JP4237899B2 - 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はコンピューターの記録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ等に用いられる薄膜磁気ヘッドならびにそれに用いる薄膜磁気ヘッド用基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、薄膜磁気ヘッド用基板には、アルミナ(Al2O3)およびチタンカーバイド(TiC)の複合材からなるセラミック基板上にアモルファスアルミナからなる絶縁膜をスパッタリング法にて成膜し、その面を片面ポリッシュ機にて鏡面加工したものが用いられている。この絶縁膜は導電材であるセラミック基板との絶縁性および成膜面の平滑性を得るために形成しており、絶縁膜の面粗さについては、その上に素子を形成するために特に重要である。成膜面は、より平滑な面になるようにCMP(CHEMICAL MECHANICAL POLISHING)で加工しており、近年はこの要求度が高まってきている。
【0003】
また、ハードディスクドライブの記録密度を向上させるためには、薄膜磁気ヘッドの素子に磁気抵抗効果を用いたMR(MAGNETO RESISTIVE)あるいはGMR(GIANT MR)が用いられており、このようなMR素子やGMR素子の場合、読み取り感度を向上させるためにセンス電流を上げる必要がある。
【0004】
また、上記ハードディスクドライブ用MRヘッドやGMRヘッドは、図4に示すように、Al2O3−TiCの複合材からなるスライダー3にアモルファスアルミナ膜を介してMR素子4を備えたものであるが、ヘッド浮上量10が1マイクロインチ程度と小さく、ニアコンタクトな状態になってきている。そのため薄膜磁気ヘッド2とメディア5が接触摺動しやすく、この時の摩擦熱により薄膜磁気ヘッド2のMR素子4の温度が上昇し、その結果読み取り感度が低減する、いわゆるサーマルアスペリティ現象が非常に大きな問題点となってきている。
【0005】
このような問題点を解決するために、MR素子4の周りの放熱性を上げる必要があり、そのためにMR素子4の下地膜をAlN等の高熱伝導材で形成するという技術が提案されている。しかしながら、上記高熱伝導絶縁材料により膜形成すると、膜応力が非常に高くなり、そのために膜厚を2μm以上にすると基板が変形し、剥離が生じる。一方、2μm未満の膜厚にすると、電気的な耐圧が不十分となり、しかも成膜面をポリッシュ加工して平滑性を得るのに十分な研磨代が得られない。
【0006】
また、上記アモルファスアルミナ膜の厚みを薄くし、MR素子4を熱伝導の高いスライダー3(Al2O3−TiC基板)に近づけることによって放熱性を上げたり、あるいは薄膜磁気ヘッド2とアモルファスアルミナ膜との硬度差によるリセス11を利用し、MR素子4がメディア5と衝突することを防止する等の対策も行われているが、アモルファスアルミナ膜の厚みが3μm以下になると、耐電圧の点で不十分であった。
【0007】
そこで、アモルファスアルミナ膜の厚みを薄くして第1層とし、さらにこの膜上にECRスパッタリング法によりアモルファスアルミナ膜を形成して第2層として膜厚を確保し、膜密着強度、電気的耐圧に優れた薄膜磁気ヘッドが得られることを本出願人は提案している(特願平10−85193号参照)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第1層を通常のスパッタリング法で、第2層をECRスパッタリング法でそれぞれ成膜した場合、第2層の膜厚を大きくできないことから、成膜面の面粗さや平坦度を制御するために十分な研磨代が確保できないという問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため、本発明の薄膜磁気ヘッド基板においては、基板上にECRスパッタリング法による厚みが10〜5500Åの第1のアモルファスアルミナ膜と、通常のスパッタリング法により形成する厚みが0.2〜2.4μmの第2のアモルファスアルミナ膜とを順次積層し、その後、第2のアモルファスアルミナ膜を研磨することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を具体的に説明する。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1(a)に示すように、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板1は、オリエンテーションフラットを有する直径が3〜8インチの円板状、もしくは図1(b)に示すように一辺が3〜6インチの角板状である。この薄膜磁気ヘッド用基板1は、図2に示すように、Al2O3−TiC系セラミックスの基板6上に第1、第2のアモルファスアルミナ膜7、8を形成したものである。
【0012】
上記基板6をなすAl2O3−TiC系セラミックスは、60〜80%のAl2O3と40〜20%のTiCを主成分とする原料を用い、大気あるいは還元雰囲気中1600〜1800℃でホットプレスあるいはHIP処理すると非常に緻密な焼結体となり、加工により表面を滑らかにすることができる。このAl2O3−TiC系セラミックスは導電材であるが、基板6上に第1、第2のアモルファスアルミナ膜7、8を形成することによって絶縁性を持たせる。
【0013】
ここで本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を具体的に説明する。図2に示すように、まずAl2O3−TiC系セラミックス基板6上に、ECRスパッタリング法により第1のアモルファスアルミナ膜7を、次いで通常のスパッタリング法により第2のアモルファスアルミナ膜8を形成する。さらに図3に示すような多磁性膜9を形成し、その上面にリソグラフィ技術を用いて数千個のMR素子を形成する。その上にさらにスパッタリング法によりアモルファスアルミナ膜を形成する。そしてバー状に切り出し、その一面を摺動面として精密鏡面加工し、イオンミリング法あるいは反応性イオンエッチング(RIE)法を用いて高精度に溝加工し、その後切り出すことにより、図4に示すようにスライダー3(Al2O3−TiC系セラミックス基板6)上に第1、第2のアモルファスアルミナ膜7、8を介してMR素子4を備えた薄膜磁気ヘッド2を得る。
【0014】
通常のスパッタリング法により形成した第2のアモルファスアルミナ膜8には、膜内に欠陥が発生することがあるが、ECRスパッタリング法により形成した第1のアモルファスアルミナ膜7は成膜充填率が高いので、貫通した欠陥のない高い耐電圧を有する絶縁膜が得られる。また、両者は同材質のため双方間の密着性も高い。
【0015】
また、絶縁膜を薄くしたことにより、図4に示すように熱伝導性の高いスライダー3に摩擦熱をより速く伝えることができるので、MR素子4の放熱性が高められる。しかも、この時MR素子4はスライダー3に近づくことになるので、同じリセス11でも、メディア5と接触しにくくなる。
【0016】
さらに、第2のアモルファスアルミナ膜8を通常のスパッタリング法で形成してあるため、確立された技術でその表面をCMP加工等により加工する。その結果、ECRスパッタリング法による成膜面よりも面品位に優れた表面とすることができ、具体的には面粗さRa3Å以下の薄膜磁気ヘッド用基板1を提供できる。
【0017】
ECRスパッタリング法により形成する第1のアモルファスアルミナ膜7の厚みは10〜5500Å、好適には10〜5000Åに、通常のスパッタリング法により形成する第2のアモルファスアルミナ膜8の厚みは0.2〜2.4μm、好適には0.2〜2.0μmにする。これは、通常のスパッタリング法によるアモルファスアルミナ膜の厚みが0.2μm未満の場合にはポリッシュ加工が困難となり、また絶縁特性も得られず、2.4μm以上の場合には放熱性が劣化し、またMR素子4がメディア5に接触しやすくなるからである。ECRスパッタリング法によるアモルファスアルミナ膜の厚みが10Å未満の場合には絶縁特性が得られず、5500Å以上の場合には膜の応力により剥離が発生する。
【0018】
なお、ECRスパッタリング法で形成された第1のアモルファスアルミナ膜7と、通常のスパッタリング法によって形成された第2のアモルファスアルミナ膜8とは、膜形成後の基板の切断面を観察すれば両膜の界面が認識でき、この切断面をCMP加工した場合の加工率から、ECRスパッタリング法により形成されたアモルファスアルミナ膜か従来のスパッタリング法で形成されたアモルファスアルミナ膜かを判別することができる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【0020】
出発原料としてアルミナ(純度が99.9%、原料粉末の平均粒径:0.4μm)とチタンカーバイド(純度が99.5%、原料粉末の平均粒径:0.3μm)を使用し、アルミナが70重量%、チタンカーバイドが30重量%の比率となるように秤量し、さらにチタンカーバイドに対し約10重量%の酸化チタンを添加し、アルミナボールにて混合粉砕後、この混合粉末を成形し、1600℃、250kg/cm2の圧力で1時間ホットプレス焼成した。
【0021】
このようにして得た焼結体をダイヤモンドホイールにより所定の円板形状に研削加工した後、ダイヤモンド砥粒を用いてラッピング加工した。さらに、平均粒径が0.5μmのダイヤモンドパウダーを用いて、基板表面と研磨盤あるいは研磨布を相対的に摺動させて精密研磨し、これによって基板の表面粗度Raを18Åとした。本実施例では上記研磨盤として錫定盤を用いた。
【0022】
その後種々の条件で基板にアモルファスアルミナ膜を成膜した。試料No.1〜6については、純度が99.5%のアルミナターゲットを用いて通常のスパッタリング法にてアモルファスアルミナ膜を成膜し、その後、球状アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて鏡面加工した後、さらに球状セリア微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて最終精密加工し、膜厚が0.3〜4μm、膜面表面粗度(Ra)を3Åとした。試料No.5〜6には、その後さらに通常のスパッタリング法にて第2のアモルファスアルミナ膜を形成し、同様の精密加工を施した。
【0023】
また試料No.7〜12については、ECRスパッタリング法を用いて第1のアモルファスアルミナ膜を形成した後、通常のスパッタリング法にて第2のアモルファスアルミナ膜を形成し、球状アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて鏡面加工した後、さらに球状セリア微粉末を純水中に懸濁させた研磨液にて最終精密加工し、膜厚1〜2μm、膜面表面粗度(Ra)3Åとした。
【0024】
これらの各試料に対し、加熱処理後の膜剥離、表面粗度および抵抗値を評価した。ここで、加熱処理後の膜剥離については、各試料を真空雰囲気内で600℃の温度で加熱し、膜面の状態を微分干渉顕微鏡(50倍)にて確認した。表面粗度はAFMにて測定した。また抵抗値については、Ti/Au電極を膜面に20ヶ所/φ4マイクロインチ形成し、常温で印加電圧10Vで三端子法を用いて膜表面と基板の裏面との間を測定した時の最低抵抗値とした。
【0025】
この結果、表1に示すように、試料1〜4のように通常のスパッタリング法による第1のアモルファスアルミナ膜だけの場合は、4μm以上の膜厚を成膜しないと1011Ω以上の抵抗値が得られず、試料5〜6のように2層膜にすると第2のアモルファスアルミナ膜を通常のスパッタリング法により形成した場合であれば、同じ膜厚でも抵抗値は高くなる傾向にあるが、膜厚3μm以下では抵抗値1011Ω未満となった。また、試料No.12のように第2のアモルファスアルミナ膜を6000Åの厚みで形成した場合は、2層膜間の密度差による応力が高すぎるために、真空中の加熱処理にて膜剥離が生じた。
【0026】
これに対し試料No.7〜11の本発明実施例は、アモルファス膜の厚みを2.5μm以内にしても抵抗値は1011Ω以上となり、優れた耐電圧が得られ、加熱処理後に膜剥離も生じなかった。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】
以上のように本発明においては、基板上にECRスパッタリング法により形成した厚みが10〜5500Åの第1のアモルファスアルミナ膜と通常のスパッタリング法により形成した厚みが0.2〜2.4μmの第2のアモルファスアルミナ膜を順次積層し、その後、第2のアモルファスアルミナ膜を研磨することで、薄膜磁気ヘッド用基板の成膜面の面粗さや平坦度を制御しやすくなる。また、この基板上に磁性膜を形成して切り出した薄膜磁気ヘッドは、MR素子部の放熱性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)(b)は本発明の薄膜磁気ヘッド用基板を示す斜視図である。
【図2】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の要部拡大断面図である。
【図3】本発明の薄膜磁気ヘッドの膜層構造を示す概略図である。
【図4】本発明の薄膜磁気ヘッドの使用状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 薄膜磁気ヘッド用基板
2 薄膜磁気ヘッド
3 スライダー
4 MR素子
5 メディア
6 Al2O3−TiC系セラミックス基板
7 第1のアモルファスアルミナ膜
8 第2のアモルファスアルミナ膜
9 磁性膜
10 ヘッド浮上量
11 リセス
Claims (2)
- 基板上に、ECRスパッタリング法による厚みが10〜5500Åの第1のアモルファスアルミナ膜と、スパッタリング法による厚みが0.2〜2.4μmの第2のアモルファスアルミナ膜とを順次積層し、その後、該第2のアモルファスアルミナ膜を研磨することを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
- 請求項1の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法によって得られた研磨した第2のアモルファスアルミナ膜上に磁性膜を形成して切り出すことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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