JPH0519285B2 - - Google Patents
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- JPH0519285B2 JPH0519285B2 JP2681283A JP2681283A JPH0519285B2 JP H0519285 B2 JPH0519285 B2 JP H0519285B2 JP 2681283 A JP2681283 A JP 2681283A JP 2681283 A JP2681283 A JP 2681283A JP H0519285 B2 JPH0519285 B2 JP H0519285B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/048—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces of sliders and magnetic heads of hard disc drives or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、表面粗度が20Å以下、かつ無歪層
のAl2O3絶縁膜表面を有する薄膜磁気ヘツド用複
合基板に関する。
のAl2O3絶縁膜表面を有する薄膜磁気ヘツド用複
合基板に関する。
背景技術
今日、コンピユーター用を始めオーデイオ用、
VTR用等の磁気ヘツドは、記録密度の高密度化
ならびに耐摩耗特性の改善が、強く求められてお
り、このためI.Cテクノロジーを用いて製造する
薄膜磁気ヘツドが最適と考えられている。
VTR用等の磁気ヘツドは、記録密度の高密度化
ならびに耐摩耗特性の改善が、強く求められてお
り、このためI.Cテクノロジーを用いて製造する
薄膜磁気ヘツドが最適と考えられている。
この薄膜磁気ヘツド基板材料としてMn−Znフ
エライト、Ni−Znフエライト、センダスト等の
軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−TiC系、Al2
O3−TiO2系、Al2O3−Fe2O3系等Al2O3系セラミ
ツク材料の様な耐摩耗性、精密加工性等にすぐれ
た非磁性材料が基板として用いられる。
エライト、Ni−Znフエライト、センダスト等の
軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−TiC系、Al2
O3−TiO2系、Al2O3−Fe2O3系等Al2O3系セラミ
ツク材料の様な耐摩耗性、精密加工性等にすぐれ
た非磁性材料が基板として用いられる。
この薄膜磁気ヘツド製造工程において、導電性
のある基板はこの軟質磁性材料あるいは非磁性材
料の基板の上に積層されるパーマロイ、センダス
ト等の軟磁性材料、あるいはCu，Al等のコンダ
クターとの電気的絶縁性を保障する上で、第１図
に示す如くまず精密研摩された前記基板１表面の
上に、非導電性で機械的強度と硬度の高いAl2O3
の絶縁膜２が構成される。この絶縁膜２の上に上
記磁性材料膜３等を形成してもよい。
のある基板はこの軟質磁性材料あるいは非磁性材
料の基板の上に積層されるパーマロイ、センダス
ト等の軟磁性材料、あるいはCu，Al等のコンダ
クターとの電気的絶縁性を保障する上で、第１図
に示す如くまず精密研摩された前記基板１表面の
上に、非導電性で機械的強度と硬度の高いAl2O3
の絶縁膜２が構成される。この絶縁膜２の上に上
記磁性材料膜３等を形成してもよい。
この絶縁膜の形成方法としては、真空蒸着法、
CVD法（Chemical Vapour Deposition）、スパ
ツタリング法等の薄膜形成技術が適用される。こ
の膜厚は数μmから50μm程度である。この薄膜表
面は前記基板の精密加工度及び薄膜形成条件で膜
面の表面粗度は粗くなる。かかる表面粗度の悪い
膜面に直接、数μmの磁性膜を形成すると高周波
領域でバルク材（たとえばスパツタリング用ター
ゲツト）の磁気特性と比べ低下する。また絶縁酸
化膜の表面層をダイヤモンドのパウダー等の機械
研摩によつて、表面粗さの改善が行なわれるが、
その表面層は表面粗度が粗いばかりでなく、加工
歪が残留し、被着磁性材料膜の磁気特性は充分改
善されない。
CVD法（Chemical Vapour Deposition）、スパ
ツタリング法等の薄膜形成技術が適用される。こ
の膜厚は数μmから50μm程度である。この薄膜表
面は前記基板の精密加工度及び薄膜形成条件で膜
面の表面粗度は粗くなる。かかる表面粗度の悪い
膜面に直接、数μmの磁性膜を形成すると高周波
領域でバルク材（たとえばスパツタリング用ター
ゲツト）の磁気特性と比べ低下する。また絶縁酸
化膜の表面層をダイヤモンドのパウダー等の機械
研摩によつて、表面粗さの改善が行なわれるが、
その表面層は表面粗度が粗いばかりでなく、加工
歪が残留し、被着磁性材料膜の磁気特性は充分改
善されない。
発明の目的
この発明は上述の問題点を解決するもので、基
板上に形成されたAl2O3の絶縁薄膜表面を精密平
面に研摩して無歪層を形成し、被着磁性膜の磁気
特性の劣化を防止し、絶縁薄膜の表面粗度20Å以
下の精密平面を有する薄膜磁気ヘツド用複合基板
を目的としている。
板上に形成されたAl2O3の絶縁薄膜表面を精密平
面に研摩して無歪層を形成し、被着磁性膜の磁気
特性の劣化を防止し、絶縁薄膜の表面粗度20Å以
下の精密平面を有する薄膜磁気ヘツド用複合基板
を目的としている。
発明の概要
この発明は、軟質磁性材料あるいは非磁性材料
の基板上に形成されたAl2O3の絶縁酸化膜表面を
粒径0.1μm以下のMgO，SiO2，Al2O3の単独又は
混合微細粉末を純水中に懸濁させた懸濁液中にお
いて、ポリシヤーを用いて加圧回転させて研摩を
施し、前記酸化膜表面を無歪層となし、表面粗度
が20Å以下となつた薄膜磁気ヘツド用複合基板で
ある。
の基板上に形成されたAl2O3の絶縁酸化膜表面を
粒径0.1μm以下のMgO，SiO2，Al2O3の単独又は
混合微細粉末を純水中に懸濁させた懸濁液中にお
いて、ポリシヤーを用いて加圧回転させて研摩を
施し、前記酸化膜表面を無歪層となし、表面粗度
が20Å以下となつた薄膜磁気ヘツド用複合基板で
ある。
発明の構成
この発明による薄膜磁気ヘツド用複合基板を説
明する。
明する。
粒径0.1μm以下のMgO，SiO2，Al2O3の単独ま
たは混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁させ
た液を貯めた容器内に、例えば硬質クロス、Sn
等からなる円盤型のポリツシヤーを回転可能に配
設して、ソフトフエライト、センダスト等の軟質
磁性材料あるいは非磁性材料の基板上に、蒸着あ
るいはスパツタリングにより形成されたAl2O3の
絶縁酸化膜をこの懸濁液中でポリツシヤー表面に
所定荷重で当接させ、両者を相対的に回転させて
研摩を行ない、基板上に形成させた絶縁酸化膜表
面が無歪層及び20Å以下の表面粗度を有する薄膜
磁気ヘツド用複合基板を得た。
たは混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁させ
た液を貯めた容器内に、例えば硬質クロス、Sn
等からなる円盤型のポリツシヤーを回転可能に配
設して、ソフトフエライト、センダスト等の軟質
磁性材料あるいは非磁性材料の基板上に、蒸着あ
るいはスパツタリングにより形成されたAl2O3の
絶縁酸化膜をこの懸濁液中でポリツシヤー表面に
所定荷重で当接させ、両者を相対的に回転させて
研摩を行ない、基板上に形成させた絶縁酸化膜表
面が無歪層及び20Å以下の表面粗度を有する薄膜
磁気ヘツド用複合基板を得た。
この発明において、絶縁酸化膜の表面粗度を20
Å以下に限定した理由は、表面粗度が20Åを越え
ると絶縁酸化膜表面に被着される軟質磁性膜の磁
気特性を劣化させる凹凸が激しくなり、好ましく
ないためである。
Å以下に限定した理由は、表面粗度が20Åを越え
ると絶縁酸化膜表面に被着される軟質磁性膜の磁
気特性を劣化させる凹凸が激しくなり、好ましく
ないためである。
また、絶縁酸化膜の表面を無歪層にする理由
は、上層面に歪層があると歪が軟質磁性膜に悪影
響を及ぼすためである。
は、上層面に歪層があると歪が軟質磁性膜に悪影
響を及ぼすためである。
この発明において、ポリツシヤー材及び回転速
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁
量、被加工材等の条件により適宜選定すればよ
い。
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁
量、被加工材等の条件により適宜選定すればよ
い。
また、MgO，SiO2，Al2O3の単独又は混合微
細粉末の粒径を0.1μm以下としたのは、0.1μmを
超えると所定の表面粗度が得られないためであ
る。
細粉末の粒径を0.1μm以下としたのは、0.1μmを
超えると所定の表面粗度が得られないためであ
る。
また、純水中に懸濁させる微細粉末の量は
0.5wt％未満で研摩効果が少く、20wt％を超える
と各微粉末による水和熱の発生、あるいはゲル化
し易く、かつ粘性が大きくなり、研摩能率が低下
するため、0.5〜20wt％とした。さらに、この懸
濁液は研摩能率及び腐食性の点からアルカリ性領
域で用いるのが望ましい。
0.5wt％未満で研摩効果が少く、20wt％を超える
と各微粉末による水和熱の発生、あるいはゲル化
し易く、かつ粘性が大きくなり、研摩能率が低下
するため、0.5〜20wt％とした。さらに、この懸
濁液は研摩能率及び腐食性の点からアルカリ性領
域で用いるのが望ましい。
実施例
次にこの発明を実施例に基づいて説明する。
基板材としては、精密研摩された寸法50φ×
4mmtのAl2O3−TiC材を用いて、15μmのAl2O3
絶縁膜を形成した。この時の膜面粗度は、半径
2.5μmのスタイラスで測定した場合、200Åであ
つた。
4mmtのAl2O3−TiC材を用いて、15μmのAl2O3
絶縁膜を形成した。この時の膜面粗度は、半径
2.5μmのスタイラスで測定した場合、200Åであ
つた。
この試料の研摩条件はまず、粒径が約100Åの
MgO微粉末を純水中に5wt％となる様に懸濁さ
せて研摩液とした。ポリシヤーには硬質クロスを
使用し0.5Kg／cm2の荷重、40rpmの回転数で先の
研摩液中でポリツシユした。
MgO微粉末を純水中に5wt％となる様に懸濁さ
せて研摩液とした。ポリシヤーには硬質クロスを
使用し0.5Kg／cm2の荷重、40rpmの回転数で先の
研摩液中でポリツシユした。
その結果、表面粗さが20Å以下で極めて良好な
精密平面の絶縁酸化膜を有する複合基板が得ら
れ、加工能率も良好であつた。（本発明例Ａ） 同時に、上記と同一のAl2O3−TiC材基板にAl2
O3絶縁膜を形成した試料にダイヤモンド研摩を
施こし、研摩条件として、粒径2μmのダイヤモン
ド粉末を使用し、ポリツシヤーとしてSn盤を使
用した。比較例の複合基板のラツプ仕上後の絶縁
酸化膜の表面粗さは200Åであつた。（比較例Ｂ） 本発明例Ａ、比較例Ｂ、及びAl2O3−TiC材基
板に、Al2O3絶縁膜を形成して研摩を施さない試
料（比較例Ｃ）の３つを準備し、この絶縁酸化膜
上に2.4μm膜厚のパーマロイを形成させ、この被
着パーマロイ膜について周波数と透磁率相対値の
関係についての試験結果を第２図に示す。
精密平面の絶縁酸化膜を有する複合基板が得ら
れ、加工能率も良好であつた。（本発明例Ａ） 同時に、上記と同一のAl2O3−TiC材基板にAl2
O3絶縁膜を形成した試料にダイヤモンド研摩を
施こし、研摩条件として、粒径2μmのダイヤモン
ド粉末を使用し、ポリツシヤーとしてSn盤を使
用した。比較例の複合基板のラツプ仕上後の絶縁
酸化膜の表面粗さは200Åであつた。（比較例Ｂ） 本発明例Ａ、比較例Ｂ、及びAl2O3−TiC材基
板に、Al2O3絶縁膜を形成して研摩を施さない試
料（比較例Ｃ）の３つを準備し、この絶縁酸化膜
上に2.4μm膜厚のパーマロイを形成させ、この被
着パーマロイ膜について周波数と透磁率相対値の
関係についての試験結果を第２図に示す。
第２図により本発明の薄膜磁気ヘツド用複合基
板は、薄膜ヘツドの実用域である高周波領域
（5MHz）で、比較例Ｂの機械研摩した試料や、比
較例Ｃの研摩のない試料に比べ、特性が２倍近く
向上することがわかつた。
板は、薄膜ヘツドの実用域である高周波領域
（5MHz）で、比較例Ｂの機械研摩した試料や、比
較例Ｃの研摩のない試料に比べ、特性が２倍近く
向上することがわかつた。
以上のように、この発明の薄膜磁気ヘツド用複
合基板は、スパツタ膜表面が20Å以下の精密平面
に研摩され、かつ無歪層になつているため、その
上に被着された磁性材料膜の磁気特性は、従来の
機械研摩された薄膜磁気ヘツド用複合基板に比べ
て大きく向上している。
合基板は、スパツタ膜表面が20Å以下の精密平面
に研摩され、かつ無歪層になつているため、その
上に被着された磁性材料膜の磁気特性は、従来の
機械研摩された薄膜磁気ヘツド用複合基板に比べ
て大きく向上している。
第１図は、基板に薄膜を形成する工程を示す説
明図、第２図は本発明、比較例における被着膜に
ついての周波数と透磁性相対値との関係を示すグ
ラフである。 図中、１……基板、２……絶縁膜、３……磁性
材料膜。
明図、第２図は本発明、比較例における被着膜に
ついての周波数と透磁性相対値との関係を示すグ
ラフである。 図中、１……基板、２……絶縁膜、３……磁性
材料膜。
Claims (1)
- １ 軟質磁性材料あるいは非磁性材料の基板上に
Al2O3の非導電性絶縁酸化膜を形成し、前記酸化
膜表面の粗度が20Å以下、かつ無歪層を有するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツド用複合基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2681283A JPS5921008A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 複合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2681283A JPS5921008A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 複合基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131834A Division JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921008A JPS5921008A (ja) | 1984-02-02 |
| JPH0519285B2 true JPH0519285B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=12203696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2681283A Granted JPS5921008A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 複合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921008A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128109A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Akai Electric Co Ltd | 高透磁率積層膜の製造方法 |
| JPH01289224A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2681283A patent/JPS5921008A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5921008A (ja) | 1984-02-02 |
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