され
る。
、磁気ヘッドとして実用化する場合の記録媒体との耐摩
耗性を有しており、この上に被着される磁性材料薄膜の
摩耗を防ぐ上で必要な厚みであるためである。また、通
常は、磁気ヘッドとしての磁気回路を構成した後に再び
同材料あるいは類似材料の被膜によって上層が保護され
る。
また、磁性材Ｆ１薄膜の厚みを１０ρ以下とした理由は
、１０庫を越えると、例えばパーマロイ膜の透磁率（μ
）は周波数の増大に伴ない急激に低下するが、１０ρ以
下では周波数ＩＭＨ２〜５ＭＨ２の高周波領域で一定の
値を保持し、磁気回路の特性安定に大きな効果を有する
ためである。
、１０庫を越えると、例えばパーマロイ膜の透磁率（μ
）は周波数の増大に伴ない急激に低下するが、１０ρ以
下では周波数ＩＭＨ２〜５ＭＨ２の高周波領域で一定の
値を保持し、磁気回路の特性安定に大きな効果を有する
ためである。
また、この発明において、膜厚１０ａｍ以下の磁性材料
薄膜表面を表面粗度１００Å以下の無歪層の精密平面加
工すると、この上に形成する磁性材料薄膜パターンの高
周波領域における透磁率（μ）をさらに改善する効果が
ある。
薄膜表面を表面粗度１００Å以下の無歪層の精密平面加
工すると、この上に形成する磁性材料薄膜パターンの高
周波領域における透磁率（μ）をさらに改善する効果が
ある。
この発明において、非磁性材料基板表面あるいは磁性材
料薄膜表面の精密研摩は、ダイヤモンド微粉末等による
機械研摩によっても表面粗度の改善は果せるが、その研
摩表面には加工歪層が残存し、被着膜の磁気特性が十分
に改善されない問題がある。そこでこの発明では、粒径
０．１ρ以下のＭｇＯ、５ＬＯ２，Ｎ２Ｏ３の単独また
は混合微細粉末を純水中に所定割合で懸潤させた液を貯
めた容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からなる円
盤型のポリラシャ−を回転可能に配設して、非磁性材料
基板表面あるいは基板上に被着した磁性材料薄膜表面を
、この懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接さ
せ、両者を相対的に回転させて研摩を行なう。
料薄膜表面の精密研摩は、ダイヤモンド微粉末等による
機械研摩によっても表面粗度の改善は果せるが、その研
摩表面には加工歪層が残存し、被着膜の磁気特性が十分
に改善されない問題がある。そこでこの発明では、粒径
０．１ρ以下のＭｇＯ、５ＬＯ２，Ｎ２Ｏ３の単独また
は混合微細粉末を純水中に所定割合で懸潤させた液を貯
めた容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からなる円
盤型のポリラシャ−を回転可能に配設して、非磁性材料
基板表面あるいは基板上に被着した磁性材料薄膜表面を
、この懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接さ
せ、両者を相対的に回転させて研摩を行なう。
上記の研摩方法において、ポリラシャ−材及び回転速度
、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁団、被加
工材等の条件により適宜選定すればよい。また、ＭｇＯ
、５ＬＯ２，Ｎ２Ｏ３の単独又は混合微細粉末の粒径を
０．１１ＩＭ１以下としたのは、０．１側を超えると被
加工材に疵が生じ易くなるためである。
、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁団、被加
工材等の条件により適宜選定すればよい。また、ＭｇＯ
、５ＬＯ２，Ｎ２Ｏ３の単独又は混合微細粉末の粒径を
０．１１ＩＭ１以下としたのは、０．１側を超えると被
加工材に疵が生じ易くなるためである。
また純水中に懸淘させる微細粉末のＭは０．．１ｗｔ％
未満では研摩効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微粉
末による水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、かつ粘
性が大きくなり、研摩能率が低下するため、０．１〜２
０ｗｔ％とした。
未満では研摩効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微粉
末による水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、かつ粘
性が大きくなり、研摩能率が低下するため、０．１〜２
０ｗｔ％とした。
次にこの発明を実施例に基づいてＪ２明する。
基板材として、下記研摩条件で表面粗度５〇八で無歪層
に精密研摩された寸法が、５０φｍｍＸ ４ ｔ ｍｍ
のＭ ２０３ ＴＬ Ｃ材を用い、基板表面にスパッタ
ーリングによって膜厚１０μｎのＭ２Ｏ３非導電性絶縁
性保護被膜を形成した。
に精密研摩された寸法が、５０φｍｍＸ ４ ｔ ｍｍ
のＭ ２０３ ＴＬ Ｃ材を用い、基板表面にスパッタ
ーリングによって膜厚１０μｎのＭ２Ｏ３非導電性絶縁
性保護被膜を形成した。
さらに、上記保護被膜上に、３左のパーマロイ薄膜をス
パッターリングにより被着し、その後、このパーマロイ
薄膜を下記研摩条件で表面粗度４０人でかつ無歪層に精
密研摩した。
パッターリングにより被着し、その後、このパーマロイ
薄膜を下記研摩条件で表面粗度４０人でかつ無歪層に精
密研摩した。
この試料の研摩条件は、平均粒径が約１００Ａの−Ｏ微
粉末を純水中に５ｗｔ％となる様に懸濁させて研摩液と
した。ポリシャーには硬質クロスを使用し０．５ｋｇＪ
の荷重、 ４０ｒｐｍの回転数で先の研摩液中でポリッ
シュした。（本発明例Ａ）比較のため、基板として、同
一寸法のｌｌｎ −ＺＴＩフェライト基板（比較例Ｂ）
及びＮｉ −Ｚｎフェライト基板（比較例Ｃ）を用い、
ダイヤモンド研摩を施こして表面粗度３００人の表面を
得た。研摩条件として、粒径１加のダイヤモンド粉末を
使用し、ポリシャ１７−とじてＳｎ盤を使用した。その
結果、表面粗度はいずれも３００人であった。比較例日
と比較例Ｃの基板上に、３ρ厚みの５ＬＯ２絶縁被膜を
形成した。
粉末を純水中に５ｗｔ％となる様に懸濁させて研摩液と
した。ポリシャーには硬質クロスを使用し０．５ｋｇＪ
の荷重、 ４０ｒｐｍの回転数で先の研摩液中でポリッ
シュした。（本発明例Ａ）比較のため、基板として、同
一寸法のｌｌｎ −ＺＴＩフェライト基板（比較例Ｂ）
及びＮｉ −Ｚｎフェライト基板（比較例Ｃ）を用い、
ダイヤモンド研摩を施こして表面粗度３００人の表面を
得た。研摩条件として、粒径１加のダイヤモンド粉末を
使用し、ポリシャ１７−とじてＳｎ盤を使用した。その
結果、表面粗度はいずれも３００人であった。比較例日
と比較例Ｃの基板上に、３ρ厚みの５ＬＯ２絶縁被膜を
形成した。
本発明例Ａと比較例Ｂ、Ｃの各複合基板について、周波
数と透磁率相対値の関係を測定し、第１図に測定結果を
示ず。
数と透磁率相対値の関係を測定し、第１図に測定結果を
示ず。
第１図より本発明の複合基板は、薄膜ヘッドの実用域で
ある高周波領域（５Ｍｌ−１ｚ）で、比較例Ｂ、Ｃに７
対して、特性が２倍近く向上覆ることが明らかである。
ある高周波領域（５Ｍｌ−１ｚ）で、比較例Ｂ、Ｃに７
対して、特性が２倍近く向上覆ることが明らかである。
第１図は本発明、比較例における被着パーマロイ薄膜に
ついての周波数と透磁率相対値との関係を示すグラフで
ある。 図中、Ａ・・・本発明例、Ｂ、Ｃ・・・比較例。
ついての周波数と透磁率相対値との関係を示すグラフで
ある。 図中、Ａ・・・本発明例、Ｂ、Ｃ・・・比較例。
Claims (1)
- １ 表面粗度１００Ａ以下でかつ無歪層表面を有する非
磁性材料の基板上に膜厚３０加以下の非導電性絶縁性保
護被膜を形成し、さらに前記保護被膜上にｊ！厚１０ｓ
１以下の磁性材料薄膜を被着したことを特徴とする複合
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP235184A JPS60145602A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 複合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP235184A JPS60145602A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 複合基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145602A true JPS60145602A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11526848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP235184A Pending JPS60145602A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 複合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4702935A (en) * | 1984-10-22 | 1987-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method of a high magnetic permeability alloy film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116010A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Hitachi Ltd | Fukugogatafueraitotasoshikomitsudosumakujikihetsudoyokibanno seizohoho |
| JPS57117117A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS57138563A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-26 | Fujitsu Ltd | Method of grinding thin film pattern |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP235184A patent/JPS60145602A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116010A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Hitachi Ltd | Fukugogatafueraitotasoshikomitsudosumakujikihetsudoyokibanno seizohoho |
| JPS57117117A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS57138563A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-26 | Fujitsu Ltd | Method of grinding thin film pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4702935A (en) * | 1984-10-22 | 1987-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method of a high magnetic permeability alloy film |
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