JP2002298311A

JP2002298311A - 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002298311A
Application number: JP2001097434A
Authority: JP
Inventors: Kunihide Yomo; 邦英四方; Shoji Kosaka; 祥二高坂; Masaaki Obata; 正明小畑; Hidehiro Nanjiyou; 英博南上; Hidemi Matsumoto; 秀美松本; Kazumi Kubo; 和美久保; Usou Ou; 雨叢王
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】表面平滑性が優れ、浮上量のより小さい場合に
も対応できる薄膜磁気ヘッド用基板を提供する。【解決手段】β型炭化珪素結晶を主体とする炭化珪素部
材の表面に、表面粗さＲ _aが３０ｎｍ以下の酸化珪素膜
が設けられてなることを特徴とし、特に前記酸化珪素膜
の厚みが０．１〜２μｍであることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録装置で
あるハードディスクドライブ等に用いられる薄膜磁気ヘ
ッド基板及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、磁気記録の高密度化は急速に進んで
おり、ハードディスク、８ｍｍＶＴＲ、電子スチルカメ
ラ、ビデオフロッピー（登録商標）やデジタルオーディ
オ等の高保持力媒体の記録再生用磁気ヘッドとして、従
来のフェライト等を使用した磁気ヘッドに代わって、磁
性薄膜を利用した磁気記録高密度化に好適な薄膜磁気ヘ
ッドが使用されている。

【０００３】従来から、薄膜磁気ヘッドは、１０〜５０
ｎｍの表面粗さを持つＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系（以下、単に
ＡｌＴｉＣ言う）基板材料に非晶質アルミナ膜を５〜３
０μｍ程度の絶縁膜を被覆したものが用いられている
（例えば、特開平２−１５４３０８号公報等）。

【０００４】しかし、最近になり、さらなる記録密度の
高密度化に伴うヘッドサイズの微細化により、発熱量が
増大し、ヘッドスライダの浮上量がｎｍオーダーと小さ
くなったため、摺動時のメディアとの接触により磁気ヘ
ッド素子部の温度変化を生じやすくなり、磁性媒体の磁
化される体積が小さくなる程磁化方向が不安定になると
いうサーマルアスペリティ現象によるヘッド特性の劣
化、あるいはヘッド部の熱膨張による磁気ディスクとの
接触問題が発生することが予想されており、その結果、
放熱性が要求され、さらなる高熱伝導性薄膜磁気ヘッド
用のスライダが必要と考えられている。

【０００５】ところが、ＡｌＴｉＣでは熱伝導率が２５
Ｗ／ｍＫ程度と小さいため、磁気ヘッドの高密度化へ対
応できないとともに、鏡面加工時に粒子の硬度等の性質
の違いにより脱粒等が生じ易く表面平滑性が悪いため、
小型化に必要な加工精度が得られず、基板自体及び絶縁
膜被覆後の表面平滑性が得られないという問題があっ
た。

【０００６】そこで、ＡｌＴｉＣ製基板上にダイヤモン
ド状炭素（ＤＬＣ）膜を形成し、放熱性と絶縁性を改善
するとともに、ＤＬＣ膜の硬度が高く研磨しにくいた
め、ＤＬＣ膜上にアルミナ膜を形成して平滑面を得るこ
とが、特開平１１−３３９２２９号公報に記載されてい
る。

【０００７】また、従来のＡｌＴｉＣと同等な弾性率、
強度、硬度を有し、高熱伝導率を有するとともに焼結助
剤を添加した焼結体からなる炭化珪素材料を用いること
が特開昭６３−１２８８８５号公報に提案されている。

【０００８】さらに、特開平６−１９９５１３号公報に
おいて表面を約０．５ｎｍまで研磨した平滑な表面と約
３００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有し、熱放散性に優れたＣ
ＶＤ法により作製した炭化珪素を用いるハードディスク
アセンブリーが記載されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−３３９２２９号公報に記載の方法では、使用中に
スライダの温度が上昇するため、炭化珪素とＤＬＣ膜及
びＤＬＣ膜とアルミナ膜との間の密着性が十分ではな
く、且つＤＬＣ膜も高温での寿命が短いという問題があ
った。そして、アルミナ膜の表面を平滑に研磨すること
が難しく、非常に大きなコストがかかり、実用的でない
という問題があった。

【００１０】また、特開昭６３−１２８８８５号公報の
方法では、アルミナやイットリア等の酸化物あるいはホ
ウ素と炭素を焼結助剤として添加含有するＳｉＣ質焼結
体はこの焼結体の粒界相に助剤や反応で生成する複合酸
化物が形成されるために、粒界相とＳｉＣ粒子との硬
度、イオンミリングレートの違いにより加工後の表面が
荒れたり、ＳｉＣ質焼結体との硬度や化学的特性の違い
により加工後にボイドが多数発生してしまい表面平滑性
が得られないという問題があった。

【００１１】さらに、特開平６−１９９５１３号公報
は、表面を約０．５ｎｍまで研磨した平滑な表面を有
し、スライダとしての摺動特性には優れるものの、電気
絶縁性が低いため、表面に電気配線や素子を形成するこ
とができないという問題があった。

【００１２】そして、ＡｌＴｉＣで行われていたよう
に、絶縁性を確保するために表面に５μｍ以上のアルミ
ナ膜を形成し、そのアルミナ膜の上に電気回路や素子を
形成する場合、アルミナの熱伝導率が低いためスライダ
の熱放散性が悪くなるという問題があった。

【００１３】従って、本発明は、表面平滑性が優れ、浮
上量のより小さい場合にも対応できる薄膜磁気ヘッド用
基板及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、表面粗さが制
御された炭化珪素部材の表面を酸化することにより、絶
縁性と放熱性及び表面平滑性に優れる薄膜磁気ヘッド用
基板を得ることができるという知見に基づくものであ
り、その結果、密着性に優れ、信頼性が向上する。

【００１５】即ち、β型炭化珪素結晶を主体とする炭化
珪素部材の表面に、表面粗さＲ_aが３０ｎｍ以下の酸化
珪素膜が設けられてなることを特徴とするものであり、
これにより、十分な絶縁性と放熱性、さらに、良好な平
滑性と摺動性、さらに酸化珪素膜の高い密着性も有する
ことが出来る。

【００１６】特に、前記酸化珪素膜の厚みが０．１〜２
μｍであることが好ましく、これにより、十分な電気絶
縁性と良好な放熱性とを合せ持つことが出来る。

【００１７】また、前記酸化珪素膜上に第１電極を形成
し、前記炭化珪素部材の底面に第２電極を形成したと
き、第１電極と第２電極との間の体積固有抵抗が１０¹²
Ωｃｍ以上であることが好ましい。これにより、さらに
絶縁性を向上でき、電気回路や素子を基板表面に形成す
ることが可能となり、誤動作も防止することができる。

【００１８】さらに、前記炭化珪素部材の体積固有抵抗
値が１×１０²〜１×１０⁸Ωｃｍであることが好まし
く、これにより、イオン照射による加工時や使用時にチ
ャージアップを防止することができる。

【００１９】さらにまた、前記炭化珪素部材の熱伝導率
が８０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。これによ
り、素子で発生する熱が容易に除去されるため、素子の
誤動作等を防止することが出来る。

【００２０】また、基体表面を、表面粗さＲ_aが１ｎｍ
以下になるように研磨した後に、該基体表面を酸化し、
厚さ０．１〜２μｍの酸化層を形成することを特徴とす
るものであり、これにより、表面粗さＲ_aが３０ｎｍ以
下の酸化珪素膜を表面に有する炭化珪素部材を作製する
ことができる。即ち、炭化珪素基板の表面が平滑である
ため、形成された酸化珪素膜の表面粗さも小さく平滑性
と摺動性に優れた磁気ヘッド用基板を得ることが出来
る、且つ表面酸化のため、密着性の高い酸化層を形成で
きる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板
は、β型炭化珪素結晶を主体とした炭化珪素部材を用い
ることが重要である。即ち、β型炭化珪素結晶は、立方
晶構造（３Ｃ型）を持ち、体積固有抵抗値を容易に制御
できるため、これを自立体として薄膜磁気ヘッド用基板
に用いることにより、イオンエッチング等による溝加工
において、安定した加工性と精度向上が図れる。

【００２２】また、本発明によれば、炭化珪素部材の表
面に酸化珪素膜が絶縁膜として設けられていることが重
要である。この酸化珪素膜により、炭化珪素部材の絶縁
性を確保し、電気回路や素子を形成することが可能とな
る。

【００２３】そして、この酸化珪素膜の表面粗さが３０
ｎｍ以下であることが重要であり、特に２０ｎｍ以下、
さらには１０ｎｍ以下が好ましい。このように表面粗さ
を３０ｎｍ以下にすることで、表面に形成される素子の
特性にばらつきが生じにくくなり、且つ導体配線の膜厚
を小さくしても断線がしにくく、信頼性の高い電気回路
を形成することができる。

【００２４】また、酸化珪素膜の厚みは、０．１〜２μ
ｍ、特に０．３〜１．５、さらには０．５〜１μｍであ
ることが好ましい。

【００２５】従来のＡｌＴｉＣでは、表面粗さＲ_aがが
１〜２ｎｍであったため、３μｍ以下の薄い膜では電気
絶縁性が十分ではなく、また、成膜後に表面平滑性を得
るために鏡面研磨加工を必要としていた。

【００２６】しかし、本発明によれば、表面粗さＲ_a１
ｎｍ以下の炭化珪素部材の表面を酸化し、酸化珪素膜を
形成するため、２μｍ以下の厚みでも高い電気絶縁性が
得られ、また、酸化珪素膜が薄いため、アルミナ膜によ
る熱伝導率の低下を防ぐことができる。

【００２７】さらに、本発明によれば、酸化珪素膜を含
めた炭化珪素部材が絶縁性を有していることが好まし
い。即ち、炭化珪素部材と、該炭化珪素部材の上面に設
けられた酸化珪素膜と、該酸化珪素膜の上に設けられた
第１電極と、前記炭化珪素部材の底面に設けられた第２
電極とを具備した部材を作製する。この部材は、第１電
極及び第２電極とによって酸化珪素膜を有する炭化珪素
部材を挟持する構造を有している。そして、２０℃の温
度において、ＪＩＳ−Ｃ２１４１−１９９２に準拠して
三端子法に基づいて体積固有抵抗を測定し、１０¹²Ωｃ
ｍ以上、特に１０ ¹³Ωｃｍ以上、さらには１０¹⁴Ωｃｍ
以上であることが好ましい。

【００２８】このように、第１電極と第２電極間の体積
固有抵抗が１０¹²Ωｃｍ以上である場合、絶縁性が十分
確保されており、磁気ヘッドからの漏電等による誤動作
が発生しないという効果がある。

【００２９】さらに、炭化珪素自体の体積固有抵抗値
は、イオン照射による加工を効率よく行うため、１×１
０²〜１×１０⁸Ωｃｍ、特に１×１０³〜１×１０⁷Ωｃ
ｍ、更には１×１０⁴〜１×１０⁶Ωｃｍであることが好
ましい。

【００３０】さらに、本発明によれば、磁気ヘッド用基
板を構成する炭化珪素部材の熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ以
上、特に１２０Ｗ／ｍＫ以上、さらには１５０Ｗ／ｍＫ
以上、より好適には１８０Ｗ／ｍＫ以上であることが、
熱放散性が向上し、加工中及び浮上走行中における基板
の温度上昇を抑制する点で好ましい。

【００３１】以上のように構成された本発明の薄膜磁気
ヘッド用基板は、表面平滑性及び放熱性に優れるという
特徴を有し、磁気ヘッドの小型化あるいは高密度化に好
適に使用することができる。

【００３２】次に、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の製
造方法を、一例として、高弾性率、高強度、高硬度、高
熱伝導率で、磁気スライダヘッドとしての要求特性に適
する炭化珪素部材をＣＶＤ法で合成する場合について説
明する。ＣＶＤ法により形成した炭化珪素部材はほぼ単
一相で、高純度、緻密で気孔が殆ど無く、表面を精密に
研磨でき、イオンミリングあるいは反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）による加工の際に表面が滑らかになり、
表面平滑性に優れた磁気ヘッド用基板が得られる。

【００３３】先ず、成膜用基板として円板形状の炭素基
板を準備する。この炭素基板は除去が容易なため好適で
あるが、炭素基板としてはＭｏ、Ｗ等の金属や金属化合
物等を用いてもかまわない。

【００３４】次に、この炭素基板をＣＶＤ装置の反応炉
内に設置する。ＣＶＤ装置は、ＣＶＤ反応により炭化珪
素を成膜できれば、熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装
置、レーザーＣＶＤ装置等の所望の気相法による装置を
用いることができるが、基板を除去して１ｍｍ以上の自
立体を作製するため、特に熱ＣＶＤに代表される高速成
膜の可能なＣＶＤ方式であることが好ましい。例えば、
原料の効率を考慮し、低コスト化のためコールドウォー
ル型ＣＶＤ装置が好ましい。

【００３５】反応ガスとして、珪素含有ガス、炭素含有
ガス及びキャリアーガスを準備する。珪素含有ガスとし
ては、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＨ₄、ＳｉＨＣｌ₃等を用いれば
よい。炭素含有ガスとしては、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ
₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈等を用いればよい。キャリアーガ
スとしては、水素、窒素、アルゴン、ヘリウム等を用い
ればよい。また、珪素含有ガスが炭素をも含有していて
もよく、例えば、ＣＨ₃ＳｉＣｌ₃、（ＣＨ₃）₂ＳｉＣｌ
₃、（ＣＨ₃）₄Ｓｉ等をキャリアーガスと共に用いても
良い。キャリアーガスには、アルゴン（Ａｒ）やヘリウ
ム（Ｈｅ）等の不活性ガス及び水素等を用いることがで
きる。

【００３６】以下は、炭素及び珪素の含有ガスとしてメ
チルトリクロルシラン（ＣＨ₃ＳｉＣｌ₃：以下、ＭＴＳ
と言う）を、キャリアーガスとして水素（Ｈ₂）を使用
した場合について説明する。

【００３７】ＣＶＤは、装置内を真空ポンプにより１Ｐ
ａ以下に排気した後、Ｈ₂を流しながらＣＶＤ温度まで
昇温する。ＣＶＤ温度は配向性を制御するため、１１０
０℃〜１８００℃、特に１１５０〜１７００℃、さらに
１２００〜１６００℃、より好適には１２５０〜１４０
０℃が好ましい。次に、反応炉をＣＶＤ温度に保ち、Ｍ
ＴＳを炉内に導入し、炉内圧力を０．１〜１００ｋＰ
ａ、特に１〜４０ｋＰａ、さらには２〜１０ｋＰａが高
速成膜の点で好ましい。この条件において、ＣＶＤ反応
が進み、炭素基板上に炭化珪素を析出させる。なお、得
られた試料を、残量応力を低下させるため、所望により
加熱処理をすることができる。

【００３８】また、上記のように炭化珪素を炭素基体上
に形成した後、炭素基板を除去し、炭素基板との界面か
ら少なくとも０．１ｍｍ以上の領域に存在する炭化珪素
を機械加工又は酸化処理により除去し、前記炭化珪素部
材を作製する。このように界面付近の炭化珪素結晶体を
除去することにより、成膜初期に形成された、いわば定
常状態以前の組織を除去することにより、さらに内部応
力を低減できる。

【００３９】得られた炭化珪素部材の体積固有抵抗値を
１×１０²〜１×１０⁸Ωｃｍ、熱伝導率が８０Ｗ／ｍＫ
以上とするためには、ＣＶＤ条件、特に原料濃度やＣＶ
Ｄ温度を制御することが重要である。

【００４０】例えば、水素に対するＭＴＳの濃度を高く
することによって、体積固有抵抗を低くでき、逆に濃度
を低くすることにより体積固有抵抗を高くできる。熱伝
導率は、ＣＶＤ温度が高く、或いは成膜速度が遅い程高
くなる傾向がある。カーボン量は、水素に対するＭＴＳ
の濃度を高くすることにより多くすることができる。

【００４１】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板は、装置型
式、基板大きさにもよるが、ＭＴＳ流量０．５〜１０ｌ
／ｍｉｎ、ＭＴＳ／Ｈ₂流量比０．１〜１、圧力２〜１
０ｋＰａ、ＣＶＤ温度１２００〜１６００℃の範囲で条
件を制御して作製することができる。

【００４２】なお、本発明に用いる装置は特に限定する
ものではないが、高速で成膜するためには、高周波誘導
加熱方式を採用し、高周波を吸収しにくい治具や基体支
持体を用い、基体及びその近傍のみを高温に維持して原
料を供給する型が好ましい。

【００４３】次に、炭化珪素部材の少なくとも一主面を
公知の研磨方法を用いて平滑面に仕上げた後、該平滑面
に酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜は、公知の手
法であるＣＶＤ法等の成膜方法や表面酸化によって形成
することができるが、特に熱酸化、プラズマ酸化等の酸
化法により酸化層を形成することにより、密着性及び表
面平滑性の高い酸化珪素膜を形成することが好ましい。

【００４４】例えば、電気炉において大気中で６００〜
１３００℃の温度にて熱酸化を行うことができる。温度
にもよるが１〜２０時間の処理により酸化層の厚みを
０．１〜２μｍに制御することができる。また、例えば
酸素プラズマ中に炭化珪素部材の表面を曝し、表面を酸
化することができる。さらに、例えば炭化珪素部材を８
００〜１３００℃にて水蒸気を含有するガス雰囲気（窒
素、水素、不活性ガス等）において水蒸気を熱分解し、
生成した酸素により炭化珪素部材表面を酸化するウェッ
ト酸化により、厚さが約０．１〜２μｍの酸化層を形成
することができる。

【００４５】本発明によれば、上記の酸化珪素膜（又は
酸化層）を形成する炭化珪素部材の表面は１ｎｍ以下の
表面粗さＲ_aであることが重要である。これにより、形
成された酸化珪素膜の表面粗さＲ_aを３０ｎｍ以下にす
ることができる。酸化珪素膜の表面粗さＲａをより小さ
くするため、炭化珪素部材の表面粗さＲ_aは、特に０．
８ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ま
しい。

【００４６】

【実施例】先ず、成膜用基板として、純度９９．９９
％、直径７５ｍｍの炭素円板を準備し、この炭素円板を
反応炉の中に設置した。ＣＶＤ装置は、周波数３ｋＨｚ
の高周波誘導加熱により基体を加熱するもので、石英ガ
ラス管の中に断熱材円筒を設置し、その中に黒鉛基体を
配置、水素を流して昇温し、所定の温度に達した後、反
応ガスを流して成膜を行った。

【００４７】反応ガスとして、ＭＴＳ（メチルトリクロ
ルシラン）、ＳｉＣｌ₄（四塩化珪素）、ＣＨ₄及びＨ₂
を使用し、表１に示した条件で炭素円板上に約３ｍｍの
膜厚の炭化珪素を成膜した。得られた試料から炭素円板
を機械加工により除去した。

【００４８】なお、試料Ｎｏ．１５は、純度９９．９
％、平均粒子径０．７μｍの炭化珪素粉末に、炭化硼素
０．３重量％と、炭素０．２重量％になるようにフェノ
ールを加えてホットプレス法にて２０５０℃、２０ＭＰ
ａの圧力で焼成した。

【００４９】次に、炭化珪素膜の基体を機械加工により
除去して、円周加工及び面加工を施し、径７５ｍｍ、厚
さ２ｍｍの基板を作製した。該基板の面加工はダイヤモ
ンド砥石により研磨する。さらに、微粒のダイヤモンド
砥粒を用いて研磨し、平面ラップ盤で超平滑面となるま
で研磨する。超平滑面に仕上げられた加工面に対し、表
面粗さ（Ｒ_a）を、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測
定した。

【００５０】次いで、体積固有抵抗を、ＪＩＳ―Ｃ２１
４１−１９９２に基づいて、三端子法により体積固有抵
抗値を測定した。また、直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍの試
料を作製し、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を測
定した。

【００５１】これらを測定した後、炭化珪素部材を電気
炉に入れ、表１の温度で１時間加熱し、表面に酸化層
（酸化珪素膜）を形成した。

【００５２】得られた酸化珪素膜表面の表面粗さＲ
_aを、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。

【００５３】また、酸化珪素膜表面からレーザーフラッ
シュ法により熱伝導率を測定し、成膜後の熱伝導率に対
する百分率で表した。

【００５４】スパッタ法によりＡｌ電極を、酸化珪素膜
表面に第１電極として、炭化珪素部材の底面に第２電極
として形成し、これらの電極を用いて酸化珪素膜を含む
炭化珪素部材の体積固有抵抗を、ＪＩＳ―Ｃ２１４１−
１９９２に基づいて、三端子法により体積固有抵抗値を
測定した。結果を表１に示した。

【００５５】さらに、リソグラフィー技術を用いて酸化
珪素膜表面に１０μｍ幅、長さ２０ｍｍ、厚み０．１μ
ｍの導電回路を５０本形成し、回路両端の電気抵抗値を
測定し、断線が原因となる不良率を百分率で算出した。

【００５６】

【表１】

【００５７】本発明の試料Ｎｏ．１〜１３は、酸化珪素
膜の膜厚が２．０μｍ以下、体積固有抵抗が１０¹²Ωｃ
ｍ以上、酸化珪素膜表面のＲ_aが８．７ｎｍ以下であ
り、不良率は０であった。

【００５８】一方、酸化珪素膜の膜厚が５μｍと大き
く、酸化珪素膜表面のＲ_aが４０ｎｍと大きく本発明の
範囲外の試料Ｎｏ．１４は、不良率が３０％と多かっ
た。

【００５９】また、焼成によって作製し、酸化珪素膜表
面のＲ_aが６０ｎｍと大きく本発明の範囲外の試料Ｎ
ｏ．１５は、不良率が１００％であった。

【００６０】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板は、絶縁
性に優れるため表面に信頼性の高い素子や導電回路を形
成することが可能であり、且つ放熱性が高く表面が平滑
なため、浮上量の小さい記録磁気装置に用いても長期信
頼性が高い優れた薄膜磁気ヘッド用基板として用いるこ
とができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者南上英博鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内 (72)発明者松本秀美鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内 (72)発明者久保和美鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内 (72)発明者王雨叢鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5D033 BA52 DA02 5D093 HA05 HA14 JB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】β型炭化珪素結晶を主体とする炭化珪素部
材の表面に、表面粗さＲ_aが３０ｎｍ以下の酸化珪素膜
が設けられてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基
板。
【請求項２】前記酸化珪素膜の厚みが０．１〜２μｍで
あることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用
基板。
【請求項３】前記酸化珪素膜上に第１電極を形成し、前
記炭化珪素部材の底面に第２電極を形成したとき、第１
電極と第２電極との間の体積固有抵抗が１０¹²Ωｃｍ以
上であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁
気ヘッド用基板。
【請求項４】前記炭化珪素部材の体積固有抵抗値が１×
１０²〜１×１０⁸Ωｃｍであることを特徴とする請求項
１乃至３のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用基
板。
【請求項５】前記炭化珪素部材の熱伝導率が８０Ｗ／ｍ
Ｋ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のうちい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項６】基体表面を、表面粗さＲ_aが１ｎｍ以下に
なるように研磨した後に、該基体表面を酸化し、厚さ
０．１〜２μｍの酸化層を形成することを特徴とする薄
膜磁気ヘッド用基板の製造方法。