JPH11339229A - 薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11339229A JPH11339229A JP14335298A JP14335298A JPH11339229A JP H11339229 A JPH11339229 A JP H11339229A JP 14335298 A JP14335298 A JP 14335298A JP 14335298 A JP14335298 A JP 14335298A JP H11339229 A JPH11339229 A JP H11339229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜磁気ヘッド素子部の放熱性を上げるととも
に、素子のメディア面への接触を防止し、さらに膜密着
強度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜磁気ヘッド用
基板を提供する。 【解決手段】基板６上に厚み０．７〜３．５μｍのＤＬ
Ｃ膜７と、厚み１．３μｍ以下のアモルファスアルミナ
膜８とを順次積層してなる薄膜磁気ヘッド用基板１。
に、素子のメディア面への接触を防止し、さらに膜密着
強度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜磁気ヘッド用
基板を提供する。 【解決手段】基板６上に厚み０．７〜３．５μｍのＤＬ
Ｃ膜７と、厚み１．３μｍ以下のアモルファスアルミナ
膜８とを順次積層してなる薄膜磁気ヘッド用基板１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピューターの記
録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ
等に用いられる薄膜磁気ヘッドならびにそれに用いる薄
膜磁気ヘッド用基板に関するものである。
録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ
等に用いられる薄膜磁気ヘッドならびにそれに用いる薄
膜磁気ヘッド用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッド用基板には主成分
としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）およびチタンカーバイド
（ＴｉＣ）の複合材からなるセラミック基板上にアモル
ファスアルミナからなる絶縁膜をスパッタリング法にて
成膜し、その面を片面ポリッシュ機にて鏡面加工したも
のが用いられている。
としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）およびチタンカーバイド
（ＴｉＣ）の複合材からなるセラミック基板上にアモル
ファスアルミナからなる絶縁膜をスパッタリング法にて
成膜し、その面を片面ポリッシュ機にて鏡面加工したも
のが用いられている。
【０００３】上記絶縁膜は導電材であるセラミック基板
との絶縁性を得るため、さらに平滑性を達成するために
形成するが、とくに絶縁膜の面粗さについては、その上
に素子を形成するために重要であって、より平滑な面を
得るためにＣＭＰ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＭＥＣＨＡＮＩ
ＣＡＬ ＰＯＬＩＳＨＩＮＧ）等で加工している。
との絶縁性を得るため、さらに平滑性を達成するために
形成するが、とくに絶縁膜の面粗さについては、その上
に素子を形成するために重要であって、より平滑な面を
得るためにＣＭＰ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＭＥＣＨＡＮＩ
ＣＡＬ ＰＯＬＩＳＨＩＮＧ）等で加工している。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】近年、記録密度を向
上させるために、薄膜磁気ヘッドの素子に磁気抵抗効果
を用いたＭＲ（ＭＡＧＮＥＴＲＯＲＥＳＩＳＴＩＶ
Ｅ）、あるいはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ ＭＲ）が用いるこ
とが提示されているが、このようなＭＲ素子やＧＭＲ素
子の場合、読み取り感度を向上させるためにセンス電流
値を上げる必要がある。
上させるために、薄膜磁気ヘッドの素子に磁気抵抗効果
を用いたＭＲ（ＭＡＧＮＥＴＲＯＲＥＳＩＳＴＩＶ
Ｅ）、あるいはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ ＭＲ）が用いるこ
とが提示されているが、このようなＭＲ素子やＧＭＲ素
子の場合、読み取り感度を向上させるためにセンス電流
値を上げる必要がある。
【０００５】また、ハードディスクドライブ用ＭＲヘッ
ドやＧＭＲヘッドにおいては、ヘッドの浮上量が１マイ
クロインチ程度と小さく、ニアコンタクトに近くなって
きている。そのため磁気ヘッドとメディアが接触摺動し
やすく、この時の摩擦熱により薄膜磁気ヘッドのＭＲ素
子部に温度変化が生じ、その結果、読み取り感度が低減
する、いわゆるサーマルアスペリティ現象が非常に大き
な問題点となってきた。
ドやＧＭＲヘッドにおいては、ヘッドの浮上量が１マイ
クロインチ程度と小さく、ニアコンタクトに近くなって
きている。そのため磁気ヘッドとメディアが接触摺動し
やすく、この時の摩擦熱により薄膜磁気ヘッドのＭＲ素
子部に温度変化が生じ、その結果、読み取り感度が低減
する、いわゆるサーマルアスペリティ現象が非常に大き
な問題点となってきた。
【０００６】かかる問題点を解消するために、素子周り
の放熱性を上げる必要があるが、そのためにアモルファ
スアルミナ膜の厚みを薄くして、ＭＲ素子を熱伝導の高
いＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板に近づけ、これによって放熱
性を上げたり、もしくはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板とアモ
ルファスアルミナ膜との硬度差によるリセスを利用し、
ＭＲ素子がメディア面と衝突することを防止する等の対
策がおこなわれている。
の放熱性を上げる必要があるが、そのためにアモルファ
スアルミナ膜の厚みを薄くして、ＭＲ素子を熱伝導の高
いＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板に近づけ、これによって放熱
性を上げたり、もしくはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板とアモ
ルファスアルミナ膜との硬度差によるリセスを利用し、
ＭＲ素子がメディア面と衝突することを防止する等の対
策がおこなわれている。
【０００７】しかしながら、アモルファスアルミナ膜の
膜厚が３μｍ以下になると、耐電圧の点で不十分であっ
た。
膜厚が３μｍ以下になると、耐電圧の点で不十分であっ
た。
【０００８】したがって本発明者は上記事情に鑑みて鋭
意研究を重ねた結果、アモルファスアルミナ膜に比べ熱
伝導性および耐電圧特性の双方ともに優れたダイヤモン
ド・ライク・カーボン膜を被覆させることで、かかる問
題点が解消されることを見出した。
意研究を重ねた結果、アモルファスアルミナ膜に比べ熱
伝導性および耐電圧特性の双方ともに優れたダイヤモン
ド・ライク・カーボン膜を被覆させることで、かかる問
題点が解消されることを見出した。
【０００９】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のであり、その目的は薄膜磁気ヘッド素子部の放熱性を
上げるとともに、素子のメディア面への接触を防止し、
さらに膜密着強度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜
磁気ヘッド用基板を提供することにある。
のであり、その目的は薄膜磁気ヘッド素子部の放熱性を
上げるとともに、素子のメディア面への接触を防止し、
さらに膜密着強度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜
磁気ヘッド用基板を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は本発明の薄膜磁気ヘッ
ド用基板を用いた高品質かつ高信頼性の薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
ド用基板を用いた高品質かつ高信頼性の薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
【００１１】
【問題点を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッ
ド用基板は、基板上に厚み０．７〜３．５μｍのダイヤ
モンド・ライク・カーボン膜と厚み１．３μｍ以下のア
モルファスアルミナ膜とを順次積層したことを特徴とす
る。
ド用基板は、基板上に厚み０．７〜３．５μｍのダイヤ
モンド・ライク・カーボン膜と厚み１．３μｍ以下のア
モルファスアルミナ膜とを順次積層したことを特徴とす
る。
【００１２】本発明の薄膜磁気ヘッドは、本発明の薄膜
磁気ヘッド用基板のアモルファスアルミナ膜上に磁性膜
を形成してなることを特徴とする。
磁気ヘッド用基板のアモルファスアルミナ膜上に磁性膜
を形成してなることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１〜
図４によって説明する。図１の（ａ）および（ｂ）は本
発明の薄膜磁気ヘッド用基板１を示す斜視図、図２は図
１（ａ）における切断面線Ｘ−Ｘによる要部拡大断面
図、図３は本発明の薄膜磁気ヘッド用基板１の上に磁性
膜を形成した層構造を示す要部拡大断面図である。ま
た、図４は本発明の薄膜磁気ヘッド２の使用状態を示す
断面図である。
図４によって説明する。図１の（ａ）および（ｂ）は本
発明の薄膜磁気ヘッド用基板１を示す斜視図、図２は図
１（ａ）における切断面線Ｘ−Ｘによる要部拡大断面
図、図３は本発明の薄膜磁気ヘッド用基板１の上に磁性
膜を形成した層構造を示す要部拡大断面図である。ま
た、図４は本発明の薄膜磁気ヘッド２の使用状態を示す
断面図である。
【００１４】図４の薄膜磁気ヘッド２において、３はＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミックス、フェライト、サファ
イアなどからなるスライダ、４はＭＲ素子、５はメディ
アである。
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミックス、フェライト、サファ
イアなどからなるスライダ、４はＭＲ素子、５はメディ
アである。
【００１５】上記薄膜磁気ヘッド２は下記の製造工程に
より得られる。まず、図１の薄膜磁気ヘッド用基板１に
よれば、（ａ）に示すようにオリエンテーションフラッ
トを有する直径２〜８インチの円板状基板６、もしくは
（ｂ）に示すように一辺３〜６インチの角板状基板６で
ある。これらの基板６の上に、図２に示すようにダイヤ
モンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜７を常温プラズ
マＣＶＤ法により形成し、ついでアモルファスアルミナ
膜８をＲＦスパッタ法やＥＣＲスパッタ法により形成す
る。ちなみに上記常温プラズマＣＶＤ法については高真
空中の放電プラズマ中で炭化水素ガスを分解し、プラズ
マ中のイオン、励起分子を基板に電気的に加速し、この
ような高エネルギーでもって衝突させることで形成す
る。
より得られる。まず、図１の薄膜磁気ヘッド用基板１に
よれば、（ａ）に示すようにオリエンテーションフラッ
トを有する直径２〜８インチの円板状基板６、もしくは
（ｂ）に示すように一辺３〜６インチの角板状基板６で
ある。これらの基板６の上に、図２に示すようにダイヤ
モンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜７を常温プラズ
マＣＶＤ法により形成し、ついでアモルファスアルミナ
膜８をＲＦスパッタ法やＥＣＲスパッタ法により形成す
る。ちなみに上記常温プラズマＣＶＤ法については高真
空中の放電プラズマ中で炭化水素ガスを分解し、プラズ
マ中のイオン、励起分子を基板に電気的に加速し、この
ような高エネルギーでもって衝突させることで形成す
る。
【００１６】上記ＤＬＣ膜７は炭素原子４個の結合形体
においてダイヤモンドがほとんどＳＰ3 軌道であるのに
対しＳＰ3 軌道とＳＰ2 軌道の両方を含むものであっ
て、表面平滑性に優れ、さらに硬度が高く、耐磨耗性に
優れている。
においてダイヤモンドがほとんどＳＰ3 軌道であるのに
対しＳＰ3 軌道とＳＰ2 軌道の両方を含むものであっ
て、表面平滑性に優れ、さらに硬度が高く、耐磨耗性に
優れている。
【００１７】また、ＤＬＣ膜７はアモルファスアルミナ
膜８に比べ熱伝導性が高く、さらに電気的絶縁性にも優
れるが、その反面、表面性状に劣り、膜欠陥が生じやす
い。さらにＤＬＣ膜７はＨＶ３０００以上の高硬度なた
めに、表面研磨がむずかしく、表面平滑化が困難であ
る。
膜８に比べ熱伝導性が高く、さらに電気的絶縁性にも優
れるが、その反面、表面性状に劣り、膜欠陥が生じやす
い。さらにＤＬＣ膜７はＨＶ３０００以上の高硬度なた
めに、表面研磨がむずかしく、表面平滑化が困難であ
る。
【００１８】そこで、ＤＬＣ膜７の欠点を補完させるた
めに、その上にアモルファスアルミナ膜８を形成し、こ
れによって表面を平滑にするとともに、欠陥の発生を防
止し、良好で高い耐電圧を具備させる。
めに、その上にアモルファスアルミナ膜８を形成し、こ
れによって表面を平滑にするとともに、欠陥の発生を防
止し、良好で高い耐電圧を具備させる。
【００１９】アモルファスアルミナ膜８を形成したこと
で、その表面８ａはきわめて滑らかな面となり、ついで
図３に示すように表面８ａの上に磁性膜９を形成する。
このようなウエハ工程の後に、スライシング工程、ＡＢ
Ｓ面ポリッシュ工程、イオンミリング加工（ＲＩＥ加
工）を順次経て、多数の薄膜磁気ヘッド２を同時に得
る。ＭＲ素子については、読み込みで使用する素子であ
って、フォトリソグラフによる微細加工技術で形成す
る。
で、その表面８ａはきわめて滑らかな面となり、ついで
図３に示すように表面８ａの上に磁性膜９を形成する。
このようなウエハ工程の後に、スライシング工程、ＡＢ
Ｓ面ポリッシュ工程、イオンミリング加工（ＲＩＥ加
工）を順次経て、多数の薄膜磁気ヘッド２を同時に得
る。ＭＲ素子については、読み込みで使用する素子であ
って、フォトリソグラフによる微細加工技術で形成す
る。
【００２０】上記基板６をＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミ
ックスで作製する場合には、６０〜８０％のＡｌ2 Ｏ3
と４０〜２０％のＴｉＣを主成分とする原料を用い、大
気あるいは還元雰囲気中１６００〜１８００℃でホット
プレスあるいはＨＩＰ処理して得られる。このＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系セラミックスは非常に緻密な焼結体とな
り、表面を滑らかにすることができる。なお、Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系セラミックスは導電材であるが、基板６上
にＤＬＣ膜７とアモルファスアルミナ膜８を形成するこ
とによって絶縁性をもたせる。
ックスで作製する場合には、６０〜８０％のＡｌ2 Ｏ3
と４０〜２０％のＴｉＣを主成分とする原料を用い、大
気あるいは還元雰囲気中１６００〜１８００℃でホット
プレスあるいはＨＩＰ処理して得られる。このＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系セラミックスは非常に緻密な焼結体とな
り、表面を滑らかにすることができる。なお、Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系セラミックスは導電材であるが、基板６上
にＤＬＣ膜７とアモルファスアルミナ膜８を形成するこ
とによって絶縁性をもたせる。
【００２１】また、アモルファスアルミナ膜８を形成し
た後には、膜表面をさらに平滑にすべくＣＭＰ加工する
よい。
た後には、膜表面をさらに平滑にすべくＣＭＰ加工する
よい。
【００２２】これによって、表面はＡＦＭ（ＡＴＯＭＩ
Ｃ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯＳＣＯＰＹ）で測定される
表面粗度（Ｒａ）であらわすと、１０Å以下にできる。
Ｃ ＦＯＲＣＥ ＭＩＣＲＯＳＣＯＰＹ）で測定される
表面粗度（Ｒａ）であらわすと、１０Å以下にできる。
【００２３】そして、かかる研磨後の厚みを１．３μｍ
以下、好適には１μｍ以下にするとよく、これによって
アモルファスアルミナ膜８を通ってＤＬＣ膜７に放熱さ
れる効率が高くなるとなる点で望ましい。
以下、好適には１μｍ以下にするとよく、これによって
アモルファスアルミナ膜８を通ってＤＬＣ膜７に放熱さ
れる効率が高くなるとなる点で望ましい。
【００２４】また、ＤＬＣ膜７の厚みを０．７〜３．５
μｍ、好適には１〜３μｍにするとよく、０．７μｍ未
満の場合には耐電圧が低下し、３．５μｍを越えるとア
モルファスアルミナ膜８との間で剥離する。
μｍ、好適には１〜３μｍにするとよく、０．７μｍ未
満の場合には耐電圧が低下し、３．５μｍを越えるとア
モルファスアルミナ膜８との間で剥離する。
【００２５】かくして常温プラズマＣＶＤ法により形成
したＤＬＣ膜７では、膜内および膜表面に多くの欠陥が
発生しているが、さらにＲＦスパッタ法やＥＣＲスパッ
タ法により形成したアモルファスアルミナ膜８では高い
成膜充填率が得られ、これにより、ＤＬＣ膜７でもって
熱伝導性を高め、その結果、熱伝導性の高いスライダ３
に熱をよりはやく伝えることができ、放熱性が高められ
た。
したＤＬＣ膜７では、膜内および膜表面に多くの欠陥が
発生しているが、さらにＲＦスパッタ法やＥＣＲスパッ
タ法により形成したアモルファスアルミナ膜８では高い
成膜充填率が得られ、これにより、ＤＬＣ膜７でもって
熱伝導性を高め、その結果、熱伝導性の高いスライダ３
に熱をよりはやく伝えることができ、放熱性が高められ
た。
【００２６】また、ＤＬＣ膜７によって耐電圧特性も高
め（ＤＬＣ膜７とアモルファスアルミナ膜８との積層に
対する印加電圧１０Ｖにおける常温抵抗値は１０11Ω以
上となる）、しかも、アモルファスアルミナ膜８でもっ
て優れた表面平滑性が得られたことで、面品位に優れた
薄膜磁気ヘッド用基板１が提供された。
め（ＤＬＣ膜７とアモルファスアルミナ膜８との積層に
対する印加電圧１０Ｖにおける常温抵抗値は１０11Ω以
上となる）、しかも、アモルファスアルミナ膜８でもっ
て優れた表面平滑性が得られたことで、面品位に優れた
薄膜磁気ヘッド用基板１が提供された。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。出発原料
としてアルミナ（純度９９．９％、原料粉末の平均粒
径：０．４μｍ）とチタンカーバイド（純度９９．５
％、原料粉末の平均粒径：０．３μｍ）を使用し、アル
ミナが７０重量％、チタンカーバイドが３０重量％の比
率となるように秤量し、さらにチタンカーバイドに対し
約１０重量％の酸化チタンＴｉＯ2を添加し、そして、
アルミナボールにて混合した。ついで混合粉末を成形
し、１６００℃、２５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で１時間ホ
ットプレス焼成した。
としてアルミナ（純度９９．９％、原料粉末の平均粒
径：０．４μｍ）とチタンカーバイド（純度９９．５
％、原料粉末の平均粒径：０．３μｍ）を使用し、アル
ミナが７０重量％、チタンカーバイドが３０重量％の比
率となるように秤量し、さらにチタンカーバイドに対し
約１０重量％の酸化チタンＴｉＯ2を添加し、そして、
アルミナボールにて混合した。ついで混合粉末を成形
し、１６００℃、２５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で１時間ホ
ットプレス焼成した。
【００２８】このようにして作製した焼結体をダイヤモ
ンドホイールにより所定の円板形状に研削加工した後、
ダイヤモンド砥粒を用いて表面のラッピング加工をおこ
なった。ついで平均粒径０．５μｍのダイヤモンドパウ
ダーを用いて、基板表面と研磨板あるいは研磨布を相対
的に摺動させて精密研磨をおこない、これによって基板
の表面粗度Ｒａを１８Åとした。本実施例では上記研磨
板として錫定盤を用いた。
ンドホイールにより所定の円板形状に研削加工した後、
ダイヤモンド砥粒を用いて表面のラッピング加工をおこ
なった。ついで平均粒径０．５μｍのダイヤモンドパウ
ダーを用いて、基板表面と研磨板あるいは研磨布を相対
的に摺動させて精密研磨をおこない、これによって基板
の表面粗度Ｒａを１８Åとした。本実施例では上記研磨
板として錫定盤を用いた。
【００２９】つぎに下記成膜工程にともなう成膜応力に
起因して基板自体が変形することから、あらかじめ成膜
裏面をショットブラスト処理をおこない、基板表面の平
面度を凹面に変形しておく。
起因して基板自体が変形することから、あらかじめ成膜
裏面をショットブラスト処理をおこない、基板表面の平
面度を凹面に変形しておく。
【００３０】そして、表１に示すとおり、メタンガスと
水素ガスを用いて、ＲＦプラズマＣＶＤ法（ＲＦ電力：
５００Ｗ、ＤＣバイアス：−２５０Ｖ）によりＤＬＣ膜
を１〜５μｍの範囲で成膜形成した。このような膜の表
面粗度Ｒａは２８〜１４０Åである。
水素ガスを用いて、ＲＦプラズマＣＶＤ法（ＲＦ電力：
５００Ｗ、ＤＣバイアス：−２５０Ｖ）によりＤＬＣ膜
を１〜５μｍの範囲で成膜形成した。このような膜の表
面粗度Ｒａは２８〜１４０Åである。
【００３１】さらに純度９９．５％のアルミナターゲッ
トを用いてスパッタ法にて、アモルファスアルミナ膜を
３μｍの厚みで成膜し、その後、球状アルミナ微粉末を
純水中に懸濁させた研磨液にて鏡面加工をおこなった
後、球状セリア微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて
最終精密加工をおこない、試料Ｎｏ．１〜８のとおり、
厚みを変えたＤＬＣ膜と、０．５μｍ、１μｍ、１．５
μｍの厚みのアモルファスアルミナ膜（膜面表面粗度
〔Ｒａ〕）との積層を形成した。なお、比較例としてＤ
ＬＣ膜を形成しないものを表２に試料Ｎｏ．９〜１２と
して示す。
トを用いてスパッタ法にて、アモルファスアルミナ膜を
３μｍの厚みで成膜し、その後、球状アルミナ微粉末を
純水中に懸濁させた研磨液にて鏡面加工をおこなった
後、球状セリア微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて
最終精密加工をおこない、試料Ｎｏ．１〜８のとおり、
厚みを変えたＤＬＣ膜と、０．５μｍ、１μｍ、１．５
μｍの厚みのアモルファスアルミナ膜（膜面表面粗度
〔Ｒａ〕）との積層を形成した。なお、比較例としてＤ
ＬＣ膜を形成しないものを表２に試料Ｎｏ．９〜１２と
して示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【００３４】
【表２】
【００３５】これら各試料に対し、加熱処理後の膜剥
離、ＤＬＣ膜とアモルファスアルミナ膜の表面粗度およ
び抵抗値を測定したところ、同表に示すような結果が得
られた。
離、ＤＬＣ膜とアモルファスアルミナ膜の表面粗度およ
び抵抗値を測定したところ、同表に示すような結果が得
られた。
【００３６】加熱処理後の膜剥離については、各試料を
真空雰囲気内で６００℃の温度で加熱し、微分干渉顕微
鏡（５０倍）にて成膜段階の剥離状態を確認した。ま
た、最外表面の表面粗度はＡＦＭにて測定した。
真空雰囲気内で６００℃の温度で加熱し、微分干渉顕微
鏡（５０倍）にて成膜段階の剥離状態を確認した。ま
た、最外表面の表面粗度はＡＦＭにて測定した。
【００３７】常温抵抗値についてはＴｉ／Ａｕの電極を
膜面に２０ヶ所／φ４マイクロインチ形成し、常温で印
加電圧１０Ｖでもって三端子法を用いて膜表面と、基板
の裏面との間の抵抗値を測定し、最低抵抗値を求めた。
膜面に２０ヶ所／φ４マイクロインチ形成し、常温で印
加電圧１０Ｖでもって三端子法を用いて膜表面と、基板
の裏面との間の抵抗値を測定し、最低抵抗値を求めた。
【００３８】表１に示す結果から明らかなとおり、本発
明の試料Ｎｏ．３〜５、７については、抵抗値は１０12
Ω以上になり、優れた耐電圧が得られ、さらに加熱処理
後に膜剥離が生じなくなり、表面粗度Ｒａは３．３Å以
下になった。
明の試料Ｎｏ．３〜５、７については、抵抗値は１０12
Ω以上になり、優れた耐電圧が得られ、さらに加熱処理
後に膜剥離が生じなくなり、表面粗度Ｒａは３．３Å以
下になった。
【００３９】また、本発明の各試料はすでの実用化され
ている試料Ｎｏ．９（アモルファスアルミナ膜だけを４
μｍの厚みで形成したもの）とほぼ同程度の放熱性が得
られており、そこで、本発明の各試料に磁性膜を形成し
た各種薄膜磁気ヘッドを作製し、それぞれサーマルアス
ペリティ現象を調べたところ、その発生が著しく減少
し、実用上何ら支障がなかった。
ている試料Ｎｏ．９（アモルファスアルミナ膜だけを４
μｍの厚みで形成したもの）とほぼ同程度の放熱性が得
られており、そこで、本発明の各試料に磁性膜を形成し
た各種薄膜磁気ヘッドを作製し、それぞれサーマルアス
ペリティ現象を調べたところ、その発生が著しく減少
し、実用上何ら支障がなかった。
【００４０】しかるに試料Ｎｏ．１、２ではＤＬＣ膜が
厚いので、その表面粗さが大きくなり、そのためにアモ
ルファスアルミナ膜との間で膜剥離が発生した。また、
試料Ｎｏ．６においては、ＤＬＣ膜が薄いので、抵抗値
が小さくなった。さらに試料Ｎｏ．８ではアモルファス
アルミナ膜が厚いので、膜剥離が発生した。
厚いので、その表面粗さが大きくなり、そのためにアモ
ルファスアルミナ膜との間で膜剥離が発生した。また、
試料Ｎｏ．６においては、ＤＬＣ膜が薄いので、抵抗値
が小さくなった。さらに試料Ｎｏ．８ではアモルファス
アルミナ膜が厚いので、膜剥離が発生した。
【００４１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明においては、基板
上に厚み０．７〜３．５μｍのＤＬＣ膜と厚み１．３μ
ｍ以下のアモルファスアルミナ膜とを順次積層したこと
で、薄膜磁気ヘッド素子部の放熱性を上げるとともに、
素子のメディア面への接触を防止し、さらに膜密着強
度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜磁気ヘッド用基
板が提供できた。
上に厚み０．７〜３．５μｍのＤＬＣ膜と厚み１．３μ
ｍ以下のアモルファスアルミナ膜とを順次積層したこと
で、薄膜磁気ヘッド素子部の放熱性を上げるとともに、
素子のメディア面への接触を防止し、さらに膜密着強
度、電気的な耐圧、面品位に優れた薄膜磁気ヘッド用基
板が提供できた。
【００４２】また、本発明においては、本発明の薄膜磁
気ヘッド用基板を用いたことで、高品質かつ高信頼性の
薄膜磁気ヘッドが提供できた。
気ヘッド用基板を用いたことで、高品質かつ高信頼性の
薄膜磁気ヘッドが提供できた。
【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明の薄膜磁気ヘッド
用基板を示す斜視図である。
用基板を示す斜視図である。
【図２】図１（ａ）における切断面線Ｘ−Ｘによる要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの層構造を示す要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの使用状態を示す説明
図である。
図である。
１ 薄膜磁気ヘッド用基板 ２ 薄膜磁気ヘッド ３ スライダ ４ ＭＲ素子 ５ メディア ６ 基板 ７ ＤＬＣ膜 ８ アモルファスアルミナ膜 ９ 磁性膜
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に厚み０．７〜３．５μｍのダイヤ
モンド・ライク・カーボン膜と厚み１．３μｍ以下のア
モルファスアルミナ膜とを順次積層してなる薄膜磁気ヘ
ッド用基板。 - 【請求項２】請求項１の薄膜磁気ヘッド用基板のアモル
ファスアルミナ膜上に磁性膜を形成してなる薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14335298A JPH11339229A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14335298A JPH11339229A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339229A true JPH11339229A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15336799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14335298A Pending JPH11339229A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11339229A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005112008A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Neomax Co., Ltd. | 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法 |
| JP2009008191A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 超純水用管継手 |
| US7675708B2 (en) | 2003-07-28 | 2010-03-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrate for thin-film magnetic head |
| KR101021627B1 (ko) * | 2010-06-25 | 2011-03-17 | 대명에스앤에스(주) | 방열 세라믹 필름 및 그 제조 방법 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14335298A patent/JPH11339229A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675708B2 (en) | 2003-07-28 | 2010-03-09 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrate for thin-film magnetic head |
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| GB2420002A (en) * | 2004-05-17 | 2006-05-10 | Neomax Co Ltd | Substrate for thin film magnetic head and method for manufacturing same |
| GB2420002B (en) * | 2004-05-17 | 2008-12-10 | Neomax Co Ltd | Substrate for thin film magnetic head and method for manufacturing same |
| US8159783B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-04-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrate with intermediate layer for thin-film magnetic head and method of manufacturing the substrate with intermediate layer |
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