JPS5924958A - 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法Info
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- JPS5924958A JPS5924958A JP57131834A JP13183482A JPS5924958A JP S5924958 A JPS5924958 A JP S5924958A JP 57131834 A JP57131834 A JP 57131834A JP 13183482 A JP13183482 A JP 13183482A JP S5924958 A JPS5924958 A JP S5924958A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、／Ｖｚ０３ 、５ＬＯｔ等の絶縁膜表面を
精密平面に加工するｆｉｌｌ摩方法に関する。
精密平面に加工するｆｉｌｌ摩方法に関する。
今日、ボンピユータ−用を始めオーディオ用ＶＴＲ用等
の記録密度の高密度化ならびに耐摩耗特性の改善が、強
く求められており、この為１．Ｃ。
の記録密度の高密度化ならびに耐摩耗特性の改善が、強
く求められており、この為１．Ｃ。
テクノロジーを用いて製造する薄膜磁気ヘッドが最適ど
考えられている。
考えられている。
この薄膜…気ヘッド塁板材料どしてＭｎ −Ｚｎｎフシ
イ・１〜、ＮＬ−Ｚｎフｌライトしンダスト等の軟質磁
性材料、あ７いは、Ｍ２Ｏ５−Ｔｉ Ｃ系材料等ＡｈＯ
ｓ系セラミック材料の様な耐摩糺性、精密加工性等に１
ぐれた非磁性月利が基板としく用いられる。
イ・１〜、ＮＬ−Ｚｎフｌライトしンダスト等の軟質磁
性材料、あ７いは、Ｍ２Ｏ５−Ｔｉ Ｃ系材料等ＡｈＯ
ｓ系セラミック材料の様な耐摩糺性、精密加工性等に１
ぐれた非磁性月利が基板としく用いられる。
この薄膜磁気ヘッド製造工程にＪ３いて、導電性のある
基板はこの単板の上に積層されるパ°−マロイ、センダ
スト等の軟磁性材料、あるいはＣｕ、Ａｕ等のコンダク
タ−との電気的絶縁性を保障ヂる上で、第１図に示覆如
くまず精密研摩された基板（１）表面“め上に、非導電
性で機械的強度と硬度の高いＭ２０ａ ＋ ５Ｌ０２等
の絶縁膜（２）が構成される。この絶縁膜（２）の上に
上記磁性材料膜（３）等が形成される。
基板はこの単板の上に積層されるパ°−マロイ、センダ
スト等の軟磁性材料、あるいはＣｕ、Ａｕ等のコンダク
タ−との電気的絶縁性を保障ヂる上で、第１図に示覆如
くまず精密研摩された基板（１）表面“め上に、非導電
性で機械的強度と硬度の高いＭ２０ａ ＋ ５Ｌ０２等
の絶縁膜（２）が構成される。この絶縁膜（２）の上に
上記磁性材料膜（３）等が形成される。
この絶縁膜の形成方法としては、真空装着法、ＣＶＤ法
（Ｑｂｅｍｉｃａｌ ｖａｐｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）、スパッタリング法等のＨ１１Ｍ形成技術が適
用される。
（Ｑｂｅｍｉｃａｌ ｖａｐｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）、スパッタリング法等のＨ１１Ｍ形成技術が適
用される。
この膜厚は数ρから５０ａｎＰｉ！度ある。この薄膜表
面は基板の精密加工性及びｉ（ｌ膜形成条ｆｌで膜面の
表面粗度は粗くなる。この面に直接、数扉の磁性ｌＩり
を形成すると高周波領域でバルク祠（たどえばスパッタ
リング用ターゲット）の特性と比べ低下り゛る。また絶
縁膜の表面層をダイＡ７モンドのパウダー等の機械研摩
によって、表面粗さの改善が行なねれるが、その表面層
には加工歪が残留し、被着膜の磁気特性は充分改善され
ない。
面は基板の精密加工性及びｉ（ｌ膜形成条ｆｌで膜面の
表面粗度は粗くなる。この面に直接、数扉の磁性ｌＩり
を形成すると高周波領域でバルク祠（たどえばスパッタ
リング用ターゲット）の特性と比べ低下り゛る。また絶
縁膜の表面層をダイＡ７モンドのパウダー等の機械研摩
によって、表面粗さの改善が行なねれるが、その表面層
には加工歪が残留し、被着膜の磁気特性は充分改善され
ない。
この発明は上述の問題点を解決するもので、”’３ ｒ
ＳＬＯ，、等の絶縁薄膜を精密平面に研摩し、被着磁
性膜の磁気特性の劣下を防止し、絶縁材Ｉｌすの表面粗
度２０Å以下の精密平面に加工できる精密研摩方法を提
案りることを目的どしている。
ＳＬＯ，、等の絶縁薄膜を精密平面に研摩し、被着磁
性膜の磁気特性の劣下を防止し、絶縁材Ｉｌすの表面粗
度２０Å以下の精密平面に加工できる精密研摩方法を提
案りることを目的どしている。
プなわら、この発明は、Ｎ２Ｏ３、５ｊ０２等の絶縁Ｒ
ＴＪ膜表面を粒径ｏ、ｉ、以下のｔ’％２０ 、 Ｓｊ
Ｏ＋ＪＶ２０３の単独又は混合微細粉末を純水中に懸濁
させた懸濁液中において、ポリシＶ−を用いて加圧回転
さけて研摩を施すことを特徴とする絶縁７７ｇ膜の精密
ω（摩方法である。
ＴＪ膜表面を粒径ｏ、ｉ、以下のｔ’％２０ 、 Ｓｊ
Ｏ＋ＪＶ２０３の単独又は混合微細粉末を純水中に懸濁
させた懸濁液中において、ポリシＶ−を用いて加圧回転
さけて研摩を施すことを特徴とする絶縁７７ｇ膜の精密
ω（摩方法である。
この発明のｌｄｌ Ｉ！７！方法を説明りる。粒径０．
１μｎ以下の〜Ｏ、５ＬＯＱ、 Ｍ２Ｏ３の単独または
混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁さＵた液を貯め
た容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からなる円盤
型のボリッシλ７−を回転可能に配設して、液加：［月
をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接さ
Ｕ１両者を相対的に回転さＣ゛て研摩を行なう方法であ
る。
１μｎ以下の〜Ｏ、５ＬＯＱ、 Ｍ２Ｏ３の単独または
混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁さＵた液を貯め
た容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からなる円盤
型のボリッシλ７−を回転可能に配設して、液加：［月
をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接さ
Ｕ１両者を相対的に回転さＣ゛て研摩を行なう方法であ
る。
この発明において、ボリツシｔｚ −８及び回転速度、
荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁Ｕ）、液加
］二月等の条ｆｌにより適宜選定′すればよい。
荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁Ｕ）、液加
］二月等の条ｆｌにより適宜選定′すればよい。
また、Ｍｈｏ 、 ５ＬＯ２，／Ｖ２Ｏ３の単独又は混
合微細Ｖ）末の粒径を０．１〃ｍ以下としたのは、０，
１．ｃｌｎを超えるとｒＪｌ厚能ノｊが低下して研摩時
間が長くなるためである。
合微細Ｖ）末の粒径を０．１〃ｍ以下としたのは、０，
１．ｃｌｎを超えるとｒＪｌ厚能ノｊが低下して研摩時
間が長くなるためである。
また純水中に懸濁させる微細粉末のＩｎは０．５ｗｔ％
未）−１で研摩効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微
粉末にＪ、る水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、か
つ粘性が大きくなり、研摩能率が低下り゛るため、０．
５〜２０ｗｔ％とじた。さらに、この懸濁液ｔよ＋ｔｌ
ｌ Ｉγ能能率びｍ食性の点からアルカリ性領域で用い
るのが望ましい。
未）−１で研摩効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微
粉末にＪ、る水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、か
つ粘性が大きくなり、研摩能率が低下り゛るため、０．
５〜２０ｗｔ％とじた。さらに、この懸濁液ｔよ＋ｔｌ
ｌ Ｉγ能能率びｍ食性の点からアルカリ性領域で用い
るのが望ましい。
次にこの発明を実施例に基づいて説明づる。
基板材どしては精密研摩された寸法が５０φ×４［ｍａ
ｎの／Ｖ２Ｏ３ＴＬｃ材を用いて１５摩の絶縁膜を形成
した。この時の膜面粗度は２００人であった。
ｎの／Ｖ２Ｏ３ＴＬｃ材を用いて１５摩の絶縁膜を形成
した。この時の膜面粗度は２００人であった。
この試料の研摩条件はまず、粒径が１００人の１０微粉
末を純水中に５ｗｔ％となる様に懸濁さけてｒｌＩＩ摩
液としたポリシャーには硬質クロスを使用し０．５に９
ｄの荷重’ ４０ｒＤＩｌｌの回転数で先の研摩液中で
ポリッシュした。その結果、表面粗さが２０Å以下で極
めて良好なＭ密平面が得られ、加工能率も良好であった
。（本発明例（Ａ）） 同時にこの試料にダイヤモンドＩＩＩＩＩ！を茄こし、
ｒＩＩＩ摩条件として、粒径２μのダイヤモンド粉末を
使用し、ポリラシャ−としてＳｎ！を使用して、ラップ
仕上のその結果表面粗さは２００屏であった。
末を純水中に５ｗｔ％となる様に懸濁さけてｒｌＩＩ摩
液としたポリシャーには硬質クロスを使用し０．５に９
ｄの荷重’ ４０ｒＤＩｌｌの回転数で先の研摩液中で
ポリッシュした。その結果、表面粗さが２０Å以下で極
めて良好なＭ密平面が得られ、加工能率も良好であった
。（本発明例（Ａ）） 同時にこの試料にダイヤモンドＩＩＩＩＩ！を茄こし、
ｒＩＩＩ摩条件として、粒径２μのダイヤモンド粉末を
使用し、ポリラシャ−としてＳｎ！を使用して、ラップ
仕上のその結果表面粗さは２００屏であった。
（比較例（Ｂ））
本発明の実施例（Ａ）比較例（［３）それに研摩を施さ
ない試料（比較例（Ｃ））の３つを準備し、この絶縁膜
に２．４ｓｌ膜圧のパーマ［１イを形成させ、この被着
膜について周波数と透磁率相対値の関係についての試験
結果を第２図に承り。
ない試料（比較例（Ｃ））の３つを準備し、この絶縁膜
に２．４ｓｌ膜圧のパーマ［１イを形成させ、この被着
膜について周波数と透磁率相対値の関係についての試験
結果を第２図に承り。
第２図より本発明の精密ｒＩＩｌ摩したものは薄膜ヘッ
ドの実用域である高周波領域（５Ｍｌ−１２）で比較例
の（Ｂ）の機械研摩した試料や比較例（Ｃ）のｒｔｌｌ
Ｊｌ？！のない試料に比べ、特性が２倍近く向上づるこ
とがわかった。
ドの実用域である高周波領域（５Ｍｌ−１２）で比較例
の（Ｂ）の機械研摩した試料や比較例（Ｃ）のｒｔｌｌ
Ｊｌ？！のない試料に比べ、特性が２倍近く向上づるこ
とがわかった。
以上の様に、本加工法によって、スパッタ膜表面は２０
Å以下の精密平面に＆ｌ Ｉｆｒ−され、その上の被着
膜の磁気特性が従来の機械研摩に比べ向上ヅることが出
来る。
Å以下の精密平面に＆ｌ Ｉｆｒ−され、その上の被着
膜の磁気特性が従来の機械研摩に比べ向上ヅることが出
来る。
第１図は、基板に薄膜を形成（る工程を示す説明図、ｖ
８２図は実施例における被着膜についての周波数と透磁
率相対値との関係を示ずグラフである。 図中、１・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・磁性材
料膜。 出願人 住友特殊金属株式会ネ１ 第１図 １ ↓ 第２図 周凱軟（ＭＨｚ） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願 第１３１Ｂ ３４号２、発明の名
称 絶縁薄膜の精密ｔｉｌｌ摩方法 ３、補正を覆る者 小イ′１との関係 出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目２２番地スミトモトク
シュキンゾク 名 称 住友特殊金属株式会社 ５、補正の対象 明細書の１発明の名称］、１゛特ｆｌｉｉｉｉ求の範囲
］［発明の詳細な説明」、「図面の簡単な説明Ｊの摺切
細 川 １、発明の名称 絶縁薄膜の精密ｒＩＩＩ摩り法 ２、特許請求の範囲 Ｉ ＭｅＯ２，ＳｉＯｅａ９（７）Ｍ縁１１ＦＪ６ｔ
ｉＩｉヲ、１ｒｔＷＯ９１ｐ以下の １１ｆ）Ｏ、Ｓｔ
ｏ、 Ｎｅｈの単独又は混合機ＩＩＩＴ’ｔ）末を純水
中に懸濁さμた懸濁液中にＪｊいてポリシト−を用いて
加圧Ｕ転さｕ′Ｃ胡摩を施ずことを特徴とする絶縁薄膜
の精密研摩方法。 ３、発明の詳細な説明 この発明は、ＭＩＱ３ 、５ＬＯ１等の絶縁膜表面を精
密平面に加工する研摩方法に関する。 今日、コンピューター用を始め、Ａ−ディＡ用、ＶＴＲ
用等の磁気ヘッドは、記録密度の高密度化ならびに耐摩
耗特性の改善が強く求められてａ３す、この為１．Ｃ，
デクノロジーを用いて製３２ｉ ”Ｊる薄膜磁気ヘッド
が最適と考えられている。 この薄膜磁気ヘッド基板材料どしてＭｎ −Ｚｎフェラ
イト、ＮＬＺｎフェライト、センジス１−等の軟質磁性
材料、あるいは、Ｍ２Ｏ３，ＴＬｃ系材籾などのＡｊｔ
ｏｓ系レラミツレラミック材料摩耗性、精密加工性等に
すぐれた非轡性材ｖ１が基板どして用いられる。 この薄膜磁気ヘッド製造工程において、導電性のある基
板はこの基板の上に積層されるパーマロイ、レンダスト
等の軟磁性材料、あるいはＣａ、Ｍ等のコンダクタ−と
の電気的絶縁性を保障づる上で、１１図に示゛す如く、
まｆ精密研摩された基板（１）表面の上に、非導電性で
機械的強度とＶ！！度の高いＮｅｗｓ ＋ ５ＬＯＩ等
の絶縁膜（２）が構成きれる。この絶縁膜（２）の土に
上記磁性月料股（３）笠が形成される。 この絶縁膜の形成方法どしては、真空蒸着法、ＣＶＤ法
（ＣＩ＋ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ ［）ｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）、スパッタリング法等のＲ１膜形成技
術が適用される。この牧厚は数摩から５０μｎ程度ある
。この叶膜表面は前記基板の精密加工度及び薄膜形成糸
１′１で膜面の表面粗度は粗くなる。かかる表面粗度の
粗い膜面に直接、数ρの磁性膜を形成Ｊ゛ると高周波領
域でバルク材（たとえばスパッタリング用ターゲット）
の磁気特性と比べ低下ｇる１、また絶縁膜の表面層をダ
イＡ７モンドのパウダー等の機械Ｉσｒ＋［ｐによつで
、表面粗さの改善が行なわれるが、その表面層には加工
歪が残留し、被着磁性４Δ石膜の磁気特性は充分改善さ
れない。 この発明は上述の問題点を解決Ｊるｂので′、／Ｖ２Ｏ
３、５ｊＯａ等の絶縁薄膜を精密平面に萌厚し、被着磁
性膜の（イ１気特性の劣下を防止し、絶縁薄膜の表面粗
度２０Å以下の精密平面に加工できる精密ｒｔｌｌ摩方
法を提案することを目的どしている。 すなわら、この発明は、＃２０３ 、５Ｌ０２等の絶縁
薄膜表面を粒径０．ＩＢｎ以下のｊｂＯ、５ｊＯ２，／
Ｖ２Ｏ３の単独又は混合微細わ）末を純水中に懸濁させ
た懸濁液中にａ３いて、ボリンｔ・−を用いて加圧回転
さけてｒｔｌｌ摩を施ずことを特徴どりる絶縁薄膜の精
密研摩方法である。 この発明のｔｉｌ＋摩方法全方法りる。粒径０，１．ｕ
ｎ以下のｒ’１ｇｏ 、 ５ＬＯ２，Ｍ２Ｏ３の単独ま
たは混合微細わ）末を純水中に所定割合で懸濁さμた液
を貯めた容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からな
る円盤型のボリッシ１７−を回転可能に配設して、液加
］−祠をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で
当接させ、両者を相対的に回転さけＣ（υＩ摩を行なう
方法ぐある。 この発明にｄ３い゛Ｃ１ボリッシｔ・−４４及び回転速
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径１” ＄１１ｉ水中の
懸濁Ｍ１被加工祠等の条件にＪ、り適宜選定すればよい
。 また、ＩｉＯ、Ｓシ０２ 、 ／Ｖ ２０３の単独又【
まｆｌｆ１台微細粉末の粒径を０．１μｎ以下どしたの
は、０．１．ｎを超えるど（σＩ摩能〕ｊが低下して研
摩時間が長くなるためである。 また純水中に懸濁さける微細粉末の■は０．５ｗｔ％未
嵩で１０１度効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微粉
末による水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、かつ粘
性が犬ぎくなり、（σ１摩能率が低下するため、０．５
・〜２０ｗｔ％どしｌζ。さらに、この１１１％濁液は
１σ１摩能率及び１１３！食性の点からアル７Ｊり性領
域で用いるのが望にシい。 次にこの発明を実施例に基づい−Ｃ説明り−る。 基板材としては精密研摩された刈払が５０φＸ４ｔｍｌ
ｎのＡｈＯａ ＴＬＣ＋Ａを用いて１５μｍのＩＩ！
！縁膜を形成した。この時の膜面粗度は、半径２．５μ
ＩｎのスタイラスでＪ１１定した場合、２但いであった
。 このｉｉ（１３＋の研摩条件はまず、粒径が約１００Ａ
のＭｇＯ微粉末を純水中に５Ｗｊ％となる様に懸濁さぜ
Ｃｒ１ｌ［全波どした。ボリンｌＩ−には硬ＹＴクロズ
を使用し０．５にツ４の荷重、 ４０ｒｐｍの回１１１
λ数で先の研摩液中でボリッシコした。その結果、表面
粗さが２０Å以下で極めて良好な精密平面がＩｙられ、
加工能率も良好であった。（木発明例（Δ））同時にこ
の試料にダイ１７モンド粉末を施こし、研摩条件どして
、粒径２Ｕｎのダイ１７モンド粉末を使用し、ボリッシ
＋７−としてＳｎｌ’／１１を使用し゛ｃ１ラップ仕上
した結果、表面粗さは２００人で゛あった。 （比較例（Ｂ）） 本発明の実施例（Δ）、比較例（［３）、ぞれにＭ１１
！を施さない試料（比較例（Ｃ））の３つを１ｌｌｊ＆
ｉ＞ Ｌｌ、この絶縁膜に２．４．、膜厚のパーンロイ
を形成させ、この被着膜について周波数と逍磁串相対値
の関係についての試験結果を第２図に示Ｊ−０第２図よ
り本発明の精密研摩したものは、薄膜ヘッドの実用域で
ある高周波領域（５ＭＨｚ）で、比較例の（］３）の機
械ｒｌｌｌ ＋！？’ Ｌ、た試ゎ１や比較例（Ｃ）の
研摩のない試料に比べ、特性が２倍近く向上することが
わかった。 Ｊズ上の様に、水加工法によって、スパッタ膜表面は２
０八以下の精密平面に０１摩され、イの」ニに被着され
る絶縁膜の磁気特性が、従来の機械。１摩にＪζる基板
のものに比べて、大きく向」ニラる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、基板に薄膜を形成づる工程を示′ＴＪ説明図
、第２図は本発明、比較例に用ノる被着膜についての周
波数と）Ｉｌ率相対値どの関係を示゛リグラフである。 図中、１・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・磁性料
ゎＩ Ｉｔｓ！。 出願人 住友特殊金属株式会社
８２図は実施例における被着膜についての周波数と透磁
率相対値との関係を示ずグラフである。 図中、１・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・磁性材
料膜。 出願人 住友特殊金属株式会ネ１ 第１図 １ ↓ 第２図 周凱軟（ＭＨｚ） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願 第１３１Ｂ ３４号２、発明の名
称 絶縁薄膜の精密ｔｉｌｌ摩方法 ３、補正を覆る者 小イ′１との関係 出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目２２番地スミトモトク
シュキンゾク 名 称 住友特殊金属株式会社 ５、補正の対象 明細書の１発明の名称］、１゛特ｆｌｉｉｉｉ求の範囲
］［発明の詳細な説明」、「図面の簡単な説明Ｊの摺切
細 川 １、発明の名称 絶縁薄膜の精密ｒＩＩＩ摩り法 ２、特許請求の範囲 Ｉ ＭｅＯ２，ＳｉＯｅａ９（７）Ｍ縁１１ＦＪ６ｔ
ｉＩｉヲ、１ｒｔＷＯ９１ｐ以下の １１ｆ）Ｏ、Ｓｔ
ｏ、 Ｎｅｈの単独又は混合機ＩＩＩＴ’ｔ）末を純水
中に懸濁さμた懸濁液中にＪｊいてポリシト−を用いて
加圧Ｕ転さｕ′Ｃ胡摩を施ずことを特徴とする絶縁薄膜
の精密研摩方法。 ３、発明の詳細な説明 この発明は、ＭＩＱ３ 、５ＬＯ１等の絶縁膜表面を精
密平面に加工する研摩方法に関する。 今日、コンピューター用を始め、Ａ−ディＡ用、ＶＴＲ
用等の磁気ヘッドは、記録密度の高密度化ならびに耐摩
耗特性の改善が強く求められてａ３す、この為１．Ｃ，
デクノロジーを用いて製３２ｉ ”Ｊる薄膜磁気ヘッド
が最適と考えられている。 この薄膜磁気ヘッド基板材料どしてＭｎ −Ｚｎフェラ
イト、ＮＬＺｎフェライト、センジス１−等の軟質磁性
材料、あるいは、Ｍ２Ｏ３，ＴＬｃ系材籾などのＡｊｔ
ｏｓ系レラミツレラミック材料摩耗性、精密加工性等に
すぐれた非轡性材ｖ１が基板どして用いられる。 この薄膜磁気ヘッド製造工程において、導電性のある基
板はこの基板の上に積層されるパーマロイ、レンダスト
等の軟磁性材料、あるいはＣａ、Ｍ等のコンダクタ−と
の電気的絶縁性を保障づる上で、１１図に示゛す如く、
まｆ精密研摩された基板（１）表面の上に、非導電性で
機械的強度とＶ！！度の高いＮｅｗｓ ＋ ５ＬＯＩ等
の絶縁膜（２）が構成きれる。この絶縁膜（２）の土に
上記磁性月料股（３）笠が形成される。 この絶縁膜の形成方法どしては、真空蒸着法、ＣＶＤ法
（ＣＩ＋ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ ［）ｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）、スパッタリング法等のＲ１膜形成技
術が適用される。この牧厚は数摩から５０μｎ程度ある
。この叶膜表面は前記基板の精密加工度及び薄膜形成糸
１′１で膜面の表面粗度は粗くなる。かかる表面粗度の
粗い膜面に直接、数ρの磁性膜を形成Ｊ゛ると高周波領
域でバルク材（たとえばスパッタリング用ターゲット）
の磁気特性と比べ低下ｇる１、また絶縁膜の表面層をダ
イＡ７モンドのパウダー等の機械Ｉσｒ＋［ｐによつで
、表面粗さの改善が行なわれるが、その表面層には加工
歪が残留し、被着磁性４Δ石膜の磁気特性は充分改善さ
れない。 この発明は上述の問題点を解決Ｊるｂので′、／Ｖ２Ｏ
３、５ｊＯａ等の絶縁薄膜を精密平面に萌厚し、被着磁
性膜の（イ１気特性の劣下を防止し、絶縁薄膜の表面粗
度２０Å以下の精密平面に加工できる精密ｒｔｌｌ摩方
法を提案することを目的どしている。 すなわら、この発明は、＃２０３ 、５Ｌ０２等の絶縁
薄膜表面を粒径０．ＩＢｎ以下のｊｂＯ、５ｊＯ２，／
Ｖ２Ｏ３の単独又は混合微細わ）末を純水中に懸濁させ
た懸濁液中にａ３いて、ボリンｔ・−を用いて加圧回転
さけてｒｔｌｌ摩を施ずことを特徴どりる絶縁薄膜の精
密研摩方法である。 この発明のｔｉｌ＋摩方法全方法りる。粒径０，１．ｕ
ｎ以下のｒ’１ｇｏ 、 ５ＬＯ２，Ｍ２Ｏ３の単独ま
たは混合微細わ）末を純水中に所定割合で懸濁さμた液
を貯めた容器内に、例えば硬質クロス、 Ｓｎ等からな
る円盤型のボリッシ１７−を回転可能に配設して、液加
］−祠をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で
当接させ、両者を相対的に回転さけＣ（υＩ摩を行なう
方法ぐある。 この発明にｄ３い゛Ｃ１ボリッシｔ・−４４及び回転速
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径１” ＄１１ｉ水中の
懸濁Ｍ１被加工祠等の条件にＪ、り適宜選定すればよい
。 また、ＩｉＯ、Ｓシ０２ 、 ／Ｖ ２０３の単独又【
まｆｌｆ１台微細粉末の粒径を０．１μｎ以下どしたの
は、０．１．ｎを超えるど（σＩ摩能〕ｊが低下して研
摩時間が長くなるためである。 また純水中に懸濁さける微細粉末の■は０．５ｗｔ％未
嵩で１０１度効果が少く、２０ｗｔ％を超えると各微粉
末による水和熱の発生、あるいはゲル化し易く、かつ粘
性が犬ぎくなり、（σ１摩能率が低下するため、０．５
・〜２０ｗｔ％どしｌζ。さらに、この１１１％濁液は
１σ１摩能率及び１１３！食性の点からアル７Ｊり性領
域で用いるのが望にシい。 次にこの発明を実施例に基づい−Ｃ説明り−る。 基板材としては精密研摩された刈払が５０φＸ４ｔｍｌ
ｎのＡｈＯａ ＴＬＣ＋Ａを用いて１５μｍのＩＩ！
！縁膜を形成した。この時の膜面粗度は、半径２．５μ
ＩｎのスタイラスでＪ１１定した場合、２但いであった
。 このｉｉ（１３＋の研摩条件はまず、粒径が約１００Ａ
のＭｇＯ微粉末を純水中に５Ｗｊ％となる様に懸濁さぜ
Ｃｒ１ｌ［全波どした。ボリンｌＩ−には硬ＹＴクロズ
を使用し０．５にツ４の荷重、 ４０ｒｐｍの回１１１
λ数で先の研摩液中でボリッシコした。その結果、表面
粗さが２０Å以下で極めて良好な精密平面がＩｙられ、
加工能率も良好であった。（木発明例（Δ））同時にこ
の試料にダイ１７モンド粉末を施こし、研摩条件どして
、粒径２Ｕｎのダイ１７モンド粉末を使用し、ボリッシ
＋７−としてＳｎｌ’／１１を使用し゛ｃ１ラップ仕上
した結果、表面粗さは２００人で゛あった。 （比較例（Ｂ）） 本発明の実施例（Δ）、比較例（［３）、ぞれにＭ１１
！を施さない試料（比較例（Ｃ））の３つを１ｌｌｊ＆
ｉ＞ Ｌｌ、この絶縁膜に２．４．、膜厚のパーンロイ
を形成させ、この被着膜について周波数と逍磁串相対値
の関係についての試験結果を第２図に示Ｊ−０第２図よ
り本発明の精密研摩したものは、薄膜ヘッドの実用域で
ある高周波領域（５ＭＨｚ）で、比較例の（］３）の機
械ｒｌｌｌ ＋！？’ Ｌ、た試ゎ１や比較例（Ｃ）の
研摩のない試料に比べ、特性が２倍近く向上することが
わかった。 Ｊズ上の様に、水加工法によって、スパッタ膜表面は２
０八以下の精密平面に０１摩され、イの」ニに被着され
る絶縁膜の磁気特性が、従来の機械。１摩にＪζる基板
のものに比べて、大きく向」ニラる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、基板に薄膜を形成づる工程を示′ＴＪ説明図
、第２図は本発明、比較例に用ノる被着膜についての周
波数と）Ｉｌ率相対値どの関係を示゛リグラフである。 図中、１・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・磁性料
ゎＩ Ｉｔｓ！。 出願人 住友特殊金属株式会社
Claims (1)
- Ｍ２Ｏ３＋ Ｓｉｎ、等の絶縁薄膜表面を粒径０．１ρ
以下のｔ％ｏ 、 ５Ｌ０２． Ｍｈｏ３の単独又は混
合微細粉末を純水中に懸濁させた懸濁液中においてポリ
シト−を用いて加圧回転させてｒｔｌｌ Ｍを流内こと
を特徴どする絶縁簿膜の精密研摩方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131834A JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
| US06/471,491 US4608293A (en) | 1982-07-27 | 1983-03-02 | Composite substrate for a thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131834A JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
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| JP2681283A Division JPS5921008A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 複合基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPS6319308B2 JPS6319308B2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=15067184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP57131834A Granted JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
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