JPS638636B2 - - Google Patents
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- JPS638636B2 JPS638636B2 JP56205644A JP20564481A JPS638636B2 JP S638636 B2 JPS638636 B2 JP S638636B2 JP 56205644 A JP56205644 A JP 56205644A JP 20564481 A JP20564481 A JP 20564481A JP S638636 B2 JPS638636 B2 JP S638636B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ホール素子の製造において用いら
れる複合基板を、磁性材料基板並びに半導体材料
ウエハーの表面をメカノケミカル・ポリツシング
によりほぼ完全結晶状態に保持して製造する方法
に係り、メカノケミカル・ポリツシングによる半
導体材料ウエハーの最終精密仕上げを能率よくか
つ高精度に行なう複合基板の製造方法に関する。
れる複合基板を、磁性材料基板並びに半導体材料
ウエハーの表面をメカノケミカル・ポリツシング
によりほぼ完全結晶状態に保持して製造する方法
に係り、メカノケミカル・ポリツシングによる半
導体材料ウエハーの最終精密仕上げを能率よくか
つ高精度に行なう複合基板の製造方法に関する。
一般に、ホール素子の製造方法としていわゆる
バルク法と呼ばれる製法があり、これは所定の軟
質磁性材料基板上にInSb、GaAs等の金属間化合
物半導体材料ウエハーを接着し、この半導体材料
ウエハーを所定の厚みまで機械研摩あるいは化学
研摩によつて加工した複合バルク基板を用いる製
法である。
バルク法と呼ばれる製法があり、これは所定の軟
質磁性材料基板上にInSb、GaAs等の金属間化合
物半導体材料ウエハーを接着し、この半導体材料
ウエハーを所定の厚みまで機械研摩あるいは化学
研摩によつて加工した複合バルク基板を用いる製
法である。
この際、磁性材料基板はその表面がダイヤモン
ド粉その他の砥粒で研摩されているため、その表
面層に加工流動層、変形変質層あるいは応力残溜
層が存在し、その後の工程において上記応力や歪
により悪影響を及ぼしている。また半導体材料ウ
エハーの場合も同様に悪影響があり、例えば
InSb膜の電子移動度がバルク材特性より低く十
分なるＳ／Ｎ比を得ることができなかつた。
ド粉その他の砥粒で研摩されているため、その表
面層に加工流動層、変形変質層あるいは応力残溜
層が存在し、その後の工程において上記応力や歪
により悪影響を及ぼしている。また半導体材料ウ
エハーの場合も同様に悪影響があり、例えば
InSb膜の電子移動度がバルク材特性より低く十
分なるＳ／Ｎ比を得ることができなかつた。
そこでこの発明は、基板の表面層に変質層が生
じないように、超精密なメカノケミカル・ポリツ
シングにより表面仕上げを行ない、また半導体材
料も同様にウエハー両面を順次メカノケミカル・
ポリツシユすることにより、各表面をほぼ完全結
晶状態に保持し、高い電子移動度を得ている。
じないように、超精密なメカノケミカル・ポリツ
シングにより表面仕上げを行ない、また半導体材
料も同様にウエハー両面を順次メカノケミカル・
ポリツシユすることにより、各表面をほぼ完全結
晶状態に保持し、高い電子移動度を得ている。
ここでメカノケミカル・ポリツシングとは、
SiO2、Al2O3、MgO等の粒径0.001〜0.05μmの超
微細粉末を純水中に懸濁させた液を用いて、被加
工材を液中ラツプ方式で加工する方法である。す
なわち、所定割合とした超微細粉末の純水中懸濁
液を貯めた容器内に、例えば円板型のラツプを回
転させ、被加工材を液中にてラツプと対向させて
相対的に回転させ、液中加工するものである。ラ
ツプ材、ラツプ速度は超微細粉末の種類、粒径や
懸濁量、被加工材等により適宜選定すればよく、
純水中の懸濁量は0.5〜20wt％が好ましい。
SiO2、Al2O3、MgO等の粒径0.001〜0.05μmの超
微細粉末を純水中に懸濁させた液を用いて、被加
工材を液中ラツプ方式で加工する方法である。す
なわち、所定割合とした超微細粉末の純水中懸濁
液を貯めた容器内に、例えば円板型のラツプを回
転させ、被加工材を液中にてラツプと対向させて
相対的に回転させ、液中加工するものである。ラ
ツプ材、ラツプ速度は超微細粉末の種類、粒径や
懸濁量、被加工材等により適宜選定すればよく、
純水中の懸濁量は0.5〜20wt％が好ましい。
ところで、磁性材料基板に接着したInSb、
GaAs等の半導体材料ウエハーは、所定厚み例え
ば２±1μmまで加工する必要がある。これを上記
のメカノケミカル・ポリツシングで行なう場合、
特殊な治具を使用して行なう必要があるため、加
工能率に問題を生じる。そのため加工能率を考慮
して、10±5μmまでメカノケミカル・ポリツシン
グを施し、その後２±1μmまでケミカル・エツチ
ングする方法を採ることもできるが、加工工程が
増えるため好ましくない。
GaAs等の半導体材料ウエハーは、所定厚み例え
ば２±1μmまで加工する必要がある。これを上記
のメカノケミカル・ポリツシングで行なう場合、
特殊な治具を使用して行なう必要があるため、加
工能率に問題を生じる。そのため加工能率を考慮
して、10±5μmまでメカノケミカル・ポリツシン
グを施し、その後２±1μmまでケミカル・エツチ
ングする方法を採ることもできるが、加工工程が
増えるため好ましくない。
また、最終仕上げまで行う際に、特殊な治具を
使用せずにメカノケミカル・ポリツシングを施し
た場合には厚みにバラツキが生じやすく、高い平
坦度を得るのは困難となる。
使用せずにメカノケミカル・ポリツシングを施し
た場合には厚みにバラツキが生じやすく、高い平
坦度を得るのは困難となる。
そこで、さらにこの発明方法では、上記の複合
基板を得る製法において、軟質磁性材料基板を金
属間化合物半導体材料ウエハーより大きい寸法と
し、基板上に上記ウエハーを固着後、基板の外周
余白部に、硬質セラミツク材からなる高きゲージ
を被着し、上記半導体材料ウエハーを高さゲージ
の上面を基準面としてメカノケミカル・ポリツシ
ングで超精密加工することにより、能率よくかつ
高精度に仕上げるものである。すなわち上記の方
法で２±0.5μmまで精密加工することができる。
基板を得る製法において、軟質磁性材料基板を金
属間化合物半導体材料ウエハーより大きい寸法と
し、基板上に上記ウエハーを固着後、基板の外周
余白部に、硬質セラミツク材からなる高きゲージ
を被着し、上記半導体材料ウエハーを高さゲージ
の上面を基準面としてメカノケミカル・ポリツシ
ングで超精密加工することにより、能率よくかつ
高精度に仕上げるものである。すなわち上記の方
法で２±0.5μmまで精密加工することができる。
次に軟質磁性材料基板には、Mn―Znフエライ
ト、Ni―Znフエライトなどのソフトフエライト
等が使用できるが、例えばMn―Znフエライトは
その固有電気抵抗が数10Ω−cmであるため、例え
ばInSbの半導体材料ウエハーと導電性であるハ
ンダ層を介して接合する際に絶縁薄膜層を必要と
する。一方、Ni―Znフエライトはその固有電気
抵抗が１×106Ω−cm以上であるため絶縁薄膜層
を介在させる必要がない。また、ハンダ層が導電
性であるため、半導体材料ウエハー側にも同様に
絶縁薄膜層を設ける必要がある。これらの絶縁薄
膜層にはAl2O3、SiO2、Si3N4等の酸化物材料を
用いることができる。
ト、Ni―Znフエライトなどのソフトフエライト
等が使用できるが、例えばMn―Znフエライトは
その固有電気抵抗が数10Ω−cmであるため、例え
ばInSbの半導体材料ウエハーと導電性であるハ
ンダ層を介して接合する際に絶縁薄膜層を必要と
する。一方、Ni―Znフエライトはその固有電気
抵抗が１×106Ω−cm以上であるため絶縁薄膜層
を介在させる必要がない。また、ハンダ層が導電
性であるため、半導体材料ウエハー側にも同様に
絶縁薄膜層を設ける必要がある。これらの絶縁薄
膜層にはAl2O3、SiO2、Si3N4等の酸化物材料を
用いることができる。
なお、ハンダ層の材料には、ハンダ材の液相線
がInSb、GaAsの脆性、延性遷移温度を越えない
範囲のものを選ぶ必要があり、組成としては、重
量％でPb：Sn＝45：55〜90：10の組成とするこ
とが好ましい。
がInSb、GaAsの脆性、延性遷移温度を越えない
範囲のものを選ぶ必要があり、組成としては、重
量％でPb：Sn＝45：55〜90：10の組成とするこ
とが好ましい。
金属間化合物半導体材料ウエハーには、すぐれ
た電子移動度が得られるInSb、GaAsが適してお
り、すぐれた特性を得るのに単結晶であることが
望ましいが、多結晶のものであつても、この発明
による複合基板ではすぐれたものが得られる。
た電子移動度が得られるInSb、GaAsが適してお
り、すぐれた特性を得るのに単結晶であることが
望ましいが、多結晶のものであつても、この発明
による複合基板ではすぐれたものが得られる。
以下にこの発明による複合基板の製造方法を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
第１図は基板と半導体材料ウエハーを接着材で
接合する場合の工程図であり、第２図は基板と半
導体材料ウエハーとの接合に、それぞれに被着し
た溶着用のハンダ層を対向させ、加熱圧着する場
合を示している。
接合する場合の工程図であり、第２図は基板と半
導体材料ウエハーとの接合に、それぞれに被着し
た溶着用のハンダ層を対向させ、加熱圧着する場
合を示している。
まず第１図から説明する。軟質磁性材料にMn
―Znフエライトを用いてフエライト基板１とな
し、その一面にメカノケミカル・ポリツシングを
施こし（ａ図）、このポリツシユ面（P1）に
Al2O3、SiO2、Si3N4等の酸化物の絶縁薄膜層２
を300〜3000Åの厚みで、スパツターあるいは蒸
着により被着する（ｂ図）。
―Znフエライトを用いてフエライト基板１とな
し、その一面にメカノケミカル・ポリツシングを
施こし（ａ図）、このポリツシユ面（P1）に
Al2O3、SiO2、Si3N4等の酸化物の絶縁薄膜層２
を300〜3000Åの厚みで、スパツターあるいは蒸
着により被着する（ｂ図）。
次に金属間化合物半導体材料に例えばInSb、
GaAs等を用いて、フエライト基板１より小寸法
の半導体材料ウエハー３の一面にメカノケミカ
ル・ポリツシングを施こし（ｃ図）、そのポリツ
シユ面（P2）を上記のフエライト基板１の絶縁
薄膜層２表面に接着材４を用いて接合する（ｄ
図）。
GaAs等を用いて、フエライト基板１より小寸法
の半導体材料ウエハー３の一面にメカノケミカ
ル・ポリツシングを施こし（ｃ図）、そのポリツ
シユ面（P2）を上記のフエライト基板１の絶縁
薄膜層２表面に接着材４を用いて接合する（ｄ
図）。
続いて、半導体材料ウエハー３を接着した基板
１の何も被着していない余白部分、例えば、円板
型の基板並びに半導体材料ウエハーを用いた場合
はフエライト基板１の外端円周部１０に、Al2O3
等の硬質セラミツク材からなるリング状の高さゲ
ージ５を真空蒸着あるいは反応蒸着で被着する
（ｅ図）。この場合、高さゲージ５は基板１上の絶
縁層２厚、接着材４層厚、半導体材料ウエハー３
厚並びにその仕上げ厚み寸法を考慮して、所定の
高さまで基板１上に被着する。
１の何も被着していない余白部分、例えば、円板
型の基板並びに半導体材料ウエハーを用いた場合
はフエライト基板１の外端円周部１０に、Al2O3
等の硬質セラミツク材からなるリング状の高さゲ
ージ５を真空蒸着あるいは反応蒸着で被着する
（ｅ図）。この場合、高さゲージ５は基板１上の絶
縁層２厚、接着材４層厚、半導体材料ウエハー３
厚並びにその仕上げ厚み寸法を考慮して、所定の
高さまで基板１上に被着する。
次に、この高さゲージ５の上面を基準として、
メカノケミカル・ポリツシングにより半導体材料
ウエハー３を加工し、高さゲージ５高さまでポリ
ツシングして最終仕上げポリツシユ面（P3）と
する（ｆ図）。
メカノケミカル・ポリツシングにより半導体材料
ウエハー３を加工し、高さゲージ５高さまでポリ
ツシングして最終仕上げポリツシユ面（P3）と
する（ｆ図）。
以上の工程を経て得た複合基板は、最終仕上げ
精度が±0.5μm以下でメカノケミカル・ポリツシ
ングされているため、極めてすぐれた特性が得ら
れ、表面の完全結晶性並びにバルク材と同等の電
子移動度が得られる。
精度が±0.5μm以下でメカノケミカル・ポリツシ
ングされているため、極めてすぐれた特性が得ら
れ、表面の完全結晶性並びにバルク材と同等の電
子移動度が得られる。
なお、高さゲージは硬質セラミツク材を用いる
ため、メカノケミカル・ポリツシングをはじめ他
のラツピング等の加工時に、高さゲージ自体の寸
法精度が変動することは少ないが、加工による高
さゲージの変化を防止するため、耐摩耗性薄膜を
高さゲージの上面に被着することにより、耐摩耗
性を向上させるのもよい。耐摩耗性薄膜には、
ZrO2の酸化物、SiO3N4やTiNの窒化物、Tic、
Wc、Sicの炭化物の材料を使用することができ
る。
ため、メカノケミカル・ポリツシングをはじめ他
のラツピング等の加工時に、高さゲージ自体の寸
法精度が変動することは少ないが、加工による高
さゲージの変化を防止するため、耐摩耗性薄膜を
高さゲージの上面に被着することにより、耐摩耗
性を向上させるのもよい。耐摩耗性薄膜には、
ZrO2の酸化物、SiO3N4やTiNの窒化物、Tic、
Wc、Sicの炭化物の材料を使用することができ
る。
続いて第２図に基づいて説明する。
軟質磁性材料にMn―Znフエライトを用いて円
板型のフエライト基板１となし、その一面にメカ
ノケミカル・ポリツシングを施こし（ａ図）、こ
のポリツシユ面（P1）にAl2O3等の酸化物の絶縁
薄膜層２を300〜3000Åの厚みで、スパツターあ
るいは蒸着により被着させる（ｂ図）。続いて絶
縁層２上に溶着用のハンダ材例えばPb：Sn＝45
〜90：55〜10の組成をスパツターあるいは蒸着に
より被着し、例えば500Å厚みのハンダ層６とす
る（ｃ図）。
板型のフエライト基板１となし、その一面にメカ
ノケミカル・ポリツシングを施こし（ａ図）、こ
のポリツシユ面（P1）にAl2O3等の酸化物の絶縁
薄膜層２を300〜3000Åの厚みで、スパツターあ
るいは蒸着により被着させる（ｂ図）。続いて絶
縁層２上に溶着用のハンダ材例えばPb：Sn＝45
〜90：55〜10の組成をスパツターあるいは蒸着に
より被着し、例えば500Å厚みのハンダ層６とす
る（ｃ図）。
次に、金属間化合物半導体材料にInSbを用い、
基板１より小径の円板型となした半導体ウエハー
３の一面にメカノケミカル・ポリツシングを施こ
し（ｄ図）、この半導体材料ウエハー３のポリツ
シユ面（P2）上にAl2O3等の酸化物の絶縁薄膜層
７を例えば300〜3000Åの厚みでスパツターある
いは蒸着により被着する（ｅ図）。続いてこの絶
縁層７上に溶着用のハンダ材を上記と同様に被着
して500Å厚みのハンダ層８とする（ｆ図）。
基板１より小径の円板型となした半導体ウエハー
３の一面にメカノケミカル・ポリツシングを施こ
し（ｄ図）、この半導体材料ウエハー３のポリツ
シユ面（P2）上にAl2O3等の酸化物の絶縁薄膜層
７を例えば300〜3000Åの厚みでスパツターある
いは蒸着により被着する（ｅ図）。続いてこの絶
縁層７上に溶着用のハンダ材を上記と同様に被着
して500Å厚みのハンダ層８とする（ｆ図）。
そして、フエライト基板１と半導体材料ウエハ
ー３のハンダ層６，８を対向させて、例えば230
〜250℃程度で加熱圧着して両者を接合する（ｇ
図）。
ー３のハンダ層６，８を対向させて、例えば230
〜250℃程度で加熱圧着して両者を接合する（ｇ
図）。
次にフエライト基板１の余白部たる外側円周部
１０に半導体材料ウエハー３の厚み並びに仕上寸
法、絶縁薄膜層７，２の厚み、ハンダ層６，８の
厚みを考慮して、Al2O3等の硬質セラミツク材か
らなるリング状の高さゲージ９を真空蒸着あるい
は反応蒸着で被着し、このゲージ９面を基準とし
て、メカノケミカル・ポリツシングにより半導体
材料ウエハー３を加工し、高さゲージ９高さまで
これをポリツシングして最終仕上げポリツシユ面
（P3）とする（ｈ図）。
１０に半導体材料ウエハー３の厚み並びに仕上寸
法、絶縁薄膜層７，２の厚み、ハンダ層６，８の
厚みを考慮して、Al2O3等の硬質セラミツク材か
らなるリング状の高さゲージ９を真空蒸着あるい
は反応蒸着で被着し、このゲージ９面を基準とし
て、メカノケミカル・ポリツシングにより半導体
材料ウエハー３を加工し、高さゲージ９高さまで
これをポリツシングして最終仕上げポリツシユ面
（P3）とする（ｈ図）。
以上の第２図の工程を経て得られた複合基板
は、フエライト基板１と半導体材料ウエハー３と
の接合にそれぞれに被着したハンダ層で溶着して
いるため、上記例の場合0.1μmの薄く均一でかつ
強度の安定した接着層となり、半導体材料ウエハ
ー３の平坦度が良くなつており、最終成上げ精度
も±0.5μmでメカノケミカル・ポリツシユされて
いるため、極めてすぐれた特性が得られ、表面の
完全結晶性並びにバルク材と同等の電子移動度が
得られる。
は、フエライト基板１と半導体材料ウエハー３と
の接合にそれぞれに被着したハンダ層で溶着して
いるため、上記例の場合0.1μmの薄く均一でかつ
強度の安定した接着層となり、半導体材料ウエハ
ー３の平坦度が良くなつており、最終成上げ精度
も±0.5μmでメカノケミカル・ポリツシユされて
いるため、極めてすぐれた特性が得られ、表面の
完全結晶性並びにバルク材と同等の電子移動度が
得られる。
以下にこの発明による実施例を説明する。
実施例 １
実施条件
(イ) 基板１……高密度Mn―Znフエライト35φ×
３mm形状、 (ロ) 絶縁層２，７……Al2O3を1000Å厚みに蒸
着、 (ハ) ハンダ層６，８……500Å厚みにスパツタリ
ング、 層組成……Pb：Sn＝62：38 スパツター条件……パワー；100W／4″φ、Ar
圧；３〜６×10-3torr電極間距離；35mmサンプ
ル温度；R.T〜50℃ ターゲツト；Pb：Sn＝50：50 スパツターレイト；400Å／min (ニ) 半導体材料ウエハー３……InSb、25φ×0.2
mm (ホ) メカノケミカル・ポリツシング…… 純水中懸濁液……粒径0.01μm、SiO2、0.5〜
20wt％、 ラツプ速度……40〜60m／min 加工時間……15〜30min、 (ヘ) 接着材４……低粘度樹脂系ボンド、3000Å厚
み、 (ト) ハンダ層６，８の溶着……恒温炉にて治具を
用い、300ｇ／cm2の圧力でピストン方式で加熱
圧接、温度240℃、 以上の条件で上述したこの発明による２種の製
造方法で複合基板を作製し、フエライト基板１の
外側円周部１０に、２〜３mm幅のリング状高さゲ
ージ５，９を真空蒸着し、接合に接着材４を用い
る場合（第１図、ｅ図）には、高さゲージ５の高
さは2.4μmの高さで、又、ハンダ層６，８を溶着
する場合（第２図ｈ図）には、高さゲージ９は
2.3μmの高さで被着した。
３mm形状、 (ロ) 絶縁層２，７……Al2O3を1000Å厚みに蒸
着、 (ハ) ハンダ層６，８……500Å厚みにスパツタリ
ング、 層組成……Pb：Sn＝62：38 スパツター条件……パワー；100W／4″φ、Ar
圧；３〜６×10-3torr電極間距離；35mmサンプ
ル温度；R.T〜50℃ ターゲツト；Pb：Sn＝50：50 スパツターレイト；400Å／min (ニ) 半導体材料ウエハー３……InSb、25φ×0.2
mm (ホ) メカノケミカル・ポリツシング…… 純水中懸濁液……粒径0.01μm、SiO2、0.5〜
20wt％、 ラツプ速度……40〜60m／min 加工時間……15〜30min、 (ヘ) 接着材４……低粘度樹脂系ボンド、3000Å厚
み、 (ト) ハンダ層６，８の溶着……恒温炉にて治具を
用い、300ｇ／cm2の圧力でピストン方式で加熱
圧接、温度240℃、 以上の条件で上述したこの発明による２種の製
造方法で複合基板を作製し、フエライト基板１の
外側円周部１０に、２〜３mm幅のリング状高さゲ
ージ５，９を真空蒸着し、接合に接着材４を用い
る場合（第１図、ｅ図）には、高さゲージ５の高
さは2.4μmの高さで、又、ハンダ層６，８を溶着
する場合（第２図ｈ図）には、高さゲージ９は
2.3μmの高さで被着した。
高さゲージ５，９を被着したのち、メカノケミ
カル・ポリツシングにより最終仕上げを行なつた
ところ、接着材４を用いた製造方法の場合、半導
体材料ウエハー３の厚みは２±0.5μmの精度で仕
上を完了した。又、ハンダ層６，８を用いた製造
方法の場合は、２±0.4μmの精度で半導体材料ウ
エハー３を精密仕上げすることができた。さら
に、表面は完全結晶性を保持しており、表面粗さ
は±20Åであり、バルク材と同等の電子移動度が
得られた。
カル・ポリツシングにより最終仕上げを行なつた
ところ、接着材４を用いた製造方法の場合、半導
体材料ウエハー３の厚みは２±0.5μmの精度で仕
上を完了した。又、ハンダ層６，８を用いた製造
方法の場合は、２±0.4μmの精度で半導体材料ウ
エハー３を精密仕上げすることができた。さら
に、表面は完全結晶性を保持しており、表面粗さ
は±20Åであり、バルク材と同等の電子移動度が
得られた。
第１図、第２図はこの発明による複合基板の製
造方法を説明する工程図であり、第１図は基板と
半導体材料ウエハーとの接合に接着材を用いる場
合、第２図は同じく接合にハンダ材を用いる場合
である。 図中、１……基板、２，７……絶縁薄膜層、３
……半導体材料ウエハー、４……接着材、５，９
……高さゲージ、６，８……ハンダ層、P1，P2，
P3……ポリツシユ面、１０……外側円周部。
造方法を説明する工程図であり、第１図は基板と
半導体材料ウエハーとの接合に接着材を用いる場
合、第２図は同じく接合にハンダ材を用いる場合
である。 図中、１……基板、２，７……絶縁薄膜層、３
……半導体材料ウエハー、４……接着材、５，９
……高さゲージ、６，８……ハンダ層、P1，P2，
P3……ポリツシユ面、１０……外側円周部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メカノケミカル・ポリツシングにより超精密
仕上げを行なつた軟質磁性材料基板の表面に必要
により絶縁薄膜層を被着し、次に上記基板寸法よ
り小なる金属間化合物半導体材料ウエハーの一面
をメカノケミカル・ポリツシングにより超精密仕
上げを行ない、上記絶縁薄膜層を被着した軟質磁
性材料基板の表面に接着し、上記半導体材料ウエ
ハーを接着した上記基板の外周余白部に、硬質セ
ラミツク材からなる高さゲージを被着し、上記半
導体材料ウエハーの他面を高さゲージの上面を基
準面としてメカノケミカル・ポリツシングにより
超精密仕上げを施こす複合基板の製造方法。 ２ 硬質セラミツク材からなる高さゲージの上面
に、酸化物、窒化物、炭化物等の耐摩耗性薄膜を
被着してなる特許請求の範囲第１項記載の複合基
板の製造方法。 ３ メカノケミカル・ポリツシングにより超精密
仕上げを行なつた軟質磁性材料基板の表面に必要
により絶縁薄膜を被着し、その上に溶着用のハン
ダ材を被着し、次に上記基板寸法より小なる金属
間化合物半導体材料ウエハーの一面をメカノケミ
カル・ポリツシングにより超精密仕上げを行な
い、その面上に絶縁薄膜を被着した後さらに上記
と同質の溶着用ハンダ材を被着し、上記基板と上
記半導体材料ウエハーとをそのハンダ材被着面で
溶着接合し、溶着接合後の上記基板の外周余白部
に、硬質セラミツク材からなる高さゲージを被着
し、上記半導体材料ウエハーの他面を高さゲージ
の上面を基準面としてメカノケミカル・ポリツシ
ングにより超精密仕上げを施こす複合基板の製造
方法。 ４ 硬質セラミツク材からなる高さゲージの上面
に、酸化物、窒化物、炭化物等の耐摩耗性薄膜を
被着してなる特許請求の範囲第３項記載の複合基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205644A JPS58106883A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205644A JPS58106883A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 複合基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106883A JPS58106883A (ja) | 1983-06-25 |
| JPS638636B2 true JPS638636B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16510299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205644A Granted JPS58106883A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106883A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8800953A (nl) * | 1988-04-13 | 1989-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam. |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56205644A patent/JPS58106883A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58106883A (ja) | 1983-06-25 |
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