JPH0474304A - 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0474304A JPH0474304A JP18589190A JP18589190A JPH0474304A JP H0474304 A JPH0474304 A JP H0474304A JP 18589190 A JP18589190 A JP 18589190A JP 18589190 A JP18589190 A JP 18589190A JP H0474304 A JPH0474304 A JP H0474304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- oxide
- main
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
二の発明は、電算機用、テープ用、映像記録用などの垂
直磁気記録再生薄膜ヘッドの改良に係り、成膜積層して
なる1リターンバス用磁性基板を所要寸法に研摩加工時
、記録媒体に対向する摺動面に露出させる主磁極部に発
生する凹部(ボールリセノション)を、前記積層端面に
成膜した酸化物被膜にて凹部を充填した後、精密加工に
て同酸化物を除去して所要位置に主磁極を露出させるこ
とにより減少させて、薄膜ヘッドの記録特性の改善向上
を計った垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法に関す
る。
直磁気記録再生薄膜ヘッドの改良に係り、成膜積層して
なる1リターンバス用磁性基板を所要寸法に研摩加工時
、記録媒体に対向する摺動面に露出させる主磁極部に発
生する凹部(ボールリセノション)を、前記積層端面に
成膜した酸化物被膜にて凹部を充填した後、精密加工に
て同酸化物を除去して所要位置に主磁極を露出させるこ
とにより減少させて、薄膜ヘッドの記録特性の改善向上
を計った垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法に関す
る。
従来の技術
一般に、垂直磁気記録再生薄膜ヘッド(以下、薄膜磁気
ヘッドという)は、磁気回路が微/JNであること、高
透磁率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で
、磁気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジ
ーに基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁
気ヘッドを低コストで製造可能であり、今後、垂直磁気
ヘッドの主流となるものと考えられる。
ヘッドという)は、磁気回路が微/JNであること、高
透磁率、高飽和磁束密度の磁性薄膜を用いるという点で
、磁気記録の高密度化に適しており、半導体テクノロジ
ーに基づく製造プロセスで製造されるため、高精度の磁
気ヘッドを低コストで製造可能であり、今後、垂直磁気
ヘッドの主流となるものと考えられる。
く2〉
垂直磁気記録再生薄膜ヘッドは従来、磁性基板上に多数
個の薄膜ヘッドパターンを一度に成膜形成した後、この
磁性基板を分割形成して個々のへラドチップに加工すべ
く、下記工程にて製造されている。
個の薄膜ヘッドパターンを一度に成膜形成した後、この
磁性基板を分割形成して個々のへラドチップに加工すべ
く、下記工程にて製造されている。
すなわち、この発明による垂直磁気記録再生薄膜ヘッド
の製造工程を示す第1図に基づいて説明すると、 く1〉 Ni−Zn系またはMn−Zn系フェライトの磁性基板
(1)の−主面に、所定間隔で複数の主溝部(2)を所
要パターンにて配設し、各溝部(2)にガラス、5i0
2、Al2O3、チタン酸バリウム等の非磁性材(3)
を溶着法、スパッタリング法等にて充填し、その後、磁
性基板(1)の前記溝部(2)を設けた主面に、メカノ
ケミカル研摩を施す。(第1図g)磁性基板(1)の前
記研摩面に、Au、 Cu、Cr、 AI等からなる薄
膜導体コイル(4)をスパッタリング法、真空蒸着法に
て形成する。(第1図b) なお、前記磁性基板がMn−Zn系フェライトの場合、
薄膜導体コイル形成前に絶縁層を設ける。
の製造工程を示す第1図に基づいて説明すると、 く1〉 Ni−Zn系またはMn−Zn系フェライトの磁性基板
(1)の−主面に、所定間隔で複数の主溝部(2)を所
要パターンにて配設し、各溝部(2)にガラス、5i0
2、Al2O3、チタン酸バリウム等の非磁性材(3)
を溶着法、スパッタリング法等にて充填し、その後、磁
性基板(1)の前記溝部(2)を設けた主面に、メカノ
ケミカル研摩を施す。(第1図g)磁性基板(1)の前
記研摩面に、Au、 Cu、Cr、 AI等からなる薄
膜導体コイル(4)をスパッタリング法、真空蒸着法に
て形成する。(第1図b) なお、前記磁性基板がMn−Zn系フェライトの場合、
薄膜導体コイル形成前に絶縁層を設ける。
く3〉 この薄膜導体コイル(4)層と後に被着する厚
膜主磁極膜(7)との電気的絶縁のために、5i02、
Al2O3等の無機酸化膜あるいはポリイミド等の有機
膜からなる層間絶縁被膜(5)を形成する。(第1図C
) く4〉 前記薄膜導体コイル(4)による層間絶縁被膜
(5)の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の
精密研摩あるいはエッチ バック法を施して、500Å以下に平坦化する。(第1
図d) く5〉 後工程にて被着する厚膜主磁極膜(7)と磁性
基板(1)を接続するための1リターンバス部(6)を
、前記層間絶縁被膜(5)に、イオンエツチング、ケミ
カルエツチング等の方法にて形成する。(第1図e) く6〉 層間絶縁被膜(5)面及び1リターンバス部(
6)の磁性基板(1)面上に、パーマロイ、センく7〉 く8〉 く9〉 <10〉 ダスト等のFe系合金あるいはアモルファス等からなる
厚膜主磁極膜(7)をスパッタリング法、蒸着法、めっ
き法等にて被着形成し、パターン化する。(第1図O その後、前記厚膜主磁極膜(7)上に主磁極膜(8)を
スパッタリング法、蒸着法、めっき法等にて被着形成し
、パターン化す る。(第1図g) ヘッド保護膜(9)を積層被着する。(第1図h) その後、所要寸法、形状に切断加工する際に、酸化物か
らなる保護膜(9)が剥離するのを防止のため、保護膜
(9)部分にのみ、例えば#2000のダイヤモンドブ
レードにて予備溝部(10)を形成する。(第1図i)
前記予備溝部(10)幅より小さい、例えば#200の
粒径のダイヤモンドブレードにて、成膜積層した磁性基
板(1)を切断する。(第1図jン <11〉磁性基板(1)上に成膜積層した主磁極膜(8
)を厚膜主磁極膜(′7)先端部より、摺動面側に10
μmの位置までダイヤモンド研摩を施す。(第1図k) [12] 前記磁性基板(1)を成膜積層したパター
ン部より800pm厚み位置まで切断除去する。(第1
図n) [13] 前記磁性基板(1)の磁気記録媒体に対
向する摺動面側を、300¥xmx30011m寸法大
きさに加工する。(第1図0) さらに摺動ノイズを小さくするため、角度付きダイヤモ
ンドブレードにて、摺動面側を100μm×50μm寸
法に形状加工する。(第1図p) [14] 次いで所要寸法、形状のヘントチツブ片
に切断加工する。(第1図g) 発明が解決しようとする課題 前記工程中、工程<11〉においては、Al2O3など
の酸化物からなる保護膜(9)の硬度がHv800、C
o−Zr系からなる主磁極膜(8)の硬度がHv450
. Ni−Zr系フェライトからなる磁性基板(1)の
硬度がHv750と異なり、かかる硬度差のため、硬度
の低い主磁極膜(8)は記録媒体の対向摺動面より、2
00人〜300人の凹部(ボールリセツション)が形成
されてしまう。
膜主磁極膜(7)との電気的絶縁のために、5i02、
Al2O3等の無機酸化膜あるいはポリイミド等の有機
膜からなる層間絶縁被膜(5)を形成する。(第1図C
) く4〉 前記薄膜導体コイル(4)による層間絶縁被膜
(5)の凹凸面を除去するため、ダイヤモンド研摩等の
精密研摩あるいはエッチ バック法を施して、500Å以下に平坦化する。(第1
図d) く5〉 後工程にて被着する厚膜主磁極膜(7)と磁性
基板(1)を接続するための1リターンバス部(6)を
、前記層間絶縁被膜(5)に、イオンエツチング、ケミ
カルエツチング等の方法にて形成する。(第1図e) く6〉 層間絶縁被膜(5)面及び1リターンバス部(
6)の磁性基板(1)面上に、パーマロイ、センく7〉 く8〉 く9〉 <10〉 ダスト等のFe系合金あるいはアモルファス等からなる
厚膜主磁極膜(7)をスパッタリング法、蒸着法、めっ
き法等にて被着形成し、パターン化する。(第1図O その後、前記厚膜主磁極膜(7)上に主磁極膜(8)を
スパッタリング法、蒸着法、めっき法等にて被着形成し
、パターン化す る。(第1図g) ヘッド保護膜(9)を積層被着する。(第1図h) その後、所要寸法、形状に切断加工する際に、酸化物か
らなる保護膜(9)が剥離するのを防止のため、保護膜
(9)部分にのみ、例えば#2000のダイヤモンドブ
レードにて予備溝部(10)を形成する。(第1図i)
前記予備溝部(10)幅より小さい、例えば#200の
粒径のダイヤモンドブレードにて、成膜積層した磁性基
板(1)を切断する。(第1図jン <11〉磁性基板(1)上に成膜積層した主磁極膜(8
)を厚膜主磁極膜(′7)先端部より、摺動面側に10
μmの位置までダイヤモンド研摩を施す。(第1図k) [12] 前記磁性基板(1)を成膜積層したパター
ン部より800pm厚み位置まで切断除去する。(第1
図n) [13] 前記磁性基板(1)の磁気記録媒体に対
向する摺動面側を、300¥xmx30011m寸法大
きさに加工する。(第1図0) さらに摺動ノイズを小さくするため、角度付きダイヤモ
ンドブレードにて、摺動面側を100μm×50μm寸
法に形状加工する。(第1図p) [14] 次いで所要寸法、形状のヘントチツブ片
に切断加工する。(第1図g) 発明が解決しようとする課題 前記工程中、工程<11〉においては、Al2O3など
の酸化物からなる保護膜(9)の硬度がHv800、C
o−Zr系からなる主磁極膜(8)の硬度がHv450
. Ni−Zr系フェライトからなる磁性基板(1)の
硬度がHv750と異なり、かかる硬度差のため、硬度
の低い主磁極膜(8)は記録媒体の対向摺動面より、2
00人〜300人の凹部(ボールリセツション)が形成
されてしまう。
一般に、薄膜磁気ヘッドの出力記録密度は磁気ヘッドと
記録媒体間のスペーシングに大きく影響される。そのた
め最近では、磁気ヘッドと記録媒体間のスペーシング量
は0.1μm以下になりつつあるが、かかる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、主磁極膜が摺動面より200A〜300
人の凹みとなっていると、その凹状量だけスペーシング
ロスは大きくなり、出力、記録再生などヘッド特性が低
下する等の問題があった。
記録媒体間のスペーシングに大きく影響される。そのた
め最近では、磁気ヘッドと記録媒体間のスペーシング量
は0.1μm以下になりつつあるが、かかる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、主磁極膜が摺動面より200A〜300
人の凹みとなっていると、その凹状量だけスペーシング
ロスは大きくなり、出力、記録再生などヘッド特性が低
下する等の問題があった。
この発明は、上述した垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製
造工程中で、磁性基板を分割形成して個々のヘントチノ
ブへ加工する際に、硬度の低い主磁極膜に発生する凹部
(ボールリセソション)を低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる薄膜ヘッド
の製造方法の提供を目的としている。
造工程中で、磁性基板を分割形成して個々のヘントチノ
ブへ加工する際に、硬度の低い主磁極膜に発生する凹部
(ボールリセソション)を低減でき、出力、記録再生な
どヘッド特性の改善向上を計ることができる薄膜ヘッド
の製造方法の提供を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
1リターンバス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に
対向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材
を充填し、 該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間絶縁膜、
主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつ1リターン
バス部にて磁性基板と主磁極膜と接続した1リターンバ
ス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、 記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被膜
を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の凹部に前
記酸化物を充填後、 積層端面上の酸化物被膜及び主磁極部の凹部に充填の酸
化物を精密加工にて除去して、前記積層端面より100
A以下の位置に主磁極を露出させることを特徴とする垂
直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法である。
対向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材
を充填し、 該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間絶縁膜、
主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつ1リターン
バス部にて磁性基板と主磁極膜と接続した1リターンバ
ス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、 記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被膜
を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の凹部に前
記酸化物を充填後、 積層端面上の酸化物被膜及び主磁極部の凹部に充填の酸
化物を精密加工にて除去して、前記積層端面より100
A以下の位置に主磁極を露出させることを特徴とする垂
直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法である。
作用
この発明は、薄膜磁気ヘッドの出力、記録再生などヘッ
ド特性の改善向上を計り、成膜積層した磁性基板より磁
気ヘッドチップを製造する際に、記録媒体の対向摺動面
に露出する主磁極部に形成される凹部を極力減少するた
め、種々検討した結果、記録媒体に対向する摺動面の前
記積層端面に酸化物被膜を成膜して、切断、研摩加工に
伴う主磁極部の凹部に前記酸化物を充填後、所要位置に
主磁極が露出するよう精密加工することにより、得られ
た垂直薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の対向摺動面よりの
主磁極膜の凹部が著しく低減され、記録再生特性は大き
く改善向上する。
ド特性の改善向上を計り、成膜積層した磁性基板より磁
気ヘッドチップを製造する際に、記録媒体の対向摺動面
に露出する主磁極部に形成される凹部を極力減少するた
め、種々検討した結果、記録媒体に対向する摺動面の前
記積層端面に酸化物被膜を成膜して、切断、研摩加工に
伴う主磁極部の凹部に前記酸化物を充填後、所要位置に
主磁極が露出するよう精密加工することにより、得られ
た垂直薄膜磁気ヘッドは、記録媒体の対向摺動面よりの
主磁極膜の凹部が著しく低減され、記録再生特性は大き
く改善向上する。
図面に基づく開示
第1図a−qはこの発明による垂直磁気記録再生薄膜ヘ
ッドの製造工程を示す説明図である。
ッドの製造工程を示す説明図である。
まず、第1図aから同図kまでの工程は、前述した従来
の工程くl〉〜<11〉と同様であり、この発明の特徴
である工程<12〉から説明する。
の工程くl〉〜<11〉と同様であり、この発明の特徴
である工程<12〉から説明する。
<12〉 工程<11〉で得られた研摩面に、Al2O
3,5i02、ZrO2等の酸化物被膜(11)をスパ
ッタリング等の気相成膜法にて1.0pm以下成膜し、
摺動面に露出する主磁極膜(8)の凹部に前言己酸化物
被膜を充填する。(第1図1、m) <13〉その後、平均粒径0.1pm以下のダイヤモン
ド微粒またはMCP研摩研摩石前記工程<12〉にて成
膜した1、0pm以下厚の酸化物被膜(11)をすべて
研摩除去し、そのときの研摩除去する時間を測定して、
研摩速度を計算する。
3,5i02、ZrO2等の酸化物被膜(11)をスパ
ッタリング等の気相成膜法にて1.0pm以下成膜し、
摺動面に露出する主磁極膜(8)の凹部に前言己酸化物
被膜を充填する。(第1図1、m) <13〉その後、平均粒径0.1pm以下のダイヤモン
ド微粒またはMCP研摩研摩石前記工程<12〉にて成
膜した1、0pm以下厚の酸化物被膜(11)をすべて
研摩除去し、そのときの研摩除去する時間を測定して、
研摩速度を計算する。
<14〉工程<13〉にて、前記研摩面に成膜した酸化
物被膜(11)は研摩除去されるが、記録媒体に対向摺
動面の主磁極膜(8)の凹部に充填の酸化物被膜(11
)は残存するので、工程<13〉にて計算された研摩速
度にて所要時間、主磁極の凹部に充填の酸化物被膜を粒
径0.1μm以下のダイヤモンド微粒にて研摩を施した
り、あるいはMCP研摩を施すことにより、例えば、第
1図mに示す想像線位置まで精密加工することによ り、記録媒体に対向する摺動面の主磁極の凹部を100
Å以下に低減することができる。
物被膜(11)は研摩除去されるが、記録媒体に対向摺
動面の主磁極膜(8)の凹部に充填の酸化物被膜(11
)は残存するので、工程<13〉にて計算された研摩速
度にて所要時間、主磁極の凹部に充填の酸化物被膜を粒
径0.1μm以下のダイヤモンド微粒にて研摩を施した
り、あるいはMCP研摩を施すことにより、例えば、第
1図mに示す想像線位置まで精密加工することによ り、記録媒体に対向する摺動面の主磁極の凹部を100
Å以下に低減することができる。
<15〉前記工程<12〉〜<14〉を経た磁性基板(
1)を成膜積層したパターン部より800pm厚み位置
まで切断除去する。(第1図n)<16〉前記磁性基板
(1)の磁気記録媒体に対向する摺動面側を、300p
mx300pm寸法大きさに加工する。(第1図0) さらに摺動ノイズを小さくするため、角度付きダイヤモ
ンドブレードにて、摺動面側を100pmx100p寸
法に形状加工する。(第1図p) <17〉次いで所要寸法、形状のヘッドチップ片に切断
加工する。(第1図q) また、この発明におけるMCP研摩法は、粒径0.1p
m以下のMgO,5i02、Al2O3、ZrO2の単
独または混合微粒粉末を純水中に所定割合で懸濁させだ
液を貯めた容器内に例えば、硬質クロス、Sn等からな
る円盤型のポリラシャ−を回転可能に配設して、被加工
材をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接
させ、両者を相対的に回転させて、研摩を行うもので、
ポリラシャ−材及び回転速度、荷重圧力は微細粉末の粒
径や純水中の懸濁量、被加工材等の条件により適宜選定
すればよい。
1)を成膜積層したパターン部より800pm厚み位置
まで切断除去する。(第1図n)<16〉前記磁性基板
(1)の磁気記録媒体に対向する摺動面側を、300p
mx300pm寸法大きさに加工する。(第1図0) さらに摺動ノイズを小さくするため、角度付きダイヤモ
ンドブレードにて、摺動面側を100pmx100p寸
法に形状加工する。(第1図p) <17〉次いで所要寸法、形状のヘッドチップ片に切断
加工する。(第1図q) また、この発明におけるMCP研摩法は、粒径0.1p
m以下のMgO,5i02、Al2O3、ZrO2の単
独または混合微粒粉末を純水中に所定割合で懸濁させだ
液を貯めた容器内に例えば、硬質クロス、Sn等からな
る円盤型のポリラシャ−を回転可能に配設して、被加工
材をこの懸濁液中でポリラシャ−表面に所定荷重で当接
させ、両者を相対的に回転させて、研摩を行うもので、
ポリラシャ−材及び回転速度、荷重圧力は微細粉末の粒
径や純水中の懸濁量、被加工材等の条件により適宜選定
すればよい。
実施例
以下、この発明の詳細な説明する。
表面を精密仕上げしたNi−Znフェライト基板上に、
幅0.15mmX深さ0.025mmX長さ50mmの
溝を複数本、機械加工で形成する。
幅0.15mmX深さ0.025mmX長さ50mmの
溝を複数本、機械加工で形成する。
また、前記溝部に直交する幅0.075X深さ0.02
5X長さ50mmの溝を複数本、機械加工で形成する。
5X長さ50mmの溝を複数本、機械加工で形成する。
このようにして得られた溝部に、5p以上の気泡が1ヶ
/mm3以下の状態でAl2O3を充填した後、前記主
面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、薄膜
導体コイル用Cu膜をスパッタリングにて形成し、所定
形状のパターン化する。
/mm3以下の状態でAl2O3を充填した後、前記主
面にメカノケミカル研摩を施し、前記研摩面上に、薄膜
導体コイル用Cu膜をスパッタリングにて形成し、所定
形状のパターン化する。
その後、電気的絶縁のための層間絶縁被膜として、ポリ
イミド系樹脂も用いて被膜した後、エッチバック法を用
いて、表面を平坦化した。
イミド系樹脂も用いて被膜した後、エッチバック法を用
いて、表面を平坦化した。
その後、Co系アモルファスからなる厚膜主磁極膜をス
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらに、C
o系アモルファスからなる薄膜主磁極膜をスパッタリン
グ法にて被着形成パターン化し、さらにAl2O3から
なるヘッド保護膜を積層被着した。
パッタリング法にて被着形成パターン化し、さらに、C
o系アモルファスからなる薄膜主磁極膜をスパッタリン
グ法にて被着形成パターン化し、さらにAl2O3から
なるヘッド保護膜を積層被着した。
その後、Al2O3からなるヘッド保護膜に、#200
0のダイヤモンドブレードにより深さ2OpmX幅30
0pmの予備溝部を形成後、前記予備溝部幅より小さい
#200の粒径のダイヤモンドブレードにて成膜積層し
た磁性基板を切断後、主磁極部を厚膜部先端部より、摺
動面側に10pmの位置までダイヤモンド研摩を施した
。
0のダイヤモンドブレードにより深さ2OpmX幅30
0pmの予備溝部を形成後、前記予備溝部幅より小さい
#200の粒径のダイヤモンドブレードにて成膜積層し
た磁性基板を切断後、主磁極部を厚膜部先端部より、摺
動面側に10pmの位置までダイヤモンド研摩を施した
。
さらに、前記研摩面にAl2O3被膜をスパッタリング
法にて0.5pm厚みに成膜し、摺動面に露出する主磁
極の250人の凹部に前記Al2O3被膜を充填した後
、平均粒径0.1pmダイヤモンド微粒にて前記1.0
pm厚のAl2O3被膜を研摩除去すると共に、その研
摩除去する時間を測定して、その研摩速度を求めた。
法にて0.5pm厚みに成膜し、摺動面に露出する主磁
極の250人の凹部に前記Al2O3被膜を充填した後
、平均粒径0.1pmダイヤモンド微粒にて前記1.0
pm厚のAl2O3被膜を研摩除去すると共に、その研
摩除去する時間を測定して、その研摩速度を求めた。
その後、前記研摩速度にて主磁極の凹部に充填したAl
2O3被膜を、粒径0.1pm以下のダイヤモンド微粒
にて研摩した結果、主磁極の凹部(ボールリセッション
)をWYKO社製の非接触表面形状測定機を用いて測定
した結果、この発明による薄膜磁気ヘッドのボールリセ
ノションは100A以下であった。
2O3被膜を、粒径0.1pm以下のダイヤモンド微粒
にて研摩した結果、主磁極の凹部(ボールリセッション
)をWYKO社製の非接触表面形状測定機を用いて測定
した結果、この発明による薄膜磁気ヘッドのボールリセ
ノションは100A以下であった。
ちなみに、従来の製造方法により得られた薄膜磁気ヘッ
ドのボールリセノションは200人〜300人であった
。
ドのボールリセノションは200人〜300人であった
。
また、この発明法及び従来法により得られた薄膜ヘッド
の磁気記録特性を測定した結果を第2図に表す。第2図
における記録特性を測定した試験条件は下記の通りであ
る。
の磁気記録特性を測定した結果を第2図に表す。第2図
における記録特性を測定した試験条件は下記の通りであ
る。
記録特性測定の試験条件
相対速度 7.5m/see
記録電流 20mAp−p
媒体 Co−Cr/Ni−Feの二層媒体
記録周波数 0.5〜20MHzディスク回転数
1800rpm 発明の効果 この発明は、垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造に際し
、記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被
膜を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の凹部に
前記酸化物を充填後、所要位置に主磁極が露出するよう
精密加工することにより、得られた垂直薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体の対向摺動面よりの主磁極膜の凹部が著し
く低減され、実施例、特に第2図に示す如く、記録再生
特性は大きく改善向上する。
記録周波数 0.5〜20MHzディスク回転数
1800rpm 発明の効果 この発明は、垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造に際し
、記録媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被
膜を成膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の凹部に
前記酸化物を充填後、所要位置に主磁極が露出するよう
精密加工することにより、得られた垂直薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体の対向摺動面よりの主磁極膜の凹部が著し
く低減され、実施例、特に第2図に示す如く、記録再生
特性は大きく改善向上する。
第1図a−qはこの発明による垂直磁気記録再生薄膜ヘ
ッドの製造工程を示す説明図である。 第2図は薄膜磁気へノドの記録周波数と再生出力の関係
を示すグラフである。 1・・溝構造磁性基板、2・・・主溝部、20・・・細
溝部、3・・・非磁性材、4・・薄膜導体コイル、5・
・層間絶縁被膜、6・・・1リターンバス音阻 7・・・厚膜主磁極膜、8・・・主磁極膜、9・・・ヘ
ッド保護膜、10・・・予備溝部、11・・・酸化物被
膜。
ッドの製造工程を示す説明図である。 第2図は薄膜磁気へノドの記録周波数と再生出力の関係
を示すグラフである。 1・・溝構造磁性基板、2・・・主溝部、20・・・細
溝部、3・・・非磁性材、4・・薄膜導体コイル、5・
・層間絶縁被膜、6・・・1リターンバス音阻 7・・・厚膜主磁極膜、8・・・主磁極膜、9・・・ヘ
ッド保護膜、10・・・予備溝部、11・・・酸化物被
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 リターンバス用磁性基板の一主面に、磁気記録媒体に対
向する摺動面に平行な主溝部を設けて該溝に非磁性材を
充填し、該溝部上部に少なくとも薄膜導体コイル、層間
絶縁膜、主磁極膜、ヘッド保護膜が成膜積層し、かつリ
ターンバス部にて磁性基板と主磁極膜と接続したリター
ンバス用磁性基板を所要寸法に切断、研摩加工後、記録
媒体に対向する摺動面の前記積層端面に酸化物被膜を成
膜して、切断、研摩加工に伴う主磁極部の凹部に前記酸
化物を充填後、積層端面上の酸化物被膜及び主磁極部の
凹部に充填の酸化物を精密加工にて除去して、前記積層
端面より100Å以下の位置に主磁極を露出させること
を特徴とする垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18589190A JPH0474304A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18589190A JPH0474304A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474304A true JPH0474304A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16178690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18589190A Pending JPH0474304A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474304A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18589190A patent/JPH0474304A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271982B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-09-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head built using an air-bearing surface damascene process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6106679A (en) | Method of making P1 notched write head with minimum overmilled P1 and P2 | |
KR0148842B1 (ko) | 자기기록매체 및 그의 제조방법과 자기기록 시스템 | |
EP0580368B1 (en) | Studless thin film magnetic head and process for making the same | |
US6059984A (en) | Process for fabricating thin film magnetic head including crater for recessed structure | |
JPS63195816A (ja) | 薄膜ヘツドの製造方法 | |
JPH01251308A (ja) | 浮動型磁気ヘッド | |
JPH06195640A (ja) | 耐摩耗薄層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製造方法 | |
JP3284156B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法を用いて製造された薄膜磁気ヘッド | |
US7248434B2 (en) | Planarized perpendicular pole tip system and method for manufacturing the same | |
JPH04137209A (ja) | 垂直磁気記録再生用薄膜ヘッド | |
JPH0474304A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 | |
JPH04178910A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド及びその製造方法 | |
JPH0253217A (ja) | 磁気ヘッドの活動面の平滑化を行なう方法 | |
US5279026A (en) | Process for producing a thin-film magnetic tape head | |
JPH04335202A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 | |
JPH04102210A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッドの製造方法 | |
JPH03252906A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド | |
JPH06243451A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録装置 | |
JPH03252909A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 | |
JPH04307408A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド | |
JPH05266421A (ja) | シングルドメイン磁気素子を具える複合構造体の製造方法及び該複合構造体を含む薄膜磁気ヘッド | |
JPH02132615A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド | |
JPH0457205A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド | |
JPH10334425A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH0250311A (ja) | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド用溝構造磁性基板 |