JPH06195640A - 耐摩耗薄層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製造方法 - Google Patents
耐摩耗薄層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製造方法Info
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- JPH06195640A JPH06195640A JP5228076A JP22807693A JPH06195640A JP H06195640 A JPH06195640 A JP H06195640A JP 5228076 A JP5228076 A JP 5228076A JP 22807693 A JP22807693 A JP 22807693A JP H06195640 A JPH06195640 A JP H06195640A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐摩耗性に優れ、安価に製造できる薄膜磁気
ヘッドアセンブリを提供する。 【構成】 チタニウムカーバイド粒子を含むＡl2Ｏ3−
ＴiＣ基板５２に、アモルファスシリコンカーバイドの
第１接合促進層５４を介して、ダイヤモンド様炭素から
なる絶縁性の耐摩耗層５６を接合し、さらに、アモルフ
ァス水素化合シリコンの第２接合促進層５８を介して電
気磁気回路構成部６２を付着する。 【効果】 耐摩耗層５６は硬度が増し、また、表面仕上
げが不要である。
ヘッドアセンブリを提供する。 【構成】 チタニウムカーバイド粒子を含むＡl2Ｏ3−
ＴiＣ基板５２に、アモルファスシリコンカーバイドの
第１接合促進層５４を介して、ダイヤモンド様炭素から
なる絶縁性の耐摩耗層５６を接合し、さらに、アモルフ
ァス水素化合シリコンの第２接合促進層５８を介して電
気磁気回路構成部６２を付着する。 【効果】 耐摩耗層５６は硬度が増し、また、表面仕上
げが不要である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの改良に関し、さらに詳しくは、耐摩耗薄層を有す
る薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製
造方法に関する。
ブリの改良に関し、さらに詳しくは、耐摩耗薄層を有す
る薄膜磁気ヘッドアセンブリおよび薄層ベースとその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気媒体、たとえばテープやディスクに
記録可能なデータ量は、磁気媒体のビットおよびトラッ
ク密度を高めることにより、大きくすることができる。
一方、このためには、このように高密度化されたビット
およびトラック密度で読み書きできる磁気ヘッドが必要
となる。このようなヘッドの一つに薄膜磁気ヘッドがあ
る。
記録可能なデータ量は、磁気媒体のビットおよびトラッ
ク密度を高めることにより、大きくすることができる。
一方、このためには、このように高密度化されたビット
およびトラック密度で読み書きできる磁気ヘッドが必要
となる。このようなヘッドの一つに薄膜磁気ヘッドがあ
る。
【０００３】しかし、薄膜磁気ヘッドは、ヘッドと移動
する磁気媒体との間の接触による摩耗に極めて敏感であ
る。この摩耗により、ヘッド表面の中央は落され、すな
わち、くぼまされ、読み書き中のヘッドの精度が低下す
ることになる。大きなフェライトヘッドは一般に５０マ
イクロメータまでの摩耗に耐えることができるが、それ
より小さい薄膜ヘッドでは、約１〜２マイクロメータの
摩耗にしか耐えることができず、読み書き精度に影響が
生じる。
する磁気媒体との間の接触による摩耗に極めて敏感であ
る。この摩耗により、ヘッド表面の中央は落され、すな
わち、くぼまされ、読み書き中のヘッドの精度が低下す
ることになる。大きなフェライトヘッドは一般に５０マ
イクロメータまでの摩耗に耐えることができるが、それ
より小さい薄膜ヘッドでは、約１〜２マイクロメータの
摩耗にしか耐えることができず、読み書き精度に影響が
生じる。
【０００４】次世代薄膜磁気ヘッドは、整列誤差を低減
するために読み書き機能を同じ物理的ギャップで行な
い、それによって、トラック密度を高める。そうなる
と、ヘッドの摩耗により引き起こされる問題は悪化する
ことになる。
するために読み書き機能を同じ物理的ギャップで行な
い、それによって、トラック密度を高める。そうなる
と、ヘッドの摩耗により引き起こされる問題は悪化する
ことになる。
【０００５】薄膜磁気読み取りヘッドの製造は、Ａl2Ｏ
3−ＴiＣが混合された強固な構造をもつウエハーからな
るセラミック基板の上に、電気磁気回路構成部分がスパ
ッタ溶着、蒸着、電気めっき、写真石版の組み合わせに
より形成されることにより行なわれる。各磁気ヘッド要
素は、約１０平方ミリメータの基板表面を必要とし、そ
のため、数百のヘッド要素が一つの基板ウエハー上に同
時に形成されることができる。マイクロおよびサブマイ
クロヘッドとして知られている他のヘッドではこれに比
べて十分に小さく、このようなヘッドは数千個がひとつ
のウエハー表面に同時に形成されることができる。トラ
ンスデューサが基板表面に形成された後、ウエハーは個
々のヘッド要素に切断され、精度よくラップ仕上げされ
研摩され、記憶媒体とのインターフェースを形成する。
一般的には、厚さ１０〜１５μmの導電性のないアモル
ファス酸化アルミニウム(Ａl2Ｏ3)のコーティングが基
板上にスパッタされ、トランスデューサ要素を付着する
前に電気的絶縁が施される。この電気的絶縁コーティン
グを施すには、非常に高価な装置を用いて１０〜１５時
間を要し、それによって、磁気ヘッドを製造するのに必
要な時間とコストが現実に大きくなる。付着されるＡl2
Ｏ3層はラップ仕上げされて研摩され、必要とされる表
面仕上げが達成される。結果としてのＡl2Ｏ3コーティ
ングはＡl2Ｏ3−ＴiＣ基板より十分に柔らかく、それゆ
え、より速く摩耗が生じ、コーティングと取り付けられ
たトランスデューサ要素の後退によるヘッド特性の劣化
を生じる。
3−ＴiＣが混合された強固な構造をもつウエハーからな
るセラミック基板の上に、電気磁気回路構成部分がスパ
ッタ溶着、蒸着、電気めっき、写真石版の組み合わせに
より形成されることにより行なわれる。各磁気ヘッド要
素は、約１０平方ミリメータの基板表面を必要とし、そ
のため、数百のヘッド要素が一つの基板ウエハー上に同
時に形成されることができる。マイクロおよびサブマイ
クロヘッドとして知られている他のヘッドではこれに比
べて十分に小さく、このようなヘッドは数千個がひとつ
のウエハー表面に同時に形成されることができる。トラ
ンスデューサが基板表面に形成された後、ウエハーは個
々のヘッド要素に切断され、精度よくラップ仕上げされ
研摩され、記憶媒体とのインターフェースを形成する。
一般的には、厚さ１０〜１５μmの導電性のないアモル
ファス酸化アルミニウム(Ａl2Ｏ3)のコーティングが基
板上にスパッタされ、トランスデューサ要素を付着する
前に電気的絶縁が施される。この電気的絶縁コーティン
グを施すには、非常に高価な装置を用いて１０〜１５時
間を要し、それによって、磁気ヘッドを製造するのに必
要な時間とコストが現実に大きくなる。付着されるＡl2
Ｏ3層はラップ仕上げされて研摩され、必要とされる表
面仕上げが達成される。結果としてのＡl2Ｏ3コーティ
ングはＡl2Ｏ3−ＴiＣ基板より十分に柔らかく、それゆ
え、より速く摩耗が生じ、コーティングと取り付けられ
たトランスデューサ要素の後退によるヘッド特性の劣化
を生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
解決すべき技術的課題は、磁気媒体による耐摩耗性がよ
り優れ、現在市販の薄膜ヘッドより安価に製造できる薄
膜ヘッドアセンブリを提供することである。
解決すべき技術的課題は、磁気媒体による耐摩耗性がよ
り優れ、現在市販の薄膜ヘッドより安価に製造できる薄
膜ヘッドアセンブリを提供することである。
【０００７】
【発明の要旨】本発明は、薄膜磁気ヘッド用薄層ベース
を含む。この薄層はアルミナマトリックス内に分散され
たチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板を
含む。この基板の上にアモルファス水素化合シリコンカ
ーバイドからなる接合促進層が形成され,この接合促進
層の上に耐摩耗性のダイヤモンド様炭素からなる絶縁性
の耐摩耗層が形成される。
を含む。この薄層はアルミナマトリックス内に分散され
たチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板を
含む。この基板の上にアモルファス水素化合シリコンカ
ーバイドからなる接合促進層が形成され,この接合促進
層の上に耐摩耗性のダイヤモンド様炭素からなる絶縁性
の耐摩耗層が形成される。
【０００８】本発明の１実施例では、薄層は耐摩耗層の
上に形成される第２接合促進層を備えてる。この第２接
合促進層は、アモルファス水素化合シリコンからなり、
積層薄膜磁気ヘッドの第１層との接合を促進する。この
ような追加の層が加えられるので、本発明では本質的に
は薄膜磁気ヘッドとなる。本発明の他の実施例では、第
１接合促進層はアモルファスシリコンカーバイドとする
ことが可能であり、耐摩耗層はダイヤモンドまたはアモ
ルファスダイヤモンドとすることが可能である。
上に形成される第２接合促進層を備えてる。この第２接
合促進層は、アモルファス水素化合シリコンからなり、
積層薄膜磁気ヘッドの第１層との接合を促進する。この
ような追加の層が加えられるので、本発明では本質的に
は薄膜磁気ヘッドとなる。本発明の他の実施例では、第
１接合促進層はアモルファスシリコンカーバイドとする
ことが可能であり、耐摩耗層はダイヤモンドまたはアモ
ルファスダイヤモンドとすることが可能である。
【０００９】本発明はまた、アルミナマトリックスに分
散されたチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック
基板の上に、アモルファスの水素化合シリコンカーバイ
ドからなる接合促進層を付着し、つぎに、この接合促進
層の上にダイヤモンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層
を付着することによって、このような薄層ベースを形成
する方法を含む。
散されたチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック
基板の上に、アモルファスの水素化合シリコンカーバイ
ドからなる接合促進層を付着し、つぎに、この接合促進
層の上にダイヤモンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層
を付着することによって、このような薄層ベースを形成
する方法を含む。
【００１０】この方法の一つの実施例では、耐摩耗層の
上にアモルファス水素化合シリコンからなる第２接合促
進層が付着されることも可能である。また、電気磁気回
路構成層は、この第２接合促進層の上に付着されること
が可能である。
上にアモルファス水素化合シリコンからなる第２接合促
進層が付着されることも可能である。また、電気磁気回
路構成層は、この第２接合促進層の上に付着されること
が可能である。
【００１１】この方法の別の実施例では、第１接合促進
層を付着するステップが完了する前に、耐摩耗層を付着
するステップが開始され、それによって、この２層の間
に遷移領域を形成する。第２接合促進層を付着するステ
ップはまた、耐摩耗層を付着するステップが完了する前
に開始されることも可能であり、それによって、これら
２層間の遷移領域を形成する。
層を付着するステップが完了する前に、耐摩耗層を付着
するステップが開始され、それによって、この２層の間
に遷移領域を形成する。第２接合促進層を付着するステ
ップはまた、耐摩耗層を付着するステップが完了する前
に開始されることも可能であり、それによって、これら
２層間の遷移領域を形成する。
【００１２】本発明はまた、基板と、電気抵抗(ＭＲ)セ
ンサ、電気抵抗シールド、書き込み巻線、書き込み磁
極、絶縁層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリを含み、
絶縁層はダイヤモンド様炭素である。
ンサ、電気抵抗シールド、書き込み巻線、書き込み磁
極、絶縁層を有する薄膜磁気ヘッドアセンブリを含み、
絶縁層はダイヤモンド様炭素である。
【００１３】本発明の絶縁性の耐摩耗層は、既に知られ
ているヘッドの絶縁層より十分に薄い。既に知られてい
るヘッドの絶縁層の厚さは１０〜１５μmであるのに対
し、本発明の絶縁性の耐摩耗層の厚さは５μm以下であ
り、好ましくは約１μmである。これによって、絶縁層
を付着するのに要する時間は短くなる。さらに、既に知
られているヘッドに用いられているアモルファスアルミ
ニウム絶縁層はラップ仕上げされ研摩され、必要な仕上
げ精度を得なければならないのに対し、本発明の絶縁性
の耐摩耗層の表面仕上げ精度は付着されたままで十分で
あり、したがって、ラップ仕上げのステップは必要な
い。
ているヘッドの絶縁層より十分に薄い。既に知られてい
るヘッドの絶縁層の厚さは１０〜１５μmであるのに対
し、本発明の絶縁性の耐摩耗層の厚さは５μm以下であ
り、好ましくは約１μmである。これによって、絶縁層
を付着するのに要する時間は短くなる。さらに、既に知
られているヘッドに用いられているアモルファスアルミ
ニウム絶縁層はラップ仕上げされ研摩され、必要な仕上
げ精度を得なければならないのに対し、本発明の絶縁性
の耐摩耗層の表面仕上げ精度は付着されたままで十分で
あり、したがって、ラップ仕上げのステップは必要な
い。
【００１４】本発明の絶縁性の耐摩耗層は、アモルファ
スアルミニウムより十分に硬く、したがって、移動する
磁気媒体(たとえば、ディスクやテープ)との接触により
引き起こされるヘッドアセンブリの摩耗を低減するのに
役立つ。絶縁層の幅を小さくすることによって、ヘッド
アセンブリの読み書き機能部分間のギャップのサイズが
小さくなり、ヘッドアセブリの摩耗の影響を受けやすい
エリアは小さくなり、それによって、ヘッドアセンブリ
の耐摩耗性が向上する。
スアルミニウムより十分に硬く、したがって、移動する
磁気媒体(たとえば、ディスクやテープ)との接触により
引き起こされるヘッドアセンブリの摩耗を低減するのに
役立つ。絶縁層の幅を小さくすることによって、ヘッド
アセンブリの読み書き機能部分間のギャップのサイズが
小さくなり、ヘッドアセブリの摩耗の影響を受けやすい
エリアは小さくなり、それによって、ヘッドアセンブリ
の耐摩耗性が向上する。
【００１５】
【実施例】図１に従来例の磁気記録ヘッドアセンブリ１
０を示す。磁気記録ヘッドアセンブリ１０は、ＩＢＭ３
３７０ディスクヘッドスライダに用いられているよう
な、誘導タイプの薄膜読み書き要素である。このヘッド
アセンブリ１０は、絶縁層１４で覆われた基板１２から
なる。基板１２はＡl2Ｏ3−ＴiＣであり、アルミナマト
リックスに分散されたチタニウムカーバイドの複合物で
ある。絶縁層１４はアモルファスアルミナ(a−Ａl2Ｏ3)
であり、モース硬さは約７である。ヘッドアセンブリ１
０は、一般的にギャップ長さ２２、ギャップ幅２４、パ
ーマロイ磁極端２６、および銅巻線２８を有する。
０を示す。磁気記録ヘッドアセンブリ１０は、ＩＢＭ３
３７０ディスクヘッドスライダに用いられているよう
な、誘導タイプの薄膜読み書き要素である。このヘッド
アセンブリ１０は、絶縁層１４で覆われた基板１２から
なる。基板１２はＡl2Ｏ3−ＴiＣであり、アルミナマト
リックスに分散されたチタニウムカーバイドの複合物で
ある。絶縁層１４はアモルファスアルミナ(a−Ａl2Ｏ3)
であり、モース硬さは約７である。ヘッドアセンブリ１
０は、一般的にギャップ長さ２２、ギャップ幅２４、パ
ーマロイ磁極端２６、および銅巻線２８を有する。
【００１６】図２に、本発明の１実施例に係る基板と絶
縁層を有する磁気記録ヘッドアセンブリ５０を示す。セ
ラミック基板５２はＡl2Ｏ3−ＴiＣからなる。ダイヤモ
ンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層５６は、基板５２
から電気磁気回路構成部６２を絶縁している。ダイヤモ
ンド様炭素(“ＤＬＣ")は高いsp3結合を有するアモルフ
ァス状態の炭素であり、この炭素材料はダイヤモンドの
多くの物理特性を呈する。
縁層を有する磁気記録ヘッドアセンブリ５０を示す。セ
ラミック基板５２はＡl2Ｏ3−ＴiＣからなる。ダイヤモ
ンド様炭素からなる絶縁性の耐摩耗層５６は、基板５２
から電気磁気回路構成部６２を絶縁している。ダイヤモ
ンド様炭素(“ＤＬＣ")は高いsp3結合を有するアモルフ
ァス状態の炭素であり、この炭素材料はダイヤモンドの
多くの物理特性を呈する。
【００１７】Ａl2Ｏ3−ＴiＣ基板の上に直接付着された
ＤＬＣ膜は、くずれたり、層われする傾向があり、この
ような膜では薄膜磁気ヘッドに用いるには好ましくな
い。耐摩耗層５６の上下に接合促進層を適用することに
よって、耐摩耗層５６の接合とそれによる有効硬さを、
大きく向上することが可能である。これは、１００nm以
上の耐摩耗層が必要なときには、とくにその通りであ
る。したがって、図２に示すように、第１および第２接
合促進層５４,５８が備えられている。電気磁気回路構
成部６２は第２接合促進層５８の上に付着される。
ＤＬＣ膜は、くずれたり、層われする傾向があり、この
ような膜では薄膜磁気ヘッドに用いるには好ましくな
い。耐摩耗層５６の上下に接合促進層を適用することに
よって、耐摩耗層５６の接合とそれによる有効硬さを、
大きく向上することが可能である。これは、１００nm以
上の耐摩耗層が必要なときには、とくにその通りであ
る。したがって、図２に示すように、第１および第２接
合促進層５４,５８が備えられている。電気磁気回路構
成部６２は第２接合促進層５８の上に付着される。
【００１８】図３に、薄層ベース６０である基板５２と
層５４,５６,５８の拡大図を示す。基板５２はＡl2Ｏ3
−ＴiＣであり、好ましくは、チタニウムカーバイド粒
子を有し、約５から５０重量パーセントの範囲内で含有
する。より好ましくは、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ基板５２は、２
０から４０重量パーセントの範囲内でチタニウムカーバ
イド粒子を含有し、たとえば、約３０パーセントの粒子
を有する３Ｍセラミック２１０があり、ミネソタ州セン
トポールの３Ｍ社から市販されている。第１接合促進層
５４は基板５２上に付着される。第１接合促進層５４
は、アモルファス水素化合シリコンカーバイド(a−Ｓi:
Ｃ:Ｈ)であり、好ましくは、約１nmから１００nmの範囲
内の厚さであり、より好ましくは、約１０nmから５０nm
の範囲内である。
層５４,５６,５８の拡大図を示す。基板５２はＡl2Ｏ3
−ＴiＣであり、好ましくは、チタニウムカーバイド粒
子を有し、約５から５０重量パーセントの範囲内で含有
する。より好ましくは、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ基板５２は、２
０から４０重量パーセントの範囲内でチタニウムカーバ
イド粒子を含有し、たとえば、約３０パーセントの粒子
を有する３Ｍセラミック２１０があり、ミネソタ州セン
トポールの３Ｍ社から市販されている。第１接合促進層
５４は基板５２上に付着される。第１接合促進層５４
は、アモルファス水素化合シリコンカーバイド(a−Ｓi:
Ｃ:Ｈ)であり、好ましくは、約１nmから１００nmの範囲
内の厚さであり、より好ましくは、約１０nmから５０nm
の範囲内である。
【００１９】絶縁性の耐摩耗層５６は、第１接合促進層
５４の上に付着される。耐摩耗層５６は、アモルファス
カーボン(a−Ｃ)、アモルファス水素化合カーボン(a−
Ｃ:Ｈ)、またはイオンビームにより付着されたカーボン
(i−Ｃ)のいずれかからなり、好ましくは約１０nmから
５μmの範囲内の厚さである。代わりに、ダイヤモンド
またはアモルファスダイヤモンドの層を、耐摩耗層５６
のＤＬＣの代りとしてもよい。
５４の上に付着される。耐摩耗層５６は、アモルファス
カーボン(a−Ｃ)、アモルファス水素化合カーボン(a−
Ｃ:Ｈ)、またはイオンビームにより付着されたカーボン
(i−Ｃ)のいずれかからなり、好ましくは約１０nmから
５μmの範囲内の厚さである。代わりに、ダイヤモンド
またはアモルファスダイヤモンドの層を、耐摩耗層５６
のＤＬＣの代りとしてもよい。
【００２０】厚さ１μmの絶縁性の耐摩耗層５６は、一
般に厚さが１０〜１５μmである既に知られている薄膜
磁気ヘッドアセンブリのアモルファスアルミナ絶縁層に
比べ、はるかに薄い。このため、絶縁層を付着するのに
必要な時間が短くなる。さらに、既に知られているヘッ
ドのアモルファスアルミナは、必要な厚さと表面仕上げ
になるまでラップ仕上げされなければならない。最終的
な厚さと表面仕上げをどの程度制御できるかは、ラップ
仕上げの制御能力によって制約される。一方、本発明に
より付着される耐摩耗層５６は、約２nm以下の平均表面
あらさ(Ｒa)であり、表面仕上げの必要はない。
般に厚さが１０〜１５μmである既に知られている薄膜
磁気ヘッドアセンブリのアモルファスアルミナ絶縁層に
比べ、はるかに薄い。このため、絶縁層を付着するのに
必要な時間が短くなる。さらに、既に知られているヘッ
ドのアモルファスアルミナは、必要な厚さと表面仕上げ
になるまでラップ仕上げされなければならない。最終的
な厚さと表面仕上げをどの程度制御できるかは、ラップ
仕上げの制御能力によって制約される。一方、本発明に
より付着される耐摩耗層５６は、約２nm以下の平均表面
あらさ(Ｒa)であり、表面仕上げの必要はない。
【００２１】第１接合促進層５４により、薄層のダイヤ
モンド様カーボン層の有効硬さが向上される。上記方法
により付着されたＤＬＣのモース硬さは、アモルファス
アルミナが７であるのに対し、９である。薄膜磁気ヘッ
ドアセンブリでは、本発明によるダイヤモンド様カーボ
ン層は、硬く、電気的に絶縁された層を提供する。この
硬い絶縁層により、ヘッドアセンブリと読み書きされる
記録媒体との間の接触の繰り返しにより引き起こされる
摩耗に対して、薄膜磁気ヘッドアセンブリの耐性が向上
されるものと考えられる。硬い絶縁層はまた、薄膜磁気
ヘッドの製造中に電気磁気回路構成部の後退を少なく
し、結果的に歩留りが向上する。
モンド様カーボン層の有効硬さが向上される。上記方法
により付着されたＤＬＣのモース硬さは、アモルファス
アルミナが７であるのに対し、９である。薄膜磁気ヘッ
ドアセンブリでは、本発明によるダイヤモンド様カーボ
ン層は、硬く、電気的に絶縁された層を提供する。この
硬い絶縁層により、ヘッドアセンブリと読み書きされる
記録媒体との間の接触の繰り返しにより引き起こされる
摩耗に対して、薄膜磁気ヘッドアセンブリの耐性が向上
されるものと考えられる。硬い絶縁層はまた、薄膜磁気
ヘッドの製造中に電気磁気回路構成部の後退を少なく
し、結果的に歩留りが向上する。
【００２２】多くの場合、絶縁性の耐摩耗層の上にさら
に層を形成することができると好ましい。薄膜磁気ヘッ
ドアセンブリにおいては特にその通りであり、ヘッドア
センブリの個々の層を構成する電気回路構成部を絶縁層
上に付着することが好ましい。
に層を形成することができると好ましい。薄膜磁気ヘッ
ドアセンブリにおいては特にその通りであり、ヘッドア
センブリの個々の層を構成する電気回路構成部を絶縁層
上に付着することが好ましい。
【００２３】図３において、第２接合促進層５８は、耐
摩耗層５６と選択的に適用可能な追加層(図示せず)との
間の接合を促進する。第２接合促進層５８はアモルファ
スシリコン(a−Ｓi)からなることが可能であり、好まし
くは、アモルファス水素化合シリコン(a−Ｓi:Ｈ)から
なる。層５８の厚さは、好ましくは、約１nmから１００
nmの範囲内であり、より好ましくは、約１０nmから５０
nmの範囲内である。
摩耗層５６と選択的に適用可能な追加層(図示せず)との
間の接合を促進する。第２接合促進層５８はアモルファ
スシリコン(a−Ｓi)からなることが可能であり、好まし
くは、アモルファス水素化合シリコン(a−Ｓi:Ｈ)から
なる。層５８の厚さは、好ましくは、約１nmから１００
nmの範囲内であり、より好ましくは、約１０nmから５０
nmの範囲内である。
【００２４】第１接合促進層５４と耐摩耗層５６との間
の接合は、第１接合促進層の付着が完了する前に耐摩耗
層の付着を開始することにより、付着工程中に強化され
ることが可能である。これにより、第１接合促進層５４
と耐摩耗層５６との間に、この２層の混合である遷移領
域が形成される。同様に、耐摩耗層５６と第２接合促進
層５８との間の接合は、耐摩耗層が付着が完了する前に
第２接合促進層の付着を開始することによって、強化さ
れることが可能であり、それによって、第２遷移領域が
形成される。
の接合は、第１接合促進層の付着が完了する前に耐摩耗
層の付着を開始することにより、付着工程中に強化され
ることが可能である。これにより、第１接合促進層５４
と耐摩耗層５６との間に、この２層の混合である遷移領
域が形成される。同様に、耐摩耗層５６と第２接合促進
層５８との間の接合は、耐摩耗層が付着が完了する前に
第２接合促進層の付着を開始することによって、強化さ
れることが可能であり、それによって、第２遷移領域が
形成される。
【００２５】第２接合促進層５８を用いることにより、
耐摩耗層５６の上に金属や合金のような付加層を形成す
るときに、耐摩耗層から層われが生じにくくなる。この
ことは、薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造においては特
に好ましく、第２接合促進層５８を用いることにより、
耐摩耗層５６への電気回路構成部６２の接合が促進され
る。このような場合において、第２接合促進層５８が非
導電性であることが好ましい。したがって、第２接合促
進層５８としては、a−Ｓi:Ｃ:Ｈよりa−Ｓi:Ｃが好ま
しい。a−Ｓi:Ｈは、a−Ｓi:Ｃ:Ｈと異なり非導電性で
あるので、第２接合促進層としては、アモルファスの水
素化合シリコン(a−Ｓi:Ｃ)が、a−Ｓi:Ｃ:Ｈより好ま
しい。図２を参照されたい。
耐摩耗層５６の上に金属や合金のような付加層を形成す
るときに、耐摩耗層から層われが生じにくくなる。この
ことは、薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造においては特
に好ましく、第２接合促進層５８を用いることにより、
耐摩耗層５６への電気回路構成部６２の接合が促進され
る。このような場合において、第２接合促進層５８が非
導電性であることが好ましい。したがって、第２接合促
進層５８としては、a−Ｓi:Ｃ:Ｈよりa−Ｓi:Ｃが好ま
しい。a−Ｓi:Ｈは、a−Ｓi:Ｃ:Ｈと異なり非導電性で
あるので、第２接合促進層としては、アモルファスの水
素化合シリコン(a−Ｓi:Ｃ)が、a−Ｓi:Ｃ:Ｈより好ま
しい。図２を参照されたい。
【００２６】本発明の方法と、それにより形成された薄
層ベースとは、薄膜磁気ヘッドに用いられるときに、特
に有用であるが、この適用例に限らず適用可能である。
さらに、本発明は、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ基板上に硬い膜を付
着する必要があるあらゆる場合に有用である。
層ベースとは、薄膜磁気ヘッドに用いられるときに、特
に有用であるが、この適用例に限らず適用可能である。
さらに、本発明は、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ基板上に硬い膜を付
着する必要があるあらゆる場合に有用である。
【００２７】磁気薄膜ヘッドアセンブリの絶縁体として
ＤＬＣを用いることは、絶縁層を必要とするあらゆると
ころで有用である。図５に、本発明の他の実施例に係る
磁気記録ヘッドアセンブリ１１０の側面断面図を示す。
磁気媒体１１１はヘッドアセンブリ１１０の上部を矢印
１３６の方向に移動する。ヘッドアセンブリ１１０は基
板１１２、第１絶縁層１１４、下部読み取りシールド１
１６、第２絶縁層１１８、磁気抵抗(ＭＲ)センサ１２
０、第３絶縁層１２１、上部読み取りシールド／下部書
き込み磁極１２２、第４絶縁層１２４、複数の書き込み
巻線１２６、円滑層１２７、上部書き込み磁極１２８、
および第５絶縁層１３０を備えている。基板１１２は、
好ましくは、基板５２と同じ材料からなる。層１１６,
１１８,１２０,１２１,１２２は、読み込みヘッド１３
２を形成し、層１２２,１２４,１２６,１２７,１２８
は、書き込みヘッド１３４を形成する。絶縁層１１４,
１１８,１２１,１２４,１３０は、アモルファス水素化
合カーボン(a−Ｃ:Ｈ)のような、ＤＬＣからなる。アモ
ルファスカーボン(a−Ｃ)、イオンビームにより付着さ
れたカーボン(i−Ｃ)、ダイヤモンド又はアモルファス
ダイヤモンドのような、他の材料を用いてもよい。
ＤＬＣを用いることは、絶縁層を必要とするあらゆると
ころで有用である。図５に、本発明の他の実施例に係る
磁気記録ヘッドアセンブリ１１０の側面断面図を示す。
磁気媒体１１１はヘッドアセンブリ１１０の上部を矢印
１３６の方向に移動する。ヘッドアセンブリ１１０は基
板１１２、第１絶縁層１１４、下部読み取りシールド１
１６、第２絶縁層１１８、磁気抵抗(ＭＲ)センサ１２
０、第３絶縁層１２１、上部読み取りシールド／下部書
き込み磁極１２２、第４絶縁層１２４、複数の書き込み
巻線１２６、円滑層１２７、上部書き込み磁極１２８、
および第５絶縁層１３０を備えている。基板１１２は、
好ましくは、基板５２と同じ材料からなる。層１１６,
１１８,１２０,１２１,１２２は、読み込みヘッド１３
２を形成し、層１２２,１２４,１２６,１２７,１２８
は、書き込みヘッド１３４を形成する。絶縁層１１４,
１１８,１２１,１２４,１３０は、アモルファス水素化
合カーボン(a−Ｃ:Ｈ)のような、ＤＬＣからなる。アモ
ルファスカーボン(a−Ｃ)、イオンビームにより付着さ
れたカーボン(i−Ｃ)、ダイヤモンド又はアモルファス
ダイヤモンドのような、他の材料を用いてもよい。
【００２８】絶縁層１１４,１１８,１２１,１２４,１３
０は硬く、良好な電気的絶縁特性を有し、これらの層は
比較的薄くすることが可能である。第１絶縁層１１４の
厚さは、好ましくは、１０nmから１０μmの範囲内であ
り、より好ましくは、約１μm以下である。第２および
第３絶縁層１１８,１２１は、それぞれ好ましくは、約
５０から５００nmの範囲内の厚さである。第４絶縁層１
２７は、好ましくは、約０．５から３μmの範囲内の厚
さである。第５絶縁層１３０は、好ましくは、約０．５
から５μmの範囲内の厚さである。絶縁層の幅をこのよ
うに小さくすることにより、ヘッドアセンブリの読み取
りと書き込みの機能要素間のギャップ寸法は小さくな
り、アセンブリの摩耗に敏感なエリアが小さくなり、そ
れによって、アセンブリの耐摩耗性が向上する。絶縁層
の幅が小さくなることにより、読み取り又は書き込みの
機能要素と硬い保護基板との間の距離もまた小さくな
り、それによって、ヘッドアセンブリの耐摩耗性が向上
する。
０は硬く、良好な電気的絶縁特性を有し、これらの層は
比較的薄くすることが可能である。第１絶縁層１１４の
厚さは、好ましくは、１０nmから１０μmの範囲内であ
り、より好ましくは、約１μm以下である。第２および
第３絶縁層１１８,１２１は、それぞれ好ましくは、約
５０から５００nmの範囲内の厚さである。第４絶縁層１
２７は、好ましくは、約０．５から３μmの範囲内の厚
さである。第５絶縁層１３０は、好ましくは、約０．５
から５μmの範囲内の厚さである。絶縁層の幅をこのよ
うに小さくすることにより、ヘッドアセンブリの読み取
りと書き込みの機能要素間のギャップ寸法は小さくな
り、アセンブリの摩耗に敏感なエリアが小さくなり、そ
れによって、アセンブリの耐摩耗性が向上する。絶縁層
の幅が小さくなることにより、読み取り又は書き込みの
機能要素と硬い保護基板との間の距離もまた小さくな
り、それによって、ヘッドアセンブリの耐摩耗性が向上
する。
【００２９】絶縁層１１４,１１８,１２１,１２４,１３
０にダイヤモンド様カーボンを用いることはまた有利で
ある。なぜなら、それによって、薄くて、ピンホールの
ない層(すなわち、ショートしない)が付着され、ＮiＦe
(パーマロイ)や、コバルトジルコニウムニオビウム(Ｃ
ＺＮ)やコバルトジルコニウムタンタルム(ＣＺＴ)のよ
うな他の柔らかい磁気膜からなる導電性の磁気薄膜読み
取りシールド１１６と１２２との間に配置されたとき、
ＭＲセンサ１２０のより良好な信号密度となるようにギ
ャップを狭めることができるからである。電気的な導電
性がないが、ＤＬＣは熱伝導率は大きく、センサから熱
を奪い取ることによりＭＲセンサの作動温度を下げる。
これによって、ＭＲセンサの寿命は延ばされ、磁気媒体
１１１がセンサのうえに止まったときのダメージが防が
れ、テープ走行時の熱ノイズが低減される。熱伝導率が
大きいことはまた、薄膜磁気ヘッドの製造中に電気磁気
回路構成部の応力を小さくし、それによって、信頼性と
工程歩留りが向上される。
０にダイヤモンド様カーボンを用いることはまた有利で
ある。なぜなら、それによって、薄くて、ピンホールの
ない層(すなわち、ショートしない)が付着され、ＮiＦe
(パーマロイ)や、コバルトジルコニウムニオビウム(Ｃ
ＺＮ)やコバルトジルコニウムタンタルム(ＣＺＴ)のよ
うな他の柔らかい磁気膜からなる導電性の磁気薄膜読み
取りシールド１１６と１２２との間に配置されたとき、
ＭＲセンサ１２０のより良好な信号密度となるようにギ
ャップを狭めることができるからである。電気的な導電
性がないが、ＤＬＣは熱伝導率は大きく、センサから熱
を奪い取ることによりＭＲセンサの作動温度を下げる。
これによって、ＭＲセンサの寿命は延ばされ、磁気媒体
１１１がセンサのうえに止まったときのダメージが防が
れ、テープ走行時の熱ノイズが低減される。熱伝導率が
大きいことはまた、薄膜磁気ヘッドの製造中に電気磁気
回路構成部の応力を小さくし、それによって、信頼性と
工程歩留りが向上される。
【００３０】以下に、本発明の実例についてさらに説明
する。なお、本発明は以下の実例に限定されない。
する。なお、本発明は以下の実例に限定されない。
【００３１】まず、第１実例について説明する。
【００３２】Ａl2Ｏ3−ＴiＣウエハー上に形成されたア
モルファス水素化合ダイヤモンド様カーボン膜(a−Ｃ:
Ｈ)を含む薄層ベースを以下のように形成した。３０重
量パーセントのチタニウムカーバイド粒子を含むＡl2Ｏ
3−ＴiＣウエハーである３Ｍセラミック３１０をエタノ
ールに浸されたコットンワイプを用いて洗浄し、つぎ
に、市販の平行板ＲＦプラズマリアクタであるプラズマ
サーモ 型式 ＰＤ ２４８０ の高圧供給電極に配置
した。そして、リアクタは、メカニカルポンプにより接
続されるルーツブロアを用いて、１ミリトール(０．１
３パスカル)の基準圧力まで排気された。
モルファス水素化合ダイヤモンド様カーボン膜(a−Ｃ:
Ｈ)を含む薄層ベースを以下のように形成した。３０重
量パーセントのチタニウムカーバイド粒子を含むＡl2Ｏ
3−ＴiＣウエハーである３Ｍセラミック３１０をエタノ
ールに浸されたコットンワイプを用いて洗浄し、つぎ
に、市販の平行板ＲＦプラズマリアクタであるプラズマ
サーモ 型式 ＰＤ ２４８０ の高圧供給電極に配置
した。そして、リアクタは、メカニカルポンプにより接
続されるルーツブロアを用いて、１ミリトール(０．１
３パスカル)の基準圧力まで排気された。
【００３３】つぎに、ウエハーの表面は、酸素プラズマ
エッチングステップとそのつぎのアルゴンプラズマエッ
チングとによりさらに洗浄した。酸素プラズマエッチン
グステップは、毎分５００標準立方センチメートル(scc
m)の酸素流量と９００ボルトの直流印加電圧を保ちなが
ら、２００ミリトールの圧力で５分間実施した。
エッチングステップとそのつぎのアルゴンプラズマエッ
チングとによりさらに洗浄した。酸素プラズマエッチン
グステップは、毎分５００標準立方センチメートル(scc
m)の酸素流量と９００ボルトの直流印加電圧を保ちなが
ら、２００ミリトールの圧力で５分間実施した。
【００３４】アルゴンスパッタリングステップは、２０
０sccmのアルゴン流量と１０００ボルトの印加電圧を保
ちながら、５０ミリトールの圧力で５分間実施した。ア
ルゴンスパッタリングステップの終了１分前に、テトラ
メチシリン蒸気をチャンバーに５０sccmの流量で２分間
入れることにより、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層の付着を開始した。
２分間のa−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着中は、圧力と電圧を５０ミリ
ールと１０００ボルトに保った。
０sccmのアルゴン流量と１０００ボルトの印加電圧を保
ちながら、５０ミリトールの圧力で５分間実施した。ア
ルゴンスパッタリングステップの終了１分前に、テトラ
メチシリン蒸気をチャンバーに５０sccmの流量で２分間
入れることにより、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層の付着を開始した。
２分間のa−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着中は、圧力と電圧を５０ミリ
ールと１０００ボルトに保った。
【００３５】a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着終了３０秒前、したがっ
て、アルゴンスパッタリングステップ終了後約３０秒
に、ＤＬＣ付着工程を開始した。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着とＤ
ＬＣ付着とのこの３０秒のオーバーラップは、この２層
の薄膜の干渉部での混合を緩やかに変化させるのに役立
つ。ＤＬＣ付着は、ソースガスにブタジエンを、希釈ガ
スにアルゴンを用いて実施した。アルゴンとブタジエン
の流量は、それぞれ、１８０sccmと２０sccmに固定し、
圧力と電圧は、５０ミリトールと１０００ボルトに設定
した。ＤＬＣ付着は２５分間実施し、ＤＬＣ薄膜厚さは
１．０μmとなった。生成された膜のモース硬さは９で
あった。
て、アルゴンスパッタリングステップ終了後約３０秒
に、ＤＬＣ付着工程を開始した。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着とＤ
ＬＣ付着とのこの３０秒のオーバーラップは、この２層
の薄膜の干渉部での混合を緩やかに変化させるのに役立
つ。ＤＬＣ付着は、ソースガスにブタジエンを、希釈ガ
スにアルゴンを用いて実施した。アルゴンとブタジエン
の流量は、それぞれ、１８０sccmと２０sccmに固定し、
圧力と電圧は、５０ミリトールと１０００ボルトに設定
した。ＤＬＣ付着は２５分間実施し、ＤＬＣ薄膜厚さは
１．０μmとなった。生成された膜のモース硬さは９で
あった。
【００３６】a−Ｓi:Ｃ:Ｈ接合促進層の効果を証明する
ため、同一のＡl2Ｏ3−ＴiＣウエハー上にa−Ｓi:Ｃ:Ｈ
接合促進層を用いる場合と用いない場合との２つの条件
で、ＤＬＣ膜を付着した。上記の付着実行中は、Ａl2Ｏ
3−ＴiＣウエハーの一部をマスキングして、これを実行
した。そして、第２の付着は、同一のウエハーについて
マスクされた領域を露出し、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着ステップ
以外の上記工程を行なうことにより実行した。a−Ｓi:
Ｃ:Ｈ接合促進層を利用せずに直接にウエハー上にＤＬ
Ｃが付着されたところでは、ＤＬＣはウエハーからくず
れ、層われする傾向があった。
ため、同一のＡl2Ｏ3−ＴiＣウエハー上にa−Ｓi:Ｃ:Ｈ
接合促進層を用いる場合と用いない場合との２つの条件
で、ＤＬＣ膜を付着した。上記の付着実行中は、Ａl2Ｏ
3−ＴiＣウエハーの一部をマスキングして、これを実行
した。そして、第２の付着は、同一のウエハーについて
マスクされた領域を露出し、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着ステップ
以外の上記工程を行なうことにより実行した。a−Ｓi:
Ｃ:Ｈ接合促進層を利用せずに直接にウエハー上にＤＬ
Ｃが付着されたところでは、ＤＬＣはウエハーからくず
れ、層われする傾向があった。
【００３７】図４に、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着前加工がされた
領域１０２とされてない領域１０４との光学顕微鏡写真
１００を示す。前加工がされてない領域１０４において
ＤＬＣ膜がくずれ、層われしていることが、はっきりと
観察される。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着前加工がされた領域１０
２は、領域１０２がべっとりと黒いことより明らかなよ
うに、はっきり分かるくずれや層われは観察されなかっ
た。
領域１０２とされてない領域１０４との光学顕微鏡写真
１００を示す。前加工がされてない領域１０４において
ＤＬＣ膜がくずれ、層われしていることが、はっきりと
観察される。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ付着前加工がされた領域１０
２は、領域１０２がべっとりと黒いことより明らかなよ
うに、はっきり分かるくずれや層われは観察されなかっ
た。
【００３８】a−Ｓi:Ｃ:Ｈ下地層による接合強化を定量
化するため、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層を有するＡl2Ｏ3−ＴiＣウ
エハー上と、有さないウエハー上とに、厚さ０．５μm
のＤＬＣ膜をいくつか生成した。ＤＬＣ膜にエポキシ接
着されたアルミニウム製びょうをとりつけて引っ張り試
験を行なうことにより、接合力を計測した。上記工程に
より生成されたＤＬＣ膜は、試験した最大荷重７．３Ｘ
１０7Ｎ／m2で破断しなかった。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層なしに
生成されたＤＬＣ膜は、３．５Ｘ１０7Ｎ／m2の荷重で
破断した。
化するため、a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層を有するＡl2Ｏ3−ＴiＣウ
エハー上と、有さないウエハー上とに、厚さ０．５μm
のＤＬＣ膜をいくつか生成した。ＤＬＣ膜にエポキシ接
着されたアルミニウム製びょうをとりつけて引っ張り試
験を行なうことにより、接合力を計測した。上記工程に
より生成されたＤＬＣ膜は、試験した最大荷重７．３Ｘ
１０7Ｎ／m2で破断しなかった。a−Ｓi:Ｃ:Ｈ層なしに
生成されたＤＬＣ膜は、３．５Ｘ１０7Ｎ／m2の荷重で
破断した。
【００３９】つぎに、第２実例を説明する。
【００４０】第２接合促進層は、第１実例にしたがって
製造された薄層ベースに対して、以下のステップを実行
することにより形成した。アモルファス水素化合ダイヤ
モンド様カーボン膜(a−Ｃ:Ｈ)を、第１実例の第１〜４
段落に記載した本発明の方法によって、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ
基板上に付着した。ＤＬＣ付着ステップ終了前３０秒
に、アルゴン中に２パーセント混合されたシランを２０
０sccmの割合でリアクタに入れることにより、ＤＬＣ層
上にa−Ｓi:Ｈが付着された。圧力と直流印加電圧は、
５０ミリトールと１０００ボルトに保った。a−Ｓi:Ｈ
付着は２分間続け、好ましいと考えられる範囲内、すな
わち、約１から１００nmの厚さであるa−Ｓi:Ｈ薄膜が
生成された。このとき、多層の電気磁気回路構成部はa
−Ｓi:Ｈ層上に付着させ、薄膜磁気ヘッドを形成するこ
とが可能であった。
製造された薄層ベースに対して、以下のステップを実行
することにより形成した。アモルファス水素化合ダイヤ
モンド様カーボン膜(a−Ｃ:Ｈ)を、第１実例の第１〜４
段落に記載した本発明の方法によって、Ａl2Ｏ3−ＴiＣ
基板上に付着した。ＤＬＣ付着ステップ終了前３０秒
に、アルゴン中に２パーセント混合されたシランを２０
０sccmの割合でリアクタに入れることにより、ＤＬＣ層
上にa−Ｓi:Ｈが付着された。圧力と直流印加電圧は、
５０ミリトールと１０００ボルトに保った。a−Ｓi:Ｈ
付着は２分間続け、好ましいと考えられる範囲内、すな
わち、約１から１００nmの厚さであるa−Ｓi:Ｈ薄膜が
生成された。このとき、多層の電気磁気回路構成部はa
−Ｓi:Ｈ層上に付着させ、薄膜磁気ヘッドを形成するこ
とが可能であった。
【００４１】この第２接合促進層で覆われたダイヤモン
ド様カーボンは、大部分の金属を合金を含む種々の構成
要素、より具体的には電気磁気回路構成部との接着性が
良い。
ド様カーボンは、大部分の金属を合金を含む種々の構成
要素、より具体的には電気磁気回路構成部との接着性が
良い。
【図１】 従来例の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】 本発明の１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図３】 図２の正面からみた部分の拡大正面図であ
る。
る。
【図４】 本発明の方法により基板上に付着されたダイ
ヤモンド様カーボン（薄膜）の光学顕微鏡写真である。
上部は層われのある状態を、下部は層われのない状態を
示している。
ヤモンド様カーボン（薄膜）の光学顕微鏡写真である。
上部は層われのある状態を、下部は層われのない状態を
示している。
【図５】 本発明の他の実施例に係る薄膜磁気ヘッドア
センブリの側面断面図である。
センブリの側面断面図である。
１０ ヘッドアセンブリ １２ 基板 １４ 絶縁層 ２２ ギャップ長
さ ２４ ギャップ幅 ２６ 磁極端 ２８ 巻線 ５０ ヘッドアセ
ンブリ ５２ 基板 ５４ 第１接合促
進層 ５６ 耐摩耗層 ５８ 第２接合促
進層 ６０ 薄層ベース ６２ 回路構成部 １００ 光学顕微鏡写真 １０２ 前加工が
された領域 １０４ 前加工がされてない領域 １１０ ヘッドア
センブリ １１１ 記録媒体 １１２ 基板 １１４ 第１絶縁層 １１６ 下部読み
取りシールド １１８ 第２絶縁層 １２０ センサ １２１ 第３絶縁層 １２２ 上部読み取りシールド／下部書き込み磁極 １２４ 第４絶縁層 １２６ 書き込み
巻線 １２７ 円滑層 １２８ 上部書き
込み磁極 １３０ 第５絶縁層 １３２ 読み込み
ヘッド １３４ 書き込みヘッド １３６ 矢印
さ ２４ ギャップ幅 ２６ 磁極端 ２８ 巻線 ５０ ヘッドアセ
ンブリ ５２ 基板 ５４ 第１接合促
進層 ５６ 耐摩耗層 ５８ 第２接合促
進層 ６０ 薄層ベース ６２ 回路構成部 １００ 光学顕微鏡写真 １０２ 前加工が
された領域 １０４ 前加工がされてない領域 １１０ ヘッドア
センブリ １１１ 記録媒体 １１２ 基板 １１４ 第１絶縁層 １１６ 下部読み
取りシールド １１８ 第２絶縁層 １２０ センサ １２１ 第３絶縁層 １２２ 上部読み取りシールド／下部書き込み磁極 １２４ 第４絶縁層 １２６ 書き込み
巻線 １２７ 円滑層 １２８ 上部書き
込み磁極 １３０ 第５絶縁層 １３２ 読み込み
ヘッド １３４ 書き込みヘッド １３６ 矢印
フロントページの続き (72)発明者 セオドア・アルバート・シュワルツ アメリカ合衆国55144−1000ミネソタ州セ ント・ポール、スリーエム・センター（番 地の表示なし)
Claims (11)
- 【請求項１】 アルミナマトリックスに分散されたチタ
ニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板(５２)
と、 該基板の上に形成されたa−Ｓi:Ｃ:Ｈからなる接合促進
層(５４)と、 該接合促進層の上に形成されたダイヤモンド様炭素から
なる絶縁性の耐摩耗層(５６)とを備える薄膜磁気ヘッド
(５０)用薄層ベース(６０)。 - 【請求項２】 上記耐摩耗層の上に形成され、ａ−Ｓi:
Ｈからなる第２接合促進層(５８)をさらに備えることを
特徴とする請求項１記載の薄層ベース。 - 【請求項３】 上記各接合促進層は、約１から１００ナ
ノメートルの範囲内の厚さであることを特徴とする請求
項２記載の薄層ベース。 - 【請求項４】 上記接合促進層と上記耐摩耗層の間に介
在する遷移領域をさらに備え、該遷移領域は上記二つの
層の混合であることを特徴とする請求項１記載の薄層ベ
ース。 - 【請求項５】 (a) アルミナマトリックスに分散され
たチタニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板
(５２)の上にa−Ｓi:Ｃ:Ｈからなる接合促進層(５４)を
付着するステップと、 (b) 上記接合促進層の上に、ダイヤモンド様炭素から
なる絶縁性の耐摩耗層(５６)を付着するステップとを備
えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド(５０)用薄層ベー
ス(６０)の製造方法。 - 【請求項６】 上記ステップ(b)の後に、上記耐摩耗層
の上にa−Ｓi:Ｈからなる第２接合促進層(５８)を付着
するステップをさらに備えることを特徴とする請求項５
記載の製造方法。 - 【請求項７】 アルミナマトリックスに分散されたチタ
ニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板(５２)
と、 該基板の上に形成されるa−Ｓi:Ｃ:Ｈからなる第１接合
促進層(５４)と、 該第１接合促進層の上に形成されるダイヤモンド様炭素
からなる絶縁性の耐摩耗層(５６)と、 該耐摩耗層の上に形成されるa−Ｓi:Ｈからなる第２接
合促進層(５８)と、 該第２接合促進層の上に付着される電気磁気回路構成部
(６２)とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリ(５０)。 - 【請求項８】 上記第１および第２接合促進層は、それ
ぞれ約１から１００ナノメートルの範囲内の厚さである
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドアセン
ブリ。 - 【請求項９】 上記耐摩耗層は、約１０ナノメートルか
ら５マイクロメートルの範囲内の厚さであることを特徴
とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドアセンブリ。 - 【請求項１０】 アルミナマトリックスに分散されたチ
タニウムカーバイド粒子からなるセラミック基板(５２)
と、 該基板の上に形成された層であって、a−Ｓi:Ｃとa−Ｓ
i:Ｃ:Ｈとのグループから選択された材料からなる接合
促進層(５４)と、 該接合促進層の上に形成された層であって、ダイヤモン
ド様炭素、ダイヤモンド、およびアモルファスダイヤモ
ンドのグループから選択された材料からなる絶縁性の耐
摩耗コーティング(５６)とを備えることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドアセンブリ(５０)用薄層ベース(６０)。 - 【請求項１１】 上記耐摩耗コーティングの上に形成さ
れるa−Ｓi:Ｈからなる第２接合促進層(５８)と、 該第２接合促進層の上に付着され、上記薄層ベースが薄
膜磁気ヘッドとして機能できる形状である電気磁気回路
構成部(６２)とを備えることを特徴とする請求項１０記
載の薄層ベース。
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